一種自動(dòng)調(diào)節(jié)亮度的oled發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及0LED技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種自動(dòng)調(diào)節(jié)亮度的0LED發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著0LED使用壽命的增長，0LED亮度會(huì)隨之降低，為了提高0LED亮度，在現(xiàn)有技術(shù)中會(huì)通過外加裝一光電檢測裝置，當(dāng)檢測裝置檢測到0LED屏體亮度降低時(shí)，通過增大電流的方式提高0LED屏體亮度。但通過外加一光電檢測裝置，根據(jù)0LED屏體亮度情況回饋控制0LED發(fā)光強(qiáng)度，這樣導(dǎo)致0LED燈具結(jié)構(gòu)變的復(fù)雜，且檢測的靈敏度、精準(zhǔn)度也較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為此，為了更簡便的控制0LED屏體的發(fā)光亮度，本發(fā)明提供了一種自動(dòng)調(diào)節(jié)亮度的0LED發(fā)光器件及其制備方法。
[0004]所采用的技術(shù)方案如下所述:
[0005]—方面，本發(fā)明提供了一種自動(dòng)調(diào)節(jié)亮度的0LED發(fā)光器件，包括基板、發(fā)光單元和檢測單元，所述檢測單元設(shè)置于所述基板和發(fā)光單元之間，其依次包括第一導(dǎo)電層、有機(jī)半導(dǎo)體層和設(shè)置于所述有機(jī)半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層設(shè)置于所述基板上；所述0LED發(fā)光器件上還設(shè)有與所述發(fā)光單元、檢測單元電性連接的用于調(diào)節(jié)所述發(fā)光單元輸入電流的控制裝置。
[0006]所述控制裝置包括:電源，其與所述發(fā)光單元電性連接；
[0007]電壓傳感器，其與所述檢測單元的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層電性連接，用于檢測所述檢測單元的輸出電壓；
[0008]數(shù)據(jù)分析模塊，與所述電壓傳感器電性連接，用于接收所述電壓傳感器的電壓信號，并與所設(shè)定的電壓閾值進(jìn)行比較，判斷所述發(fā)光單元的發(fā)光強(qiáng)弱變化；
[0009]電流控制器，分別與所述電源、數(shù)據(jù)分析模塊電性連接，根據(jù)所述數(shù)據(jù)分析模塊對所述發(fā)光單元的發(fā)光強(qiáng)弱作出判斷，并控制所述電源的電流輸出大小；
[0010]通過電壓傳感器檢測檢測單元的輸出電壓；通過數(shù)據(jù)分析模塊對輸出電壓與所設(shè)定的電壓閾值進(jìn)行比對，判斷輸出電壓的高低；若輸出電壓低于電壓閾值時(shí)，通過電流控制器提高與發(fā)光單元電性連接的輸入電流值。
[0011]所述發(fā)光單元和檢測單元均為單層或多層的有機(jī)半導(dǎo)體層。
[0012]所述檢測單元厚度為lnm-300nmo
[0013]進(jìn)一步地，所述檢測單元的厚度為30nm-100nm。
[0014]所述第二導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電層。
[0015]所述透明導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電氧化物薄膜(TC0)或金屬薄膜層。
[0016]所述金屬薄膜層的材料為功函數(shù)較低的金屬或功函數(shù)較低的金屬與銅、金、銀、鎂、鋁的合金，或功函數(shù)較低的金屬與金屬氟化物交替形成的電極層。
[0017]所述金屬薄膜層的厚度為10_50nmo
[0018]另一方面，本發(fā)明還提供了一種0LED發(fā)光器件的制備方法，所述方法包括如下步驟:
[0019]步驟一，在基板上蒸鍍由第一導(dǎo)電層、有機(jī)半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電層組成的檢測單元;
[0020]步驟二，在檢測單元之上依次蒸鍍有機(jī)層和陰極層，使第二導(dǎo)電層、有機(jī)層和陰極層組成發(fā)光單元，制得0LED發(fā)光器件；
[0021 ] 步驟三，將所制得的0LED發(fā)光器件進(jìn)行封裝；
[0022]步驟四，將用于控制發(fā)光單元輸入電流的控制裝置與發(fā)光單元、檢測單元電性連接。
[0023]本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)具有如下有益效果:
