一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎，其上部設(shè)有半導(dǎo)體LED芯片和驅(qū)動電路電子元器件，其下部可直接與散熱器配合，包括基板、壓合層和陶瓷層，基板上設(shè)有多個金屬凸起，陶瓷層設(shè)于金屬凸起上方，半導(dǎo)體LED芯片設(shè)于陶瓷層上方；基板的非凸起處的上表面設(shè)有壓合層，壓合層與金屬凸起等高，驅(qū)動電路電子元器件設(shè)于壓合層電路上方。通過在半導(dǎo)體LED芯片與基板之間設(shè)置陶瓷層，可有效的進行光電隔離的同時又具備優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性，使得位于陶瓷基板上的半導(dǎo)體LED芯片的熱量可直接通過金屬凸起傳遞到散熱器；在基板的非凸起處設(shè)置壓合層，驅(qū)動電路電子元器件通過電路與半導(dǎo)體LED芯片連接，可有效的進行光電控制，實現(xiàn)熱電分離。
【專利說明】
一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種線路板，尤其涉及一種既可光電隔離又具有優(yōu)良熱傳導(dǎo)性的熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎。
【背景技術(shù)】
[0002]用于光學(xué)和/或電子的器件，如集成電路或者激光二極管均需要利用熱傳導(dǎo)材料來進行傳熱。為此需要采用金屬基體，如銅基體，并且在所述光學(xué)和/或電子的器件與金屬基體之間經(jīng)常需要電隔離。而有些陶瓷材料具有較高的熱傳導(dǎo)效率并且對電是絕緣的。為此經(jīng)常在光學(xué)和/或電子的器件與金屬基體之間使用高導(dǎo)熱的陶瓷材料作為用于提供電隔離而又仍然維持熱傳導(dǎo)性的中間材料。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種既可光電隔離又具有優(yōu)良熱傳導(dǎo)性的熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎。
[0004]為此，本發(fā)明公開了一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎，其上部設(shè)有半導(dǎo)體LED芯片和驅(qū)動電路電子元器件，其下部可直接地與散熱器螺紋配合，包括基板、壓合層和陶瓷層。
[0005]所述基板上設(shè)有多個金屬凸起，所述陶瓷層設(shè)于所述金屬凸起上方，所述半導(dǎo)體LED芯片設(shè)于所述陶瓷層上方;所述基板的非凸起處的上表面設(shè)有壓合層，所述壓合層與所述金屬凸起等高。
[0006]優(yōu)選地，所述壓合層由絕緣層及銅箔制成;所述絕緣層的材料為樹脂、FR4、BT中的一種。
[0007]進一步地，對所述金屬凸起進行噴錫或沉錫。
[0008]進一步地，所述陶瓷層的導(dǎo)熱及導(dǎo)電區(qū)域通過回流焊或共晶焊的方式分別焊接于所述金屬凸起及電路上。
[0009 ] 優(yōu)選地，所述陶瓷層的材料為AL2O3、ALN、ALON、S i C中的一種。
[0010]優(yōu)選地，所述陶瓷層呈通孔貫穿設(shè)置，以使所述半導(dǎo)體LED芯片與所述基板線路連通。
[0011]所述驅(qū)動電路電子元器件設(shè)于所述壓合層電路上方;且驅(qū)動電路電子元器件電子元器件包括驅(qū)動IC芯片、電容、電阻、橋式整流、保險絲、mos管、TVS、mov管。
[0012]進一步地，所述驅(qū)動電路電子元器件通過回流焊、共晶焊與壓合層電路結(jié)合，并通過電路與半導(dǎo)體LED芯片連接。
[0013]本發(fā)明提供的所述熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎通過在半導(dǎo)體LED芯片與基板之間設(shè)置陶瓷層，可有效的進行光電隔離的同時又具備優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性，使得位于陶瓷基板上的半導(dǎo)體LED芯片的熱量可直接通過金屬凸起傳遞到散熱器;在基板的非凸起處設(shè)置壓合層，驅(qū)動電路電子元器件通過電路與半導(dǎo)體LED芯片連接，可有效的進行光電控制， 實現(xiàn)熱電分離。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明提供的一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎的剖視圖；
[0015]圖2為本發(fā)明中陶瓷層的仰視圖，其中:
[0016]1-基板，2-壓合層，3-陶瓷層，4-半導(dǎo)體LED芯片，11_金屬金屬凸起，21-絕緣層，22-銅箔，31、33_陶瓷層背面的第一部分，32-陶瓷層背面的第二部分。
