移植電路板的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種移植半導(dǎo)體的方法，且特別是涉及一種移植電路板的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前電路板的制造方法通常是將一塊電路基板制作成多個(gè)子電路板，以使電路基板形成一多聯(lián)電路板。然而，在生產(chǎn)過程中難免會(huì)生產(chǎn)出具有些微瑕疵的子電路板，若將不良品報(bào)廢處理則浪費(fèi)資源。有鑒于此，部分多聯(lián)電路板的制造商會(huì)先對(duì)多聯(lián)電路板的子電路板進(jìn)行電性測(cè)試，再將電性測(cè)試后確定為良品的多個(gè)子電路板重新組裝成新的多聯(lián)電路板，以使重組后的這些多聯(lián)電路板上的子電路板皆為可用的良品。
[0003]然而，目前移植電路板的技術(shù)通常是將子電路板分別嵌合于上下相對(duì)的兩邊條上，以框圍上述確定為良品的多個(gè)子電路板而組成新的多聯(lián)電路板。然而，由于用以框圍子電路板的上下兩邊條的剛性不足，容易在制作過程中，或是子電路板的組裝過程中受到彎折甚至導(dǎo)致?lián)p壞。此外，由于兩邊條為分開制作的獨(dú)立兩構(gòu)件，因此，同一多聯(lián)電路板的兩邊條之間容易產(chǎn)生制作公差，再加上兩邊條因剛性不足而可能導(dǎo)致的彎折變形及漲縮差異，上述種種原因皆會(huì)影響多聯(lián)電路板組裝接合時(shí)的精準(zhǔn)度及后續(xù)制作工藝的可靠度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種移植電路板的方法，其可提高子電路板與框架間的組裝接合的精準(zhǔn)度及提高電路板移植結(jié)構(gòu)中的空間利用度。
[0005]為達(dá)上述目的，本發(fā)明的一種移植電路板的方法，其包括下列步驟。首先，對(duì)多個(gè)子電路板進(jìn)行層偏測(cè)試與電性測(cè)試。接著，篩選出多個(gè)經(jīng)層偏測(cè)試與電性測(cè)試確認(rèn)為良品的子電路板。各子電路板包括一本體、多個(gè)可折連桿、多個(gè)卡合部以及多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)。各可折連桿突出于本體且連接對(duì)應(yīng)的卡合部。提供一框架。框架包括一上邊框、一下邊框、兩側(cè)邊框、多個(gè)卡合口以及多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)?？ê峡诜謩e位于上邊框及下邊框的內(nèi)緣。第二對(duì)位點(diǎn)分別設(shè)置于上邊框及下邊框上。各側(cè)邊框連接上邊框以及下邊框，以共同定義出多個(gè)移植缺口。接著，將第一對(duì)位點(diǎn)以及第二對(duì)位點(diǎn)進(jìn)行對(duì)位，以將子電路板分別設(shè)置于移植缺口內(nèi)，并將各卡合部與對(duì)應(yīng)的卡合口嵌合，以固定子電路板于框架上。
[0006]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的移植電路板的方法，其中層偏測(cè)試的步驟包括以激光直接成像或直接成像技術(shù)分別形成兩圖案化線路層于各子電路板的上下兩表面，并偵測(cè)兩圖案化線路層之間的層偏。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的卡合部為圓形，且第一對(duì)位點(diǎn)位于對(duì)應(yīng)的卡合部的圓心。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的移植電路板的方法更包括在固定子電路板于框架上之后，移除兩側(cè)邊框。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的框架為一雙層板結(jié)構(gòu)。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的框架的一線路層數(shù)等于各子電路板的一線路層數(shù)。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的框架為一體成型。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的提供框架的方法更包括下列步驟。首先，形成多個(gè)準(zhǔn)卡合口于上邊框及下邊框的內(nèi)緣上，各準(zhǔn)卡合口的尺寸小于各卡合部的尺寸。接著，偵測(cè)各卡合部的一外輪廓以及各外輪廓至對(duì)應(yīng)的第一對(duì)位點(diǎn)的一距離。依據(jù)偵測(cè)到的距離以及第一對(duì)位點(diǎn)與第二對(duì)位點(diǎn)的相對(duì)位置，得到框架上對(duì)應(yīng)于卡合部的多個(gè)待移除區(qū)域，待移除區(qū)域分別位于該些準(zhǔn)卡合口的周圍。