>[00巧]S5、通過第一連接線310連接第一差分線110和與之對應(yīng)的第二差分線210;
[0056]S6、通過第二連接線320連接第一差分線110和與之對應(yīng)的第一焊盤120,使得第 一焊盤120、第二連接線320、第一差分線110、第一連接線310和第二差分線210依次連接 配合形成相對設(shè)置的兩條差分傳輸線路。
[0057] 在本實施例中，所述根據(jù)公式-
進(jìn)一步 計算得出Wi和d1的數(shù)值之后還包括W下步驟：
[0058] 從滿足上述要求的所有Wi和d沖選擇最大數(shù)值的W 1為最終BGA區(qū)域100的第一 差分線110的線寬，與Wi對應(yīng)的d1為最終BGA區(qū)域100的兩條第一差分線110之間的距 離。由于在相同條件下，傳輸線的線寬越大，其損耗越小，因而在控制BGA區(qū)具有高的阻抗 一致性的基礎(chǔ)上，設(shè)計較大的傳輸線線寬，可有效地減少傳輸過程中的損耗，才能夠更好的 保證信號傳輸?shù)耐暾浴?br>[0059] 本發(fā)明所述的高速印刷電路板實際設(shè)計可參照如下：設(shè)計Zz=IOOohm的差分傳 輸對，非BGA區(qū)域200中，線寬W2= 5mil，距離CU=Smil;在BGA區(qū)域100中，BGA焊盤120 陣列距離Si為18mil，最小可加工距離為2. 5mil，采用線寬Wi= 4. 3mil，距離di= 4. 4mil; 第一連接線310和第二連接線320均兩端寬度為4. 3mil和5mil的梯形線。測試效果如圖 3中的TDR(Time-DomainReflectometry,時域反射技術(shù)）測量曲線所不。由圖3可知，BGA 區(qū)域100與非BGA區(qū)域200連接處（即圖中箭頭對應(yīng)的曲線）的阻抗撥動較小，僅在Iohm W內(nèi)，其TDR曲線較為平滑，說明本實施例達(dá)到了傳輸鏈路阻抗一致的效果。
[0060]W上實施例的各技術(shù)特征可W進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例 中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要運(yùn)些技術(shù)特征的組合不存在矛 盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。
[0061]W上實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能 因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在 不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可W做出若干變形和改進(jìn)，運(yùn)些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。 因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)W所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1. 一種高速印刷電路板，包括依次層疊的布線層、電介質(zhì)層和屏蔽層，其特征在于，所 述布線層包括BGA區(qū)域、非BGA區(qū)域和相對設(shè)置的兩條差分傳輸線路，兩條所述差分傳輸線 路均包括位于所述BGA區(qū)域第一差分線、位于所述非BGA區(qū)域的第二差分線和連接所述第 一差分線和所述第二差分線的第一連接線，所述第一差分線的寬度小于所述第二差分線的 寬度，兩條所述第一差分線之間的距離小于兩條所述第二差分線之間的距離，所述第一連 接線的寬度由所述BGA區(qū)域向所述非BGA區(qū)域逐漸增加，兩條所述第一連接線之間的距離 由所述BGA區(qū)域向所述非BGA區(qū)域逐漸增加。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速印刷電路板，其特征在于，所述第一差分線的寬度和兩 條所述第一差分線之間的距離滿足公式：其中，Z2為非BGA區(qū)域預(yù)設(shè)的阻抗要求值，W1為所述第一差分線的寬度，d1為兩條所述 第一差分線之間的距離，h為所述電解質(zhì)層的厚度，εt為所述電解質(zhì)層的介電常數(shù)，t為所 述布線層的銅厚。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的高速印刷電路板，其特征在于，所述BGA區(qū)域設(shè)有W陣列方式 布置的焊盤，兩條所述第一差分線位于相鄰兩行所述焊盤之間，所述第一差分線的寬度和 兩條所述第一差分線之間的距離還滿足公式： 2wi+di《S i_2s2， 其中，Si為相鄰兩行所述焊盤之間的距離，S2為所述焊盤至所述第一差分線的最小可 加工距離。