基于降壓型恒定電流的偏置電流源放大器系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，具體是指一種基于降壓型恒定電流的偏置電流源放大器系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]放大器是具有很高放大倍數(shù)的電路單元。在實(shí)際電路中，通常結(jié)合反饋網(wǎng)絡(luò)共同組成某種功能模塊。放大器是一個從功能的角度命名的電路單元，可以由分立的器件實(shí)現(xiàn)，也可以實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片當(dāng)中。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，大部分的放大器是以單芯片的形式存在。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，放大器已廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)當(dāng)中。然而目前使用的放大器把信號放大后經(jīng)常會出現(xiàn)信號失真，其電流、電壓不穩(wěn)定的情況，給后續(xù)對信號的處理帶來很大的麻煩。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服目前放大器所放大的信號出現(xiàn)失真，其電流、電壓不穩(wěn)定的缺陷，提供一種能夠使信號不失真、電流電壓穩(wěn)定的基于降壓型恒定電流的偏置電流源放大器系統(tǒng)。
[0004]本發(fā)明的目的用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):基于降壓型恒定電流的偏置電流源放大器系統(tǒng)，由放大電路，場效應(yīng)管Q1，負(fù)極與場效應(yīng)管Ql的柵極相連接、正極作為信號輸入端的極性電容Cl，一端與場效應(yīng)管Ql的柵極相連接、另一端接地的電阻R4，與場效應(yīng)管Ql的源極相連接的電流源電路，設(shè)置在電流源電路和放大電路之間的線性驅(qū)動電路，以及設(shè)置在場效應(yīng)管Ql的漏極與線性驅(qū)動電路之間的降壓型恒定電流電路組成；所述降壓型恒定電流電路由降壓芯片U2，三極管VT7，三極管VT8，放大器P2，P極順次經(jīng)電容C6、電阻R19、電阻R18、電容C7后與降壓芯片U2的REG腳相連接、N極經(jīng)電阻R20后與降壓芯片U2的FSET腳相連接的二極管D4，正極經(jīng)電阻R21后與降壓芯片U2的OUT腳相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R22后與降壓芯片U2的BST腳相連接的電容C8，P極經(jīng)電阻R23后與放大器P2的正極輸入端相連接、N極經(jīng)電感L后與三極管VT7的基極相連接的二極管D5，正極與放大器P2的正極輸入端相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R24后與三極管VT7的發(fā)射極相連接的電容C9，負(fù)極順次經(jīng)電阻R26、電阻R25后與三極管VT7的基極相連接、正極與三極管VT8的集電極相連接的電容C10,以及一端與放大器P2的負(fù)極輸入端相連接、另一端與三極管VT8的發(fā)射極相連接的電阻R17組成；所述降壓芯片U2的VDD腳與電阻R20與二極管D4的連接點(diǎn)相連接，其FB腳則與放大器P2的輸出端相連接，其GND腳接地；所述三極管VT7的集電極接地；所述三極管VT8的基極與電容C9的負(fù)極相連接；所述二極管D4的P極與場效應(yīng)管Ql的漏極相連接；同時，三極管VT7的基極則與線性驅(qū)動電路相連接；所述二極管D5的N極還與電容CS的正極相連接。
[0005]所述的線性驅(qū)動電路由驅(qū)動芯片U，三極管VT3，三極管VT4，三極管VT5，三極管VT6，正極與電流源電路相連接、負(fù)極經(jīng)電阻RlO后與驅(qū)動芯片U的INl管腳相連接的極性電容C3，一端與三極管VT6的集電極相連接、另一端經(jīng)電阻R12后與三極管VT3的基極相連接的電阻RlI，正極與三極管VT6的基極相連接、負(fù)極與驅(qū)動芯片U的INl管腳相連接的極性電容C5，正極與驅(qū)動芯片U的IN2管腳相連接、負(fù)極接地的極性電容C4，一端與三極管VT6的發(fā)射極相連接、另一端與三極管VT5的基極相連接的電阻R14，一端與三極管VT5的基極相連接、另一端與三極管VT3的基極相連接的電阻R13，N極與三極管VT6的集電極相連接、P極與三極管VT5的集電極相連接的二極管D2，正相端與三極管VT6的集電極相連接、反相端與三極管VT4集電極相連接的非門K，一端與三極管VT4發(fā)射極相連接、另一端經(jīng)電阻R15后與三極管VT3的發(fā)射極相連接的電阻R16，以及P極與非門K的反相端相連接、N極與電阻R15和電阻R16的連接點(diǎn)相連接的二極管D3組成；所述驅(qū)動芯片U的VCC管腳與三極管VT6的基極相連接、END管腳接地、OUT管腳與三極管VT5的集電極相連接；所述三極管VT5的集電極還與三極管VT4的基極相連接、其發(fā)射極與三極管VT3的基極相連接；所述三極管VT3的集電極與三極管VT7的基極相連接，二極管D3的N極與放大電路相連接。
