物理地或電連接到第一電子元件200。因此，第二上導(dǎo)體圖案P2-1或上部外層圖案P5可用作接觸墊contact pad。
[0058]與此同時(shí)，盡管在上面描述了第一金屬層110的上部部分，但是也可將相似的組件設(shè)置到第一金屬層110的下部部分。也就是說(shuō)，還可設(shè)置第一下導(dǎo)體圖案P1-2、第一下絕緣層150-2、第二下過(guò)孔V2-2、下部?jī)?nèi)層圖案P4、第二下導(dǎo)體圖案P2-2和第二下絕緣層160-2 等。
[0059]參照?qǐng)D1至圖5，根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的電路板100的制造方法包括:形成通孔的工藝、形成鍍覆部120的工藝、形成絕緣膜130的工藝和形成過(guò)孔的工藝。
[0060]首先，在將阻鍍劑I形成在第一金屬層110的表面上之后，移除阻鍍劑中將形成第一通孔VHl的部分，以便形成第一開(kāi)口部Hl-1和第二開(kāi)口部H1-2。
[0061]下一步，通過(guò)將蝕刻劑應(yīng)用到形成在阻鍍劑I中的第一開(kāi)口部Hl-1和第二開(kāi)口部H1-2中，形成第一上通孔VHl-1和第一下通孔VH1-2。
[0062]下一步，通過(guò)使用閃熔鍍覆法形成鍍覆部120，在這種情況下，通過(guò)反復(fù)地執(zhí)行鍍覆工藝可調(diào)整鍍覆部120的厚度。
[0063]下一步，在鍍覆部120的表面上形成絕緣膜130。這里，絕緣膜130可由聚對(duì)二甲苯材料形成并可利用蒸鍍實(shí)現(xiàn)。在這種情況下，由絕緣膜130的表面所圍繞的空間可定義為第二通孔VH2。
[0064]下一步，參照?qǐng)D5，在將阻鍍劑2設(shè)置到其中形成有第二通孔VH2的第一金屬層110之后，通過(guò)圖案化阻鍍劑2形成了第一開(kāi)口部Hl-1和第二開(kāi)口部H1-2。
[0065]下一步，通過(guò)使用第二阻鍍劑2形成第一過(guò)孔VI。在該工藝中，根據(jù)需要，可形成包括多個(gè)金屬跡線的上部?jī)?nèi)層圖案P3或包括多個(gè)金屬跡線的下部?jī)?nèi)層圖案P4，并且，還可形成第一上導(dǎo)體圖案Pl-1和第一下導(dǎo)體圖案P1-2。
[0066]之后，可將阻鍍劑2移除，并且可根據(jù)需要執(zhí)行典型的堆積工藝。
[0067]根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，可減小穿透金屬層的過(guò)孔的最大直徑或間距。
[0068]此外，由于在將金屬層形成為比現(xiàn)有技術(shù)厚時(shí)，可精細(xì)化過(guò)孔，因此，可減小翹曲并可改善散熱性能。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電路板，包括: 第一金屬層和穿透第一金屬層的第一過(guò)孔， 其中，在第一金屬層和第一過(guò)孔之間設(shè)置有絕緣膜和鍍覆部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其中，所述鍍覆部包括多個(gè)鍍覆層。3.一種電路板，包括: 第一金屬層，具有穿透第一金屬層的上表面和第一金屬層的下表面的第一通孔； 鍍覆部，設(shè)置到第一通孔的表面； 絕緣膜，設(shè)置到鍍覆部的表面； 第一過(guò)孔，由導(dǎo)電材料形成并設(shè)置在被絕緣膜的外表面包圍的區(qū)域中的至少一部分上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路板，所述電路板還包括通過(guò)絕緣膜的外表面的至少一部分限定的第二通孔，所述第二通孔具有與第一通孔的形狀相對(duì)應(yīng)的形狀并具有比第一通孔的直徑小的直徑。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路板，其中，所述鍍覆部包括多個(gè)鍍覆層。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路板，其中，所述多個(gè)鍍覆層的每個(gè)均通過(guò)一個(gè)鍍覆工藝形成。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路板，其中，以閃熔鍍覆法執(zhí)行所述鍍覆工藝。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路板，所述電路板還包括: 第一導(dǎo)體圖案，設(shè)置到第一過(guò)孔的外表面； 第一絕緣層，形成在第一金屬層上并覆蓋第一導(dǎo)體圖案； 第二導(dǎo)體圖案，形成在第一絕緣層上； 第二過(guò)孔，穿透第一絕緣層并具有與第一導(dǎo)體圖案相接觸的一端和與第二導(dǎo)體圖案相接觸的另一端。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路板，所述電路板還包括: 第一絕緣層，形成在第一金屬層上； 第二導(dǎo)體圖案，形成在第一絕緣層上； 第二過(guò)孔，穿透第一絕緣層，以便與第一過(guò)孔相接觸。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路板，所述電路板還包括: 第二絕緣層，將第二導(dǎo)體圖案中的至少一部分暴露； 連接部，設(shè)置在第二導(dǎo)體圖案中。11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路板，所述電路板還包括: 第一上導(dǎo)體圖案，設(shè)置在第一過(guò)孔上； 第一上絕緣層，覆蓋第一上導(dǎo)體圖案； 第二上導(dǎo)體圖案，形成在第一上絕緣層上； 第二上過(guò)孔，穿透第一上絕緣層并具有與第一上導(dǎo)體圖案相接觸的一端和與第二上導(dǎo)體圖案相接觸的另一端。