放大器354的增益可以取決于外部功率M0SFET 308的柵極的導通時間。當導通時間短時，傳播延遲將成為^的更大的比例。結(jié)果，輸出LED電流可以更高。因此，當^短時，可以選擇增益更高以補償傳播延遲。
[0042]在某些示例中，不引發(fā)附加的材料成本的費用。在某些情況中，不需要附加的部件。相反，附加的功能可以實現(xiàn)在例如為1C 306的單個芯片的單個裸片上。輸出電流的擴散能夠通過略微調(diào)整Cl的值來調(diào)整。可以做出對Cl的這一調(diào)整，以補償可能比內(nèi)建(builtin)傳播延遲補償更低的整體系統(tǒng)傳播延遲。但是，一般地，將不需要C1值中的大的減少，因為使用增益改變。由此，在某些示例中，對于谷值檢測和VCC沒有影響。附加地，某些示例可以允許低扼流電感值的使用。
[0043]圖4為圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個或多個方面的圖3的控制電路裝置、增益選擇器、以及tjt測器的框圖。增益選擇器356可以控制可變增益V_P放大器354的增益。在某些示例中，可變增益V_P放大器354可以包括一系列的晶體管開關(guān)。晶體管開關(guān)可以選擇適當?shù)脑鲆妗QN檢測器358可以感測tQN。
[0044]如這里所描述的，某些示例可以使用模擬方法并且某些示例可以使用數(shù)字方法。圖5為圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個或多個方面的與模擬方法相關(guān)的模擬電路裝置的框圖。圖6為圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個或多個方面的與數(shù)字方法相關(guān)的數(shù)字電路裝置的框圖。在某些示例中，使用哪個方法可以取決于如何生成(圖6實際上包括模擬電路裝置和數(shù)字電路裝置兩者。)
[0045]在圖5的所圖示的示例中，^可以間接地測量輸入電壓304以及測量使用的扼流電感Q的電感。這是因為導通時間t.直接與電感器L:的扼流電感成比例并且與輸入電壓304成反比。
[0046]對應(yīng)地，導通時間tQN信號可以到例如通過反向器504的晶體管502的柵極(gate)信號。例如，這里所描述的系統(tǒng)和方法可以使用模擬方法來測量導通時間例如為電阻器和電容器電路(RjPC5)的模擬定時器可以執(zhí)行定時測量以確定內(nèi)部功率MOSFET 352的柵極被導通多久。當內(nèi)部功率MOSFET 352的柵極已經(jīng)導通預(yù)定量的時間時，如由R-C電路所確定的，可以向補償邏輯塊發(fā)送這一信息。在某些示例中，由模擬定時器生成的信息可以數(shù)字地發(fā)送。如圖5中所圖示的，當柵極信號為低時，晶體管502將導通并且電容器可以通過晶體管502來向接地放電。當柵極信號為高時，晶體管502將關(guān)斷并且電容器可以開始通過電阻器R5充電。V _到V _的電壓值可以被選擇，使得可以生成導通時間t ■的數(shù)字表示。導通時間的這一數(shù)字表示可以被用于選擇用于可變增益V _P放大器354增益選擇(gain select)。在某些示例中，可以選擇電壓VREFglj V REFN，使得輸出增益選擇與導通時間線性相關(guān)。但是，這不是必需的?？梢岳缁谳敵鲭娏鲾U散與導通時間t.之間的關(guān)系來選擇其他電壓VREFgljVREFN。以下所描述的，這樣的關(guān)系的示例在圖7中圖示。對于圖7的特定示例，可以選擇電壓V—到VREFN，使得輸出增益選擇與導通時間^線性相關(guān)。
[0047]如以上所描述的，圖6為圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個或多個方面的與數(shù)字方法相關(guān)的電路裝置的框圖。數(shù)字方法利用t-生成數(shù)字比特來確定導通時間t.。在所圖示的示例中，作為可變增益V_P放大器354的輸出的1C 306的VC0MP引腳上的信號為到上/下計數(shù)器602的輸入，該上/下計數(shù)器602基于1C 306的VC0MP引腳處的電壓來向上計數(shù)或者向下計數(shù)。上/下計數(shù)器602輸出作為用于增益選擇的邏輯控制606和電路裝置608的輸入的^選擇信號604。兩個t _選擇信號604在圖6中圖示。將理解到，但是，在一個示例中，t-選擇信號604可以為連接到用于增益選擇的邏輯控制606和電路裝置608兩者的單個輸出。在另一示例中，t-選擇信號604可以為連接到用于增益選擇的邏輯控制606和電路裝置608兩者的多個輸出。用于增益選擇的邏輯控制606可以使用^選擇信號604來生成可以選擇可變增益V_P放大器354的增益的增益選擇信號610。t ■選擇信號604還可以是到電路裝置608的輸入，該電路裝置608類似于在關(guān)于圖5所討論的模擬方法中使用的電路裝置。
