。
[0126]圖14是表示在本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的天線共用器I的第I濾波器3中，使壓電體23的歐拉角(Φ，θ，φ)中的φ根據(jù)φ = 1.193 Φ而上下變化的情況下的其他的共振器群38的瑞利波的Q值的圖。此外，縱軸表示瑞利波的Q值(Qs)，橫軸表示根據(jù)Φ的Φ = 1.193 Φ的關(guān)系的變化量Δ φ。如圖14所示，在壓電體23的歐拉角(Φ，θ，φ)中的Φ為從Φ = 1.193 Φ起±2度的范圍中，能將其他的共振器群38的瑞利波的Q值抑制為給定等級(jí)以下。
[0127]回到圖13，滿足Φ= -2Φ的關(guān)系的直線，是表示在基于快速橫波的不需要雜波最大產(chǎn)生的情況下的Φ與Φ的關(guān)系的線。通過以該線為中心，將Φ設(shè)為±3度以上的范圍，即，Φ <-2Φ_3°，-2Φ+3° ( Φ的范圍，將抑制基于快速橫波的不需要雜波。
[0128]圖15是表示在使本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的天線共用器I中的第I濾波器3的壓電體23的歐拉角(Φ，θ，φ)中的φ根據(jù)φ = -2Φ的關(guān)系而上下變化的情況下的、其他的共振器群38的快速橫波的Q值的圖。圖15中，示出了使壓電體23的歐拉角(Φ, θ , φ)中的 φ 根據(jù) φ = -2Φ 而上下變化、且設(shè) Φ = 0°，0.5°，1°，1.5°，2°，2.5°時(shí)的快速橫波的Q值。
[0129]如圖15所示，在壓電體23的歐拉角(Φ，θ , φ)中的φ為從φ =-2φ+3°起±3度以上的范圍中，其他的共振器群38的快速橫波的Q值被抑制為給定等級(jí)以下。
[0130]圖16是表示在使本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的天線共用器I中的第I濾波器3的壓電體23的歐拉角(Φ，θ，φ)中的Θ變化的情況下的其他的共振器群38的瑞利波的機(jī)電耦合系數(shù)(k2)的圖。如圖16所示，為了將瑞利波的機(jī)電耦合系數(shù)抑制為0.01以下，需要使壓電體23的歐拉角(Φ，θ，φ)中的Θ滿足-100° ( Θ ^ -60°的關(guān)系。
[0131]圖17是表示在使本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的天線共用器I中的第I濾波器3的壓電體23的歐拉角(Φ，θ , φ)中的Θ變化的情況下的其他的共振器群38的SH波的歸一化耦合系數(shù)的圖。此外，歸一化耦合系數(shù)是以Θ =-90°時(shí)的機(jī)電耦合系數(shù)的值來對(duì)機(jī)電耦合系數(shù)的值進(jìn)行歸一化而得到的值。如圖17所示，在壓電體23的歐拉角(Φ，θ, φ)中的Θ為包含上述的-100° ( Θ彡-60°的范圍的-110° ( Θ彡-60°的范圍中，SH波的機(jī)電耦合系數(shù)(k2)成為給定值以上的值。
[0132]圖18是表示在使本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的天線共用器I中的第I濾波器3的壓電體23的歐拉角(Φ，θ , φ)中的φ按照φ = 1.193 Φ的關(guān)系而變化的情況下的、其他的共振器群38的瑞利波的機(jī)電耦合系數(shù)(k2)的圖。如圖18所示，在Φ ( 20°的范圍中，能將瑞利波的機(jī)電耦合系數(shù)抑制為比上述的0.01更低的、約0.002以下。關(guān)于Φ，在使壓電體23的歐拉角沿負(fù)方向旋轉(zhuǎn)的情況下也能得到同樣的結(jié)果。即，在上述的條件中，優(yōu)選使第I濾波器3的壓電體23的歐拉角(Φ，θ，φ)中的φ滿足I φ I ( 20°的關(guān)系。由此，能進(jìn)一步抑制瑞利波的機(jī)電耦合系數(shù)。
[0133]圖19是表示在使本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的天線共用器I的第I濾波器3的壓電體23的歐拉角(Φ, θ，φ)中的φ按照φ = 1.193 Φ而變化的情況下的、其他的共振器群38的SH波的歸一化耦合系數(shù)的圖。圖19中，關(guān)于Φ，是使壓電體23的歐拉角沿正方向旋轉(zhuǎn)的情況，但關(guān)于Φ，在使壓電體23的歐拉角沿負(fù)方向旋轉(zhuǎn)的情況下也能得到同樣的結(jié)果。如圖19所示，從作為主要彈性波的SH波的觀點(diǎn)出發(fā)，通過使壓電體23的歐拉角(Φ，θ，φ)中的φ滿足I φ I ( 20°的關(guān)系，能得到給定值以上的SH波的機(jī)電耦合系數(shù)。
