管。
[0011]所述自舉電路包括反向二極管D12以及電解電容C12，所述反向二極管D12的陽極端與第二電壓連接，反向二極管D12的陰極端與分壓電阻R14的另一端、三極管Q12H的發(fā)射極端、開關MOSFET管Q14H的源極端以及電解電容C12的正端連接，電解電容C12的負端與電機相線連接端連接。
[0012]所述下半橋驅(qū)動信號放大輸出電路包括三極管Q11L、三極管Q12L以及三極管Q13L ;所述三極管Q11L的基極端與驅(qū)動電阻R12L的一端連接，驅(qū)動電阻R12L的另一端與上拉電阻R11L的一端以及濾波電容C11L的一端連接，濾波電容C11L的另一端接地，上拉電阻R11L的另一端與第三電壓連接，且驅(qū)動電阻R12L的另一端還與控制信號輸入端U-連接;
三極管Q11L的發(fā)射極端通過分壓電阻R13L接地，三極管Q11L的集電極端與分壓電阻R14L的一端以及三極管Q12L的基極端連接，分壓電阻R14L的另一端與三極管Q12L的發(fā)射極端、限流電阻R18L的一端、開關MOSFET管Q14L的源極端以及第四電壓連接，三極管Q12L的集電極端與反向保護二極管D11L的陽極端、三極管Q13L的基極端以及限流電阻R15L的一端連接，限流電阻R15的另一端以及三極管Q13L的發(fā)射極端均接地，反向保護二極管D11L的陰極端與限流電阻R16L的一端連接，限流電阻R16L的另一端限流電阻R17L的一端、三極管Q13L的發(fā)射極端連接，限流電阻R17L的另一端與限流電阻R18L的另一端、開關MOSFET管Q14L的柵極端以及開關MOSFET管Q15L的柵極端連接；
開關MOSFET管Q14L的漏極端與驅(qū)動電阻R19L的一端連接，驅(qū)動電阻R19L的另一端與驅(qū)動電阻R20L的一端連接，且驅(qū)動電阻R19L的另一端與驅(qū)動電阻R20L的一端相互連接后形成下半橋驅(qū)動信號輸出端GUL，驅(qū)動電阻R20L的另一端與開關MOSFET管Q15L的漏極端連接，開關MOSFET管Q15L的源極端接地。
[0013]所述第三電壓為3.3V，第四電壓為12V~15V。
[0014]本發(fā)明的優(yōu)點:M0SFET管驅(qū)動電路比現(xiàn)有的三極管驅(qū)動電路的驅(qū)動電流大，驅(qū)動電流大，確保滿足大功率半橋電路的驅(qū)動要求，安全可靠。
【附圖說明】
[0015]圖1為現(xiàn)有半橋驅(qū)動電路。
[0016]圖2為本發(fā)明的使用電路原理圖。
[0017]附圖標記說明:1-M0SFET半橋電路、2_三極管驅(qū)動電路、3_三極管驅(qū)動自舉電路、10-半橋電路、20-M0SFET管驅(qū)動電路以及30-自舉電路。
【具體實施方式】
[0018]下面結合具體附圖和實施例對本發(fā)明作進一步說明。
[0019]如圖2所示:為了能實現(xiàn)對半橋電路10進行有效驅(qū)動，確保半橋電路10工作的可靠性，本發(fā)明包括上半橋驅(qū)動信號放大輸出電路以及下半橋驅(qū)動信號放大輸出電路，所述上半橋驅(qū)動信號放大輸出電路包括三極管Q11H、三極管Q12H以及三極管Q13H ;所述三極管Q11H的基極端與限流電阻R12H的一端連接，限流電阻R12H的另一端與上拉電阻R11H的一端、濾波電容C11H的一端連接，所述濾波電容C11H的另一端接地，上拉電阻R11H的另一端與第一電壓連接，且限流電阻R12的另一端還與控制信號輸入端U+連接；
三極管Q11H的發(fā)射極通過分壓電阻R13H接地，三極管Q11H的集電極端與分壓電阻R14H的一端以及三極管Q12H的基極端連接，所述分壓電阻R14的另一端與自舉電路30連接，三極管Q12H的集電極端分別與反向保護二極管D11H的陽極端、三極管Q13H的基極端以及限流電阻R15H的一端連接，三極管Q12H的發(fā)射極端與分壓電阻R14的另一端、限流電阻R18H的一端以及開關MOSFET管Q14H的源極端連接；