[0048]如圖6中所圖示的，例如為電阻器陣列和電容器陣列的模擬定時器可以用于執(zhí)行定時測量以確定柵極信號多長時間為例如邏輯高值。在預(yù)定時間之后，基于電容器陣列、電阻器陣列、以及所選的VREF，Gate<]FF信號可以輸出以將外部功率MOSFET的柵極關(guān)斷。
[0049]圖7為圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個或多個方面的一個示例中的關(guān)于t-的示例輸出電流擴散的圖表。在圖7的示例中，圖示了假定輸入電壓中改變的情況下輸出電流關(guān)于1^的關(guān)系。所述值基于120ns的傳播延遲。
[0050]如以上所討論的，可以有實際的輸出電流與所測量到的輸出電流之間的擴散。所測量到的電流與實際的電流之間的輸出電流擴散在短時可以更嚴重。當t ■小時，擴散可以更大并且實際的輸出電流可以比所測量到的輸出電流更高。當^更長時，實際的輸出電流可以更接近所測量到的輸出電流。由此，需要隨著^減少而減少輸出電流。在所圖示的示例中，輸出電流與峰值vcs電壓直接成比例。峰值V cs電壓可以通過增加V _Ρ放大器354的增益來減少。當V_P放大器354的增益增加時，需要更低的V 值電壓以確保V Comp達到1.5V。隨著減少，由于外部和內(nèi)部傳播延遲，輸出電流將開始增加。
[0051]圖8為圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個或多個方面的關(guān)于的補償?shù)氖纠膱D表。圖8中所圖示的增益增加可以一般地用于校正圖7中所圖示的輸出電流擴散。如圖8中所圖示的，增益增加百分比可以按一系列的離散步長來變化。在其他示例中，增益增加可以隨著tQN變化而連續(xù)地變化。這可以一般地針對某一范圍的值而完成。隨著t.增加，使用的增益增加可以總體上減少。在某些示例中，無需補償整個范圍的這是因為隨著^增加，由傳播延遲貢獻的誤差將同樣減少。因此，無需在更長的處進行補償。因而，一般地，在tQN的某一最大值之后，沒有增益增加被使用。對于短的t ,增益增加，因而減少輸出電流。結(jié)果，可以針對傳播延遲中的擴散而補償輸出電流。在圖8的所圖示的示例中，針對其使用某一增益增加的短的導通時間在從0到約5.4微秒的范圍中。其他范圍是可能的，并且可以基于輸出電流擴散如何隨著用于特定系統(tǒng)的導通時間而變化。
[0052]如圖7和8中所圖示的，使用的增益增加可以一般地被選擇以對輸出電流擴散(所測量到的電流與實際的電流之間的差)計數(shù)。因此，用于校正輸出電流擴散的不同的增益增加可以用于不同的示例系統(tǒng)并且可以基于針對特定系統(tǒng)的輸出電流擴散來選擇。再次，連續(xù)變化的增益增加可以被使用，或者一系列的離散步長可以被使用。當使用一系列的離散步長時，它們可以粗略地跟隨被實現(xiàn)的特定系統(tǒng)的輸出電流擴散，但是，各種各樣的增益增加可以被使用。這些增益增加還可以結(jié)合選擇用于(^的特定值來進行選擇?；谳敵鲭娏髦械臄U散和由可變增益引入的所測量到的輸出電流中的任意減少而根據(jù)需要來選擇Ci，Ci也可以減少以便減少輸出電流中的擴散。出于以上所討論的原因，可以一般地優(yōu)選地使用可變增益來給予輸出電流和所測量到的輸出電流中的擴散的大部分減少。但是，這不是必需的。
[0053]如這里所描述的，某些示例引入用于V_P放大器354的可變增益。這一增益可以取決于當導通時間短時，傳播延遲可以成為^的更大的比例。結(jié)果，輸出電流可以比期望的更高。增益被設(shè)計為當^減少時增加。以這一方式，由于傳播延遲而帶來的誤差被補償。如這里所描述的，在某些示例中，引發(fā)很少的或者不引發(fā)材料成本的附加的費用。(在某些示例中，IC 306的成本可以比1C 106的成本更大)。附加地，在某些示例中，輸出電流的擴散能夠通過略微調(diào)整Q的值來外部地調(diào)整。
[0054]圖9為圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個或多個方面的示例電路圖的框圖。圖9的電路給出了示例LED系統(tǒng)900的模型。在所圖示的示例中，Vcs通過可變增益放大器902?？勺冊鲆娣糯笃鞯呐ctON的增益關(guān)系的一個可能的示例在圖8中圖示。當放大器輸出達到1.5V時，功率M0SFET可以關(guān)斷。在所圖示的示例中，tQN感測使用模擬方法904來完成。t _繼而可以在增益邏輯控制塊906中被轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號