的一個。
[0088] 為了使PM0S晶體管MPCSU在飽和區(qū)域工作，需要使式子（22)、（23)兩者成立。
[0089] 此外，關(guān)于PM0S晶體管MPCSU，能根據(jù)式子（15)和式子（21)得到以下的式子 (24)〇
[0090] 關(guān)于在飽和區(qū)域工作的PM0S晶體管MPCSU，由于式子（24)成立，所以根據(jù)式子 (24)，在第一比較對象電路110中，當控制電位Vent變小時，電流Iss變大，當控制電位 Vent變大時，電流Iss變小。
[0091] 在此，當為了使從驅(qū)動器電路400輸出的輸出差分信號的振幅V0D變大而使在電 流鏡電路410的參考電流源CSREF流動的參考電流Iref變大來使電流Iss變大時，根據(jù)上 述的式子（13)，電位VH變大。此外，根據(jù)式子（24)，當電流Iss變大時，控制電位Vent變 小。因而，當使輸出差分信號的振幅V0D變大時，式子（22)難以成立。
[0092] 像這樣，為了使PM0S晶體管MPCSU在飽和區(qū)域工作，而不能使輸出差分信號的振 幅V0D太大。也就是說，起因于由受到電流Iss的影響的電位VH和控制電位Vent的關(guān)系 確定的電流源CSU的工作點，振幅V0D的大小被限制。
[0093] 另一方面，為了使相位補償電容元件CC1適當?shù)毓ぷ?，需要使上述的式子?)也就 是V p ncc>V t.hc c成立。相位補償電容元件CC1的兩端的電壓Vpnee使用式子 (13)和式子（21)由以下的式子（25)表不。
[0094] 此外，式子（8)能夠使用式子（25)如以下的式子（26)那樣變形。
[0095] 根據(jù)式子（25)，在正電源電位VDD小的情況（電路的低電壓工作)、共模電位V0C 大的情況、電流ISS大(振幅VOD大）的情況、終端電阻的電阻值rRterm大的情況下，Vpncc>Vthcc難以成立。此外，在開關(guān)元件SWHL、SWHR的開電阻值rSWP大 的情況下，電位VH變大，因此，即使在開關(guān)元件SWHL、SWHR的開電阻值rSWP大的情況下， Vpncc>Vthcc也難以成立。
[0096] 當為了使從驅(qū)動器電路400輸出的輸出差分信號的振幅V0D變大而使電流Iss變 大時，根據(jù)式子（13)，電位VH變大。此外，當電流Iss變大時，根據(jù)式子（24)，控制電位Vent變小。因而，當要使輸出差分信號的振幅V0D變大時，式子（26)難以成立。也就是說，為了 使相位補償電容元件CC1適當?shù)毓ぷ鳎荒苁馆敵霾罘中盘柕恼穹鵙0D太大。換言之，起 因于由受到電流Iss的影響的電位VH和控制電位Vent的關(guān)系確定的相位補償電容元件 CC1的工作點，振幅V0D被限制。
[0097] 像這樣，在第一比較對象電路110中，根據(jù)式子（22)，起因于電流源CSU的工作點 而振幅V0D的大小被限制，并且根據(jù)式子（26)，起因于相位補償電容元件CC1的工作點而振 幅V0D的大小被限制。因而，在決定振幅V0D時，需要考慮電流源CSU的工作點和相位補償 電容元件CC1的工作點兩者。
[0098] 在使輸出差分信號的振幅V0D變大的情況下式子（22)比式子（26)更容易成立時， 振幅V0D起因于相位補償電容元件CC1的工作點而被限制。換言之，在使電流Iss變大的 情況下式子（22)比式子（26)更容易成立時，電流Iss起因于相位補償電容元件CC1的工作 點而被限制。因而，在該情況下，與相位補償電容元件CC1不存在的情況相比較，難以使振 幅V0D(電流Iss)變大。
[0099]〈第二比較對象電路〉 為了使電流Iss難以受到由相位補償電容元件CC1的工作點造成的限制，考慮圖5所 示的第二比較對象電路120。如圖5所示，在第二比較對象電路120中，相位補償電容元件 CC1連接在正電源電位VDD和運算放大器300的輸出端子OUT之間。也就是說，相位補償電 容元件CC1連接在構(gòu)成電流源CSU的PM0S晶體管MPCSU的源極和柵極之間。
