電子部件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及從多電子部件基板分離出的電子部件以及對(duì)多電子部件基板進(jìn)行分離而得到一個(gè)個(gè)電子部件的電子部件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在多電子部件基板上，以電子部件為單位分別形成電極層后，在電極層上形成例如鍍敷層。這是為了在分離成一個(gè)個(gè)電子部件后，使得在安裝這些電子部件時(shí)使用的導(dǎo)電材料(焊料等)的潤濕性良好。
[0003]另外，作為在電極層上形成鍍敷層的方法，有例如日本特開平10-265995號(hào)公報(bào)所記載的方法。在該方法中，在電路基板(例如電子部件的電極)間形成連接布線，并使所有電路基板(例如所有電子部件的電極)電連接，然后進(jìn)行鍍敷處理。
[0004]因此，在以電子部件為單位進(jìn)行特性檢查的情況下，要對(duì)多電子部件基板進(jìn)行分離，形成多個(gè)電子部件，然后進(jìn)行特性檢查。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]作為在例如電子部件的電極間形成連接布線，并使所有電子部件的電極電連接的方法，可以考慮例如圖15所示的方法。首先，假定以電子部件100為單位，將4個(gè)電極102形成為以矩陣狀排列的情況。在該情況下，可以考慮以電子部件100為單位，形成用于與四角鄰接的電子部件100的電極102導(dǎo)通的例如圓形盤圖形104(導(dǎo)通圖形)。在例如多電子部件基板106上預(yù)先形成有分離用槽108的情況下，在這些分離用槽108的交叉部形成盤圖形104。分離用槽108是用于以電子部件100為單位進(jìn)行分離的槽。
[0006]之后，進(jìn)行電解電鍍時(shí)，鍍敷層形成于各電極層的整個(gè)面，并且與電極層相連的盤圖形104的整個(gè)面也形成鍍敷層。即、本來不需要的部分也形成了大量的鍍敷層，鍍敷的消耗量增加。這將導(dǎo)致成本增加。
[0007]此外，在電極102的整個(gè)面形成鍍敷層時(shí)，在之后的安裝工序中有可能產(chǎn)生以下這樣的問題。在例如鍍敷層上形成導(dǎo)電材料(例如焊料層)來安裝于布線基板等的情況下，有可能因安裝上的壓力而使得導(dǎo)電材料橫向溢出，導(dǎo)電材料彼此接觸、短路。特別是在電極102間的間隙狹小、集成度高的電子部件100的情況下，所述問題將變得更顯著。因此，電子部件100的小型化、高集成化存在上限。當(dāng)然，可以考慮在之后的工序中增加使導(dǎo)電材料彼此接觸的部分分離的工序，但是成本會(huì)進(jìn)一步增加。
[0008]另外，在以電子部件100為單位進(jìn)行特性檢查的情況下，在使多電子部件基板106分離而分離成多個(gè)電子部件100后，搬送到檢查工序來進(jìn)行特性檢查。但是，以分離出的電子部件100為單位進(jìn)行特性檢查很繁瑣。因而，要暫時(shí)將多個(gè)電子部件100分別集中并設(shè)置于例如具有隔板的夾具上，使得電子部件100彼此不導(dǎo)通，然后逐個(gè)進(jìn)行特性檢查。
[0009]因此，對(duì)于所述方法而言，將多個(gè)電子部件100搬送到檢查工序要花費(fèi)工夫，而且將多個(gè)電子部件100設(shè)置于夾具上也要花費(fèi)工夫，存在導(dǎo)致工時(shí)增加、成本增加的問題。
