制M0SFET50的柵極端子電壓而控制M0SFET50的接通切斷工作。
[0067]由于在停止向LED單元10供電時使M0SFET50進(jìn)行切斷工作，因此，如圖中的單點(diǎn)劃線Υ3所示，檢測電流在二極管D中流動。由此，發(fā)揮與圖1所示的第一實(shí)施方式相同的效果。即，由于在二極管D產(chǎn)生相對于微小的檢測電流較大的電壓下降，能夠如單點(diǎn)劃線Υ4所示那樣檢測產(chǎn)生了接地的情況下的電壓下降量降低，能夠提高接地檢測精度。
[0068]另一方面，由于在向LED單元10供電時使M0SFET50進(jìn)行接通工作，因此，來自LED單元10的大電流(驅(qū)動電流)如實(shí)線Yl所示那樣在M0SFET50中流動，不在二極管D中流動。并且，由于M0SFET50中的電力損失與二極管D相比非常小，因此，能夠減少LED單元10的驅(qū)動時的電力損失。
[0069](第四實(shí)施方式)
[0070]如圖6所示，本實(shí)施方式的LED驅(qū)動器20C是圖5的LED驅(qū)動器20Β的變形例，通過在LED驅(qū)動器20Β的M0SFET50的漏一柵之間，以及柵一源之間設(shè)置分割電阻R2、R3，由此實(shí)現(xiàn)二極管D的省略。
[0071]S卩，在本實(shí)施方式的LED驅(qū)動器20C中，接地檢測元件是M0SFET50C。并且，其特征在于具備控制機(jī)構(gòu)60C，該控制機(jī)構(gòu)60C以在向LED單元10供電時使M0SFET50C進(jìn)行接通工作，在停止向LED單元10供電時使M0SFET50C的柵極形成Hi阻抗?fàn)顟B(tài)的方式工作。
[0072]此外，在圖6的例子中，將M0SFET50C用作開關(guān)元件，但也可以采用雙極型晶體管、IGBT0
[0073]另外，將微型計(jì)算機(jī)(微機(jī)60)用作所述控制機(jī)構(gòu)60C。微機(jī)60通過控制M0SFET50C的柵極電壓而控制M0SFET50C的工作。具體而言，以在以下說明的Hi阻抗接通狀態(tài)、普通接通狀態(tài)以及切斷狀態(tài)的任一狀態(tài)下切換M0SFET50C的工作的方式進(jìn)行控制。
[0074]將柵一源間的電壓控制為OV從而切斷漏源電壓間的電流的狀態(tài)是“切斷狀態(tài)”。將柵一源間的電壓控制為柵極閾值電壓以上的電壓(例如5V)而以低電阻使漏一源間通電的狀態(tài)是“普通接通狀態(tài)”。將柵極控制為Hi阻抗?fàn)顟B(tài)，從而在漏一源間產(chǎn)生與柵極閾值電壓相當(dāng)?shù)碾妷合陆挡⑼姷臓顟B(tài)是“Hi阻抗接通狀態(tài)”。
[0075]圖7是示出本實(shí)施方式的LED驅(qū)動器20C的控制順序的流程圖。首先，通過圖7的步驟S20向LED驅(qū)動器20C接通電源。在接下來的步驟S21中，控制M0SFET50C的柵極形成Hi阻抗。換句話說，使M0SFET50C在Hi阻抗接通狀態(tài)下工作。在接下來的步驟S22中，從檢測電流輸出電路31輸出檢測電流。此外，該檢測電流既可以在LED單元10的工作中也一直輸出，也可以在工作中停止輸出。
[0076]在接下來的步驟S23中，判斷LEDll的陰極電壓(換句話說LED單元10的低電壓側(cè)的電壓)是否在規(guī)定電壓Vth以上。該LED陰極電壓相當(dāng)于在M0SFET50C以及分流電阻Rs產(chǎn)生的電壓下降量。
[0077]若判斷為LED陰極電壓彡Vth (S23:YES)，視作未產(chǎn)生接地，在接下來的步驟S24中，開始進(jìn)行DCDC轉(zhuǎn)換器40的工作，實(shí)施基于分流電阻檢測值的反饋控制。另一方面，若判斷為LED陰極電壓< Vth (S23:N0)，則視作產(chǎn)生了接地，禁止進(jìn)行D⑶C轉(zhuǎn)換器40的工作(S25)ο
[0078]當(dāng)通過步驟S24而D⑶C轉(zhuǎn)換器40開始工作時，在接下來的步驟S26中，根據(jù)分流電阻檢測值判斷LEDll的輸出電流是否在正常范圍內(nèi)。若判斷為處于正常范圍內(nèi)(S26:YES)，則通過接下來的步驟S27使從微機(jī)60C輸出的控制信號上升至柵極閾值以上的電壓(5V)。換句話說，使M0SFET50C在普通接通狀態(tài)下工作。另一方面，若判斷為偏離正常范圍(S26:NO)，則通過接下來的步驟S28使Hi阻抗接通狀態(tài)持續(xù)。
[0079]在基于步驟S27的普通接通狀態(tài)下，通過步驟S29根據(jù)分流電阻檢測值判斷LEDlI的輸出電流是否過大。若判斷為過大(S29:YES)，則以從微機(jī)60C輸出的控制信號作為LO(0V)，使M0SFET50C成為切斷狀態(tài)。另一方面，若判斷為過大(S29:NO)，則通過接下來的步驟S28使普通接通狀態(tài)持續(xù)。
