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一種脈沖中子發(fā)生器的制造方法

文檔序號(hào):9203301閱讀:569來源:國(guó)知局
一種脈沖中子發(fā)生器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于加速器領(lǐng)域,具體涉及一種脈沖中子發(fā)生器,尤其是一種加速電壓可調(diào)、脈沖重復(fù)頻率可調(diào)、脈沖寬度可調(diào)、氘氚反應(yīng)脈沖中子產(chǎn)額大于或等于lX108n/pulse的脈沖中子發(fā)生器。
【背景技術(shù)】
[0002]脈沖中子發(fā)生器在中子物理學(xué)參數(shù)測(cè)量、特殊核材料探測(cè)、探測(cè)器性能試驗(yàn)研宄、中子照相、放射性醫(yī)學(xué)等方向有著重要的應(yīng)用。在核系統(tǒng)瞬發(fā)中子衰減常數(shù)研宄中,激勵(lì)脈沖中子源方法是最直接的實(shí)驗(yàn)方法,其要求激勵(lì)中子發(fā)生器脈沖產(chǎn)額高達(dá)108n/pulse,且要求中子發(fā)生器體積小,穩(wěn)定性好,工作壽命長(zhǎng);在探測(cè)器性能試驗(yàn)研宄中,需要高產(chǎn)額的單能脈沖中子發(fā)生器對(duì)探測(cè)器進(jìn)行標(biāo)定;在中子照相研宄中,脈沖中子發(fā)生器可以移動(dòng)到現(xiàn)場(chǎng)對(duì)金屬殼層中的物體進(jìn)行成像。脈沖中子發(fā)生器在脈沖中子測(cè)井領(lǐng)域中也有著很重要的應(yīng)用。
[0003]脈沖中子發(fā)生器是由真空弧離子源、加速電極、氚靶和氣壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)等組成。其工作原理是由真空弧離子源放電產(chǎn)生氘離子,氘離子經(jīng)加速入射到氚靶上,形成氘氚聚變反應(yīng)產(chǎn)生14MeV脈沖中子。
[0004]目前,脈沖中子發(fā)生器主要形成方式為對(duì)直流離子束進(jìn)行掃描、聚束或?qū)χ绷鞣烹娺M(jìn)行調(diào)制,但這類脈沖中子發(fā)生器的中子產(chǎn)額偏低。周長(zhǎng)庚等在“核技術(shù)”雜志2014年第6期上發(fā)表了題為“中子發(fā)生器納秒脈沖聚束系統(tǒng)”文章,文章介紹:典型的加速器型中子發(fā)生器的脈沖中子產(chǎn)額為13 n/pulse。郭清生等在“地球物理測(cè)井”雜志1990年第4期上發(fā)表了題為“一種新型脈沖中子發(fā)生器”的文章,文章中介紹其研制的小型脈沖中子發(fā)生器脈沖中子產(chǎn)額約 8X 104n/pulse。美國(guó)人 P.R.Schwoebel 在“Nuclear Instrumentsand Methods in Physics Research A”雜志 2112 年第 7 期上發(fā)表了題為“A hydrocarbonfluid-based deuteron 1n source for neutron generators,,的文章,文章介紹他們石開制的小型實(shí)驗(yàn)裝置產(chǎn)生的脈沖中子產(chǎn)額約為107n/pulse。
[0005]等離子濃密焦點(diǎn)裝置體積小,其脈沖中子產(chǎn)額最高可達(dá)10nn/pulSe以上,但在產(chǎn)生中子的同時(shí)也會(huì)產(chǎn)生大量的X射線。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種脈沖中子發(fā)生器,尤其是體積小、高脈沖中子產(chǎn)額、工作壽命長(zhǎng)、產(chǎn)生單能脈沖中子的脈沖中子發(fā)生器。
[0007]本發(fā)明的脈沖中子發(fā)生器,其特點(diǎn)是,包括上法蘭,陶瓷真空管,氚鈦靶,離子源陽(yáng)極,離子源觸發(fā)極,離子源陰極,陶瓷絕緣環(huán),環(huán)形釤鈷永磁鐵,陶瓷絕緣柱,導(dǎo)電金屬柱,下法蘭,外接三電極,真空室,放氣閥,閘板閥A,吸氣劑泵,閘板閥B,分子泵,離子泵,干泵,遠(yuǎn)控高壓加速電源,遠(yuǎn)控離子源脈沖電源,平臺(tái)車。
