專利名稱：一種八位d/a轉(zhuǎn)換器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種D/A轉(zhuǎn)換器電路，特別涉及一種能減少元器件數(shù)量，能以單片集成電路實(shí)現(xiàn)D/A轉(zhuǎn)換功能的八位D/A轉(zhuǎn)換器電路。
空間探測需要低功耗、高可靠、能適應(yīng)各種空間環(huán)境的器件。
在現(xiàn)有的用于空間環(huán)境科學(xué)的D/A轉(zhuǎn)換器器件，其都存在有結(jié)構(gòu)復(fù)雜，占用空間大的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的目的在于，提供一種八位D/A轉(zhuǎn)換器電路，其具有使用的元器件少和占用空間小的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明一種八位D/A轉(zhuǎn)換器電路，其中包括效應(yīng)晶體管和非門，其中非門N1、N3、N5、N7、N9、N11、N13、N15八位輸出信號(hào)分別接至非門N2、N4、N6、N8、N10、N12、N14、N16，并同時(shí)分別接至場效應(yīng)晶體管M1、M3、M5、M7、M9、M11、M13、M15的柵級；非門N2、N4、N6、N8、N10、N12、N14、N16的輸出端分別接至場效應(yīng)晶體管M2、M4、M6、M8、M10、M12、M14、M16的柵級，M1、M3、M5、M7、M9、M11、M13、M15的源級及R1一端與Vss相連，M2、M4、M6、M8、M10、M12、M14、M16的源級接至Vref；M1與M2漏級相連并通過電阻R2接至電阻R1、R10之間；M3與M4漏級相連并通過電阻R3接至電阻R10、R11之間；M5與M6漏級相連并通過電阻R4接至電阻R11、R12之間；M7與M8漏級相連并通過電阻R5接至電阻R12、R13之間；M9與M10漏級相連并通過電阻R6接至電阻R13、R14之間；M11與M12漏級相連并通過電阻R7接至電阻R14、R15之間；M13與M14漏級相連并通過電阻R8接至電阻R15、R16之間；M15與M16漏級相連并通過電阻R9接至電阻R16的另一端再接至M21柵級；M21、M20漏級相連，并同時(shí)與M18源級相連，M18、M17柵級、源級以及M19柵級相連，M18、M17柵級、源級以及M19柵級相連，M17、M18、M19的漏級接至Vdd，M19源級與M22漏級相連，M21源級與M24漏級、M22柵級以及C1相連，M24、M23柵級、M23漏級、M20源級相連，M23、M24、M22的源級接地，M20柵級與C1另一端連接，為輸出端Q。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)例進(jìn)行詳細(xì)介紹。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的電路原理圖。
請參閱附圖所示，一種八位D/A轉(zhuǎn)換器電路，其中包括效應(yīng)晶體管和非門，其中非門N1、N3、N5、N7、N9、N11、N13、N15八位輸出信號(hào)分別接至非門N2、N4、N6、N8、N10、N12、N14、N16，并同時(shí)分別接至場效應(yīng)晶體管M1、M3、M5、M7、M9、M11、M13、M15的柵級；非門N2、N4、N6、N8、N10、N12、N14、N16的輸出端分別接至場效應(yīng)晶體管M2、M4、M6、M8、M10、M12、M14、M16的柵級，M1、M3、M5、M7、M9、M11、M13、M15的源級及R1一端與Vss相連，M2、M4、M6、M8、M10、M12、M14、M16的源級接至Vref；M1與M2漏級相連并通過電阻R2接至電阻R1、R10之間；M3與M4漏級相連并通過電阻R3接至電阻R10、R11之間；M5與M6漏級相連并通過電阻R4接至電阻R11、R12之間；M7與M8漏級相連并通過電阻R5接至電阻R12、R13之間；M9與M10漏級相連并通過電阻R6接至電阻R13、R14之間；M11與M12漏級相連并通過電阻R7接至電阻R14、R15之間；M13與M14漏級相連并通過電阻R8接至電阻R15、R16之間；M15與M16漏級相連并通過電阻R9接至電阻R16的另一端再接至M21柵級；M21、M20漏級相連，并同時(shí)與M18源級相連，M18、M17柵級、源級以及M19柵級相連，M18、M17柵級、源級以及M19柵級相連，M17、M18、M19的漏級接至Vdd，M19源級與M22漏級相連，M21源級與M24漏級、M22柵級以及C1相連，M24、M23柵級、M23漏級、M20源級相連，M23、M24、M22的源級接地，M20柵級與C1另一端連接，為輸出端Q。