[0080]根據(jù)本實(shí)施方式，由于在停止向LED單元10供電時使M0SFET50C成為Hi阻抗接通狀態(tài)，因此如圖中的單點(diǎn)劃線Y3所示，檢測電流在M0SFET50C的漏一源之間流動。由此，發(fā)揮與圖1所示的第一實(shí)施方式相同的效果。即，由于在M0SFET50C產(chǎn)生相對于微小的檢測電流較大的電壓下降，因此，能夠如單點(diǎn)劃線Y4所示那樣檢測產(chǎn)生了接地的情況下的電壓下降量降低，能夠提高接地檢測精度。換句話說，通過省略圖5所示的二極管D并簡化LED驅(qū)動器20C的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)在避免過大驅(qū)動電流流向LED單元10的同時進(jìn)行接地檢測。
[0081]另一方面，由于在向LED單元10供電時使M0SFET50C進(jìn)行普通接通工作，因此，在來自LED單元10的大電流(驅(qū)動電流)如實(shí)線Yl所示那樣在M0SFET50C中流動時，能夠減少在M0SFET50C產(chǎn)生的電力損失。
[0082]此外，在本實(shí)施方式中，其特征在于，在視作輸出過大的驅(qū)動電流的情況下，微機(jī)60C (控制機(jī)構(gòu))對M0SFET50C(場效應(yīng)晶體管)進(jìn)行切斷工作。
[0083]這里，在本實(shí)施方式中，與第一?第三實(shí)施方式相同，若在LED單元10工作時檢測接地，也使D⑶C轉(zhuǎn)換器40停止，避免過大的驅(qū)動電流流向LED單元10。在本實(shí)施方式中，在這種故障安全控制的基礎(chǔ)上，還在檢測到過大驅(qū)動電流的情況(S29:YES)下對M0SFET50C進(jìn)行切斷工作(S30)，因此能夠獲得雙重故障安全。由此，即便在D⑶C轉(zhuǎn)換器40發(fā)生故障的情況下，通過M0SFET50C的切斷工作，也能夠避免過大的驅(qū)動電流流向LED單元10。
[0084](第五實(shí)施方式)
[0085]如圖8所示，本實(shí)施方式的LED驅(qū)動器20D是圖1的LED驅(qū)動器20的變形例，將LED驅(qū)動器20的二極管D (接地檢測元件)替換為N溝道型的M0SFET50D。
[0086]S卩，在本實(shí)施方式的LED驅(qū)動器20D中，接地檢測元件是M0SFET50D，以該M0SFET50D的源極側(cè)位于LED單元10 (負(fù)載)側(cè)的方式連接有M0DFET50D。換句話說，其特征在于，圖5以及圖6的M0SFET50、50C反向連接，且具備微機(jī)60D (控制機(jī)構(gòu))，該微機(jī)60D在向LED單元10供電時使M0DFET50D進(jìn)行接通工作，在停止向LED單元10供電時使場效應(yīng)晶體管50D進(jìn)行切斷工作。
[0087]微機(jī)60D通過控制M0SFET50D的柵極端子電壓而控制M0SFET50D的工作。具體而言，以在前述的普通接通狀態(tài)以及切斷狀態(tài)的任一狀態(tài)下切換M0SFET50的工作的方式進(jìn)行控制。
[0088]圖9是示出本實(shí)施方式的LED驅(qū)動器20D的控制順序的流程圖。首先，通過圖9的步驟S40向LED驅(qū)動器20D接通電源。在接下來的步驟S41中，將M0SFET50D形成為切斷狀態(tài)。在該切斷狀態(tài)下，M0SFET50D的寄生二極管與圖1的二極管D相同地發(fā)揮功能。
[0089]在接下來的步驟S42中，從檢測電流輸出電路31輸出檢測電流。此外，該檢測電流既可以在LED單元10工作中也一直輸出，也可以在工作中停止輸出。
[0090]在接下來的步驟S43中，判斷LEDll的陰極電壓(換句話說LED單元10的低電壓側(cè)的電壓)是否在規(guī)定電壓Vth以上。該LED陰極電壓相當(dāng)于在M0SFET50D以及分流電阻Rs產(chǎn)生的電壓下降量。
[0091]若判斷為LED陰極電壓彡Vth (S43:YES)，則視作未產(chǎn)生接地，在接下來的步驟S44中，開始DCDC轉(zhuǎn)換器40的工作，實(shí)施基于分流電阻檢測值的反饋控制。另一方面，若判斷為LED陰極電壓< Vth (S43:NO)，則視作產(chǎn)生接地，禁止D⑶C轉(zhuǎn)換器40的工作(S45)。
[0092]當(dāng)通過步驟S44而D⑶C轉(zhuǎn)換器40開始工作時，在接下來的步驟S46中，根據(jù)分流電阻檢測值判斷LEDll的輸出電流是否在規(guī)定值Ith以上。若判斷為在規(guī)定值以上(S46:YES)，則視作驅(qū)動電流正常輸出，通過接下來的步驟S47使M0SFET50D在普通接通狀態(tài)下工作。另一方面，若判斷為不足規(guī)定值(S46:NO)，則通過接下來的步驟S48使M0S