一種線路板的孤立線的阻抗控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及線路板導(dǎo)線阻抗控制領(lǐng)域，尤其是涉及一種線路板的孤立線的阻抗控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]傳輸線在生產(chǎn)加工過(guò)程中會(huì)考慮到蝕刻線的側(cè)蝕效應(yīng)與水池效應(yīng)，即傳輸線到導(dǎo)體的間距越大，藥水交換能力越強(qiáng)，側(cè)蝕效應(yīng)越明顯，導(dǎo)致傳輸線實(shí)際完成線寬比設(shè)計(jì)線寬小的更多。如此，目前傳輸線設(shè)計(jì)線寬是由傳輸線的理論設(shè)計(jì)線寬進(jìn)行補(bǔ)償加寬得到，以保證傳輸線實(shí)際完成線寬與理論設(shè)計(jì)線寬一致。
[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中傳輸線存在側(cè)蝕效應(yīng)及水池效應(yīng)導(dǎo)致傳輸線實(shí)際完成線寬與理論設(shè)計(jì)線寬不一致的缺陷，在外層蝕刻時(shí)，如圖形電鍍+正片蝕刻流程，現(xiàn)有措施會(huì)考慮使用對(duì)傳輸線進(jìn)行動(dòng)態(tài)補(bǔ)償以增加傳輸線的理論設(shè)計(jì)線寬，使得消除不同間距下水池效應(yīng)造成側(cè)蝕差異。動(dòng)態(tài)補(bǔ)償具體思路為對(duì)不同間距采用不同的補(bǔ)償、間距越大的補(bǔ)償值越大的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償方法，并通過(guò)軟件自動(dòng)撲捉其周圍的間距，通過(guò)計(jì)算判斷給出設(shè)定規(guī)則的補(bǔ)償值。
[0004]然而，在圖形電鍍+正片蝕刻流程中，孤立線的銅厚將受到電鍍電流密度分布差異的影響，其中孤立線指的是線路圖形中與導(dǎo)體間距大于50mi I的傳輸線。即孤立線電流密度較大，孤立線與大銅皮區(qū)域間的電流密度之比可達(dá)到3:2以上，導(dǎo)致孤立線實(shí)際完成銅厚遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了理論設(shè)計(jì)銅厚，如此使得孤立線阻抗偏小。同時(shí)，在大電流密度下，孤立線容易出現(xiàn)電鍍夾膜現(xiàn)象，它使得孤立線的頂部線寬增大以至于并形成蘑菇狀。蘑菇狀的孤立線能遮擋蝕刻藥水在線路底部的交換能力，藥水對(duì)孤立線的側(cè)蝕能力減弱后，將使得孤立線的實(shí)際完成線寬偏大，孤立線的阻抗值進(jìn)一步降低?？梢?jiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中的孤立線的阻抗的實(shí)際阻抗將比理論設(shè)計(jì)阻抗大大降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，本發(fā)明在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種線路板的孤立線的阻抗控制方法，它能使得線路板的外層孤立線的實(shí)際阻抗與理論設(shè)計(jì)阻抗相接近。
[0006]其技術(shù)方案如下:一種線路板的孤立線的阻抗控制方法，包括如下步驟:制作菲林圖形文件過(guò)程中，對(duì)傳輸線的理論設(shè)計(jì)線寬加寬補(bǔ)償?shù)玫剿鰝鬏斁€的設(shè)計(jì)線寬，根據(jù)所述傳輸線的設(shè)計(jì)線寬得到傳輸線，并在孤立線的兩側(cè)設(shè)置若干超細(xì)分流線；在基板上貼干膜，根據(jù)所述菲林圖形文件對(duì)貼設(shè)有干膜的所述基板進(jìn)行曝光與顯影處理；對(duì)顯影處理后的所述基板進(jìn)行鍍銅處理，在鍍銅處理后的所述基板表面上進(jìn)行鍍錫處理，將鍍錫處理后的所述基板上的干膜退掉，再對(duì)退掉干膜的所述基板表面上的銅層進(jìn)行蝕刻處理。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述加寬補(bǔ)償包括基本補(bǔ)償a與動(dòng)態(tài)補(bǔ)償C，所述動(dòng)態(tài)補(bǔ)償根據(jù)所述傳輸線與最靠近所述傳輸線的導(dǎo)體間的距離確定，當(dāng)所述傳輸線與所述導(dǎo)體間的距離X小于&時(shí)，所述動(dòng)態(tài)補(bǔ)償隨著X增大而逐漸增大，當(dāng)所述傳輸線與所述導(dǎo)體間的距離X大于XJt，所述動(dòng)態(tài)補(bǔ)償隨著X增大而逐漸減小，其中X1S 50?10mil。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述超細(xì)分流線的設(shè)計(jì)線寬b應(yīng)滿足b < a。如此在蝕刻后，使得超細(xì)分流線被側(cè)蝕干凈，避免超細(xì)分流線殘留成品板面上。