[0134]此外，在本實(shí)施方式中，針對(duì)使用具有上述的給定范圍的歐拉角的鈮酸鋰作為壓電體23的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明的天線共用器不局限于該例。例如，還能使用具有上述規(guī)定范圍外的歐拉角的鈮酸鋰或鉭酸鋰。
[0135]另外，關(guān)于上述的主要彈性波，能應(yīng)用在壓電體23的表面進(jìn)行傳播的彈性表面波以及彈性邊界波的兩者。例如，在將保護(hù)膜24的膜厚設(shè)為λ以上時(shí)，主要彈性波成為彈性邊界波。
[0136]此外，在本實(shí)施方式中，使用將第2串聯(lián)共振器7的反共振頻率設(shè)為比第I串聯(lián)共振器6、第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9的反共振頻率低的例子來進(jìn)行了說明。然而，本發(fā)明不局限于該例。例如，可以將配置在離輸入端子5最近的第I串聯(lián)共振器6的反共振頻率設(shè)為比第2串聯(lián)共振器7、第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9的反共振頻率低。根據(jù)該構(gòu)成，能最大限度地拓寬離輸入端子5側(cè)最近的第I串聯(lián)共振器6的電極指的寬度，因此能提高耐功率性優(yōu)良的天線共用器I。
[0137](第2實(shí)施方式)
[0138]接下來，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。
[0139]圖20是本發(fā)明的第2實(shí)施方式中的天線共用器51的電路示意圖。
[0140]圖21是本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的天線共用器51中的第I濾波器53的示意截面圖。本實(shí)施方式中的天線共用器51與圖1所示的天線共用器I同樣，具備第I濾波器53以及第2濾波器4。此外，只要不特別說明，設(shè)第I濾波器53的構(gòu)成與第I實(shí)施方式的第I濾波器3同樣。
[0141]本實(shí)施方式中的第I濾波器53具備:具有歐拉角(Φ，θ , φ)的鈮酸鋰系的壓電體23、設(shè)于壓電體23之上且使波長(zhǎng)λ的主要彈性波進(jìn)行激發(fā)的電極25、以及按照覆蓋該電極25的方式設(shè)于壓電體23之上且膜厚比0.2 λ厚的保護(hù)膜24。
[0142]保護(hù)膜24是，在與電極25的電極指的延伸方向正交的方向的截面上，在電極25的電極指的上方具有凸部28的構(gòu)成。該凸部28的頂部29的寬度比電極25的電極指的寬度小。
[0143]壓電體23的歐拉角滿足-100°彡Θ彡-60。、1.193Φ_2°彡Φ彡1.193Φ+2。、Φ 02 Φ-3°、-2Φ+3° < Φ 的關(guān)系。
[0144]如圖21所示的構(gòu)成，在保護(hù)膜24具有凸部28的情況下，基于快速橫波的不需要雜波尤其成問題。為此，為了提高第I濾波器53的頻率溫度特性，例如假設(shè)由氧化硅組成的保護(hù)膜24的膜厚比0.2 λ厚的情況。若在該情況下，也將壓電體23的歐拉角(Φ，θ，φ)中的Φ和Φ設(shè)為給定角度以上，且在一定程度上依照Φ = 1.193 Φ而變化，則能在抑制基于瑞利波的不需要雜波的產(chǎn)生的同時(shí)，抑制在產(chǎn)生快速橫波的頻帶附近的不需要雜波。
[0145]圖22Α是在本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器53中，將壓電體23設(shè)為歐拉角(7°，-87.5°，8.4° )的鈮酸鋰、將電極25設(shè)為膜厚0.08 λ的鋁、將保護(hù)膜24設(shè)為其上表面具有高度T = 0.08 λ的凸部28的膜厚0.35 λ的氧化硅的情況下的其他的共振器群38的特性圖，圖22Β是將壓電體23設(shè)為歐拉角(9° ,-87.5° , 10.V )的鈮酸鋰時(shí)的特性圖。