限流電阻R18H的另一端與限流電阻R17H的一端、開關MOSFET管Q14H的柵極端以及開關MOSFET管Q15H的柵極端連接，限流電阻R17H的另一端與限流電阻R16H的一端以及三極管Q13H的發(fā)射極端連接，限流電阻R16H的另一端與反向保護二極管D11H的陰極端連接，三極管Q13H的集電極端、限流電阻R15H的另一端均與開關MOSFET管Q15H的源極端連接，且三極管Q13H的集電極端、限流電阻R15的另一端以及開關MOSFET管Q15H的源極端相互連接后形成驅(qū)動電路連接端；
開關MOSFET管Q14H的漏極端與驅(qū)動電阻R19H的一端連接，驅(qū)動電阻R19H的另一端與驅(qū)動電阻R20H的一端連接，驅(qū)動電阻R20H的另一端與開關MOSFET管Q15H的漏極端連接，且驅(qū)動電阻R19H的另一端與驅(qū)動電阻R20H的一端相互連接后形成上半橋驅(qū)動信號輸出端GUH。
[0020]所述下半橋驅(qū)動信號放大輸出電路包括三極管Q11L、三極管Q12L以及三極管Q13L ;所述三極管Q11L的基極端與驅(qū)動電阻R12L的一端連接，驅(qū)動電阻R12L的另一端與上拉電阻R11L的一端以及濾波電容C11L的一端連接，濾波電容C11L的另一端接地，上拉電阻R11L的另一端與第三電壓連接，且驅(qū)動電阻R12L的另一端還與控制信號輸入端U-連接;
三極管Q11L的發(fā)射極端通過分壓電阻R13L接地，三極管Q11L的集電極端與分壓電阻R14L的一端以及三極管Q12L的基極端連接，分壓電阻R14L的另一端與三極管Q12L的發(fā)射極端、限流電阻R18L的一端、開關MOSFET管Q14L的源極端以及第四電壓連接，三極管Q12L的集電極端與反向保護二極管D11L的陽極端、三極管Q13L的基極端以及限流電阻R15L的一端連接，限流電阻R15的另一端以及三極管Q13L的發(fā)射極端均接地，反向保護二極管D11L的陰極端與限流電阻R16L的一端連接，限流電阻R16L的另一端限流電阻R17L的一端、三極管Q13L的發(fā)射極端連接，限流電阻R17L的另一端與限流電阻R18L的另一端、開關MOSFET管Q14L的柵極端以及開關MOSFET管Q15L的柵極端連接；
開關MOSFET管Q14L的漏極端與驅(qū)動電阻R19L的一端連接，驅(qū)動電阻R19L的另一端與驅(qū)動電阻R20L的一端連接，且驅(qū)動電阻R19L的另一端與驅(qū)動電阻R20L的一端相互連接后形成下半橋驅(qū)動信號輸出端GUL，驅(qū)動電阻R20L的另一端與開關MOSFET管Q15L的漏極端連接，開關MOSFET管Q15L的源極端接地。
[0021]具體地，所述第三電壓為3.3V，第四電壓為12V~15V。所述第一電壓為3.3V電壓，第二電壓為12V~15V。三極管Q11H為NPN三極管，三極管Q12H以及三極管Q13H為PNP三極管。三極管Q11L為NPN三極管，三極管Q12L以及三極管Q13L均為PNP三極管。
[0022]所述自舉電路30包括反向二極管D12以及電解電容C12，所述反向二極管D12的陽極端與第二電壓連接，反向二極管D12的陰極端與分壓電阻R14的另一端、三極管Q12H的發(fā)射極端、開關MOSFET管Q14H的源極端以及電解電容C12的正端連接，電解電容C12的負端與電機相線連接端連接。
[0023]本發(fā)明實施例中，上半橋驅(qū)動信號放大輸出電路與上半橋驅(qū)動信號放大輸出電路形成MOSFET驅(qū)動電路20。半橋電路10包括上半橋電路以及下半橋電路，其中，上半橋電路包括上半橋MOSFET管Q16H，所述上半橋MOSFET管Q16H的柵極端與驅(qū)動電阻R22H的一端連接，驅(qū)動電阻R22H的另一端與驅(qū)動電阻R21H的一端、濾波電容C12H的一端連接，且驅(qū)動電阻R22H的另一端還與上半橋驅(qū)動信號輸出端GUH連接，上半橋MOSFET管Q16H的漏極端與母線電壓VBAT連接，驅(qū)動電阻R21H的另一端以及濾波電容C12H的另一端均與上半橋MOSFET管Q16H的漏極端連接，且上半橋MOSFET管Q16H的漏極端還與下拉電阻R23的一端連接，下拉電阻R23的另一端接功率地。
[0024]下半橋電路包括下半橋MOSFET管Q16L，所述下半橋MOSFET管Q16L的柵極端與驅(qū)動電阻R22L的一端連接，驅(qū)動電阻R22L的另一端與驅(qū)動電阻R21L的一端