一種散熱裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及散熱設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種散熱裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，用來制作紅外光學元件的材料都是易碎的，例如硅。無論它們是單晶體還是多晶體，無論晶粒是大是小，它們的強度不如玻璃，無長期法承受通來自高能紅外光的照射。由于高能紅外光具有很高的熱量，用于反射該紅外光的反射硅表面勢必會蓄積很高的熱量，如果不能及時將熱量散發(fā)出去，很容易導致反射硅破裂。因此，需要開發(fā)一種用于將反射硅表面的熱量及時散發(fā)出去，散熱率高，能夠延長反射硅的使用壽命的散熱裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計合理，安裝、拆卸方便，散熱率高，能夠?qū)⒎瓷涔璞砻娴臒崃考皶r散發(fā)出去，散熱率高，能夠延長反射硅使用壽命的散熱裝置。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種散熱裝置，包括一散熱底板，所述散熱底板包括上表面、下表面和位于上表面和下表面周圍的第一面、第二面、第三面、第四面、第五面、第六面、第七面和第八面，所述第一面與第五面平行設(shè)置，所述第三面與第七面平行設(shè)置；
[0005]所述散熱底板的上表面設(shè)有一凹槽，所述凹槽貫穿散熱底板的上表面；
[0006]所述散熱底板的中間層內(nèi)設(shè)有第一切口和第二切口，所述第一切口由散熱底板的中間層內(nèi)延伸至第一面、第二面和第八面，所述第二切口由散熱底板的中間層延伸至第四面、第五面和第六面；
[0007]所述散熱底板的下表面平行設(shè)有第一散熱板和第二散熱板，所述第一散熱板的一端為豎直面一，另一端為斜切面一，所述第一散熱板的豎直面一的一端位于第三面上，所述第二散熱板的一端為豎直面二，另一端為斜切面二，所述第二散熱板的豎直面二的一端位于第七面上。
[0008]進一步地，所述第一散熱板的寬度與第三面的長度相等，所述第二散熱板的寬度與第七面的長度相等。
[0009]進一步地，所述第一散熱板的較長側(cè)面與第二散熱板的較長側(cè)面相對設(shè)置。
[0010]進一步地，所述第一散熱板與第二散熱板之間的距離為13.4mm。
[0011]進一步地，所述第一散熱板的高度為20.0mm，所述第一散熱板的較短側(cè)面的長度為37.5mm，較長側(cè)面的長度為47.5mm，所述第二散熱板的高度為20.0mm，所述第二散熱板的較短側(cè)面的長度為46.0mm，較長側(cè)面的長度為56.0mm。
[0012]進一步地，所述散熱底板的厚度為20.0mm，所述第一面與第五面的長度為51.0mm，所述第一面與第五面之間的距離為47.0mm，所述第三面與第七面的長度為6.0mm,所述第三面與第七面之間的距離為126.0mm。
[0013]進一步地，所述凹槽的深度為2.0mm，所述凹槽的一邊距第一面的距離為10.8mm，所述凹槽的另一邊距第五面的距離為10.8mm。
[0014]進一步地，所述第一切口的高度為2.4mm,寬度為15.0mm，所述第二切口的高度為2.4mm,寬度為 15.0mm。
[0015]進一步地，所述第一切口和第二切口距離散熱底板的上表面的距離為8.3mm。
[0016]進一步地，所述散熱底板、第一散熱板和第二散熱板的材質(zhì)為硅。
[0017]本發(fā)明具有的優(yōu)點和積極效果是:
[0018]本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計合理，安裝、拆卸方便，散熱率高，能夠?qū)⒎瓷涔璞砻娴臒崃考皶r散發(fā)出去，散熱率高，能夠延長反射硅的使用壽命。
【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明散熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖2是本發(fā)明散熱裝置的正視圖。
[0021]圖3是本發(fā)明散熱裝置的俯視圖。
[0022]圖中:1、散熱底板；2、上表面；3、下表面；4、第一面；5、第二面；6、第三面；7、第四面；8、第五面；9、第六面；10、第七面；11、第八面；12、凹槽；13、第一切口 ；14、第二切口 ；15、第一散熱板；16、第二散熱板；17、豎直面一 ；18、斜切面一 ；19、豎直面二 ；20、斜切面二。
【具體實施方式】
[0023]如圖1-3所不，一種散熱裝置，包括一散熱底板1，散熱底板I包括上表面2、下表面3和位于上表面2和下表面3周圍的第一面4、第二面5、第三面6、第四面7、第五面8、第六面9、第七面10和第八面11，第一面4與第五面8平行設(shè)置，第二面6與第七面10平行設(shè)置，散熱底板I的厚度為20.0mm,第一面4與第五面8的長度為51.0mm,第一面4與第五面8之間的距離為47.0mm,第三面6與第七面10的長度為6.0mm,第三面6與第七面10之間的距離為126.0mm ；
[0024]散熱底板I的上表面2設(shè)有一凹槽12，凹槽12貫穿散熱底板I的上表面2，凹槽12的深度為2.0mm,凹槽12的一邊距第一面4的距離為10.8mm，凹槽12的另一邊距第五面8的距離為10.8mm ；
[0025]散熱底板I的中間層內(nèi)設(shè)有第一切口 13和第二切口 14，第一切口 13由散熱底板I的中間層內(nèi)延伸至第一面4、第二面5和第八面11，第二切口 14由散熱底板I的中間層延伸至第四面7、第五面8和第六面9，第一切口 13的高度為2.4mm,寬度為15.0mm,第二切口14的高度為2.4mm，寬度為15.0mm,第一切口 13和第二切口 14距離散熱底板I的上表面2的距離為8.3mm ；