[0146]如圖22Α以及圖22Β所示，根據(jù)本實(shí)施方式的第I濾波器53，能在抑制基于瑞利波的不需要雜波的產(chǎn)生的同時(shí)，抑制產(chǎn)生快速橫波的頻帶附近的不需要雜波。
[0147]此外，保護(hù)膜24的凸部28從其凸部28的頂部29起到最下部30為止優(yōu)選具有呈向下凸的曲線的形狀。在此情況下，將以該向下凸的曲線或其延長(zhǎng)線、與平行于包含頂部29在內(nèi)的壓電體23的上表面的直線相交的點(diǎn)之間的距離所定義的、頂部29的寬度L設(shè)為比電極25的電極指的寬度小。由此，凸部28中的保護(hù)膜24的質(zhì)量附加連續(xù)且緩慢地變化。其結(jié)果是，既能抑制產(chǎn)生因保護(hù)膜24的形狀而引起的不需要的反射，又能提高第I濾波器53的電氣特性。
[0148]此外，優(yōu)選將凸部28的頂部29的寬度進(jìn)一步設(shè)為電極25的電極指寬度的1/2以下。另外，優(yōu)選使頂部29的中心位置與電極指的中心位置的上方實(shí)質(zhì)上一致。由此，電極指上的反射率根據(jù)質(zhì)量附加效應(yīng)而進(jìn)一步提高，從而能使第I濾波器53的電氣特性得以提尚O
[0149]進(jìn)而，優(yōu)選在將凸部28的高度設(shè)為T、且將電極25的膜厚設(shè)為h時(shí)，滿足0.03 λ< T ^ h的關(guān)系。這是由于，討論從保護(hù)膜24的凸部28的最下部30起到頂部29為止的高度T與電氣特性的關(guān)系，若將T設(shè)為大于0.03 λ，則相對(duì)于將保護(hù)膜24的表面設(shè)為平坦時(shí)，能顯見反射率有大的提高。另一方面，若將高度T設(shè)為比電極25的膜厚h高，則在制造時(shí)(后述)，需要進(jìn)一步追加用于制作保護(hù)膜24的新的工序，故制造方法繁瑣，因此優(yōu)選將高度T設(shè)為膜厚h以下。
[0150]在此，說明在本發(fā)明的第2實(shí)施方式中的第I濾波器53的制造方法。
[0151]圖23A?圖23H是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器53的制造方法的一例的圖。
[0152]首先，如圖23A所示，在壓電體31的上表面，通過對(duì)Al或者Al合金進(jìn)行蒸鍍或者濺鍍等方法，來使至少成為電極以及反射器的任一個(gè)的電極膜32成膜。
[0153]然后，如圖23B所示，在電極膜32的上表面形成光刻膠膜33。
[0154]進(jìn)而，如圖23C所示，使用曝光/顯影技術(shù)等來對(duì)光刻膠膜33進(jìn)行加工以使其成為期望的形狀。
[0155]然后，如圖23D所示，在使用干蝕刻技術(shù)等將電極膜32加工為IDT電極或反射器等的期望的形狀后，去除光刻膠膜33。
[0156]接下來，如圖23E所示，通過按照覆蓋電極膜32的方式來對(duì)氧化硅進(jìn)行蒸鍍或者濺鍍等的方法，來形成保護(hù)膜34。此時(shí)，作為在保護(hù)膜34得到上述的凸部28的方法，能使用在對(duì)壓電體31側(cè)施加偏壓的同時(shí)通過濺射來進(jìn)行成膜的所謂的偏壓濺射法。
[0157]通過對(duì)氧化硅的靶材進(jìn)行濺射來在壓電體31上沉積保護(hù)膜34的同時(shí)，通過施加偏壓，來對(duì)壓電體31上的保護(hù)膜34的一部分進(jìn)行濺射。也就是，通過在使保護(hù)膜34沉積的同時(shí)去掉一部分，能控制保護(hù)膜34的形狀。作為控制保護(hù)膜34的形狀的手段，可以在使保護(hù)膜34沉積的中途使施加到壓電體31的偏壓與濺射功率的比率變化，或者在成膜的初期不對(duì)壓電體31施加偏壓地成膜，而從中途起與成膜同時(shí)地施加偏壓。此時(shí)，還對(duì)壓電體31的溫度進(jìn)行管理。
[0158]接下來，如圖23F所示，在保護(hù)膜34的表面形成光刻膠膜35。
[0159]然后，如圖23G所示，使用曝光/顯影技術(shù)等來將光刻膠膜35加工成期望的形狀。
[0160]接下來，如圖23H所示，使用干蝕刻技術(shù)等來清除用于取出電信號(hào)的襯墊36的部分等的不需要保護(hù)膜34部分的保護(hù)膜34，其后去除光刻膠膜35。
[0161]然后，通過切割來進(jìn)行分割，能得到具有第I濾波器53的天線共用器51。
[0162]如上所述，通