Pcb假負(fù)片結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于印刷電路板制造領(lǐng)域，具體涉及一種PCB假負(fù)片的生產(chǎn)方式及結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]PCB假負(fù)片生產(chǎn)時(shí)，原作業(yè)流程為:一銅(孔銅1.lmil)—樹(shù)脂塞孔一樹(shù)脂研磨-負(fù)片干膜一鍍錫(鍍錫0.2mil) —SES蝕刻。如圖1所示，這種作業(yè)流程的弊端:一銅鍍1.lmil厚后，加上之前底銅厚度為0.4mil，蝕刻時(shí)需要蝕銅的總銅厚度達(dá)到1.5mil (底銅銅厚0.4mil+ 一銅銅厚1.lmil)，會(huì)導(dǎo)致SES蝕刻困難，造成蝕刻不凈報(bào)廢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種PCB假負(fù)片結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法，該P(yáng)CB假負(fù)片結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法改變了假負(fù)片的構(gòu)成以及生產(chǎn)方法，可降低蝕刻蝕銅難度，降低蝕刻不凈報(bào)廢。
[0004]本發(fā)明為了解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:
[0005]—種PCB假負(fù)片結(jié)構(gòu)，PCB假負(fù)片由下至上依次由絕緣基板、底銅層、一銅層、二銅層和鍍錫層構(gòu)成，PCB假負(fù)片具有若干導(dǎo)通孔，所述導(dǎo)通孔的內(nèi)壁由內(nèi)向外依次具有一銅層和二銅層，所述導(dǎo)通孔內(nèi)填塞滿樹(shù)脂，所述導(dǎo)通孔的頂端為鍍錫層，所述底銅層的厚度為
0.4mil，所述一銅層的厚度為0.6mil，所述二銅層的厚度為0.5mil，所述鍍錫層的厚度為
0.25milo
[0006]進(jìn)一步地說(shuō)，所述絕緣基板為PP基板。
[0007]上述的PCB假負(fù)片結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)方法，按照下述步驟進(jìn)行:
[0008]—、銅箔基板由絕緣基板以及覆蓋于絕緣基板表面的底銅層構(gòu)成，對(duì)銅箔基板進(jìn)行鉆孔；
[0009]二、對(duì)步驟一制得的鉆孔后的銅箔基板進(jìn)行第一次鍍銅，使底銅層表面以及孔內(nèi)壁形成厚度為0.4mil所述一銅層；
[0010]三、進(jìn)行負(fù)片干膜作業(yè)；
[0011]四、進(jìn)行第二次鍍銅，使所述一銅層的表面形成厚度為0.6mil的所述二銅層；
[0012]五、進(jìn)行樹(shù)脂塞孔作業(yè)，使孔內(nèi)填塞滿樹(shù)脂；
[0013]六、進(jìn)行樹(shù)脂研磨作業(yè)，將孔頂端樹(shù)脂磨平；
[0014]七、進(jìn)行鍍錫，使二銅層表面以及孔頂端形成厚度為0.25mil的所述鍍錫層；
[0015]八、去干膜后進(jìn)行蝕刻。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的PCB假負(fù)片結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法主要是改變了鍍銅、塞孔和干膜等主要作業(yè)的流程，并且改變了銅層的結(jié)構(gòu)，將鍍銅分兩次進(jìn)行，并且控制一銅厚度為0.6mil，一銅后即進(jìn)行負(fù)片干膜作業(yè)，然后再進(jìn)行二銅使銅層的厚度達(dá)到要求后再進(jìn)行樹(shù)脂塞孔作業(yè)，這樣干膜所覆蓋的總銅厚降低至lmil，可有效降低蝕刻時(shí)蝕銅難度，降低蝕刻不凈報(bào)廢。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的PCB假負(fù)片作業(yè)流程的材料層厚度示意圖；
[0018]圖2為本發(fā)明的PCB假負(fù)片材料層厚度示意圖；
[0019]圖3為本發(fā)明的PCB假負(fù)片結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)及功效。本發(fā)明也可以其它不同的方式予以實(shí)施，即，在不悖離本發(fā)明所揭示的范疇下，能予不同的修飾與改變。
[0021]實(shí)施例:一種PCB假負(fù)片結(jié)構(gòu)，如圖3所示，PCB假負(fù)片由下至上依次由絕緣基板
1、底銅層2、一銅層3、二銅層4和鍍錫層5構(gòu)成，所述絕緣基板為PP基板，PCB假負(fù)片具有若干導(dǎo)通孔6，所述導(dǎo)通孔的內(nèi)壁由內(nèi)向外依次具有一銅層和二銅層，所述導(dǎo)通孔內(nèi)填塞滿樹(shù)脂7，所述導(dǎo)通孔的頂端為鍍錫層，所述底銅層的厚度為0.4mil，所述一銅層的厚度為
