一種基于門極驅(qū)動的節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種LED驅(qū)動電路，具體是指一種基于門極驅(qū)動的節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，由于LED燈具有能耗低、使用壽命長以及安全環(huán)保等特點，其已經(jīng)成為了人們生活照明的主流產(chǎn)品之一。由于LED燈不同于傳統(tǒng)的白熾燈，因此其需要由專用的驅(qū)動電路來進行驅(qū)動。然而，當前人們廣泛使用的柵極驅(qū)動電路由于其設(shè)計結(jié)構(gòu)的不合理性，導致了目前柵極驅(qū)動電路存在驅(qū)動效果不好，啟動時間較長等缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服目前目前柵極驅(qū)動電路存在驅(qū)動效果不好，啟動時間較長的缺陷，提供一種基于門極驅(qū)動的節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動系統(tǒng)。
[0004]本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn):一種基于門極驅(qū)動的節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動系統(tǒng)，其由驅(qū)動芯片M，與驅(qū)動芯片M相連接的驅(qū)動電路，與驅(qū)動芯片M相連接的開關(guān)功率放大電路，與該開關(guān)功率放大電路相連接的自舉電路，以及與驅(qū)動芯片M、開關(guān)功率放大電路和自舉電路相連接的光束激發(fā)式邏輯放大電路組成，為了達到本發(fā)明的目的，本發(fā)明在光束激發(fā)式邏輯放大電路與驅(qū)動電路之間還串接有門極驅(qū)動電路。
[0005]進一步的，所述的門極驅(qū)動電路由三極管Q5，三極管Q6，場效應(yīng)管MOS1，單向晶閘管D6，負極與三極管Q6的基極相連接、正極則與光束激發(fā)式邏輯放大電路相連接的電容Cl5，與電容Cl5相并聯(lián)的電阻R21，一端與電容Cl5的正極相連接、另一端則與三極管Q6的發(fā)射極相連接的同時接地的電阻R20，一端與三極管Q5的集電極相連接、另一端則與電容C15的正極相連接的電阻R19，串接在三極管Q5的集電極和基極之間的電阻R22，N極與三極管Q6的集電極相連接、P極則經(jīng)電阻R23后與場效應(yīng)管MOSl的柵極相連接的二極管D5，正極與三極管Q6的發(fā)射極相連接、負極則經(jīng)電阻R24后與場效應(yīng)管MOSl的柵極相連接的電容C16，正極與電容C16的負極相連接、負極則與單向晶閘管D6的P極相連接的電容C17，以及正極與單向晶閘管D6的控制極相連接、負極則與驅(qū)動電路相連接的電容C18組成；所述三極管Q5的基極與三極管Q6的集電極相連接、其發(fā)射極則與二極管D5的P極相連接；所述場效應(yīng)管MOSl的漏極接地、其源極則與單向晶閘管D6的N極相連接。
[0006]所述光束激發(fā)式邏輯放大電路主要由功率放大器P4，與非門IC1，與非門IC2，與非門IC3，負極與功率放大器P4的正極輸入端相連接、正極經(jīng)光二極管D3后接地的極性電容C12，一端與極性電容C12的正極相連接、另一端經(jīng)二極管D4后接地的電阻R14，正極與電阻R14和二極管D4的連接點相連接、負極接地的極性電容C14，一端與與非門ICl的負極輸入端相連接、另一端與功率放大器P4的正極輸入端相連接的電阻R15，串接在功率放大器P4的負極輸入端與輸出端之間的電阻R16，一端與與非門ICl的輸出端相連接、另一端與與非門IC3的負極輸入端相連接的電阻R17，正極與與非門IC2的輸出端相連接、負極與與非門IC3的負極輸入端相連接的電容C13，以及一端與極性電容C14的正極相連接、另一端與與非門IC2的負極輸入端相連接的電阻R18組成；所述與非門ICl的正極輸入端與功率放大器P4的負極輸入端相連接，其輸出端與與非門IC2的正極輸入端相連接；與非門IC3的正極輸入端與功率放大器P4的輸出端相連接，其輸出端則與驅(qū)動芯片M的TD管腳相連接，其負極輸入端則與電容C15的正極相連接；所述功率放大器P4的正極輸入端則與開關(guān)功率放大電路相連接，極性電容C12的正極則與自舉電路相連接。
