和漏極接點116耦接、并且耦接在源極接點112和漏極接點116之間的電阻器124和128。在一些實施方式中，電阻器124和128可以具有相同尺寸。在一些實施方式中，電阻器124和128可以是高密度電阻器。在一些實施方式中，電阻器124和128可以通過控制線129來耦接。開關100還可以包括與柵極接點108耦接的電阻器130。
[0039]開關100還可以包括放電晶體管132。在一些實施方式中，放電晶體管132可以是FET。放電晶體管132可以工作以創(chuàng)建放電路徑用于對開關晶體管104的準中性區(qū)域中積累的電荷進行放電。放電晶體管132可以包括柵極接點136、源極接點140、和漏極接點144。柵極接點136可以與位于電阻器124和128之間的節(jié)點148耦接；源極接點140可以與體接點120耦接；而漏極接點144可以與柵極接點108耦接。
[0040]電阻器124和128可以在節(jié)點148處并且因而在柵極接點136處提供虛地，例如固定電位。使用放電晶體管132將體接點120、漏極接點116和源極接點112結合到節(jié)點148的固定電位，可以便利于消除柵極接點108和體接點120之間的電位差，并且從而對來自準中性區(qū)域的電荷進行放電。
[0041]在一些實施方式中，漏極接點116可以直接地或間接地與射頻(RF)信號輸入端子152耦接，通過輸入端子152，開關100可以接收RF信號。源極接點112可以直接地或間接地與RF信號輸出端子156親接，開關100可以從RF信號輸出端子156輸出RF信號。如下文所描述，柵極接點108和/或漏極接點144可以直接地或間接地與電壓源160耦接，電壓源160可以提供控制電壓以接通或關斷開關晶體管104和放電晶體管132。
[0042]在實施方式中，開關100可以如下操作。值得注意的是，下文的描述假設開關晶體管104和放電晶體管132兩者都是η-溝道FET。然而，如下文進一步詳細描述的，在一些實施方式中，開關晶體管104和放電晶體管132可以均是ρ-溝道FET，在這種情況下，操作可以是相反的。
[0043]最初，可以通過接通開關晶體管104來接通開關100以將信號，例如從RF信號輸入端子152接收的射頻(RF)信號，從漏極接點116傳送到源極接點112。在一些實施方式中，可以例如通過施加來自電壓源160的正DC電壓、借助于將正DC電壓，例如2.5伏特(V)，施加到開關晶體管132的柵極接點108來接通開關晶體管104。放電晶體管132的漏極接點144也將看到正DC電壓。放電晶體管132的柵極接點136可以在虛地處看到O電壓。這可以導致放電晶體管132處-2.5V的柵-源電壓V_gs。這將關斷放電晶體管132，并且實際上將放電晶體管132從開關電路移除。
[0044]在一些實施方式中，開關100可以被關斷以在開關晶體管104的柵極接點108和體接點120之間提供放電路徑。在一些實施方式中，可以通過關斷開關晶體管104來關斷開關100以阻止信號，例如從RF信號輸入端子152接收的RF信號，從漏極接點116傳送到源極接點112。在一些實施方式中，可以通過不施加DC電壓或負DC電壓，例如OV或-2.5V，到開關晶體管104的柵極接點108來關斷開關晶體管104。放電晶體管132的漏極接點144也可以看到負DC電壓。這可以導致放電晶體管132處的正V_gs，例如2.5V。這可以接通放電晶體管132，從而通過將開關晶體管104的柵極接點108耦接到開關晶體管104的體接點120來創(chuàng)建放電路徑。由于不存在Vth降，因此這可以在無需提供電壓凈空(headroom)的情況下來實現(xiàn)。
[0045]雖然就使用η-溝道FET作為開關晶體管104 (也被稱為“NM0S開關”或“NM0S晶體管”)而言一般地討論開關100的操作，使用諸如P-溝道FET的P-溝道晶體管作為開關晶體管104(也被稱為“PMOS開關”或“PMOS晶體管”)和放電晶體管132的實施方式可以被使用。在各實施方式中，開關晶體管104和放電晶體管132是ρ-溝道晶體管，正電壓的施加可以使P-溝道晶體管關斷，而負電壓的施加或不施加電壓可以使η-溝道晶體管接通。
[0046]如上文所述的使用開關100來提供放電路徑不會引起與連接有二極管的FET開關電路相關聯(lián)的、涉及電壓閾值凈空的相同不利結果。關于連接有二極管的FET開關電路，示例仿真顯示:開關100可以與關于MD的3dB改進、關于三次諧波的2.5dB改進以及關于二次諧波的1.5dB改進相關聯(lián)。
[0047]如上文所述的使用開關100來提供放電路徑同樣不會引起與電阻性體接點(BC)開關電路相關聯(lián)的、涉及插入損耗的相同不利結果。關于電阻性BC開關電路，示例仿真顯示:開關電路100可以與關于插入損耗的40毫分貝(mdB)或更大的改進、關于MD的IdB改進、關于二次諧波的3.5dB改進以及關于三次諧波的0.5dB改進相關聯(lián)。