0.6mil，所述二銅層的厚度為0.5mil，所述鍍錫層的厚度為0.25mil。
[0022]上述的PCB假負(fù)片結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)方法，結(jié)合圖2和圖3，按照下述步驟進(jìn)行:
[0023]—、銅箔基板由絕緣基板以及覆蓋于絕緣基板表面的底銅層構(gòu)成，對(duì)銅箔基板進(jìn)行鉆孔；
[0024]二、對(duì)步驟一制得的鉆孔后的銅箔基板進(jìn)行第一次鍍銅，使底銅層表面以及孔內(nèi)壁形成厚度為0.4mil所述一銅層；
[0025]三、進(jìn)行負(fù)片干膜作業(yè)；
[0026]四、進(jìn)行第二次鍍銅，使所述一銅層的表面形成厚度為0.6mil的所述二銅層；
[0027]五、進(jìn)行樹(shù)脂塞孔作業(yè)，使孔內(nèi)填塞滿樹(shù)脂；
[0028]六、進(jìn)行樹(shù)脂研磨作業(yè)，將孔頂端樹(shù)脂磨平；
[0029]七、進(jìn)行鍍錫，使二銅層表面以及孔頂端形成厚度為0.25mil的所述鍍錫層；
[0030]八、去干膜后進(jìn)行SES蝕刻。
[0031]本發(fā)明將鍍銅分兩次進(jìn)行，并且控制一銅厚度為0.6mil，一銅后即進(jìn)行負(fù)片干膜作業(yè)，然后再進(jìn)行二銅使銅層的厚度達(dá)到要求后再進(jìn)行樹(shù)脂塞孔作業(yè)，這樣干膜所覆蓋的總銅厚降低至lmil，如圖2所示，可有效降低蝕刻時(shí)蝕銅難度，降低蝕刻不凈報(bào)廢。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種PCB假負(fù)片結(jié)構(gòu)，其特征在于:PCB假負(fù)片由下至上依次由絕緣基板(1)、底銅層(2)、一銅層(3)、二銅層(4)和鍍錫層(5)構(gòu)成，PCB假負(fù)片具有若干導(dǎo)通孔￠)，所述導(dǎo)通孔的內(nèi)壁由內(nèi)向外依次具有一銅層和二銅層，所述導(dǎo)通孔內(nèi)填塞滿樹(shù)脂(7)，所述導(dǎo)通孔的頂端為鍍錫層，所述底銅層的厚度為0.4mil，所述一銅層的厚度為0.6mil，所述二銅層的厚度為0.5mil，所述鍍錫層的厚度為0.25mil02.如權(quán)利要求1所述的PCB假負(fù)片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述絕緣基板為PP基板。3.一種如權(quán)利要求1所述的PCB假負(fù)片結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)方法，其特征在于:按照下述步驟進(jìn)行: 一、銅箔基板由絕緣基板以及覆蓋于絕緣基板表面的底銅層構(gòu)成，對(duì)銅箔基板進(jìn)行鉆孔； 二、對(duì)步驟一制得的鉆孔后的銅箔基板進(jìn)行第一次鍍銅，使底銅層表面以及孔內(nèi)壁形成厚度為0.4mil所述一銅層； 三、進(jìn)行負(fù)片干膜作業(yè)； 四、進(jìn)行第二次鍍銅，使所述一銅層的表面形成厚度為0.6mil的所述二銅層； 五、進(jìn)行樹(shù)脂塞孔作業(yè)，使孔內(nèi)填塞滿樹(shù)脂； 六、進(jìn)行樹(shù)脂研磨作業(yè)，將孔頂端樹(shù)脂磨平； 七、進(jìn)行鍍錫，使二銅層表面以及孔頂端形成厚度為0.25mil的所述鍍錫層； 八、去干膜后進(jìn)行蝕刻。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種PCB假負(fù)片結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法，改變了鍍銅、塞孔和干膜等主要作業(yè)的流程，并且改變了銅層的結(jié)構(gòu)，將鍍銅分兩次進(jìn)行，并且控制一銅厚度為0.6mil，一銅后即進(jìn)行負(fù)片干膜作業(yè)，然后再進(jìn)行二銅使銅層的厚度達(dá)到要求后再進(jìn)行樹(shù)脂塞孔作業(yè)，這樣干膜所覆蓋的總銅厚降低至1mil，制成的PCB假負(fù)片由下至上依次由絕緣基板、底銅層、一銅層、二銅層和鍍錫層構(gòu)成，并且底銅層厚度為0.4mil，一銅層厚度為0.6mil，二銅層厚度為0.5mil，鍍錫層厚度為0.25mil，使蝕銅總厚度降低至1mil，可有效降低蝕刻時(shí)蝕銅難度，降低蝕刻不凈報(bào)廢。
【IPC分類】H05K3/46, H05K3/06
【公開(kāi)號(hào)】CN105407647
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510990922
【發(fā)明人】李澤清
【申請(qǐng)人】競(jìng)陸電子(昆山)有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2015年12月24日