了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體隔離電路300的示意性電路圖。該半導(dǎo)體隔離電路300具有兩個(gè)互補(bǔ)的半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，其是半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)100和半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)200。在本實(shí)施例中，每個(gè)開(kāi)關(guān)的第一節(jié)點(diǎn)102、202耦接在一起，每個(gè)開(kāi)關(guān)100,200的第二節(jié)點(diǎn)耦接在一起，以及每個(gè)開(kāi)關(guān)102、202的開(kāi)關(guān)控制節(jié)點(diǎn)106、206通過(guò)反相器302耦接在一起。
[0024]第一個(gè)半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)的每個(gè)晶體管相對(duì)于第二個(gè)半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)的每個(gè)相應(yīng)的晶體管是互補(bǔ)的。更為具體的講，在這個(gè)實(shí)施例中，第一個(gè)開(kāi)關(guān)100的兩個(gè)串聯(lián)連接的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管112、114和可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管120為N型晶體管，反之，第一個(gè)開(kāi)關(guān)100的可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管118和泄漏控制晶體管124為P型晶體管。相反，第二個(gè)開(kāi)關(guān)200的兩個(gè)串聯(lián)連接的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管212、214和可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管218為P型晶體管，反之，第二個(gè)開(kāi)關(guān)200的可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管220以及泄漏控制晶體管224為N型晶體管。
[0025]圖4是依據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體隔離電路400的示意性電路圖。半導(dǎo)體隔離電路400具有兩個(gè)互補(bǔ)的半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，其是半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)100和半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)200。在本實(shí)施例中，每個(gè)開(kāi)關(guān)的第一節(jié)點(diǎn)102、202耦接在一起，每個(gè)開(kāi)關(guān)的第二節(jié)點(diǎn)耦接在一起以及每個(gè)開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)控制節(jié)點(diǎn)106、206通過(guò)反相器402耦接在一起。除了反相器的極性，半導(dǎo)體隔離電路400的所有其他元件與半導(dǎo)體隔離電路300相同。
[0026]圖5是依據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的模擬電路500的示意性電路圖。模擬電路500包括第一和第二模擬電路節(jié)點(diǎn)502、504，其可以是電源和接地軌，這對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是清楚的。第一電路506帶有第一電路互連節(jié)點(diǎn)508。例如，第一電路506由跨模擬電路節(jié)點(diǎn)502、504的第一電容器Cl形成。串聯(lián)連接的電阻器Rl和電容器C2也跨模擬電路節(jié)點(diǎn)502、504耦接。在本實(shí)施例中，第一電路互連節(jié)點(diǎn)508是串聯(lián)連接的電阻器Rl和電容器C2的公共節(jié)點(diǎn)。
[0027]還有第二電路510，其帶有第二電路互連節(jié)點(diǎn)512。同樣，例如，第二電路510由跨第二電路互連節(jié)點(diǎn)512和模擬電路節(jié)點(diǎn)504的第三電容器C3形成，并且串聯(lián)連接的電阻器R2和電容器C4也跨第二電路互連節(jié)點(diǎn)512和模擬電路節(jié)點(diǎn)504耦接。在本實(shí)施例中，第二電路互連節(jié)點(diǎn)512是串聯(lián)連接的電阻器R2和第三電容器C3的公共節(jié)點(diǎn)。
[0028]模擬電路500提供了第一電路互連節(jié)點(diǎn)508到第二電路互連節(jié)點(diǎn)512可選擇的連接。就此而言，第一節(jié)點(diǎn)502與第一電路互連節(jié)點(diǎn)508耦接，以及第二節(jié)點(diǎn)504與第二電路互連節(jié)點(diǎn)512耦接。但是，應(yīng)該理解，模擬電路500可被取代，例如，由半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)200取代或由半導(dǎo)體隔離電路300、400中的任一個(gè)取代。
[0029]有利的是，本發(fā)明減少了半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)中的泄漏電流，并且(但是不僅限于)對(duì)于在模擬電路應(yīng)用中減少上述泄漏電流是十分有用的。
[0030]出于說(shuō)明和描述的目的給出了本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的描述，但并非旨在窮舉或?qū)⒈景l(fā)明局限于所公開(kāi)的形式。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，在不超出廣義的發(fā)明構(gòu)思的前提下，可以對(duì)上述實(shí)施例加以改變。