在以下條件下拍攝透射型電子顯微鏡照片。
[0075]裝置的型號(hào):日立制H-9000UHR I
[0076]倍率:21，000?520，000 倍
[0077]測(cè)定條件:加速電壓300kV
[0078]觀察方法:明視場(chǎng)圖像，衍射圖，多重波干擾圖像
[0079]其結(jié)果是，在100，000倍以上的倍率下，如圖5所示，在傳播基板表面的厚度3nm的范圍內(nèi)，確認(rèn)有對(duì)比度不同的發(fā)黑的薄層。其中，圖5中的TEM像的倍率為520000倍。接著，將TEM像進(jìn)行快速傅立葉變換(FFT:Fast Fourier Transform)，得到FFT圖案。其結(jié)果是，沒有確認(rèn)到有因晶體缺陷而產(chǎn)生的點(diǎn)。
[0080]圖5中，從上面看，依次排列著較濃的表面的線狀部分、較淺的線狀部分、較濃的線狀部分，其下觀察到厚度均勻的區(qū)域。表面晶格畸變層的厚度是從較濃的表面的線狀部分的上端至最下方的較濃的線狀部分的下端為止的尺寸。
[0081]在得到的傳播基板上，形成厚度0.14 μπι的金屬鋁制的輸入電極4及輸出電極5。電極厚度t/彈性波波長(zhǎng)λ =7%。此外，測(cè)定聲表面波元件的共振點(diǎn)的頻率溫度系數(shù)(Temperature Coefficient of Frequency)，為-lOppm/O。此外，其插入損耗為 7.3dB。
[0082](比較例I)
[0083]上述的實(shí)施例中，沒有將傳播基板的鏡面通過所述發(fā)泡聚氨酯墊(硬質(zhì)墊)進(jìn)行摩擦精加工。拍攝得到的傳播基板的表面附近的TEM照片，沒有觀測(cè)到對(duì)比度不同的區(qū)域或?qū)印?br>[0084]在得到的傳播基板上，形成厚度0.14 μπι的金屬鋁制的輸入電極4及輸出電極5。電極厚度t/聲表面波波長(zhǎng)λ =7%。此外，測(cè)定聲表面波元件的共振點(diǎn)的頻率溫度系數(shù)(Temperature Coefficient of Frequency)，為-SOppm/O。此外，其插入損耗為 10dB。
[0085](實(shí)施例2)
[0086]上述的實(shí)施例1中，使用更加硬質(zhì)的無紡布?jí)|代替發(fā)泡聚氨酯墊進(jìn)行摩擦精加工。拍攝得到的傳播基板的表面附近的TEM照片，發(fā)現(xiàn)晶格畸變層的厚度為8nm。此外，在表面觀察到與實(shí)施例1相同的對(duì)比度差異的3層。
[0087]在得到的傳播基板上，形成厚度0.14 μπι的金屬鋁制的輸入電極4及輸出電極5。電極厚度t/聲表面波波長(zhǎng)λ =7%。此外，測(cè)定聲表面波元件的共振點(diǎn)的頻率溫度系數(shù)(Temperature Coefficient of Frequency)，顯示 _13ppm/°C 的良好的數(shù)值。但是，插入損耗降低到8dB。推測(cè)這是由于表面的畸變層較厚，導(dǎo)致彈性波在傳播中衰減。
[0088](實(shí)施例3)
[0089]與實(shí)施例1同樣地制作接合基板。但是，作為支承基板，使用的不是所述硅基板，而是與該硅基板相同厚度的藍(lán)寶石基板。此時(shí)的共振點(diǎn)的頻率溫度系數(shù)為_18ppm/°C。
[0090](比較例2)
[0091]與實(shí)施例2同樣地制作接合基板。但是，沒有對(duì)傳播基板的鏡面通過所述發(fā)泡聚氨酯墊(硬質(zhì)墊)進(jìn)行摩擦精加工，作為其替代，用絨面革墊(軟質(zhì)墊)進(jìn)行了精加工。其結(jié)果是，拍攝得到的傳播基板的表面附近的TEM照片，沒有觀測(cè)到對(duì)比度不同的區(qū)域或?qū)印４送?，共振點(diǎn)的頻率溫度系數(shù)為_23ppm°C。
[0092](實(shí)施例4)
[0093]作為傳播基板材料，使用以SAW的傳播方向?yàn)閄、切角為旋轉(zhuǎn)Y切割板的128° Y切割X傳播鈮酸鋰基板，除此以外，與實(shí)施例1同樣地制作接合基板。SAW的傳播方向X的線膨脹系數(shù)為15.4ppm/°C。傳播基板材料的厚度為230 μπι。對(duì)研磨后的基板截面同樣地用TEM觀察，表面晶格畸變層的厚度為15nm，比鉭酸鋰情況下的厚度大。估計(jì)這是起因于晶體材料的楊氏模量相對(duì)較小。此外，在表面觀察到與實(shí)施例1相同的對(duì)比度差異的3層。
[0094]與實(shí)施例1同樣地測(cè)定聲表面波元件的共振點(diǎn)的頻率溫度系數(shù)，為_58ppm/°C。
[0095](比較例3)
[0096]與實(shí)施例4同樣地制作接合基板。但是，沒有對(duì)傳播基板的鏡面通過所述發(fā)泡聚氨酯墊(硬質(zhì)墊)進(jìn)行摩擦精加工，作為其替代，用絨面革墊(軟質(zhì)墊)進(jìn)行了精加工。其結(jié)果是，拍攝得到的傳播基板的表面附近的TEM照片，沒有觀測(cè)到對(duì)比度不同的區(qū)域或?qū)?。此外，共振點(diǎn)的頻率溫度系數(shù)為_65ppm°C。
