元件制造方法以及元件制造裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉以及用于制造有機半導(dǎo)體元件等元件的元件制造方法以及元件制造裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]為了防止雜質(zhì)混入元件中，制造有機半導(dǎo)體元件或者無機半導(dǎo)體元件等元件的工序一般情況下在真空環(huán)境下實施。例如，作為用于在基材上形成陰極電極、陽極電極或者半導(dǎo)體層的方法，使用濺射法或者蒸鍍法等在真空環(huán)境下實施的成膜技術(shù)。真空環(huán)境是通過使用真空栗等耗費規(guī)定的時間對元件制造裝置的內(nèi)部進行脫氣而實現(xiàn)的。
[0003]但是在元件的制造工序中，除了成膜工序以外還實施各種工序。其中，以往也存在在大氣壓下實施的工序。另一方面，為了實現(xiàn)真空環(huán)境，如上所述需要規(guī)定的時間。因此，在元件的制造工序除了包含在真空環(huán)境下實施的成膜工序之外還包含在大氣壓下實施的工序的情況下，對元件制造裝置的內(nèi)部進行脫氣、以及將元件制造裝置的內(nèi)部的環(huán)境置換為大氣所需要的時間增加。因此，期望在比大氣壓低壓的環(huán)境下實施元件的各制造工序。由此，能夠降低得到1個元件所需要的時間以及成本。
[0004]作為成膜工序以外的工序，能夠列舉出例如專利文獻1所述的那樣的去除位于輔助電極上的有機半導(dǎo)體層的去除工序。輔助電極是在設(shè)于有機半導(dǎo)體層上的電極為薄膜狀的共用電極的情況下，為了對產(chǎn)生于共用電極的電壓下降根據(jù)位置而不同的情況進行抑制而設(shè)置的。即，通過使共用電極與輔助電極在各種位置連接，能夠降低共用電極中的電壓下降。另一方面，由于有機半導(dǎo)體層一般情況下遍以及基材的整個區(qū)域而設(shè)置，因此為了將共用電極與輔助電極連接，需要實施去除輔助電極上的有機半導(dǎo)體層的上述的去除工序。
[0005]作為去除輔助電極上的有機半導(dǎo)體層的方法，公知有對有機半導(dǎo)體層照射激光等光的方法。在這種情況下，由于構(gòu)成有機半導(dǎo)體層的有機半導(dǎo)體材料因磨蝕而飛散，因此優(yōu)選為了防止因飛散的有機半導(dǎo)體材料造成的污染而通過某些部件覆蓋基材。例如在專利文獻1中，提案如下方法:首先，在真空環(huán)境下將對置基材疊合到基材上來構(gòu)成疊合基材，接下來，在維持對置基材與基材之間的空間為真空氛圍的狀態(tài)下將疊合基材取出到大氣中，此后，對有機半導(dǎo)體層照射激光。在這種情況下，能夠基于真空氛圍與大氣之間的壓差使對置基材與基材牢固地緊貼，由此，能夠可靠地防止因飛散的有機半導(dǎo)體材料造成的污染。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特許第4340982號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]但是，對有機半導(dǎo)體層照射激光的工序一般情況下是對基材上的多個輔助電極上的有機半導(dǎo)體層的各個依次實施的。例如，使朝向基材引導(dǎo)激光的光學(xué)系統(tǒng)或者基材的任意一方相對于另一方移動，并且對輔助電極上的有機半導(dǎo)體層依次照射激光。因此，不僅可以防止有機半導(dǎo)體材料飛散，不需要通過對置基材在整個區(qū)域內(nèi)覆蓋基材，只要至少通過對置基材覆蓋基材中的被激光照射的部分即可。另一方面，在如專利文獻1中記載的發(fā)明那樣利用真空氛圍與大氣之間的壓差的情況下，基材在整個區(qū)域內(nèi)被對置基材覆蓋。這導(dǎo)致裝置結(jié)構(gòu)變得過于復(fù)雜。此外，在專利文獻1中記載的發(fā)明中，對元件制造裝置的內(nèi)部進行脫氣以及將元件制造裝置的內(nèi)部的環(huán)境置換為大氣所需要的時間增加。
[0010]本發(fā)明是考慮這一點而完成的，其目的在于提供能夠高效地覆蓋基材中的被激光照射的部分的元件制造方法以及元件制造裝置。