接著，移除位于準(zhǔn)卡合口周圍的待移除區(qū)域，以形成卡合口。各卡合口的一尺寸實(shí)質(zhì)上大于或等于各卡合部的一尺寸。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的移植電路板的方法更包括控制各卡合部的一邊緣至對(duì)應(yīng)的卡合口的一邊緣的最短距離實(shí)質(zhì)上小于400微米之間。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的移植電路板的方法更包括在將各卡合部與對(duì)應(yīng)的卡合口嵌合之后，填充一膠體于各卡合部與對(duì)應(yīng)的卡合口之間。接著，固化膠體。
[0015]基于上述，本發(fā)明利用一框架來容置并固定多個(gè)子電路板，以形成包括多個(gè)子電路板的多聯(lián)電路板，其中，框架具有上邊框、下邊框以及兩側(cè)邊框，再將經(jīng)層偏測(cè)試與電性測(cè)試后確定為良品的多個(gè)子電路板卡合于此框架內(nèi)，以組裝成多聯(lián)電路板，且此多聯(lián)電路板上的子電路板皆為可用的良品。由于本發(fā)明的框架是由上邊框、下邊框以及兩側(cè)邊框所組成，因此結(jié)構(gòu)剛性較強(qiáng)，不易于設(shè)置子電路板于框架上的過程中受到彎折或損壞，進(jìn)而可增加制作工藝的良率。
[0016]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0017]圖1是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種移植電路板的方法的流程方塊示意圖；
[0018]圖2是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種框架與子電路板的示意圖；
[0019]圖3是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種框架與子電路板的組裝示意圖；
[0020]圖4是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種移植電路板的方法的示意圖；
[0021]圖5是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種子電路板的局部剖面示意圖。
[0022]符號(hào)說明
[0023]10:多聯(lián)電路板
[0024]100:框架
[0025]110:上邊框
[0026]Il2:內(nèi)緣
[0027]120:下邊框
[0028]130:側(cè)邊框
[0029]140:卡合口
[0030]142:準(zhǔn)卡合口
[0031]150:第二對(duì)位點(diǎn)
[0032]160:移植缺口
[0033]170:待移除區(qū)域
[0034]200:子電路板
[0035]210:本體
[0036]220:卡合部
[0037]230:第一對(duì)位點(diǎn)
[0038]240:基材
[0039]250a、250b:圖案化線路層
[0040]260:可折連桿
【具體實(shí)施方式】
[0041]有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合參考附圖的各實(shí)施例的詳細(xì)說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。以下實(shí)施例中所提到的方向用語，例如:「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」等，僅是參考附加附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而并非用來限制本發(fā)明。并且，在下列各實(shí)施例中，相同或相似的元件將采用相同或相似的標(biāo)號(hào)。
[0042]圖1是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種移植電路板的方法的流程方塊示意圖。圖2是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種框架與子電路板的示意圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1以及圖2，本實(shí)施例的移植電路板的方法可包括下列步驟:首先，提供經(jīng)偏測(cè)試與電性測(cè)試后確定為良品的多個(gè)子電路板200 (步驟S110)。在本實(shí)施例中，可先對(duì)多個(gè)子電路板進(jìn)行層偏測(cè)試與電性測(cè)試，以篩選出層偏測(cè)試與電性測(cè)試后確定為良品的多個(gè)子電路板200。詳細(xì)而言，各子電路板200包括一本體210、多個(gè)可折連桿260、多個(gè)卡合部220以及多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)230。各可折連桿260如圖2所示的突出于本體210且與對(duì)應(yīng)的卡合部220嵌合。