因此，可以理解的是，本發(fā)明不局限于所公開(kāi)的特定實(shí)施例，而且覆蓋所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的任何更改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，包括: 第一節(jié)點(diǎn)； 第二節(jié)點(diǎn)； 開(kāi)關(guān)控制節(jié)點(diǎn)； 兩個(gè)串聯(lián)連接的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET，其中，第一個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦接在所述第一節(jié)點(diǎn)和中間節(jié)點(diǎn)之間，以及第二個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦接在所述中間節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間； 可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管，串聯(lián)耦接到可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦接在電源軌節(jié)點(diǎn)和公共節(jié)點(diǎn)之間，并且所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦接在所述公共節(jié)點(diǎn)和接地軌節(jié)點(diǎn)之間； 泄漏控制晶體管，耦接在所述公共節(jié)點(diǎn)和所述中間節(jié)點(diǎn)之間，其中所述主場(chǎng)效應(yīng)晶體管、所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管、所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以及所述泄漏控制晶體管的每個(gè)都具有與所述開(kāi)關(guān)控制節(jié)點(diǎn)耦接的相應(yīng)的柵電極。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，其中所述第一個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極電極與所述中間節(jié)點(diǎn)耦接，以及所述第二個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極電極與所述中間節(jié)點(diǎn)耦接。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，其中所述兩個(gè)串聯(lián)連接的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管是N型晶體管，以及所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述泄漏控制晶體管均是P型晶體管。4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，其中所述泄漏控制晶體管的源極電極與所述公共節(jié)點(diǎn)耦接。5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，其中所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管各自的漏極電極與所述公共節(jié)點(diǎn)耦接。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，其中在操作中，當(dāng)在所述開(kāi)關(guān)控制節(jié)點(diǎn)處的控制信號(hào)處于接地電勢(shì)時(shí)，所述上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述泄漏控制晶體管將所述中間節(jié)點(diǎn)耦接到供電電勢(shì)，從而控制所述第一個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管處于非導(dǎo)通狀態(tài)。7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，其中所述兩個(gè)串聯(lián)連接的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管是P型晶體管，以及所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述泄漏控制晶體管均是N型晶體管。8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，其中所述泄漏控制晶體管的源極電極與所述公共節(jié)點(diǎn)耦接。9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，其中所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管各自的漏極電極與所述公共節(jié)點(diǎn)耦接。10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，其中在操作中，當(dāng)所述開(kāi)關(guān)控制節(jié)點(diǎn)處的控制信號(hào)處于供電電勢(shì)時(shí)，所述下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述泄漏控制晶體管將所述中間節(jié)點(diǎn)耦接到接地電勢(shì)，從而控制所述第一個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管處于非導(dǎo)通狀態(tài)。11.一種模擬電路，包括: 具有第一電路互連節(jié)點(diǎn)的第一電路； 具有第二電路互連節(jié)點(diǎn)的第二電路；以及 半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，用于選擇性地將所述第一電路互連節(jié)點(diǎn)連接到所述第二電路互連節(jié)點(diǎn)，其中，半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)包括: 第一節(jié)點(diǎn)，與所述第一電路互連節(jié)點(diǎn)耦接； 第二節(jié)點(diǎn)，與所述第二電路互連節(jié)點(diǎn)耦接； 開(kāi)關(guān)控制節(jié)點(diǎn)； 兩個(gè)串聯(lián)連接的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET，其中，第一個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦接在所述第一節(jié)點(diǎn)和中間節(jié)點(diǎn)之間，以及第二個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦接在所述中間節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間； 可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管，串聯(lián)耦接到可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦接在電源軌節(jié)點(diǎn)和公共節(jié)點(diǎn)之間，以及所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦接在所述公共節(jié)點(diǎn)和接地軌節(jié)點(diǎn)之間；以及 泄漏控制晶體管，耦接在所述公共節(jié)點(diǎn)和所述中間節(jié)點(diǎn)之間，其中，所述主場(chǎng)效應(yīng)晶體管、所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管、所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及所述泄漏控制晶體管的每個(gè)都具有與所述開(kāi)關(guān)控制節(jié)點(diǎn)耦接的相應(yīng)的柵電極。12.