【具體實施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進行詳述。
[0018]請參閱圖1，本發(fā)明提供一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎，其上部設(shè)有半導(dǎo)體LED芯片4，其下部可直接地與散熱器配合，包括基板1、壓合層2和陶瓷層3。
[0019]所述基板I上設(shè)有多個金屬凸起11，所述陶瓷層3設(shè)于所述金屬凸起11上方，所述半導(dǎo)體LED芯片4設(shè)于所述陶瓷層3上方;所述基板I的非凸起11處的上表面設(shè)有壓合層2，所述壓合層2與所述金屬凸起11等高。
[0020]所述壓合層2用于基板I上多個半導(dǎo)體LED芯片電路4間的屏蔽，由絕緣層21及銅箔22制成;所述絕緣層的材料為樹脂、FR4、BT中的一種。
[0021]對所述金屬凸起11進行噴錫或沉錫。
[0022]請參閱圖2，所述陶瓷層3包括兩部分，第一部分31、33與銅箔接合，第二部分32通過回流焊或共晶焊的方式焊接于所述金屬凸起11上。
[0023]所述陶瓷層的材料為AL203、ALN、AL0N、SiC中的一種;且所述陶瓷層可呈通孔貫穿設(shè)置，以使所述半導(dǎo)體LED芯片與所述基板線路連通。
[0024]所述驅(qū)動電路電子元器件設(shè)于所述壓合層2電路上方;且驅(qū)動電路電子元器件電子元器件包括驅(qū)動IC芯片、電容、電阻、橋式整流、保險絲、mos管、TVS、mov管。所述驅(qū)動電路電子元器件通過回流焊、共晶焊與壓合層電路結(jié)合，并通過電路與半導(dǎo)體LED芯片連接。
[0025]綜上，本發(fā)明提供的所述熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎通過通過在半導(dǎo)體LED芯片與基板之間設(shè)置陶瓷層，可有效的進行光電隔離的同時又具備優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性，使得位于陶瓷基板上的半導(dǎo)體LED芯片的熱量可直接通過金屬凸起傳遞到散熱器;在基板的非凸起處設(shè)置壓合層，驅(qū)動電路電子元器件通過電路與半導(dǎo)體LED芯片連接，可有效的進行光電控制，實現(xiàn)熱電分離。
[0026]以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎，其上部設(shè)有半導(dǎo)體LED芯片和驅(qū)動電路電子元器件，其下部可直接與散熱器配合，其特征在于，包括基板、壓合層和陶瓷層，其中: 所述基板上設(shè)有多個金屬凸起，所述陶瓷層設(shè)于所述金屬凸起上方，所述半導(dǎo)體LED芯片設(shè)于所述陶瓷層上方;所述基板的非凸起處的上表面設(shè)有壓合層，所述壓合層與所述金屬凸起等高。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎，其特征在于，所述壓合層由絕緣層及銅箔制成;所述絕緣層的材料為樹脂、FR4、BT中的一種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎，其特征在于，對所述金屬凸起進行噴錫或沉錫。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎，其特征在于，所述陶瓷層的導(dǎo)熱及導(dǎo)電區(qū)域通過回流焊或共晶焊的方式分別焊接于所述金屬凸起及電路上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎，其特征在于，所述陶瓷層的材料為AL2O3、ALN、ALON、S i C中的一種。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎，其特征在于，所述陶瓷層呈通孔貫穿設(shè)置，以使所述半導(dǎo)體LED芯片線路與金屬基板上電路連通。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎，其特征在于，所述驅(qū)動電路電子元器件設(shè)于所述壓合層電路上方。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎，其特征在于，所述驅(qū)動電路電子元器件電子元器件包括驅(qū)動IC芯片、電容、電阻、橋式整流、保險絲、mos管、TVS、mov 管。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱電分離的復(fù)合式線路板光電引擎，其特征在于，所述驅(qū)動電路電子元器件通過回流焊、共晶焊與壓合層電路結(jié)合，并通過電路與半導(dǎo)體LED芯片連接。
【文檔編號】H05K1/18GK105828515SQ201610227076
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年4月13日
【發(fā)明人】茍鎖利, 高鞠, 魏晉巍
【申請人】蘇州晶品新材料股份有限公司