[0011]本發(fā)明是一種元件制造方法，用于在基材上形成元件，其中，該元件制造方法包含:準備中間制品的工序，該中間制品包含所述基材以及設(shè)于所述基材上的多個突起部；準備具有第1面以及位于所述第1面的相反側(cè)的第2面的蓋材并使所述第1面朝向所述中間制品的所述突起部側(cè)的工序；以及使用與所述蓋材的所述第2面抵接的密封機構(gòu)將所述蓋材的所述第1面的一部分推抵于所述中間制品的一部分，使所述中間制品的一部分緊貼在所述蓋材的所述第1面上的密封工序，所述密封機構(gòu)具有隔開間隔排列的一對張掛部件，在所述密封工序中，所述蓋材中的張掛于所述一對張掛部件之間的部分緊貼在所述中間制品的一部分上。
[0012]在本發(fā)明的元件制造方法中，可以是:所述密封機構(gòu)的所述一對張掛部件包含一對輥，在所述密封工序中，所述蓋材中的張掛于所述一對輥之間的部分緊貼在所述中間制品的一部分上。
[0013]本發(fā)明的元件制造方法可以還包含照射工序，在該照射工序中，朝向所述蓋材中的張掛于所述一對張掛部件之間的部分照射光。在這種情況下，可以是:在所述照射工序中，光透過所述蓋材中的張掛于所述一對張掛部件之間的部分到達所述中間制品。此外，可以是:在所述照射工序中，從所述中間制品的所述基材側(cè)朝向張掛于所述一對張掛部件之間的所述蓋材照射光。
[0014]本發(fā)明的元件制造方法可以還包含照射工序，在該照射工序中，朝向所述蓋材中的張掛于所述一對張掛部件之間的部分照射光，在所述照射工序中，光被光學(xué)系統(tǒng)引導(dǎo)而透過所述蓋材到達所述中間制品，其中，該光學(xué)系統(tǒng)相對于所述一對輥的旋轉(zhuǎn)被固定。
[0015]在本發(fā)明的元件制造方法中，可以是:所述密封機構(gòu)還具有設(shè)于所述一對張掛部件與所述蓋材之間的中間膜，所述中間膜由具有比構(gòu)成所述蓋材的材料高的彈性系數(shù)的材料構(gòu)成。
[0016]在本發(fā)明的元件制造方法中，可以是:所述蓋材包含:第1膜和第2膜；以及密封部件，該密封部件夾在所述第1膜與所述第2膜之間而使所述第1膜與所述第2膜之間的空間相對于外部密封，在所述第1膜與所述第2膜之間的空間封入有氣體，所述密封工序是在具有比大氣壓低的壓力的環(huán)境下實施的。
[0017]在本發(fā)明的元件制造方法中，可以是:所述元件包含:所述基材、設(shè)于所述基材上的多個第1電極、設(shè)于所述第1電極之間的輔助電極以及所述突起部、設(shè)于所述第1電極上的有機半導(dǎo)體層以及設(shè)于所述有機半導(dǎo)體層上以及所述輔助電極上的第2電極，所述中間制品包含:所述基材、設(shè)于所述基材上的多個所述第1電極、設(shè)于所述第1電極之間的所述輔助電極以及所述突起部、以及設(shè)于所述第1電極上以及所述輔助電極上的所述有機半導(dǎo)體層，在所述蓋材中的張掛于所述一對張掛部件之間的部分緊貼在所述中間制品的一部分上的期間，將設(shè)于所述輔助電極上的所述有機半導(dǎo)體層去除。
[0018]本發(fā)明是一種元件制造裝置，用于在基材上形成元件，其中，該元件制造裝置包含:支承機構(gòu)，其支承中間制品，該中間制品包含所述基材以及設(shè)于所述基材上的多個突起部；蓋材供給機構(gòu)，其供給具有第1面以及位于所述第1面的相反側(cè)的第2面的蓋材以使得所述第1面朝向所述中間制品的所述突起部側(cè)；以及密封機構(gòu)，其通過與所述蓋材的所述第2面抵接來將所述蓋材的所述第1面的一部分推抵于所述中間制品的一部分，使所述中間制品的一部分緊貼在所述蓋材的所述第1面上，所述密封機構(gòu)具有一對張掛部件，所述一對張掛部件以使得所述蓋材中的張掛于所述一對張掛部件之間的部分緊貼在所述中間制品的一部分上的方式隔開間隔排列。
[0019]在本發(fā)明的元件制造裝置中，可以是:所述密封機構(gòu)的所述一對張掛部件包含一對輥，所述蓋材中的張掛于所述一對輥之間的部分緊貼在所述中間制品的一部分上。
[0020]本發(fā)明的元件制造裝置可以還包含照射機構(gòu)，該照射機構(gòu)朝向所述蓋材中的張掛于所述一對張掛部件之間的部分照射光。在這種情況下，可以是:光透過所述蓋材中的張掛于所述一對張掛部件之間的部分到達所述中間制品。此外，可以是:從所述中間制品的所述基材側(cè)朝向張掛于所述一對張掛部件之間的所述蓋材照射光。