如權(quán)利要求11所述的模擬電路，其中所述第一個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極電極與所述中間節(jié)點(diǎn)耦接，以及所述第二個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極電極與所述中間節(jié)點(diǎn)耦接。13.如權(quán)利要求12所述的模擬電路，其中所述兩個(gè)串聯(lián)連接的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管是N型晶體管，以及所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述泄漏控制晶體管均是P型晶體管。14.如權(quán)利要求13所述的模擬電路，其中，所述泄漏控制晶體管的源極電極與所述公共節(jié)點(diǎn)耦接，以及所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管各自的漏極電極與所述公共節(jié)點(diǎn)耦接。15.如權(quán)利要求12所述的模擬電路，其中所述兩個(gè)串聯(lián)連接的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管是P型晶體管，以及所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述泄漏控制晶體管是N型晶體管。16.如權(quán)利要求15所述的模擬電路，其中所述泄漏控制晶體管的源極電極與所述公共節(jié)點(diǎn)耦接。17.如權(quán)利要求16所述的模擬電路，其中所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管各自的漏極電極與所述公共節(jié)點(diǎn)耦接。18.一種半導(dǎo)體隔離電路，其具有兩個(gè)互補(bǔ)的半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)，其中每個(gè)開(kāi)關(guān)包括: 第一節(jié)點(diǎn)； 第二節(jié)點(diǎn)； 開(kāi)關(guān)控制節(jié)點(diǎn)； 接地軌節(jié)點(diǎn)； 電源軌節(jié)點(diǎn)； 兩個(gè)串聯(lián)連接的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET，其中，第一個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦接在所述第一節(jié)點(diǎn)和中間節(jié)點(diǎn)之間，以及第二個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦接在所述中間節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間； 可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管，串聯(lián)耦接到可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦接在所述電源軌節(jié)點(diǎn)和公共節(jié)點(diǎn)之間，以及所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦接在所述公共節(jié)點(diǎn)和所述接地軌節(jié)點(diǎn)之間； 泄漏控制晶體管，耦接在所述公共節(jié)點(diǎn)和所述中間節(jié)點(diǎn)之間，其中所述主場(chǎng)效應(yīng)晶體管、所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管、所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及所述泄漏控制晶體管的每個(gè)都具有與所述開(kāi)關(guān)控制節(jié)點(diǎn)耦接的相應(yīng)的柵電極， 其中每個(gè)所述開(kāi)關(guān)的所述第一節(jié)點(diǎn)耦接在一起，以及每個(gè)所述開(kāi)關(guān)的所述第二節(jié)點(diǎn)耦接在一起以及每個(gè)所述開(kāi)關(guān)的所述開(kāi)關(guān)控制節(jié)點(diǎn)通過(guò)反相器耦接在一起，以及 其中第一個(gè)開(kāi)關(guān)的每個(gè)所述晶體管相對(duì)于第二個(gè)開(kāi)關(guān)的相應(yīng)的晶體管是互補(bǔ)的。19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體隔離電路，其中所述第一個(gè)開(kāi)關(guān)的所述兩個(gè)串聯(lián)連接的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管是N型晶體管，以及所述第二個(gè)開(kāi)關(guān)的所述兩個(gè)串聯(lián)連接的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管是P型晶體管。20.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體隔離電路，其中所述第一個(gè)開(kāi)關(guān)的所述可控上拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述泄漏控制晶體管是P型晶體管，以及所述第二個(gè)開(kāi)關(guān)的所述可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述泄漏控制晶體管是N型晶體管。
【專(zhuān)利摘要】本公開(kāi)涉及低泄漏模擬開(kāi)關(guān)。半導(dǎo)體隔離開(kāi)關(guān)具有兩個(gè)串聯(lián)連接的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，第一個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管被耦接在第一節(jié)點(diǎn)和中間節(jié)點(diǎn)之間，以及第二個(gè)主場(chǎng)效應(yīng)晶體管被耦接在第二節(jié)點(diǎn)和中間節(jié)點(diǎn)之間?？煽厣侠瓐?chǎng)效應(yīng)晶體管串聯(lián)耦接到可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管?？煽厣侠瓐?chǎng)效應(yīng)晶體管被耦接在電源軌節(jié)點(diǎn)和公共節(jié)點(diǎn)之間，可控下拉場(chǎng)效應(yīng)晶體管被耦接在接地軌節(jié)點(diǎn)和公共節(jié)點(diǎn)之間。泄漏控制晶體管被耦接在公共節(jié)點(diǎn)和中間節(jié)點(diǎn)之間。所有晶體管的柵極均與開(kāi)關(guān)控制節(jié)點(diǎn)耦接。
【IPC分類(lèi)】H03K17/687
【公開(kāi)號(hào)】CN105720961
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410408825
【發(fā)明人】王正香
【申請(qǐng)人】飛思卡爾半導(dǎo)體公司
【公開(kāi)日】2016年6月29日
【申請(qǐng)日】2014年6月25日
【公告號(hào)】US20150381162