同于芯基板2，使得兩者的上表面的高度不同。然而，根據(jù)本發(fā)明，IC芯片3的厚度不一定與芯基板2不同。例如，IC芯片3的厚度可以與芯基板2相等。在這種情況下，在搭載芯基板2時，通過提高壓力重量或溫度使樹脂變軟，從而樹脂片12 (下部絕緣層4)被壓縮，并且芯基板2的上表面因此低于IC芯片3的上表面。
[0065]芯基板2不限于使用玻璃纖維織物或芳香族聚酰胺纖維的樹脂基板。相反，芯基板2可以由如銅、不銹鋼或鎳等的集成的金屬導(dǎo)體制成。在這種情況下，優(yōu)選在形成用于將上部布線層7連接到下部布線層6的夾層連接通孔的區(qū)域，提前進(jìn)行處理設(shè)置貫通形狀的開口。
[0066]根據(jù)上述實施例，在容納IC芯片3的芯基板2的開口部2a的全部四個角上都設(shè)置有切口部分2b。然而，所需的是在開口部2a的四個角中的至少一角處設(shè)置切口部分2b。
[0067]在形成芯基板2的開口部2a時，用于將上部布線層7連接到下部布線層6的夾層連接通孔可以同時形成。其結(jié)果，可以將一次加工的量保持在低水平。因此，可以形成較小直徑的通孔。
【主權(quán)項】
1.一種IC內(nèi)置基板，其特征在于， 包含: 下部絕緣層； 下部布線層，其形成于所述下部絕緣層的下表面； 芯基板，其形成于所述下部絕緣層的上表面； IC芯片，其面朝上搭載于所述下部絕緣層的所述上表面； 上部絕緣層，其覆蓋所述芯基板的上表面和所述IC芯片的上表面； 上部布線層，其形成于所述上部絕緣層的上表面；以及 通孔導(dǎo)體，其貫通所述上部絕緣層而連接所述上部布線層和所述IC芯片， 所述芯基板具有開口部， 所述IC芯片設(shè)置于所述開口部內(nèi)， 所述上部絕緣層以填充所述IC芯片的側(cè)面和所述芯基板的開口部的內(nèi)周面之間的間隙的方式而形成， 從所述IC芯片的所述上表面到所述上部絕緣層的所述上表面的第一距離比從所述芯基板的所述上表面到所述上部絕緣層的所述上表面的第二距離短。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC內(nèi)置基板，其特征在于， 所述芯基板是包含纖維增強(qiáng)材料的樹脂基板，并且所述下部絕緣層和所述上部絕緣層是不包含纖維增強(qiáng)材料的樹脂層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC內(nèi)置基板，其特征在于， 所述芯基板的上表面的整體與所述上部絕緣層接觸，并且所述芯基板的下表面的整體與所述下部絕緣層接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC內(nèi)置基板，其特征在于， 所述下部絕緣層的厚度均勻，并且所述芯基板比所述IC芯片薄。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中的任一項所述的IC內(nèi)置基板，其特征在于， 在所述IC芯片的四個角中的至少一角處，所述IC芯片的所述側(cè)面和所述芯基板的所述開口部的所述內(nèi)周面之間的所述間隙的寬度被局部加寬。
6.—種IC內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 包括: 在形成于載體的上表面的下部導(dǎo)體層的上表面形成下部絕緣層的工序； 以使得IC芯片被容納在芯基板的開口部內(nèi)的方式，將所述芯基板和比所述芯基板厚的IC芯片搭載在所述下部絕緣層的上表面的工序； 形成覆蓋所述IC芯片的上表面和所述芯基板的上表面的上部絕緣層的工序； 在所述上部絕緣層的上表面形成上部導(dǎo)體層的工序；以及 形成貫通所述上部絕緣層而連接所述IC芯片和所述上部導(dǎo)體層的通孔導(dǎo)體的工序，形成所述上部絕緣層的工序包括填充所述IC芯片的側(cè)面和所述芯基板的所述開口部的內(nèi)周面之間的間隙。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的IC內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 所述下部導(dǎo)體層包含對準(zhǔn)標(biāo)記， 以穿過所述下部絕緣層而可見的所述對準(zhǔn)標(biāo)記的位置為基準(zhǔn)將所述IC芯片搭載在預(yù)定位置。
8.一種裝置，其特征在于， 包含: 基本不含纖維增強(qiáng)材料的第一絕緣層，所述第一絕緣層具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面； 基本不含纖維增強(qiáng)材料的第二絕緣層，所述第二絕緣層具有第三表面和與所述第三表面相對的第四表面； 包含纖維增強(qiáng)材料的第三絕緣層，所述第三絕緣層具有第五表面和與所述第五表面相對的第六表面；以及 具有安裝有端子電極的前表面、與所述前表面相對的后表面、以及側(cè)面的半導(dǎo)體芯片，所述第一絕緣層的所述第一表面面對所述第三絕緣層的所述第六表面和所述半導(dǎo)體芯片的所述后表面， 所述第二絕緣層的所述第四表面面對所述第三絕緣層的所述第五表面和所述半導(dǎo)體芯片的所述前表面，并且 從所述半導(dǎo)體芯片的所述前表面到所述第二絕緣層的所述第四表面的第一距離比從所述第三絕緣層的所述第五表面到所述第二絕緣層的所述第四表面的第二距離短。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于， 所述半導(dǎo)體芯片的所述后表面與所述第三絕緣層的所述第六表面是基本共面的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于， 所述第二絕緣層的所述第三表面基本是平的。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于， 所述第三絕緣層具有開口部，并且 所述半導(dǎo)體芯片被容納在所述第三絕緣層的所述開口部內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于， 所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面和所述第三絕緣層的開口部的內(nèi)周面之間的間隙被填充有所述第二絕緣層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于， 所述第一絕緣層的所述第一表面與所述第三絕緣層的所述第六表面和所述半導(dǎo)體芯片的所述后表面相接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于， 所述第二絕緣層的所述第四表面與所述第三絕緣層的所述第五表面和所述半導(dǎo)體芯片的所述前表面相接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求8?14中的任一項所述的裝置，其特征在于， 進(jìn)一步包含: 形成于所述第一絕緣層的第二表面的第一布線層； 形成于所述第二絕緣層的第三表面的第二布線層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于， 進(jìn)一步包含貫通所述第二絕緣層而連接所述第二布線層的預(yù)定部分與所述半導(dǎo)體芯片的所述端子電極的第一通孔導(dǎo)體。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于， 進(jìn)一步包含貫通所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕緣層而連接所述第二布線層的另一部分和所述第一布線層的預(yù)定部分的第二通孔導(dǎo)體。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于， 進(jìn)一步包含形成于所述第三絕緣層的所述第五表面的第三布線層。
【專利摘要】本發(fā)明涉及IC內(nèi)置基板，其包含具有開口部的芯基板、設(shè)置于開口部內(nèi)的IC芯片、下部絕緣層和上部絕緣層。IC芯片和芯基板被夾在下部絕緣層和上部絕緣層之間。上部絕緣層以填充IC芯片的側(cè)面和芯基板的開口部的內(nèi)周面之間的間隙的方式而形成。從IC芯片的上表面到上部絕緣層的上表面的第一距離比從芯基板的上表面到上部絕緣層的上表面的第二距離短。
【IPC分類】H05K1-18, H05K3-30, H05K3-46
【公開號】CN104684254
【申請?zhí)枴緾N201410705847
【發(fā)明人】露谷和俊, 勝俁正史
【申請人】Tdk株式會社
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2014年11月27日
【公告號】US20150145145