[0097](實(shí)施例5)
[0098]上述例子中，全部都是基板相互直接貼合，但也可使用粘合樹脂貼合基板。
[0099]具體的，在實(shí)施例1使用的硅基板的表面，通過旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)涂布液態(tài)的丙烯酸系粘合劑，在此之上粘合實(shí)施例1中使用的鉭酸鋰基板，得到粘合體。將粘合體投入約150°C的烤箱中，令粘合劑固化。接著，經(jīng)過與上述實(shí)施例1同樣的工序，制作彈性波元件。
[0100]根據(jù)TEM觀察，表面畸變層的厚度為3nm，與實(shí)施例1相同。此外，在表面觀察到與實(shí)施例1相同的對(duì)比度差異的3層。此外，共振點(diǎn)的頻率溫度系數(shù)為-10ppm/°C，與實(shí)施例1相同，表明表面晶格畸變層所帶來的效果不依賴于接合方法。
[0101](比較例4)
[0102]與實(shí)施例5同樣地制作接合基板。但是，沒有對(duì)傳播基板的鏡面通過所述發(fā)泡聚氨酯墊(硬質(zhì)墊)進(jìn)行摩擦精加工，作為其替代，用絨面墊(軟質(zhì)墊)進(jìn)行了精加工。其結(jié)果是，拍攝得到的傳播基板的表面附近的TEM照片，沒有觀測(cè)到對(duì)比度不同的區(qū)域或?qū)?。此外，共振點(diǎn)的頻率溫度系數(shù)為_20ppm°C。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種彈性波元件用復(fù)合基板，其特征在于，具備支承基板、以及 與所述支承基板接合、由壓電單晶構(gòu)成、傳播彈性波的傳播基板， 所述傳播基板具有所述壓電單晶的晶格發(fā)生畸變的表面晶格畸變層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合基板，其特征在于，所述表面晶格畸變層的厚度在3nm以下。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合基板，其特征在于，通過透射型電子顯微鏡觀察，所述表面晶格畸變層為多層。4.根據(jù)權(quán)利要求1?3任意一項(xiàng)所述的復(fù)合基板，其特征在于，所述彈性波為聲表面波、蘭姆波型彈性波或體聲波。5.根據(jù)權(quán)利要求1?4任意一項(xiàng)所述的復(fù)合基板，其特征在于，所述支承基板與所述傳播基板直接接合或介由粘合劑層接合。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合基板，其特征在于，所述粘合劑層為厚度0.1 μπι?1.0 μπ?的有機(jī)粘合劑層。7.根據(jù)權(quán)利要求1?6任意一項(xiàng)所述的復(fù)合基板，其特征在于，所述壓電單晶選自鈮酸鋰、鉭酸鋰及鈮酸鋰-鉭酸鋰固溶體單晶構(gòu)成的群。8.根據(jù)權(quán)利要求1?7任意一項(xiàng)所述的復(fù)合基板，其特征在于，所述支承基板由選自硅、藍(lán)寶石、氮化鋁燒結(jié)體、氧化鋁、碳化硅燒結(jié)體、氮化硅燒結(jié)體、硼硅酸玻璃及石英玻璃構(gòu)成的群的材料構(gòu)成。9.根據(jù)權(quán)利要求4?8任意一項(xiàng)所述的復(fù)合基板，其特征在于，所述彈性波元件為聲表面波濾波器或諧振器。10.根據(jù)權(quán)利要求1?9任意一項(xiàng)所述的復(fù)合基板，其特征在于，所述傳播基板的厚度為 0.1 μ m ?40 μ m011.一種彈性波元件，其特征在于，具備權(quán)利要求1?10任意一項(xiàng)所述的復(fù)合基板以及設(shè)置在所述傳播基板上的電極圖案。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的彈性波元件，其特征在于，所述彈性波元件是聲表面波濾波器或諧振器。
【專利摘要】一種彈性波元件用復(fù)合基板，其具備支承基板(1)以及與支承基板(1)接合、由壓電單晶構(gòu)成、傳播彈性波的傳播基板(3)。傳播基板(3)具有所述壓電單晶的晶格發(fā)生畸變的表面晶格畸變層(11)。
【IPC分類】H03H9/64, H03H9/25
【公開號(hào)】CN105164919
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480016412
【發(fā)明人】堀裕二, 多井知義
【申請(qǐng)人】日本礙子株式會(huì)社
【公開日】2015年12月16日
【申請(qǐng)日】2014年3月19日
【公告號(hào)】DE112014001537T5, US20150365067, WO2014148648A1