[0026]散熱底板I的下表面3平行設(shè)有第一散熱板15和第二散熱板16，第一散熱板15的一端為豎直面一 17，另一端為斜切面一 18，第一散熱板15的豎直面一 17的一端位于第三面6上，第二散熱板16的一端為豎直面二 19，另一端為斜切面二 20，第二散熱板16的豎直面二 19的一端位于第七面10上，第一散熱板15的較長側(cè)面與第二散熱板16的較長側(cè)面相對設(shè)置，第一散熱板15與第二散熱板16之間的距離為13.4_，第一散熱板15的高度為20.0mm,寬度為6.0mm，第一散熱板15的較短側(cè)面的長度為37.5mm，較長側(cè)面的長度為47.5mm，第二散熱板16的高度為20.0mm,寬度為6.0mm，第二散熱板16的較短側(cè)面的長度為46.0mm，較長側(cè)面的長度為56.0mm ；
[0027]散熱底板1、第一散熱板15和第二散熱板16的材質(zhì)為娃。
[0028]本實例的工作過程:使用時，將散熱裝置固定于反射硅上，使反射硅與散熱裝置接觸，高能紅外光經(jīng)反射硅表面反射后，勢必會蓄積很高的熱量，如果不能及時將熱量散發(fā)出去，很容易導致反射硅破裂。散熱裝置能夠?qū)崃靠焖賯鲗С鋈ィ瑢⒎瓷涔璞砻娴臒崃考皶r散發(fā)出去，散熱率高，能夠延長反射硅的使用壽命的散熱裝置。
[0029]以上對本發(fā)明的實施例進行了詳細說明，但所述內(nèi)容僅為本發(fā)明的較佳實例，不能被認為用于限定本發(fā)明的實施范圍。凡依本發(fā)明申請范圍所作的均等變化與改進等，均應仍歸屬于本發(fā)明的專利涵蓋范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種散熱裝置，其特征在于:包括一散熱底板，所述散熱底板包括上表面、下表面和位于上表面和下表面周圍的第一面、第二面、第三面、第四面、第五面、第六面、第七面和第八面，所述第一面與第五面平行設(shè)置，所述第三面與第七面平行設(shè)置； 所述散熱底板的上表面設(shè)有一凹槽，所述凹槽貫穿散熱底板的上表面； 所述散熱底板的中間層內(nèi)設(shè)有第一切口和第二切口，所述第一切口由散熱底板的中間層內(nèi)延伸至第一面、第二面和第八面，所述第二切口由散熱底板的中間層延伸至第四面、第五面和第六面； 所述散熱底板的下表面平行設(shè)有第一散熱板和第二散熱板，所述第一散熱板的一端為豎直面一，另一端為斜切面一，所述第一散熱板的豎直面一的一端位于第三面上，所述第二散熱板的一端為豎直面二，另一端為斜切面二，所述第二散熱板的豎直面二的一端位于第七面上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱裝置，其特征在于:所述第一散熱板的寬度與第三面的長度相等，所述第二散熱板的寬度與第七面的長度相等。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱裝置，其特征在于:所述第一散熱板的較長側(cè)面與第二散熱板的較長側(cè)面相對設(shè)置。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱裝置，其特征在于:所述第一散熱板與第二散熱板之間的距離為13.4mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱裝置，其特征在于:所述第一散熱板的高度為20.0mm，所述第一散熱板的較短側(cè)面的長度為37.5mm，較長側(cè)面的長度為47.5mm，所述第二散熱板的高度為20.0mm，所述第二散熱板的較短側(cè)面的長度為46.0mm，較長側(cè)面的長度為 56.0mm。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱裝置，其特征在于:所述散熱底板的厚度為20.0mm,所述第一面與第五面的長度為51.0mm，所述第一面與第五面之間的距離為47.0mm，所述第三面與第七面的長度為6.0mm，所述第三面與第七面之間的距離為126.0mm。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱裝置，其特征在于:所述凹槽的深度為2.0mm，所述凹槽的一邊距第一面的距離為10.8mm，所述凹槽的另一邊距第五面的距離為10.8mm。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱裝置，其特征在于:所述第一切口的高度為2.4mm,寬度為15.0mm,所述第二切口的高度為2.4mm，寬度為15.0mm。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱裝置，其特征在于:所述第一切口和第二切口距離散熱底板的上表面的距離為8.3mm。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱裝置，其特征在于:所述散熱底板、第一散熱板和第二散熱板的材質(zhì)為硅。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種散熱裝置，屬于散熱設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，包括一散熱底板，散熱底板包括上表面、下表面、第一面、第二面、第三面、第四面、第五面、第六面、第七面和第八面，第一面與第五面平行設(shè)置，第三面與第七面平行設(shè)置；散熱底板的上表面設(shè)有一凹槽，凹槽貫穿散熱底板的上表面；散熱底板的中間層內(nèi)設(shè)有第一切口和第二切口；散熱底板的下表面平行設(shè)有第一散熱板和第二散熱板，第一散熱板的寬度與第三面的長度相等，所述第二散熱板的寬度與第七面的長度相等，第一散熱板的較長側(cè)面與第二散熱板的較長側(cè)面相對設(shè)置。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計合理，安裝、拆卸方便，散熱率高，能夠?qū)⒎瓷涔璞砻娴臒崃考皶r散發(fā)出去，散熱率高，能夠延長反射硅的使用壽命。
【IPC分類】H05K7/20, H01L23/36
【公開號】CN104918470
【申請?zhí)枴緾N201510388505
【發(fā)明人】薛佳偉, 薛佳勇, 王海軍
【申請人】天津眾晶半導體材料有限公司
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2015年7月3日