[0024]本發(fā)明通過在基板上依次蒸鍍第一導(dǎo)電層、有機(jī)半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電層，在基板上制得檢測單元，然后再將在檢測單元上蒸鍍發(fā)光單元，利用有機(jī)半導(dǎo)體層的光生伏特效應(yīng)，通過控制裝置的電壓傳感器測得檢測單元的輸出電壓，根據(jù)輸出電壓的大小來判斷發(fā)光單元的發(fā)光強(qiáng)弱變化情況，控制裝置根據(jù)檢測結(jié)果回饋控制發(fā)光單元的電流，從而使0LED發(fā)光器件保持一致的發(fā)光亮度；本發(fā)明僅利用有機(jī)半導(dǎo)體層的光生伏特效應(yīng)即可完成對發(fā)光單元的控制，結(jié)構(gòu)簡單，更方便實(shí)現(xiàn)對0LED發(fā)光器件發(fā)光亮度的調(diào)整。
【附圖說明】
[0025]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0026]圖1是本發(fā)明所提供的自動(dòng)調(diào)節(jié)亮度的0LED顯示器件的結(jié)構(gòu)原理圖；
[0027]圖2是本發(fā)明自動(dòng)調(diào)節(jié)亮度的控制原理圖。
[0028]圖中:1_基板；2_檢測單元，21-第一導(dǎo)電層，22-有機(jī)半導(dǎo)體層，23-第二導(dǎo)電層；3-發(fā)光單元，31-有機(jī)層，32-陰極層；4_控制裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0029]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0030]如圖1和圖2所示，本發(fā)明提供了一種自動(dòng)調(diào)節(jié)亮度的0LED發(fā)光器件，包括基板
1、檢測單元2、發(fā)光單元3和控制裝置4，其中的檢測單元2設(shè)置于基板1和發(fā)光單元3之間，其包括第一導(dǎo)電層21、有機(jī)半導(dǎo)體層22和設(shè)置于有機(jī)半導(dǎo)體層22上的第二導(dǎo)電層23，有機(jī)半導(dǎo)體層22設(shè)置于第一導(dǎo)電層21上；發(fā)光單元3由第二導(dǎo)電層23、有機(jī)層31和陰極層32組成。而控制裝置4分別與發(fā)光單元3和檢測單元2電性連接，其中檢測單元厚度為lnm-300nm，當(dāng)檢測單元厚度小于lnm時(shí)，檢測單元的光生電壓小，檢測靈敏度不夠，檢測效果不明顯；同時(shí)，當(dāng)檢測單元厚度大于所給定范圍時(shí)，雖然檢測靈敏度不會(huì)受到很大的影響，但是會(huì)造成0LED發(fā)光器件的工藝復(fù)雜，制作成本較高，實(shí)施難度較大。因此，本發(fā)明優(yōu)選的檢測單元厚度為30nm-100nm。發(fā)光單元3所發(fā)射出來的光透過第二導(dǎo)電層23照射到有機(jī)半導(dǎo)體層22上，利用有機(jī)半導(dǎo)體層22的光生伏特效應(yīng)，通過控制裝置4檢測檢測單元2的電壓，從而檢測發(fā)光單元3的發(fā)光強(qiáng)度，控制裝置4根據(jù)檢測結(jié)果回饋控制發(fā)光單元3的輸入電流，從而實(shí)現(xiàn)OLED發(fā)光器件保持一致的發(fā)光亮度；這里的第二導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電層；優(yōu)選的透明導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電氧化物薄膜(TCO)或金屬薄膜層，其中的透明導(dǎo)電氧化物薄膜泛指具有透明導(dǎo)電性的氧化物、氮化物、氟化物、摻雜氧化物或混合氧化物，其中氧(氮)化物為:ln203、Sn02、ZnO、CdO、TiN ;摻雜氧化物為:1n203:Sn (ITO)、ZnO:1n(IZO)、ZnO:Ga (GZO)、ZnO:Al (AZO)、Zn02:F、Ti02:Ta ;混合氧化物為:1n203-Zn0、Cdln204、Cd2Sn204、Zn2Sn04。其中的金屬薄膜層為鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或功函數(shù)較低的金屬與銅、金、銀、鎂、鋁的合金，或功函數(shù)較低的金屬與金屬氟化物交替形成的電極層，其厚度為 10_50nm。
[0031]本發(fā)明僅利用有機(jī)半導(dǎo)體層22的光生伏特效應(yīng)即可完成對發(fā)光單元3的控制，結(jié)構(gòu)簡單，更方便實(shí)現(xiàn)對0LED發(fā)光器件發(fā)光