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)X為O?1mil時(shí)，c為O ;當(dāng)X為10?20mil時(shí)，c為0.2 ;當(dāng) X 為 20 ?30mil 時(shí)，c 為 0.4 ;當(dāng) X 為 30 ?40mil 時(shí)，c 為 0.6 ;當(dāng) X 為 40 ?50mil時(shí)，c為0.8 ;當(dāng)父為50?60mil時(shí)，c為0.8 ;當(dāng)父為60?70mil時(shí)，c為0.6 ;當(dāng)X為70?80mil時(shí)，c為0.4 ;當(dāng)X為80?90mil時(shí)，c為0.2 ;當(dāng)X為大于90mil時(shí)，c為O。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)X為O?20mil時(shí)，c為O ;當(dāng)X為20?50mil時(shí)，c為0.6 ;當(dāng)X為50?10mil時(shí)，c為0.2 ;當(dāng)X為大于10mil時(shí)，c為O。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)X為O?1mil時(shí)，c為O ;當(dāng)X為10?20mil時(shí)，c為
0.2 ;當(dāng) X 為 20 ?30mil 時(shí)，c 為 0.4 ;當(dāng) X 為 30 ?40mil 時(shí)，c 為 0.6 ;當(dāng) X 為 40 ?50mil時(shí)，c為0.8 ;當(dāng)X為50?10mil時(shí)，c為0.4 ;當(dāng)X為大于10mil時(shí)，c為O。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)所述基板進(jìn)行鍍銅處理時(shí)，對(duì)所述基板所采用的電流密度為3?6ASF，電鍍時(shí)間為150?250min。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)所述基板所采用的電流密度為4?5ASF，電鍍時(shí)間為170 ?210min。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，相鄰所述超細(xì)分流線之間以及所述孤立線與最靠近所述孤立線的超細(xì)分流線之間的距離d為15?30mil。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述孤立線兩側(cè)的所述超細(xì)分流線等間距布置。
[0016]下面結(jié)合上述技術(shù)方案對(duì)本發(fā)明的原理、效果進(jìn)一步說(shuō)明:
[0017]1、上述的所述線路板的孤立線的阻抗控制方法，通過(guò)在孤立線兩側(cè)增加若干超細(xì)分流線，使得能減弱孤立線的孤立程度，減小孤立位置與大銅面之間的電流密度差異，降低孤立線的銅鍍層厚度，使得縮小不同區(qū)域的極差。同時(shí)超細(xì)分流線在被藥水側(cè)蝕作用下，被完全蝕刻干凈，不會(huì)對(duì)線路板的原設(shè)計(jì)圖形的功能造成干擾。如此可見(jiàn)，本發(fā)明能夠控制孤立線的阻抗與具有相同設(shè)計(jì)的非孤立位置傳輸線的阻抗保持一致，使得能相應(yīng)提高線路板的廣品品質(zhì)。
[0018]2、傳輸線的設(shè)計(jì)線寬由傳輸線的理論設(shè)計(jì)線寬進(jìn)行基本補(bǔ)償與動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)玫?。其中基本補(bǔ)償為現(xiàn)有技術(shù)中的補(bǔ)償方式，即傳輸線的設(shè)計(jì)線寬為在各傳輸線的理論設(shè)計(jì)線寬的基礎(chǔ)上加上補(bǔ)償值得到，本發(fā)明在此不再贅述。而動(dòng)態(tài)補(bǔ)償，則與現(xiàn)有技術(shù)中的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償方式相區(qū)別，本發(fā)明通過(guò)優(yōu)化動(dòng)態(tài)補(bǔ)償參數(shù)，改變現(xiàn)有技術(shù)中按照傳輸線與導(dǎo)體的間距越大補(bǔ)償值越大的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償方式，而是對(duì)于處于孤立位置的傳輸線，即孤立線的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償隨著孤立線與導(dǎo)體間的距離變大而逐漸減小，如此能夠結(jié)合孤立線的電流分布特點(diǎn)，使得孤立與非孤立位置的傳輸線的阻抗更加接近傳輸線的理論設(shè)計(jì)阻抗。
[0019]3、再結(jié)合低電流密度的電鍍參數(shù)，降低孤立與非孤立位置的電流密度分布極差，使得能夠保證傳輸線的銅面均勻性，避免傳輸線表面出現(xiàn)夾膜現(xiàn)象，如此使得能夠孤立與非孤立位置的傳輸線的阻抗更加接近傳輸線的理論設(shè)計(jì)阻抗。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為本發(fā)明實(shí)施例所述線路板的孤立線兩側(cè)布置超細(xì)分流線的示意圖；