[0007]所述開關(guān)功率放大電路由功率放大器Pl，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器Pl的輸出端與負極輸入端之間的電阻R6和電容C3，串接在功率放大器P2的輸出端與正極輸入端之間的電阻R7和電容C4，基極與功率放大器PI的輸出端相連接、集電極經(jīng)電阻R3后與功率放大器P3的正極輸入端相連接的三極管Q1，基極與三極管Ql的發(fā)射極相連接、集電極經(jīng)電阻R8后與功率放大器P3的負極輸入端相連接的三極管Q2，基極經(jīng)電阻R9后與功率放大器P2的輸出端相連接、集電極經(jīng)電阻R12后與三極管Q2的基極相連接的三極管Q3，正極與功率放大器P3的負極輸入端相連接、而負極與三極管Q2的發(fā)射極相連接并接地的電容C5，與電阻R9相并聯(lián)的電容C6，一端與三極管Q3的基極相連接、另一端外接-4V電壓的電阻R10，一端與三極管Q3的發(fā)射極相連接、另一端外接-4V電壓的電阻RlI，與電阻Rll相并聯(lián)的電容C7，N極與三極管Ql的集電極相連接、P極外接-4V電壓的二極管D1，以及正極與驅(qū)動芯片M的INP管腳相連接、負極與三極管Q2的發(fā)射極相連接后再接地的極性電容C8組成，所述功率放大器P3的輸出端則與驅(qū)動芯片M的VCC管腳相連接；
[0008]所述的自舉電路則由場效應(yīng)管MOS，一端與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、另一端與極性電容C12的正極相連接的電阻R5，負極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、正極經(jīng)電阻Rl后與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接的極性電容Cl，與極性電容Cl相并聯(lián)的電阻R2，正極與極性電容Cl的正極相連接、負極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接的極性電容C2，以及一端與極性電容C2的正極相連接、另一端接地的電阻R4組成；所述場效應(yīng)管MOS的漏極與功率放大器Pl的正極輸入端相連接，且該漏極還同時外接+12V電壓，場效應(yīng)管MOS的源極則分別與功率放大器Pl的負極輸入端和功率放大器P2的正極輸入端相連接，而功率放大器P2的負極輸入端則與功率功率放大器P4的正極輸入端相連接。
[0009]所述驅(qū)動電路由變壓器T，串接于驅(qū)動芯片M的VCC管腳與BOOST管腳之間的二極管D2，串接于驅(qū)動芯片M的BOOST管腳與TG管腳之間的電容C9，串接于驅(qū)動芯片M的TG管腳與TS管腳之間的電阻R13，以及基極與驅(qū)動芯片M的TG管腳相連接、集電極順次經(jīng)電容ClO和電容Cll后接地、而發(fā)射極則與電容C18的負極相連接的晶體管Q4組成；所述變壓器T的原邊線圈的同名端與電容ClO和電容Cll的連接點相連接，其非同名端則與晶體管Q4的發(fā)射極相連接；同時，晶體管Q4的發(fā)射極還與驅(qū)動芯片M的TS管腳相連接，所述變壓器T的副邊線圈上設(shè)有抽頭Yl和抽頭Y2。
[0010]為確保本發(fā)明的使用效果，所述驅(qū)動芯片M優(yōu)先采用LTC4440A集成芯片來實現(xiàn)。
[0011]本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點及有益效果:
[0012](I)本發(fā)明整體結(jié)構(gòu)非常簡單，其制作和使用非常方便。
[0013](2)本發(fā)明通過門極驅(qū)動電路的作用，使其啟動時間僅為傳統(tǒng)柵極驅(qū)動電路啟動時間的1/4，其啟動時間極短。
[0014](3)本發(fā)明采用自舉電路和開關(guān)功率放大電路來為驅(qū)動芯片提供控制信號，因此具有很尚的輸入阻抗，能確保整個電路的性能穩(wěn)定O
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步地詳細說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0017]實施例
[0018]如圖1所示，本發(fā)明由驅(qū)動芯片M，與驅(qū)動芯片M相連接的驅(qū)動電路，與驅(qū)動芯片M相連接的開關(guān)功率放大電路，與該開關(guān)功率放大電路相連接的自舉電路，以及與驅(qū)動芯片M、開關(guān)功率放大電路和自舉電路相連接的光束激發(fā)式邏輯放大電路組成，為了達到本發(fā)明的目的，本發(fā)明在光束激發(fā)式邏輯放大電路與驅(qū)動電路之間還串接有門極驅(qū)動電路。為確保本發(fā)明的使用效果，該驅(qū)動芯片M優(yōu)先采用凌力爾特公司生產(chǎn)的高頻率N溝道MOSF