一種滲金處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板領(lǐng)域，具體涉及一種電路板上的滲金處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在電路板領(lǐng)域中，鍍金是指在電路板待鍍金區(qū)域的表面鍍上一層鎳金層的一種工藝。鍍金具有較低的接觸電阻、導(dǎo)電性能良好、易于焊接、耐腐蝕性強(qiáng)、并具有一定的耐磨性(指硬金)，因而受到廣泛的應(yīng)用。常見的電路板上設(shè)置有圖形區(qū)域，圖形區(qū)域上的金手指區(qū)域以及某些特定的集成電路區(qū)域往往會(huì)被要求進(jìn)行鍍金處理。常見的鍍金處理方式一般為電鍍金和化學(xué)鍍金。其中，電鍍金是指利用電解原理在待電鍍區(qū)域鍍上一層鎳金層的鍍覆方法；化學(xué)鍍金是指在無外加電流的情況下借助合適的還原劑，使鍍液中的金屬離子還原成金屬，進(jìn)而沉積到待鍍金區(qū)域表面的鍍覆方法。
[0003]不論是電鍍還是化學(xué)鍍，在鍍金的過程中為了防止非鍍金區(qū)域被鍍金常常要進(jìn)行必要的保護(hù)處理，即在非鍍金區(qū)域貼干膜或者印抗鍍金油墨。但是在鍍金處理的過程中，常常不可避免的會(huì)發(fā)生滲金現(xiàn)象。譬如在貼干膜時(shí)，常常因干膜與非鍍金區(qū)域貼合度不佳，干膜松動(dòng)，進(jìn)而導(dǎo)致非鍍金區(qū)域造成滲鍍，從而發(fā)生滲金現(xiàn)象；或者因鍍金時(shí)間過長，導(dǎo)致干膜或者抗電鍍油墨失效，進(jìn)而發(fā)生滲金現(xiàn)象。由于發(fā)生滲金現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致電路板功能的不穩(wěn)定或者失效，進(jìn)而電路板會(huì)被進(jìn)行報(bào)廢處理，這樣在浪費(fèi)了材料的同時(shí)，也帶來了環(huán)境的污染。常用的解決處理方法是采用人工用刀片將其切割掉，這種手工方式效率低，且切割誤差大容易造成報(bào)廢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)的滲金處理方法效率低下的技術(shù)缺陷。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供一種滲金處理方法，采用激光切割的方式對(duì)待處理電路板的滲金區(qū)域進(jìn)行切割處理，以去除滲金區(qū)域多余的鎳金層，其中，所述滲金區(qū)域?yàn)榇幚黼娐钒迳系姆清兘饏^(qū)域。
[0006]優(yōu)選地，激光切割時(shí)，首先沿滲金區(qū)域和鍍金區(qū)域的交界處進(jìn)行一次切割，然后再對(duì)滲金區(qū)域的其余部位進(jìn)行切割。
[0007]優(yōu)選地，所述激光為UV激光。
[0008]優(yōu)選地，所述UV激光以200-350mm/s的速度進(jìn)行切割加工，UV激光的能量密度為80-180J/cm2，重復(fù)頻率為 15-25kHz。
[0009]優(yōu)選地，所述滲金區(qū)域?yàn)橄噜徦鼋鹗种钢g的區(qū)域。
[0010]優(yōu)選地，激光切割時(shí)，打在所述待處理電路板上的光斑的直徑大于相鄰所述金手指之間距離的1/2且小于相鄰所述金手指之間的距離。
[0011]優(yōu)選地，激光切割時(shí)，沿著滲金區(qū)域的外邊緣輪廓對(duì)多余的鎳金層進(jìn)行從外到內(nèi)的多次切割處理，直至完全切割掉滲金區(qū)域多余的鎳金層。
[0012]本發(fā)明實(shí)施例提供的滲金處理方法具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0013]1.本發(fā)明提供的滲金處理方法，采用激光切割的方式對(duì)所述待處理電路板上的滲金區(qū)域進(jìn)行切割處理，避免了手工切割誤差大造成的效率低下，進(jìn)而提高了去除多余的鎳金層的切割效率。
[0014]2.本發(fā)明提供的滲金處理方法，通過合理的設(shè)計(jì)UV激光切割的掃描速度、能量密度以及重復(fù)頻率，有效的避免切口邊緣產(chǎn)生熱損傷、炭化和碎肩，提高了切割質(zhì)量。
[0015]3.本發(fā)明提供的滲金處理方法，通過將激光的光斑直徑設(shè)定為大于相鄰所述金手指距離的1/2小于相鄰所述金手指距離，從而在實(shí)現(xiàn)切割目的的情況下，使切割的次數(shù)最少，有效的節(jié)約了切割的成本。
[0016]4.本發(fā)明提供的滲金處理方法，采用UV激光切割的方式，通過合理的設(shè)計(jì)UV激光機(jī)的激光鉆帶(一種程序性文檔)，可以對(duì)待處理電路板上特定區(qū)域位置(滲金現(xiàn)象發(fā)生率高、對(duì)電路板功能影響大的位置)的鎳金層進(jìn)行統(tǒng)一的處理，大大提高了切割的效率，進(jìn)而保證了得到功能有效、穩(wěn)定的電路板。
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明【具體實(shí)施方式】的技術(shù)方案，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0018]圖1為本發(fā)明實(shí)施例滲金處理方法的一種實(shí)施方式的滲金區(qū)域的示意圖。
[0019]圖2為本發(fā)明實(shí)施例滲金處理方法的UV激光切割后滲金區(qū)域的橫向豎直剖切的剖視圖。
[0020]圖3為圖1所示實(shí)施例滲金處理方法得到預(yù)制電路板的示意圖。
[0021]圖中各附圖標(biāo)記說明如下。
[0022]1-待處理電路板；2_滲金區(qū)域；3_鎳金層；4_銅層；5_集成電路；
[0023]6-金手指。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0025]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“上”指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0026]此外，下面所描述的本發(fā)明不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。