[0021]本發(fā)明的元件制造裝置可以還包含照射機構(gòu)，該照射機構(gòu)朝向所述蓋材中的張掛于所述一對張掛部件之間的部分照射光，所述照射機構(gòu)具有光學(xué)系統(tǒng)，該光學(xué)系統(tǒng)以使得光透過所述蓋材到達所述中間制品的方式引導(dǎo)光，所述光學(xué)系統(tǒng)相對于所述一對輥的旋轉(zhuǎn)被固定。
[0022]在本發(fā)明的元件制造裝置中，可以是:所述密封機構(gòu)還具有設(shè)于所述一對張掛部件與所述蓋材之間的中間膜，所述中間膜由具有比構(gòu)成所述蓋材的材料高的彈性系數(shù)的材料構(gòu)成。
[0023]根據(jù)本發(fā)明，能夠使用簡單的結(jié)構(gòu)的裝置高效地覆蓋基材。
【附圖說明】
[0024]圖1是示出本發(fā)明的實施方式的有機半導(dǎo)體元件的縱剖視圖。
[0025]圖2A是示出圖1所示的有機半導(dǎo)體元件的輔助電極、突起部以及有機半導(dǎo)體層的布局的一例的俯視圖。
[0026]圖2B是示出圖1所示的有機半導(dǎo)體元件的輔助電極、突起部以及有機半導(dǎo)體層的布局的其他例子的俯視圖。
[0027]圖2C是示出輔助電極上的有機半導(dǎo)體層中被去除的部分的一例的俯視圖。
[0028]圖2D是示出輔助電極上的有機半導(dǎo)體層中被去除的部分的一例的俯視圖。
[0029]圖3是示出本發(fā)明的實施方式的元件制造裝置的圖。
[0030]圖4的(a)?(g)是示出本發(fā)明的實施方式的元件制造方法的圖。
[0031]圖5是示出用于去除輔助電極上的有機半導(dǎo)體層的中間制品處理裝置的圖。
[0032]圖6是示出通過使用圖5所示的中間制品處理裝置來去除輔助電極上的有機半導(dǎo)體層的情形的圖。
[0033]圖7的(a)?(g)是示出在本發(fā)明的實施方式的變形例中去除輔助電極上的有機半導(dǎo)體層的方法的圖。
[0034]圖8的(a)、(b)是示出為了將蒸鍍用材料蒸鍍到基材上而利用中間制品處理裝置的例子的圖。
[0035]圖9是示出中間制品處理裝置的平臺的一個變形例的圖。
[0036]圖10是示出蓋材的一個變形例的圖。
[0037]圖11是示出通過圖10所示的蓋材覆蓋中間制品的情形的圖。
[0038]圖12是示出密封機構(gòu)具有中間膜的例子的圖。
[0039]圖13的(a)、(b)是示出在能夠朝向中間制品移動的一對張掛部件上張掛有蓋材的例子的圖。
[0040]圖14的(a)、(b)是示出光從基材側(cè)朝向有機半導(dǎo)體層照射的例子的圖。
【具體實施方式】
[0041]以下，參照圖1至圖6對本發(fā)明的實施方式進行說明。另外，在本說明書中添加的附圖中，為了便于圖示以及理解的容易性，根據(jù)實物的比例尺以及縱橫的尺寸比等適當變更并放大比例尺以及縱橫的尺寸比等。
[0042]首先根據(jù)圖1對本實施方式的有機半導(dǎo)體元件40的層結(jié)構(gòu)進行說明。這里作為有機半導(dǎo)體元件40的一例，對頂部發(fā)光型的有機EL元件進行說明。
[0043]有機半導(dǎo)體元件
[0044]如圖1所示，有機半導(dǎo)體元件40具備:基材41 ;多個第1電極42，它們設(shè)于基材41上；輔助電極43以及突起部44，它們設(shè)于第1電極42之間；有機半導(dǎo)體層45，其設(shè)于第1電極42上；以及第2電極46，其設(shè)于有機半導(dǎo)體層45上以及輔助電極43上。
[0045]有機半導(dǎo)體層45至少包含通過有機化合物中的電子與空穴的重新組合而發(fā)光的發(fā)光層。此外，有機半導(dǎo)體層45可以進一步包含空穴注入層、空穴輸送層、電子輸送層或者電子注入層等在有機EL元件中通常設(shè)置的各種層。作為有機半導(dǎo)體層的構(gòu)成要素能夠使用公知的構(gòu)成要素，能夠使用例如日本特開2011-9498號公報中記載的構(gòu)成要素。
[0046]與各個有機半導(dǎo)體層45相對應(yīng)地設(shè)置第1電極42。第1電極42還作為使產(chǎn)生在有機半導(dǎo)體層45上的光發(fā)生反射的反射電極而發(fā)揮功能。作為構(gòu)成第1電極42的材料，能夠列舉出招、絡(luò)、鈦、鐵、鈷、鎳、鉬、銅、鉭、媽、白金、金、銀等金屬元素的單質(zhì)或者它們的
1=1