[0048]開關100可以是共柵放大器并且可以被納入大量應用中，包括但不限于互補金屬氧化物半導體(CMOS)開關、功率放大器、低噪聲放大器(LNA)、緩沖器、雙工器等。
[0049]在一些實施方式中，多個開關100可以被納入單個電路設計中。圖2描述了包含一個或更多個開關的開關電路200的示例，所述開關的每個開關可以類似于上文描述的開關100。具體地，開關電路200可以包括開關204和208。開關204和208可以與RF信號輸入端212和RF信號輸出端216耦接，并且通常布置在RF信號輸入端212和RF信號輸出端216之間，RF信號輸入端212和RF信號輸出端216可以分別類似于RF信號輸入端152和RF信號輸出端156。開關204和208可以分別類似于上文描述的開關100，并且如上文所討論，開關204和208的開關晶體管和放電晶體管可以是η-溝道晶體管，并且更具體地是η-溝道FET。如圖2所示，開關204和208可以彼此串聯(lián)耦接，使得開關204的開關晶體管的源極接點與開關208的開關晶體管的漏極接點耦接。
[0050]在實施方式中，開關204和208可以與被配置成提供正電壓，例如2.5V，的電壓源220耦接。在一些實施方式中，電阻器224可以通常布置在電壓源220和開關204以及208之間。在一些實施方式中，電阻器224可以包括控制線228。在實施方式中，電壓源220可以類似于上文描述的電壓源160。
[0051]開關電路200可以包括另外的開關232和236。開關232和236可以通常布置在RF信號輸入端212和地240之間。具體地，開關232和236可以被稱之為開關電路200的分路。在實施方式中，開關232和236可以與被配置成提供正電壓，例如2.5V，的電壓源244耦接。在一些實施方式中，電壓源244和電壓源220可以是相同的電壓源，或者可以以其他方式彼此耦接。在一些實施方式中，電阻器248可以通常布置在電壓源244和開關232以及236之間。在一些實施方式中，電阻器248可以包括控制線252。
[0052]開關232和236可以分別類似于上文描述的開關100，并且如上文所討論，開關232和236的開關晶體管和放電晶體管兩者均可以是ρ-溝道晶體管，并且更具體地是ρ-溝道FET。如圖2所示，開關232和236可以彼此串聯(lián)耦接，使得開關232的開關晶體管的源極接點與開關236的開關晶體管的漏極接點I禹接。
[0053]盡管用具有η-溝道晶體管的兩個開關204和208，以及具有ρ-溝道晶體管的兩個開關232和236來描述開關電路200，但在其他實施方式中，開關電路可以具有更多或更少的開關。在一些實施方式中，開關204和208可以具有ρ-溝道晶體管，而開關232和236可以具有η-溝道晶體管，并且電壓源220和224可以被配置成提供負電壓。
[0054]在操作中，開關電路200可以如下操作?？梢栽赗F信號輸入端212處提供RF信號?？梢栽陔妷涸?20和244處提供正電壓。如上文描述，開關204和208可以包括η-溝道FET。當開關204和208從電壓源220接收正電壓時，開關204和208的每個的放電晶體管可以關斷。此外，開關晶體管可以接通，使得RF信號可以通過開關電路200從RF信號輸入端212傳播到RF信號輸出端216。
[0055]類似地，開關232和236可以從電壓源244接收正電壓。如上文描述，開關232和236可以包括ρ-溝道FET。因此，從電壓源244接收的正電壓可以引起開關232和236的開關晶體管關斷。當開關232和236的開關晶體管被關斷時，信號可能不能從RF信號輸入端212傳播到地240。因此，可以通過施加正電壓來有效地關閉開關電路200的分路部分，同時，可以通過正電壓來打開開關電路200的信號部分。
[0056]對此而言，不施加電壓，或者從電壓源244和220施加地電壓，可以引起開關電路200以與上文描述的方式相反的方式操作。具體地，從電壓源220施加地電壓可以引起開關204和208的放電晶體管被接通，使得信號能夠流向地240。例如，來自RF信號輸入端212的噪聲可以被分流到地240。同時，開關204和208的開關晶體管可以被關斷，使得來自RF信號輸入端212的噪聲可能不傳播到RF信號輸出端216。
[0057]上文描述的開關電路200可以享有若干優(yōu)點。具體地，開關電路200可以具有增強的插入損耗，以及增加的隔離和整體性能，同時仍存在于相對緊湊的區(qū)域中。例如，在一些實施方式中，開關的開關晶體管可以具有大約I毫米(_)的厚度。開關的放電晶體管可以具有大約I微米(μπι)的厚度。此外，開關電路200的開關速度可以被認為