[0043]接著，提供一框架100，其包括一上邊框110、一下邊框120及兩側(cè)邊框130，以定義出多個(gè)移植缺口 160，且框架100更包括多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)150(步驟S120)。在本實(shí)施例中，子電路板會(huì)先如前所述的批量進(jìn)行層偏測(cè)試與電性測(cè)試，以篩選出層偏測(cè)試與電性測(cè)試后確定為良品的多個(gè)子電路板200。之后，再將這些確定為良品的子電路板200分別組裝至框架100的移植缺口 160內(nèi)而形成多聯(lián)電路板，以利出貨。如此，組裝完成后的這些多聯(lián)電路板上的子電路板200皆為可用的良品。詳細(xì)而言，框架100包括上邊框110、下邊框120、兩側(cè)邊框130、多個(gè)卡合口 140以及多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)150，其中，卡合口 140分別位于上邊框110以及下邊框120的內(nèi)緣，第二對(duì)位點(diǎn)150分別設(shè)置于上邊框110及該下邊框120最外側(cè)且呈對(duì)角設(shè)置，以使對(duì)位區(qū)域涵蓋整個(gè)多聯(lián)電路板10。各側(cè)邊框130如圖1所示連接上邊框110以及下邊框120，使上邊框110、下邊框120以及兩側(cè)邊框130共同定義出多個(gè)移植缺口 160。在本實(shí)施例中，框架100可為一體成型。因此，本實(shí)施例的框架100具有較優(yōu)異的結(jié)構(gòu)剛性，并且，由于邊框110、120、130為同時(shí)制作，故各框架100的邊框110、120、130之間較不易產(chǎn)生制作公差，因而可增加框架100的制作良率，進(jìn)而可增加后續(xù)制作工藝的可靠度。
[0044]之后，將第一對(duì)位點(diǎn)230及第二對(duì)位點(diǎn)150進(jìn)行對(duì)位，以將子電路板200分別設(shè)置于移植缺口 160內(nèi)(步驟S140)。詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，設(shè)置于子電路板200上的第一對(duì)位點(diǎn)230可例如位于本體210上，也可位于卡合部220上，并可依據(jù)第一對(duì)位點(diǎn)230以及第二對(duì)位點(diǎn)150進(jìn)行對(duì)位，以將子電路板200分別設(shè)置于移植缺口 160內(nèi)，并將各卡合部220與對(duì)應(yīng)的卡合口 140嵌合，以固定子電路板200于框架100上而形成由多個(gè)子電路板200所組成的多聯(lián)電路板。具體來說，本實(shí)施例的卡合部220呈圓形，且第一對(duì)位點(diǎn)230位于對(duì)應(yīng)的卡合部220的圓心上。本實(shí)施例的對(duì)位方法可例如通過一光學(xué)/影像定位裝置來自動(dòng)偵測(cè)設(shè)置于框架100上的第二對(duì)位點(diǎn)150，以定位出移植缺口 160的位置，并自動(dòng)偵測(cè)設(shè)置于子電路板200上的第一對(duì)位點(diǎn)230來定位出子電路板200的設(shè)置位置，以將子電路板200準(zhǔn)確地設(shè)置于移植缺口 160內(nèi)。在本實(shí)施例中，光學(xué)/影像定位裝置例如為一電荷耦合元件(charge-coupled device, CCD)。
[0045]圖3是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種框架與子電路板的組裝示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2以及圖3，在子電路板200固定于框架100上之后，可選擇性地移除如圖2所示的兩側(cè)邊框130，以形成如圖3所示的多聯(lián)電路板10。當(dāng)然，本實(shí)施例的附圖僅用以舉例說明，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，多聯(lián)電路板10也可不移除兩側(cè)邊框130，也就是維持如圖2所示的完整框架100。并且，本發(fā)明也不限制框架100中的移植缺口 160及其可容納的子電路板200的數(shù)量。此外，框架100可與子電路板同樣由多個(gè)基材以及線路層交錯(cuò)堆疊而成，其中，框架100的線路層數(shù)可與各子電路板200的線路層數(shù)相同。然而，由于本實(shí)施例的框架100可與子電路板分開形成，因此，框架100的線路層數(shù)也可與各子電路板200的線路層