[0008]所述的上法蘭與陶瓷真空管頂部連接;上法蘭朝上的一面通過螺釘與遠(yuǎn)控高壓加速電源的輸出電極P連接;上法蘭朝下的一面通過金屬桿與氚鈦靶連接;真空弧離子源由離子源陽(yáng)極、離子源觸發(fā)極、離子源陰極、陶瓷絕緣環(huán)、環(huán)形釤鈷永磁鐵、陶瓷絕緣柱、導(dǎo)電金屬柱組成。其中,離子源陽(yáng)極通過外接三電極的a端與遠(yuǎn)控高壓加速電源的接地端G以及遠(yuǎn)控離子源脈沖電源的陽(yáng)極輸出端A連接;離子源觸發(fā)極通過外接三電極的t端與遠(yuǎn)控離子源脈沖電源的觸發(fā)輸出端T連接;離子源陰極通過外接三電極的c端與遠(yuǎn)控離子源脈沖電源的陰極輸出端C連接;離子源陽(yáng)極與離子源陰極之間用一個(gè)陶瓷絕緣環(huán)進(jìn)行絕緣;離子源陰極外套著一個(gè)環(huán)狀的離子源觸發(fā)極,兩者之間有真空放電間隙;環(huán)形釤鈷永磁鐵套在離子源陽(yáng)極、離子源觸發(fā)極和陶瓷絕緣環(huán)的外部;環(huán)形釤鈷永磁鐵距離子源陽(yáng)極和離子源觸發(fā)極之間有絕緣間隙;離子源陽(yáng)極與氚鈦靶之間的距離可調(diào);下法蘭朝下的一面與真空室連接;下法蘭向上的一面固定真空弧離子源;真空室通過真空管道與分子泵連接,中間設(shè)一個(gè)閘板閥A ;真空室與放氣閥連接;真空室中部與吸氣劑泵連接;真空室下部與離子泵連接,真空室與離子泵之間設(shè)一個(gè)閘板閥B ;離子泵支撐真空室和陶瓷真空管;分子泵通過波紋管與干泵連接;干泵、分子泵、離子泵、遠(yuǎn)控高壓脈沖電源和遠(yuǎn)控高壓加速電源通過螺釘固定在平臺(tái)車上。
[0009]本發(fā)明的脈沖中子發(fā)生器以氚鈦靶為主,發(fā)生氘氚反應(yīng),得到脈沖中子產(chǎn)額最大值為I X 1Vpulse,中子能量為14MeV。本發(fā)明脈沖中子發(fā)生器不限于氚鈦靶,也可以采用氘鈦靶,發(fā)生氘氘反應(yīng),得到脈沖中子產(chǎn)額最大值為IX 106n/pulse,中子能量為2.5MeV ;
與其它離子源相比,真空弧離子源具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、產(chǎn)生脈沖氘離子的比例高等特點(diǎn);
本發(fā)明在真空弧離子源的引出極,加了一個(gè)環(huán)形永磁鐵,使作用到靶上的氘離子束流增加,因此增大了脈沖中子產(chǎn)額。
[0010]本發(fā)明采用干泵、分子泵、離子泵和吸氣泵的組合,使真空度達(dá)到5X106Pa以上,因此減少了氘離子在傳輸過程的損失,進(jìn)一步增大了脈沖中子產(chǎn)額。
[0011]本發(fā)明在氚鈦靶的表面鍍一層400nm厚的鋁膜,阻擋了鈦離子等重離子,使其不能到達(dá)氚鈦靶,而氘離子能夠穿透鋁膜,因此可以減少對(duì)氚鈦靶的損傷,提高氚鈦靶的使用壽命O
[0012]為了減少中子發(fā)生器的體積和重量,實(shí)現(xiàn)小型化,本發(fā)明采用兩電極加速方式,即真空弧離子源陽(yáng)極作為一個(gè)電極,氚鈦靶作為另一個(gè)電極,因此氘離子傳輸?shù)诫鞍猩系穆烦毯芏蹋瑑呻姌O既是加速電極,又是聚焦電極,結(jié)構(gòu)很緊湊。
[0013]從真空弧離子源引出的不僅有氘離子,還有以鈦離子為主的其他離子,只有氘離子對(duì)產(chǎn)生脈沖中子產(chǎn)額有貢獻(xiàn),其他離子不僅對(duì)產(chǎn)生脈沖中子產(chǎn)額無作用,而且增加了對(duì)氚靶的損傷。為了減少對(duì)氚鈦靶的損傷,從而提高中子發(fā)生器工作壽命,本發(fā)明在氚鈦靶的表面鍍一層400nm厚的鋁膜,鋁膜氘離子無影響,但阻擋了鈦離子等重離子直接轟擊氚靶,減少了氚靶的損傷,另一方面,由于有鋁膜覆蓋,減少了氚靶的漏氚率。
[0014]本發(fā)明使用的設(shè)備材料簡(jiǎn)便,容易制備和購(gòu)置。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明的脈沖中子發(fā)生器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖1中,1.上法蘭 2.陶瓷真空管 3.氚鈦靶 4.離子源陽(yáng)極 5.離子源觸發(fā)極 6.離子源陰極 7.陶瓷絕緣環(huán) 8.環(huán)形釤鈷永磁鐵 9.陶瓷絕緣柱10.導(dǎo)電金屬柱11.下法蘭12.外接三電極13.真空室 14.放氣閥 15.閘板閥A 16.吸氣劑泵 17.閘板閥B 18.分子泵 19.離子泵 20.干泵 21.遠(yuǎn)控高壓加速電源 22.遠(yuǎn)控離子源脈沖電源 23.平臺(tái)車。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
[0017]實(shí)施例1
圖1為本發(fā)明的脈沖中子發(fā)生器的結(jié)構(gòu)示意圖,在圖1中,脈沖中子發(fā)生器包括上法蘭1,陶瓷真空管2,氚鈦靶3,離子源陽(yáng)極4,離子源觸發(fā)極5,離子源陰極6,陶瓷絕緣環(huán)7,環(huán)形釤鈷永磁鐵8,陶瓷絕緣柱9,導(dǎo)電金屬柱10,下法蘭11,外接三電極12,真空室13,放氣閥14,閘板閥A15,吸氣劑泵16,閘板閥B17,分子泵18,離子泵19,干泵20,遠(yuǎn)控高壓加速電源21,遠(yuǎn)控離子源脈沖電源22,平臺(tái)車23 ;其連接關(guān)系是,上法蘭I與陶瓷真空管
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