[0027]實(shí)施例1
[0028]本實(shí)施例提供一種滲金處理方法，適用于鍍金后發(fā)生滲金現(xiàn)象的待處理電路板1，如圖1所示。該滲金處理方法采用激光切割的方式對(duì)所述待處理電路板1上的滲金區(qū)域2進(jìn)行切割處理，以去除滲金區(qū)域2多余的鎳金層3以及銅層4，如圖2所示，其中，所述滲金區(qū)域2為待處理電路板1上的非鍍金區(qū)域。
[0029]上述滲金處理方法，采用激光切割的方式對(duì)所述待處理電路板1上的滲金區(qū)域2進(jìn)行切割處理，避免了手工切割誤差大造成的效率低下，進(jìn)而提高了去除多余的鎳金層3的切割效率。
[0030]需要說明的是，所述滲金區(qū)域2可以為所述待處理電路板1上的集成電路5的非鍍金區(qū)域，也可以為所述待處理電路板1上的金手指6的非鍍金區(qū)域。
[0031 ] 作為優(yōu)選的實(shí)施方式，激光切割時(shí)，首先沿滲金區(qū)域和鍍金區(qū)域的交界處進(jìn)行一次切割，然后再對(duì)滲金區(qū)域2的其余位置進(jìn)行切割。
[0032]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述激光為UV激光。通過合理的設(shè)計(jì)UV激光機(jī)的激光鉆帶(一種程序性文檔)，可以對(duì)待處理電路板1上特定區(qū)域位置(滲金現(xiàn)象發(fā)生率高、對(duì)電路板功能影響大的位置)的鎳金層3進(jìn)行統(tǒng)一的處理，大大提高了切割的效率，進(jìn)而保證了得到功能有效、穩(wěn)定的電路板。
[0033]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述UV激光以200-350mm/s掃描速度進(jìn)行切割加工，UV激光的能量密度為80-180J/cm2，重復(fù)頻率為15-25kHz。通過合理的設(shè)計(jì)UV激光切割的掃描速度、能量密度以及重復(fù)頻率，有效的避免切口邊緣產(chǎn)生熱損傷、炭化和碎肩，提高了切割質(zhì)量。
[0034]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，當(dāng)所述滲金區(qū)域2為相鄰所述金手指6之間的區(qū)域時(shí)，激光打在電路板上的光斑的直徑大于相鄰所述金手指6距離的1/2小于相鄰所述金手指6距離，從而在實(shí)現(xiàn)切割目的的情況下，使切割的次數(shù)最少，有效的節(jié)約了切割的成本。
[0035]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，激光切割時(shí)，沿著滲金區(qū)域2的外邊緣輪廓對(duì)多余的鎳金層3以及銅層4進(jìn)行從外到內(nèi)的多次切割處理，直至完全切割掉滲金區(qū)域多余的鎳金層3以及銅層4。
[0036]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所述技術(shù)領(lǐng)域的普通人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或者替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種滲金處理方法，其特征在于，采用激光切割的方式對(duì)待處理電路板(1)的滲金區(qū)域(2)進(jìn)行切割處理，以去除滲金區(qū)域(2)多余的鎳金層(3)，其中，所述滲金區(qū)域(2)為待處理電路板(1)上的非鍍金區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的滲金處理方法，其特征在于:激光切割時(shí)，首先沿滲金區(qū)域和鍍金區(qū)域的交界處進(jìn)行一次切割，然后再對(duì)滲金區(qū)域(2)的其余位置進(jìn)行切割。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的滲金處理方法，其特征在于:所述激光為UV激光。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的滲金處理方法，其特征在于:所述UV激光以200-350mm/s的速度進(jìn)行切割加工，UV激光的能量密度為80-180J/cm2，重復(fù)頻率為15_25kHz。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的滲金處理方法，其特征在于:所述滲金區(qū)域(2)為相鄰所述金手指(6)之間的區(qū)域。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的滲金處理方法，其特征在于:激光切割時(shí)，打在所述待處理電路板⑴上的光斑的直徑大于相鄰所述金手指(6)之間距離的1/2且小于相鄰所述金手指(6)之間的距離。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的滲金處理方法，其特征在于:激光切割時(shí)，沿著滲金區(qū)域(2)的外邊緣輪廓對(duì)多余的鎳金層(3)進(jìn)行從外到內(nèi)的多次切割處理，直至完全切割掉滲金區(qū)域多余的鎳金層(3)。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種滲金處理方法，采用激光切割的方式對(duì)待處理電路板1的滲金區(qū)域2進(jìn)行切割處理，以去除滲金區(qū)域2多余的鎳金層3，其中，所述滲金區(qū)域?yàn)榇幚黼娐钒迳系姆清兘饏^(qū)域。本發(fā)明通過采用激光切割的方式對(duì)所述待處理電路板上的滲金區(qū)域進(jìn)行切割處理，避免了手工切割誤差大造成的效率低下，進(jìn)而提高了去除多余的鎳金層的切割效率。
【IPC分類】H05K3/22
【公開號(hào)】CN105407650
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510856076
【發(fā)明人】吳世平
【申請(qǐng)人】北大方正集團(tuán)有限公司, 珠海方正科技高密電子有限公司, 珠海方正印刷電路板發(fā)展有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2015年11月30日