[0100] 在第二比較對象電路120中，電壓Vpnee由以下的式子（27)表示。 Vpncc-VD D - Vcnt? * ? (27)
[0101] 根據(jù)式子（27)，第二比較對象電路120中的電壓Vpnee與第一比較對象電路110 中的電壓Vpnee不同，不受根據(jù)電流Iss而變化的電位VH的影響。因而，即使使電流Iss 變大，電壓Vpnee也難以變化。因而，電流Iss難以受到起因于相位補償電容元件CC1的工 作點的限制。
[0102] 然而，在第二比較對象電路120中，相位補償電容元件CC1不能受到鏡像效應(yīng)，因 此，關(guān)于相位補償電容元件CC1的每單位面積的電容值變小。也就是說，在第二比較對象電 路120中，存在相位補償電容元件CC1的面積效率不好這樣的問題。
[0103]〈第三比較對象電路〉 圖6是示出第三比較對象電路130的結(jié)構(gòu)的圖。如圖6所示，在第三比較對象電路130 中，代替相位補償電容元件CC1而設(shè)置有相位補償電容元件CCp、CCm。相位補償電容元件 CCp連接在驅(qū)動器電路400的輸出端子Txp和接地電位VSS之間。相位補償電容元件CCm 連接在驅(qū)動器電路400的輸出端子Txm和接地電位VSS之間。
[0104] 在這樣的第三比較對象電路130中，反饋回路中的驅(qū)動器電路400側(cè)的極點向低 頻率側(cè)移動，進行相位補償。
[0105] 然而，相位補償電容元件CCp、CCm不能受到鏡像效應(yīng)，因此，關(guān)于相位補償電容元 件CCp、CCm的每單位面積的電容值小。
[0106] 此外，相位補償電容元件CCp、CCm分別連接于輸出端子Txp、Txm，因此，輸出差分 信號的轉(zhuǎn)換速率特性劣化。
[0107] 進而，為了使輸出差分信號不受存在于驅(qū)動器電路400的外部、連接于輸出端子 Txp、Txm的寄生電容等電容的影響，需要使相位補償電容元件CCp、CCm的電容值變大。因 此，相位補償電容元件CCp、CCm的布局面積變大。
[0108]〈第四比較對象電路〉 圖7是示出第四比較對象電路140的結(jié)構(gòu)的圖。在第四比較對象電路140中，相位補 償電容元件CC1的一端不是連接于運算放大器300的輸出端子OUT而是連接于運算放大器 300具有的共源共柵電路。圖8是示出運算放大器300的結(jié)構(gòu)的圖。在圖8中還示出了向 運算放大器300輸出偏置電位的偏置電路200。再有，偏置電路200也可以設(shè)置在運算放大 器300內(nèi)。
[0109] 如圖8所示，運算放大器300具備7個NM0S晶體管MNINP、MNINN、MNTC、MNUL、 MNUR、MNLL、MNLR和 4 個PM0S晶體管MPUL、MPUR、MPLL、MPLR。圖 8 所示的運算放大器 300 被稱為折疊共源共柵型運算放大器。
[0110] NM0S晶體管麗INP、麗INN的柵極分別連接于正側(cè)輸入端子INP和負側(cè)輸入端子 INN。NM0S晶體管MNINP、MNINN的源極與NM0S晶體管MNTC的漏極連接。NM0S晶體管MNTC 的源極與接地電位VSS連接。
[0111]PM0S晶體管MPUL和PM0S晶體管MPLL共源共柵連接，PM0S晶體管MPUR和PM0S 晶體管MPLR共源共柵連接。PM0S晶體管MPUL、MPUR的源極連接于正電源電位VDD。PM0S 晶體管MPUL、MPUR的柵極彼此連接。PM0S晶體管MPUL、MPUR的漏極分別與PM0S晶體管 MPLL、MPLR的源極連接。PM0S晶體管MPLL、MPLR的柵極彼此連接。PM0S晶體管MPUL的 漏極和PM0S晶體管MPLL的源極與輸入級的NM0S晶體管麗INP的漏極連接。PM0S晶體管 MPUR的漏極和PM0S晶體管MPLR的源極與輸入級的NM0S晶體管麗INN的漏極連接。