[0021]圖2為本發(fā)明實(shí)驗(yàn)一中所述線路板的傳輸線的阻抗值隨間距的變化示意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明實(shí)驗(yàn)二中所述線路板的傳輸線的阻抗值隨間距的變化示意圖。
[0023]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0024]10、基板，11、導(dǎo)體，12、孤立線，121、單端線，122、差分線，13、超細(xì)分流線。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明:
[0026]如圖1所示，本發(fā)明所述的線路板的孤立線的阻抗控制方法，包括如下步驟:步驟一、制作菲林圖形文件過(guò)程中，對(duì)傳輸線的理論設(shè)計(jì)線寬加寬補(bǔ)償?shù)玫剿鰝鬏斁€的設(shè)計(jì)線寬。其中，理論設(shè)計(jì)線寬為在制作線路板圖形時(shí)，根據(jù)阻抗及阻抗計(jì)算公式得到，其為線路板制作出后的傳輸線的線寬。而設(shè)計(jì)線寬為菲林圖形文件中的線寬，設(shè)計(jì)線寬需要在理論設(shè)計(jì)線寬上進(jìn)行補(bǔ)償?shù)玫?，使得能通過(guò)補(bǔ)償寬度克服傳輸線在制作過(guò)程中由于藥水蝕刻而減小現(xiàn)象。根據(jù)所述傳輸線的設(shè)計(jì)線寬得到傳輸線。并在孤立線12的兩側(cè)設(shè)置若干超細(xì)分流線13，孤立線12包括單端線121與差分線122。步驟二、在基板10上貼干膜，根據(jù)所述菲林圖形文件對(duì)貼設(shè)有干膜的所述基板10進(jìn)行曝光與顯影處理。對(duì)顯影處理后的所述基板10進(jìn)行鍍銅處理，在鍍銅處理后的所述基板10表面上進(jìn)行鍍錫處理。將鍍錫處理后的所述基板10上的干膜退掉，再對(duì)退掉干膜的所述基板10表面上銅層進(jìn)行蝕刻處理。最后用退錫液把導(dǎo)體表面上的錫層除掉，獲得的各處傳輸線設(shè)計(jì)線寬一致的純銅線路。
[0027]上述的所述線路板的孤立線的阻抗控制方法，通過(guò)在孤立線12兩側(cè)增加若干超細(xì)分流線13，使得能減弱孤立線12的孤立程度，進(jìn)而減小孤立位置與大銅面之間的電流密度差異，降低孤立線12的銅鍍層厚度，縮小不同區(qū)域的極差。同時(shí)超細(xì)分流線13在被藥水側(cè)蝕作用下，被完全蝕刻干凈，不會(huì)對(duì)線路板的原設(shè)計(jì)圖形的功能造成干擾。如此可見(jiàn)，本發(fā)明能夠控制孤立線12的阻抗與具有相同設(shè)計(jì)的非孤立位置傳輸線的阻抗保持一致，使得能相應(yīng)提尚線路板的廣品品質(zhì)。
[0028]其中，所述加寬補(bǔ)償包括基本補(bǔ)償a與動(dòng)態(tài)補(bǔ)償C。所述動(dòng)態(tài)補(bǔ)償根據(jù)所述傳輸線與最靠近所述傳輸線的導(dǎo)體11間的距離確定。當(dāng)所述傳輸線與所述導(dǎo)體11間的距離X小于&時(shí)，所述動(dòng)態(tài)補(bǔ)償隨著X增大而逐漸增大，當(dāng)所述傳輸線與所述導(dǎo)體11間的距離X大于XJt，所述動(dòng)態(tài)補(bǔ)償隨著X增大而逐漸減小，其中X1S 50?lOOmil。傳輸線的設(shè)計(jì)線寬由傳輸線的理論設(shè)計(jì)線寬進(jìn)行基本補(bǔ)償與動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)玫?。其中基本補(bǔ)償為現(xiàn)有技術(shù)中的補(bǔ)償方式，即傳輸線的設(shè)計(jì)線寬為在各傳輸線的理論設(shè)計(jì)線寬的基礎(chǔ)上加上補(bǔ)償值得至IJ，本發(fā)明在此不再贅述。而動(dòng)態(tài)補(bǔ)償，則與現(xiàn)有技術(shù)中的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償方式相區(qū)別，本發(fā)明通過(guò)優(yōu)化動(dòng)態(tài)補(bǔ)償參數(shù)，改變現(xiàn)有技術(shù)中按照傳輸線與導(dǎo)體11的間距越大補(bǔ)償值越大的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償方式，而是對(duì)于處于孤立位置的傳輸線，即孤立線12的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償隨著孤立線12與導(dǎo)體11間的距離變大而逐漸減小，如此能夠結(jié)合孤立線12的電流分布特點(diǎn)，使得孤立與非孤立位置的傳輸線的阻抗更加接近傳輸線的理論設(shè)計(jì)阻抗。
[0029]為了使得本發(fā)明技術(shù)方案更加清楚，傳輸線的設(shè)計(jì)線寬可以參照如下實(shí)施例進(jìn)行設(shè)計(jì):
[0030]實(shí)施例一，當(dāng)X為O?1mil時(shí)，c為O ;當(dāng)X為10?20mil時(shí)，c為0