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路板，還包括: 第一下導(dǎo)體圖案，設(shè)置在第一過(guò)孔下； 第一下絕緣層，覆蓋第一下導(dǎo)體圖案； 第二下導(dǎo)體圖案，形成在第一下絕緣層上； 第二下過(guò)孔，穿透第一下絕緣層并具有與第一下導(dǎo)體圖案相接觸的一端和與第二下導(dǎo)體圖案相接觸的另一端。13.—種電路板，包括: 第一金屬層，具有穿透第一金屬層的上表面和第一金屬層的下表面的第一通孔； 鍍覆部，設(shè)置到第一通孔的表面； 絕緣膜，設(shè)置到鍍覆部的表面并具有被絕緣膜的外表面包圍的第二通孔； 第一過(guò)孔，設(shè)置在第二通孔中。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電路板，其中，鍍覆部包括多個(gè)鍍覆層，所述多個(gè)鍍覆層均通過(guò)一個(gè)工藝形成。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電路板，其中，第一通孔包括: 第一上通孔，具有以下形狀:在從第一金屬層的上表面到第一金屬層的下表面的方向上，寬度是減小的； 第一下通孔，具有以下形狀:在從第一金屬層的下表面到第一金屬層的上表面的方向上，寬度是減小的。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電路板，其中，第二通孔具有與第一通孔的形狀相對(duì)應(yīng)的形狀并具有比第一通孔的直徑小的直徑。17.一種電路板的制造方法，所述制造方法包括: 形成穿透第一金屬層的第一通孔； 在第一通孔的表面上形成鍍覆部； 在鍍覆部的表面上形成絕緣膜； 在由絕緣膜的外表面的至少一部分包圍的空間中形成由導(dǎo)電材料形成的第一過(guò)孔。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造方法，其中，被絕緣膜的外表面的至少一部分限定的第二通孔具有與第一通孔的形狀相對(duì)應(yīng)的形狀并具有比第一通孔的直徑小的直徑。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造方法，其中，通過(guò)多次重復(fù)鍍覆工藝執(zhí)行鍍覆部的形成。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造方法，其中，以閃熔鍍覆法執(zhí)行鍍覆工藝。21.—種電路板，包括: 第一金屬層，包括穿透第一金屬層的第一表面和第二表面的孔； 導(dǎo)電過(guò)孔，設(shè)置在孔中； 第二金屬層，介于第一金屬層和導(dǎo)電過(guò)孔之間； 電絕緣層，介于第二金屬層和導(dǎo)電過(guò)孔之間。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電路板，其中，沿著從第一金屬層的第一表面到第二表面的路徑，在與第一金屬層的第一表面和第二表面中的一個(gè)表面相平行的平面確定的導(dǎo)電過(guò)孔的面積先減小然后增大。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電路板，其中，電絕緣層完全圍繞第一金屬層。24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電路板，所述電路板還包括分別設(shè)置在第一金屬層的第一表面和第二表面上的第一上絕緣層和第一下絕緣層， 其中: 第一上絕緣層和第一下絕緣層均包括一個(gè)與形成在第一金屬層中的開(kāi)口疊置的孔， 導(dǎo)電過(guò)孔進(jìn)一步沿著形成在第一上絕緣層和第一下絕緣層中的孔延伸。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電路板，所述電路板還包括形成在第一金屬層的第一表面和第二表面中的至少一個(gè)上的多個(gè)金屬跡線，且所述多個(gè)金屬跡線介于電絕緣層與第一上絕緣層之間。26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電路板，所述電路板還包括: 第二上絕緣層，設(shè)置在第一上絕緣層上并包括與形成在第一金屬層中的孔疊置的孔； 焊錫球，填充第二上絕緣層的所述孔。27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電路板，其中，第二金屬層包括多個(gè)金屬層。28.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電路板，其中，電絕緣層由聚對(duì)二甲苯形成。
【專利摘要】提供一種電路板及其制造方法，所述電路板包括：第一金屬層，具有穿透第一金屬層的上表面和第一金屬層的下表面的第一通孔；鍍覆部，設(shè)置到第一通孔的表面；絕緣膜，設(shè)置到鍍覆部的表面；第一過(guò)孔，由通過(guò)將導(dǎo)電材料設(shè)置到被絕緣膜的外表面包圍的區(qū)域中的至少一部分來(lái)形成。由于在將第一金屬層形成為比現(xiàn)有技術(shù)厚的同時(shí)電路板可實(shí)現(xiàn)第一過(guò)孔的精細(xì)化，因此可減小翹曲并可改善散熱性能。
【IPC分類】H05K1/11, H05K3/42
【公開(kāi)號(hào)】CN105472884
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510632836
【發(fā)明人】閔太泓, 高永寬, 李政韓, 姜明杉
【申請(qǐng)人】三星電機(jī)株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2016年4月6日
【申請(qǐng)日】2015年9月29日
【公告號(hào)】US20160095202