本發(fā)明實(shí)例的工作原理是當(dāng)d7d6d5d4d3d2d1d0＝00000001時(shí)，只有模擬開關(guān)A接至Vref，而B-H全部接至公共端，自AA’端向右逐級化簡，則不難看出，每經(jīng)過一個(gè)節(jié)點(diǎn)，輸出電壓都要衰減1/2，因此加在A上的Vref在HH’端所提供的電壓只有Vref/28。同理，當(dāng)Vref分別加在B、C、D、E、F、G、H上時(shí)，它們在HH’端所提供的電壓將各為Vref/27、Vref/26、Vref/25、Vref/24、Vref/23、Vref/22、Vref/21，而從HH’端向左看的內(nèi)阻永遠(yuǎn)是R。所以Vout等于Vout=Vref28(d727+d626+d525+d424+d323+d222+d121+d020)]]>采用跟隨器輸出，使Q端輸出幅度與Vout端相同，并且其輸入電阻非常大，輸出電阻非常小，保證本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)能力，便于在實(shí)際使用中的長距離測試，大大提高了本發(fā)明一項(xiàng)實(shí)例的可靠性。
本發(fā)明由輸入控制電路、CMOS管模擬開關(guān)、八位T型電阻網(wǎng)絡(luò)及射隨器輸出四部分組成。輸入信號(hào)為八位數(shù)字量，輸出為模擬量0-5.0V。
本發(fā)明與以往D/A轉(zhuǎn)換器不同的是，采用CMOS管作為模擬開關(guān)電路，它較之雙極型D/A轉(zhuǎn)換器功耗低、受溫度及輻射等外界因素的影響小，因此適合在環(huán)境變化比較劇烈的情況下工作。
權(quán)利要求
1.一種八位D/A轉(zhuǎn)換器電路，其中包括效應(yīng)晶體管和非門，其特征在于，其中非門N1、N3、N5、N7、N9、N11、N13、N15八位輸出信號(hào)分別接至非門N2、N4、N6、N8、N10、N12、N14、N16，并同時(shí)分別接至場效應(yīng)晶體管M1、M3、M5、M7、M9、M11、M13、M15的柵級；非門N2、N4、N6、N8、N10、N12、N14、N16的輸出端分別接至場效應(yīng)晶體管M2、M4、M6、M8、M10、M12、M14、M16的柵級，M1、M3、M5、M7、M9、M11、M13、M15的源級及R1一端與Vss相連，M2、M4、M6、M8、M10、M12、M14、M16的源級接至Vref；M1與M2漏級相連并通過電阻R2接至電阻R1、R10之間；M3與M4漏級相連并通過電阻R3接至電阻R10、R11之間；M5與M6漏級相連并通過電阻R4接至電阻R11、R12之間；M7與M8漏級相連并通過電阻R5接至電阻R12、R13之間；M9與M10漏級相連并通過電阻R6接至電阻R13、R14之間；M11與M12漏級相連并通過電阻R7接至電阻R14、R15之間；M13與M14漏級相連并通過電阻R8接至電阻R15、R16之間；M15與M16漏級相連并通過電阻R9接至電阻R16的另一端再接至M21柵級；M21、M20漏級相連，并同時(shí)與M18源級相連，M18、M17柵級、源級以及M19柵級相連，M18、M17柵級、源級以及M19柵級相連，M17、M18、M19的漏級接至Vdd，M19源級與M22漏級相連，M21源級與M24漏級、M22柵級以及C1相連，M24、M23柵級、M23漏級、M20源級相連，M23、M24、M22的源級接地，M20柵級與C1另一端連接，為輸出端Q。
全文摘要
本發(fā)明一種八位D/A轉(zhuǎn)換器電路,其中包括有:效應(yīng)晶體管和非門,輸入控制電路、CMOS管模擬開關(guān)、八位T型電阻網(wǎng)絡(luò)及射隨器輸出四部分組成。輸入信號(hào)為八位數(shù)字量,輸出為模擬量0—5.0V;本發(fā)明與以往D/A轉(zhuǎn)換器不同的是,采用CMOS管作為模擬開關(guān)電路,它較之雙極型D/A轉(zhuǎn)換器功耗低、受溫度及輻射等外界因素的影響小,因此適合在環(huán)境變化比較劇烈的情況下工作。
文檔編號(hào)H03M1/66GK1254991SQ9812494
公開日2000年5月31日 申請日期1998年11月19日 優(yōu)先權(quán)日1998年11月19日
發(fā)明者朱光武, 梁金寶, 王世金, 翟應(yīng)應(yīng), 孫越強(qiáng), 張微, 李宏, 黃紅錦, 吳洪鐘, 肖錫東, 張驊忠, 尹秋巖 申請人:中國科學(xué)院空間科學(xué)與應(yīng)用研究中心