[0010]作為其它方法，可以考慮不形成用于使電極102間導(dǎo)通的盤圖形104，而利用無電解電鍍?cè)陔姌O102上形成鍍敷層。但是，在應(yīng)用無電解電鍍的情況下，鍍敷硬度高，因此在之后的工序中會(huì)產(chǎn)生品質(zhì)不合格。由于難以避免該問題，因此主流是選擇電解電鍍。
[0011]本發(fā)明就是考慮這樣的問題而做出的，目的在于提供具有以下效果的電子部件。即、本發(fā)明所提供的電子部件能夠防止導(dǎo)電材料彼此接觸所導(dǎo)致的短路，并且，能夠降低鍍敷的消耗量，實(shí)現(xiàn)電子部件的小型化、高集成化、成本的降低化。
[0012]另外，本發(fā)明的另一目的在于提供具有以下效果的電子部件的制造方法。S卩、不僅能夠在多電子部件基板的狀態(tài)下進(jìn)行以電子部件為單位的特性檢查，而且能夠防止導(dǎo)電材料彼此接觸所導(dǎo)致的短路，并且能夠降低鍍敷的消耗量。能夠制作可以實(shí)現(xiàn)小型化、高集成化、成本的降低化的電子部件。
[0013][I]第I發(fā)明涉及的電子部件的特征在于，包括:基板，電極層，該電極層形成在所述基板上，以及鍍敷層，該鍍敷層形成于所述電極層的上表面，具有比所述電極層的上表面面積小的上表面面積；所述電極層的上表面中包含該電極層的外周的至少一部分的部分從所述鍍敷層露出。
[0014][2]在第I發(fā)明中，還可以是，從所述鍍敷層露出的所述部分包含所述電極層的整個(gè)外周。
[0015][3]在第I發(fā)明中，還可以是，所述電極層的上表面形狀為多邊形，從所述鍍敷層露出的所述部分包含所述電極層的外周中的至少一個(gè)邊。
[0016][4]在第I發(fā)明中，還可以是，所述電極層的上表面形狀為多邊形，從所述鍍敷層露出的所述部分包含所述電極層的外周中的一個(gè)邊的一部分。
[0017][5]在第I發(fā)明中，優(yōu)選安裝電子部件時(shí)使用的導(dǎo)電材料對(duì)所述鍍敷層的潤濕性比對(duì)所述電極層的潤濕性高。
[0018][6]第2發(fā)明涉及的電子部件的制造方法的特征在于，包括:電極層形成工序，在母基板上以電子部件為單位分別形成電極層；掩膜形成工序，在所述電極層間形成具有使所述電極層間電連接的導(dǎo)通部的掩膜；鍍敷工序，在通過所述掩膜電連接的所述電極層上形成鍍敷層；掩膜除去工序，去除所述掩膜；在所述母基板的狀態(tài)下進(jìn)行特性檢查的工序；以及分離工序，對(duì)所述母基板進(jìn)行分離而形成多個(gè)電子部件。
[0019][7]在第2發(fā)明中，還可以是，在所述掩膜形成工序中，將所述掩膜形成為重疊于所述電極層的一部分。
[0020][8]在第2發(fā)明中，還可以是，在所述掩膜形成工序形成的所述掩膜包括:作為所述導(dǎo)通部的導(dǎo)電層、以及覆蓋所述導(dǎo)電層的掩膜層，所述掩膜形成工序包括:在所述電極層間形成所述導(dǎo)電層的工序、以及形成覆蓋所述導(dǎo)電層的所述掩膜層的工序。
[0021][9]在第2發(fā)明中，還可以是，在所述掩膜形成工序中形成的所述掩膜包括:掩膜層、以及在該掩膜層上形成的作為所述導(dǎo)通部的導(dǎo)電層，所述掩膜形成工序包括:在所述電極層間形成所述掩膜層的工序、以及以使所述電極層間電連接的方式在所述掩膜層上形成所述導(dǎo)電層的工序；在所述掩膜除去工序中，將所述掩膜與在所述導(dǎo)電層上形成的所述鍍敷層一起去除。