[0112]NM0S晶體管MNUL和NM0S晶體管MNLL共源共柵連接，NM0S晶體管MNUR和NM0S 晶體管MNLR共源共柵連接。NM0S晶體管MNUUMNUR的漏極分別與PM0S晶體管MPLUMPLR 的漏極連接。NM0S晶體管MNUL、MNUR的源極分別與NM0S晶體管MNLL、MNLR的漏極連接。 NM0S晶體管MNLL、MNLR的源極連接于接地電位VSS。NM0S晶體管MNUL、MNUR的柵極彼此 連接。NM0S晶體管MNLUMNLR的柵極彼此連接。NM0S晶體管MNLUMNLR的柵極與NM0S晶 體管MNUL和PM0S晶體管MPLL的漏極連接。
[0113] 運算放大器300具有從偏置電路200輸出的偏置電位VrefPU、VrefPL、VrefNU、 VrefTC分別輸入的多個偏置輸入端子RIN1~RIN4。輸入到偏置輸入端子RIN1的偏置電 位VrefPU輸入到PM0S晶體管MPUL、MPUR的柵極。輸入到偏置輸入端子RIN2的偏置電 位VrefPL輸入到PM0S晶體管MPLL、MPLR的柵極。輸入到偏置輸入端子RIN3的偏置電位 VrefNU輸入到NM0S晶體管MNUUMNUR的柵極。然后，輸入到偏置輸入端子RIN4的偏置電 位VrefTC輸入到NM0S晶體管MNTC的柵極。
[0114]PM0S晶體管MPLR和NM0S晶體管MNUR的漏極連接于輸出端子OUT。PM0S晶體管 MPLR和NMOS晶體管MNUR的漏極的電位作為控制電位Vent而從輸出端子OUT輸出到驅(qū)動 器電路400。
[0115] 運算放大器300具備連接于NM0S晶體管MNUR的源極和NM0S晶體管MNLR的漏極 的反饋端子FP。相位補償電容元件CC1的一端連接于反饋端子FP。由此，相位補償電容元 件CC1的一端連接于由NM0S晶體管MNUR、MNLR構(gòu)成的共源共柵電路。也就是說，相位補償 電容元件CC1的一端連接于NM0S晶體管MNUR的源極和NM0S晶體管MNLR的漏極兩者。相 位補償電容元件CC1的另一端連接于電流源CSU的輸出端子CSUo。
[0116] 在第四比較對象電路140中，電位VH比反饋端子FP的電位更高。因而，如圖3所 示，在用NM0S晶體管MNCC構(gòu)成相位補償電容元件CC1的情況下，NM0S晶體管MNCC的柵極 連接于電流源CSU的輸出端子CSUo,NM0S晶體管MNCC的源極和漏極連接于反饋端子FP。
[0117] 圖9是示出偏置電路200的結(jié)構(gòu)的圖。如圖9所示，偏置電路200具備PM0S晶體 管MP1、MP2、NM0S晶體管MN1、MN2、以及電流源CS1~CS4。PM0S晶體管MP1、MP2的源極連接 于正電源電位VDD。PM0S晶體管MP1、MP2的漏極分別與電流源CS1、CS2的輸入端子連接。 PM0S晶體管MP1的柵極和漏極彼此連接，PM0S晶體管MP2的柵極和漏極彼此連接。電流源 CS1、CS2的輸出端子連接于接地電位VSS。
[0118]NM0S晶體管麗1、麗2的源極連接于接地電位VSS。NM0S晶體管麗1、麗2的漏極 分別與電流源CS3、CS4的輸出端子連接。NM0S晶體管MN1的柵極和漏極彼此連接，NM0S晶 體管MN2的柵極和漏極彼此連接。電流源CS3、CS4的輸入端子連接于正電源電位VDD。
[0119] 偏置電路200具備分別連接于運算放大器300的偏置輸入端子RIN1~RIN4的偏置 輸出端子R0UT1~R0UT4。偏置輸出端子R0UT1連接于PM0S晶體管MP1的柵極和漏極。由 偏置電路200的PM0S晶體管MP1和電流源CS1、以及運算放大器300的PM0S晶體管MPUL、 MPUR構(gòu)成電流鏡電路。PM0S晶體管MP1的柵極和漏極的電位作為偏置電位VrefPU從偏置 輸出端子R0UT1輸出。
[0120] 偏置輸出端子R0UT2連接于PM0S晶體管MP2的柵極和漏極。由偏置電路