專利名稱：大功率接近開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種無觸點(diǎn)電子開關(guān)，特別是一種電感式的大功率接近開關(guān)。
由沈陽機(jī)電學(xué)院主編，機(jī)械工業(yè)出版社于1983年12月出版的《電子電器》一書等八章第202頁公開了一種交流接近開關(guān)，該開關(guān)由感辨頭、振蕩器、檢波及觸發(fā)器、微觸發(fā)小可控硅、穩(wěn)壓器、橋式整流器組成。當(dāng)檢測體接近感辨頭使振蕩器停振，檢波及觸發(fā)器輸出的高電平經(jīng)一限流電阻送入微觸發(fā)小可控觸發(fā)極使之導(dǎo)通，輸出電流帶動(dòng)負(fù)載工作。其不足之處由觸發(fā)器輸出的觸發(fā)電流只有1mA左右，只能觸發(fā)小可控硅，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足大功率可控硅的觸發(fā)電流，使該開關(guān)輸出電流只能達(dá)到幾百毫安，以致于該接近開關(guān)只能驅(qū)動(dòng)小功率負(fù)載。若要驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載時(shí)，還必需通過中間環(huán)節(jié)，先帶動(dòng)中間繼電器或交流接觸器，然后由它們帶動(dòng)大功率負(fù)載。
本實(shí)用新型的目的是設(shè)計(jì)一種能夠直接帶動(dòng)大功率負(fù)載的大功率接近開關(guān)。
為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)解決方案在檢波及觸發(fā)器與原含有的可控硅T1支路之間增設(shè)一級(jí)功率放大觸發(fā)電路，該電路中的可控硅T2觸發(fā)極與檢波及觸發(fā)器輸出端相連接，輸出端與可控硅T1觸發(fā)極相連接，輸入端與可控硅T1輸入端相連接。
當(dāng)檢測體接近感辨頭，振蕩器停振使開關(guān)動(dòng)作，觸發(fā)器輸出高電平經(jīng)限流電阻送入功率放大觸發(fā)電器中的小可控硅T2觸發(fā)極使之導(dǎo)通，小可控硅輸出電流送入大可控硅I1觸發(fā)極。由于經(jīng)過小可控硅這一級(jí)的功率放大環(huán)節(jié)，大可控硅觸發(fā)極獲的較大的觸發(fā)電流，滿足了大可控硅所要求的觸發(fā)電流，使大可控硅導(dǎo)通，輸出電流達(dá)到幾十安培，從而實(shí)現(xiàn)了能夠直接帶動(dòng)大功率負(fù)載的目的。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。


圖1為本實(shí)施例的電路方框圖。
圖2為圖1電路原理圖，其中，感辨頭、振蕩器部分原理圖為現(xiàn)有技術(shù)，未畫出。
圖3為圖2實(shí)施例大功率接近開關(guān)縱剖面圖。
圖4為圖3右視圖。
由圖1可知，本實(shí)施例由感辨頭、振蕩器、檢波及觸發(fā)器、功率放大觸發(fā)電路、大功率可控硅T1、穩(wěn)壓器(D5、D6、D7)、大功率橋式整流電路(D1、D2、D3、D4)組成，其中，功率放大觸發(fā)電器設(shè)置在檢波及觸發(fā)器與大功率可控硅T1支路之間，主要由小可控硅T2構(gòu)成。小可控硅T2觸發(fā)極通過一限流電阻R與檢波及觸發(fā)器輸出端即三極管BG1集電極相連接，在小可控硅T2支路上串聯(lián)一限流二極管D8，小可控硅T2輸出端與大功率可控硅T1觸發(fā)極相連接，輸入端與大功率可控硅T1輸入端相連接。在大功率控硅T1支路上串聯(lián)若干個(gè)大功率穩(wěn)壓二極管D5-D7后連接在橋式整流電路的兩輸出端。
當(dāng)檢測體接近感辨頭，振蕩器停振，觸發(fā)器中的三極管BG1截止，集電極電流經(jīng)電阻R送入功率放大觸發(fā)電路中的小可控硅T2觸發(fā)極使之導(dǎo)通，小可控硅輸出電流送入大可控硅T1觸發(fā)極，由于經(jīng)過小可控硅這一級(jí)的功率放大環(huán)節(jié)，大可控硅T1觸發(fā)極獲的較大的觸發(fā)電流，滿足了大可控硅T1所要求的觸發(fā)電流，使大可控硅導(dǎo)通，輸出大電流，從而實(shí)現(xiàn)了能夠直接帶動(dòng)大功率負(fù)載的目的。但隨之而來的大功率元器件由于受到產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、體積的限制，其散熱是一個(gè)關(guān)鍵的問題，針對(duì)該問題，采用的辦法是將大功率元器件所需的散熱片(2)設(shè)置在殼體(1)上，并設(shè)置在開關(guān)外殼(1)底座上(如圖3所示)，大功率發(fā)熱元器件(4)安裝在散熱片(2)上，并在開關(guān)外殼底座上設(shè)置若干個(gè)支座(3)(如圖3、圖4所示)，促進(jìn)空氣的流通，改善其散熱效果。
綜上所述，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)1、散熱效果好；2、輸出電流大；3、結(jié)構(gòu)簡單；4、為大功率負(fù)載的老設(shè)備的更新、改造帶來方便。
權(quán)利要求1.一種含有感辨頭、振蕩器、檢波及觸發(fā)器、可控硅T1、穩(wěn)壓器(D5、D6、D7)、橋式整流電路(D1、D2、D3、D4)及外殼的大功率接近開關(guān)，其特征在于在檢波及觸發(fā)器與可控硅T1支路之間增設(shè)一級(jí)功率放大觸發(fā)電路，該電路中的可控硅T2觸發(fā)極與檢波及觸發(fā)器輸出端相連接，輸出端與可控硅T1觸發(fā)極相連接，輸入端與可控硅T1輸入端相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率接近開關(guān)，其特征在于大功率發(fā)熱元器件所需的散熱片(2)設(shè)置在殼體(1)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大功率接近開關(guān)，其特征在于散熱片(2)設(shè)置在殼體(1)底部上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的大功率接近開關(guān)，其特征在于在殼體底座上設(shè)有若干個(gè)支座(3)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種無觸點(diǎn)電子開關(guān)，特別是一種電感式的大功率接近開關(guān)，其特征在于在檢波及觸發(fā)器與可控硅T
文檔編號(hào)H03K17/945GK2262780SQ9621670
公開日1997年9月17日 申請(qǐng)日期1996年6月21日 優(yōu)先權(quán)日1996年6月21日
發(fā)明者曾國平 申請(qǐng)人:曾國平