[0022][10]在第2發(fā)明中，還可以是，在所述掩膜形成工序中形成的所述掩膜包括:掩膜層、在該掩膜層上形成的作為所述導(dǎo)通部的導(dǎo)電層、以及覆蓋該導(dǎo)電層的絕緣層，所述掩膜形成工序包括:在所述電極層間形成所述掩膜層的工序、以使所述電極層間電連接的方式在所述掩膜層上形成所述導(dǎo)電層的工序、以及形成覆蓋所述導(dǎo)電層的所述絕緣層的工序。
[0023][11]在第2發(fā)明中，還可以是，在所述母基板的一個(gè)或者兩個(gè)主面預(yù)先形成用于在所述分尚工序中分尚成所述多個(gè)電子部件的多個(gè)槽。
[0024][12]在該情況下，可以是，所述多個(gè)槽包括:在所述母基板的一個(gè)方向排列的多個(gè)第I槽、以及在所述母基板的與所述一個(gè)方向不同的另一個(gè)方向排列的多個(gè)第2槽。
[0025][13]在第2發(fā)明中，還可以是，在所述母基板的另一個(gè)主面預(yù)先形成用于在所述分離工序中分離成所述多個(gè)電子部件的槽，在所述掩膜形成工序中，在所述母基板的一個(gè)主面上且與所述槽對(duì)應(yīng)的部分形成所述掩膜。
[0026][14]在該情況下，還可以是，多個(gè)所述槽包括:在所述母基板的一個(gè)方向排列的多個(gè)第I槽、以及在所述母基板的與所述一個(gè)方向不同的另一個(gè)方向排列的多個(gè)第2槽，在所述掩膜形成工序中，在所述母基板的所述另一個(gè)主面上的與所述第I槽對(duì)應(yīng)的部分或者與所述第2槽對(duì)應(yīng)的部分形成所述掩膜。
[0027]根據(jù)本發(fā)明涉及的電子部件，能夠防止導(dǎo)電材料彼此接觸所導(dǎo)致的短路，并且能夠降低鍍敷的消耗量，實(shí)現(xiàn)電子部件的小型化、高集成化、成本的降低化。
[0028]另外，根據(jù)本發(fā)明涉及的電子部件的制造方法，不僅能夠在多電子部件基板的狀態(tài)下進(jìn)行以電子部件為單位的特性檢查，而且還能夠防止導(dǎo)電材料彼此接觸所導(dǎo)致的短路，并且能夠降低鍍敷的消耗量。能夠制造可以實(shí)現(xiàn)小型化、高集成化、成本的降低化的電子部件。
【附圖說明】
[0029]圖1A是從上表面觀察第I實(shí)施方式涉及的電子部件(第I電子部件)而表示的圖。圖1B是圖1A的IB-1B線上的截面圖。
[0030]圖2是對(duì)將第I電子部件安裝于布線基板的例子進(jìn)行部分省略而表示的截面圖。
[0031]圖3A是從上表面觀察第2實(shí)施方式涉及的電子部件(第2電子部件)而表示的圖。圖3B是圖3A的IIIB-1IIB線上的截面圖。
[0032]圖4A是從上表面觀察第3實(shí)施方式涉及的電子部件(第3電子部件)而表示的圖。圖4B是圖4A的IVB-1VB線上的截面圖。
[0033]圖5A是從上表面觀察第I實(shí)施方式涉及的電子部件的制造方法(第I制造方法)中在多電子部件基板上形成了電極的狀態(tài)而表示的圖。圖5B是圖5A的VB-VB線上的截面圖。
[0034]圖6A是從上表面觀察在第I制造方法中沿著裂斷線形成了第I導(dǎo)電層的狀態(tài)而表示的圖。圖6B是圖6A的VIB-VIB線上的截面圖。
[0035]圖7A是從上表面觀察在第I制造方法中利用第I掩膜層覆蓋第I導(dǎo)電層而形成第I掩膜的狀態(tài)而表示的圖。圖7B是圖7A的VIIB-VIIB線上的截面圖。
[0036]圖8A是從上表面觀察在第I制造方法中在電極層上形成了鍍敷層的狀態(tài)而表示的圖。圖8B是圖8A的VIIIB-VIIIB線上的截面圖。
[0037]圖9A是從上表面觀察在第I制造方法中除去了第I掩膜的狀態(tài)而表示的圖。圖9B是圖9A的IXB-1XB線上的截面圖。