[0006]所述的電流源電路由三極管VTl，三極管VT2，N極與三極管VTl的基極相連接、P極經(jīng)電阻R2后與三極管VTl的發(fā)射極相連接的穩(wěn)壓二極管D1，一端與三極管VTl的基極相連接、另一端接地的電阻R1，以及負(fù)極與場效應(yīng)管Ql的漏極相連接、正極經(jīng)電阻R3后與三極管VT2的發(fā)射極相連接的極性電容C2組成；所述三極管VTl的集電極與場效管Ql的源極相連接、其發(fā)射極則與三極管VT2的基極相連接，所述三極管VT2的發(fā)射極經(jīng)電阻R3后與電容C3的正極相連接、其集電極接地；所述穩(wěn)壓二極管Dl的P極與外部電源相連。
[0007]所述的放大電路由放大芯片P，一端經(jīng)電阻R7后與放大芯片P的正向端相連接、另一端接地的電阻R5，一端與電阻R5和電阻R7的連接點(diǎn)相連接、另一端經(jīng)電阻R8后與放大芯片P的反向端相連接的電阻R6，串接于放大芯片P的反向端和輸出端之間的電阻R9組成；電阻R5和電阻R7的連接點(diǎn)與二極管D3的N極相連接，電阻R6和電阻R8的連接點(diǎn)接地。
[0008]為確保本發(fā)明的使用效果，該驅(qū)動芯片U為LM387集成芯片，降壓芯片U2為A718EGT集成芯片。
[0009]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
[0010](I)本發(fā)明的降壓型恒定電流電路，能穩(wěn)定的驅(qū)動放大器系統(tǒng)的電流、電壓，從而改良放大器的放大效果。
[0011](2)本發(fā)明采用LM387芯片作為驅(qū)動芯片，其靈敏度高、價格便宜。
[0012](3)本發(fā)明采用A718EGT的芯片作為降壓芯片，其具有自舉升壓、電壓和電流自動恒定、實(shí)用性高。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。
[0015]實(shí)施例
[0016]如圖1所示，本發(fā)明由放大電路，場效應(yīng)管Q1，負(fù)極與場效應(yīng)管Ql的柵極相連接、正極作為信號輸入端的極性電容Cl，一端與場效應(yīng)管Ql的柵極相連接、另一端接地的電阻R4，與場效應(yīng)管Ql的源極相連接的電流源電路，設(shè)置在電流源電路和放大電路之間的線性驅(qū)動電路，以及設(shè)置在場效應(yīng)管Ql的漏極與線性驅(qū)動電路之間的降壓型恒定電流電路組成。
[0017]所述降壓型恒定電流電路由降壓芯片U2，三極管VT4，三極管VT5，放大器P2，電阻R17，電阻R18，電阻R19，電阻R20，電阻R21，電阻R22，電阻R23，電阻R24，電阻R25，電阻R26，電阻R27，電容C6，電容C7，電容C8，電容C9，電容C10，二極管D4，以及二極管D5組成。
[0018]連接時，二極管D4的P極順次經(jīng)電容C6、電阻R19、電阻R18、電容C7后與降壓芯片U2的REG腳相連接、N極經(jīng)電阻R20后與降壓芯片U2的FSET腳相連接。電容C8的正極經(jīng)電阻R21后與降壓芯片U2的OUT腳相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R22后與降壓芯片U2的BST腳相連接。二極管D5的P極經(jīng)電阻R23后與放大器P2的正極輸入端相連接、N極經(jīng)電感L后與三極管TH的基極相連接。
[0019]其中，電容C9的正極與放大器P2的正極輸入端相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R24后與三極管VT7的發(fā)射極相連接。電容ClO的負(fù)極順次經(jīng)電阻R26、電阻R25后與三極管VT7的基極相連接、正極與三極管VT8的集電極相連接。以及電阻R17的一端與放大器P2的負(fù)極輸入端相連接、另一端與三極管VT8的發(fā)射極相連接。
[0020]為了更好的實(shí)施本發(fā)明，所述的降壓芯片U2優(yōu)先采用型號為A718EGT集成芯片來實(shí)現(xiàn)，其內(nèi)置2.5A功率MOS開關(guān)；其具有自舉升壓、短路保護(hù)、欠電閉鎖、開路保護(hù)、過熱保護(hù)、電壓和電流自動恒定、低功耗調(diào)節(jié)等功能；A718EGT集成芯片采用綠色工藝，輸入電源電壓范圍為6?36V ;其靜態(tài)工作電流為625?900 μ A，關(guān)斷電流為95?160 μ Α，恒定輸出電流為2Α。
[0021]連接時，降壓芯片U2的VDD腳與電阻R20與二極管D4的連接點(diǎn)相連接，其FB腳則與放大器Ρ2的輸出端相連接，其GND腳接地；所述三極管VT7的集電極接地；所述三極管VT8的基極與電容C9的負(fù)極相連接；所述二極管D4的P極與場效應(yīng)管Ql的漏極相連接；同時，三極管VT7的基極則與線性驅(qū)動電路相連接；所述二極管D5的N極還與電容CS的正極相連接。
[0022]為確保本發(fā)明更好的實(shí)施，所述的電容C13、電容C14、電容C15、電容C16、電容C17
采用極性