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速印刷電路板，其特征在于，所述第二差分線的寬度和兩 條所述第二差分線之間的距離滿足公式：其中，Z2為非BGA區(qū)域預(yù)設(shè)的阻抗要求值，W2為所述第二差分線的寬度，d2為兩條所述 第二差分線之間的距離，h為所述電解質(zhì)層的厚度，εt為所述電解質(zhì)層的介電常數(shù)，t為所 述布線層的銅厚。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速印刷電路板，其特征在于，所述第一連接線靠近所述第 一差分線的一端的寬度與所述第一差分線的寬度相等，所述第一連接線靠近所述第二差分 線的一端的寬度與所述第二差分線的寬度相等。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速印刷電路板，其特征在于，兩條所述差分傳輸線路均還 包括位于所述BGA區(qū)域的第一焊盤，每一條所述第一差分線遠(yuǎn)離所述第二差分線的一端均 通過第二連接線與所述第一焊盤連接，兩條所述第一差分線之間的距離小于兩個所述第一 焊盤之間的距離，所述第二連接線的寬度由所述第一差分線向所述第一焊盤方向逐漸增 加，兩條所述第二連接線之間的距離由所述第一差分線向所述第一焊盤方向逐漸增加。7. -種高速印刷電路板的差分布線方法，所述高速印刷電路板包括依次層疊的布線 層、電介質(zhì)層和屏蔽層，其特征在于，所述布線層包括BGA區(qū)域、非BGA區(qū)域和位于所述BGA 區(qū)域相對設(shè)置的兩條第一差分線、位于所述非BGA區(qū)域相對設(shè)置的兩條第二差分線，所述 BGA區(qū)域設(shè)有W陣列方式布置的焊盤，W陣列方式布置的所述焊盤包括與所述第一差分線 一一對應(yīng)的兩個第一焊盤，所述第一焊盤與所述第一差分線遠(yuǎn)離所述第二差分線的一端連 接；該差分布線方法包括W下步驟： 設(shè)定非BGA區(qū)域的預(yù)設(shè)阻抗要求值Z2,根據(jù)預(yù)設(shè)阻抗要求值Z2確定第二差分線寬度W2 和第二差分線之間的距離d2; 根據(jù)BGA區(qū)域相鄰兩行焊盤之間的距離Si和焊盤至第一差分線的最小可加工距 離S2,計算第一差分線寬度和兩條第一差分線之間的距離d1，其中和d1應(yīng)滿足 2wi+di《Si-2s2,同時根據(jù)公式進(jìn)一步計算得 出和d1，其中，h為電解質(zhì)層的厚度，εt為電解質(zhì)層的介電常數(shù)，t為布線層的銅厚； 根據(jù)上述確定的和W2加工第一差分線和第二差分線； 根據(jù)上述確定的di在BGA區(qū)域布置相對設(shè)置的兩條第一差分線，其中兩條所述第一差 分線位于相鄰兩行焊盤之間，同時，根據(jù)上述確定的d2在非BGA區(qū)域布置相對設(shè)置的兩條 第二差分線； 通過第一連接線連接第一差分線和與之對應(yīng)的第二差分線； 通過第二連接線連接第一差分線和與之對應(yīng)的第一焊盤，使得第一焊盤、第二連接線、 第一差分線、第一連接線和第二差分線依次連接配合形成相對設(shè)置的兩條差分傳輸線路。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高速印刷電路板的差分布線方法，其特征在于，所述根據(jù)公 式進(jìn)一步計算得出和d1的數(shù)值之后還包括 W下步驟： 從滿足上述要求的所有和d1中選擇最大數(shù)值的W1為最終BGA區(qū)域的第一差分線的 線寬，與對應(yīng)的d1為最終BGA區(qū)域的兩條第一差分線之間的距離。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高速印刷電路板的差分布線方法，包括以下步驟：設(shè)定非BGA區(qū)域的預(yù)設(shè)阻抗要求值Z2，根據(jù)預(yù)設(shè)阻抗要求值Z2確定第二差分線寬w2和第二差分線之間的距離d2；根據(jù)BGA區(qū)域焊盤陣列中相鄰兩行焊盤之間的距離s1和焊盤至第一差分線的最小可加工距離s2，計算第一差分線寬度w1和兩條第一差分線之間的距離d1，其中w1和d1應(yīng)滿足2w1+d1≤s1-2s2，同時根據(jù)差分特性阻抗公式進(jìn)一步計算得出w1和d1；根據(jù)上述確定的d1在BGA區(qū)域布置相對設(shè)置的兩條第一差分線，根據(jù)上述確定的d2在非BGA區(qū)域布置相對設(shè)置的兩條第二差分線；通過第一連接線連接第一差分線和與之對應(yīng)的第二差分線；通過第二連接線連接第一差分線和與之對應(yīng)的第一焊盤。
【IPC分類】H05K1/11, H05K1/02
【公開號】CN105407627
【申請?zhí)枴緾N201510891395
【發(fā)明人】范紅, 王紅飛, 陳蓓
【申請人】廣州興森快捷電路科技有限公司, 深圳市興森快捷電路科技股份有限公司, 宜興硅谷電子科技有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年12月4日