阻變施密特觸發(fā)器和比較器的制造方法
【專利摘要】一種阻變?cè)淠軌蛴迷诜且资詳?shù)字施密特觸發(fā)器電路或比較器電路中。施密特觸發(fā)器電路可以包括阻變電路和重置電路。阻變電路可以提供適合于施密特觸發(fā)器操作的遲滯行為。重置電路可操作地將阻變電路重置至高電阻狀態(tài)。比較器電路可包括阻變電路、重置電路和閾值設(shè)置電路。阻變電路可包括阻變?cè)?，并且可操作地提供將輸入電壓與阻變?cè)脑O(shè)置或設(shè)置閾值電壓進(jìn)行比較的信號(hào)。閾值設(shè)置電路可操作地修改阻變?cè)脑O(shè)置或重置閾值，從而有效地改變用于比較器電路的參考電壓。
【專利說(shuō)明】
阻變施密特觸發(fā)器和比較器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明一般涉及阻變?cè)绕渖婕坝糜谛纬删哂凶枳冊(cè)倪壿嬰娐返姆椒ǎ?以及由該方法產(chǎn)生的電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 施密特觸發(fā)器是有遲滯的比較器電路。電路的名稱為"觸發(fā)器"，因?yàn)檩敵霰３制?值直到輸入上升通過(guò)閾值電壓，觸發(fā)改變?yōu)橹?。電路是遲滯電路，因?yàn)樗褂秘?fù)反饋來(lái)阻止 轉(zhuǎn)換回去直到輸入通過(guò)較低的閾值電壓為止。
[0003] 施密特觸發(fā)器裝置能夠用在開環(huán)配置中以將噪音從數(shù)字電路中使用的信號(hào)移除， 例如，以消除由機(jī)械開關(guān)彈跳引起的信號(hào)噪音。閉環(huán)配置也可以使用施密特觸發(fā)器裝置，例 如在函數(shù)發(fā)生器和開關(guān)電源中使用的振蕩器。
[0004] 施密特觸發(fā)器可以是非反相的或反相的。在非反相施密特觸發(fā)器中，當(dāng)輸入增加 超過(guò)閾值電壓時(shí)，輸出轉(zhuǎn)變成較高的值。在反相施密特觸發(fā)器中，當(dāng)輸入增加超過(guò)閾值電壓 時(shí)，輸出轉(zhuǎn)變成較低的值。
[0005] 圖1A-圖1B說(shuō)明了現(xiàn)有技術(shù)的非反相施密特觸發(fā)器電路的示意行為。圖1A示出了 施密特觸發(fā)器電路100,施密特觸發(fā)器電路100包括運(yùn)算放大器110和電阻器R1和R2。由這些 電阻器提供的正反饋產(chǎn)生遲滯，遲滯由R1和R2之間的比例控制。由于運(yùn)算放大器110具有不 同的輸入，因此反相輸入被接地以使參考點(diǎn)為零伏特。
[0006] 圖1B示出了非反相施密特觸發(fā)器電路100的響應(yīng)函數(shù)，其示出了作為輸入電壓Vin 的函數(shù)的輸出電壓Vout。當(dāng)輸入電壓Vin高于高閾值T或低于低閾值-T時(shí)，輸出電壓具有與 電路輸入電壓相同的符號(hào)，例如，輸出電壓分別為Μ或-M。當(dāng)電路輸入電壓在閾值-T和T之間 時(shí)，輸出電壓Vout取決于上次狀態(tài)，例如，如果之前Vin>T，那么Vout為Μ，并且如果之前Vin 〈-T，那么Vout為-Μ。對(duì)于反相施密特觸發(fā)器，行為是相反的。
[0007] 比較器電路可以比較兩個(gè)輸入電壓或電流并且輸出指示哪個(gè)更大的數(shù)字信號(hào)。因 此，比較器電路可包括兩個(gè)模擬輸入(例如，Vin和Vref)，和一個(gè)二進(jìn)制數(shù)字輸出Vout。如果 Vin大于Vref，那么Vout是正的。如果Vin小于Vref，那么Vout為零。比較器電路能夠用在模 擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADCs)和振蕩器中。
[0008] 圖9A-圖9B說(shuō)明了現(xiàn)有技術(shù)的比較器電路的示意行為。圖9A示出了比較器電路 900,比較器電路900包括運(yùn)算放大器910和可選電阻器R。運(yùn)算放大器910的差分輸入能夠用 來(lái)提供輸入電壓Vin和參考電壓Vref之間的比較。
[0009] 圖9B示出了比較器電路900的響應(yīng)函數(shù)，其示出了作為輸入電壓Vin的函數(shù)的輸出 電壓Vout。當(dāng)輸入電壓Vin大于參考電壓Vref時(shí)，輸出電壓為M。當(dāng)電路輸入電壓小于參考電 壓Vref時(shí)，輸出電壓Vout為零。
[0010] 使用基于晶體管的邏輯器件實(shí)施的施密特觸發(fā)器電路和比較器電路可能會(huì)有與 晶體管裝置相關(guān)的問(wèn)題。因此，需要能夠滿足先進(jìn)裝置的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的施密特觸發(fā)器電路和 比較器電路。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011] 在一些實(shí)施例中，提供了用于形成施密特觸發(fā)器電路的方法和電路。施密特觸發(fā) 器電路可包括阻變?cè)?，阻變?cè)碾娮杩梢跃哂蓄愃朴谑┟芴赜|發(fā)器的非易失性遲滯行 為的非易失性遲滯行為。例如，當(dāng)輸入電壓增加和降低時(shí)，阻變?cè)碾娮杩梢员辉O(shè)置和重 置。
[0012] 在一些實(shí)施例中，施密特觸發(fā)器電路可以包括阻變電路和變換器電路。阻變電路 可以包括阻變?cè)碗娏骺刂蒲b置。電流控制裝置能夠用來(lái)控制通過(guò)阻變?cè)碾娏?。?入電壓可以施加到阻變?cè)囊粋€(gè)端子以生成電阻遲滯曲線。可以從阻變?cè)牧硪欢俗?生成輸出電壓，從而將電阻遲滯曲線變換成電壓遲滯曲線。
[0013] 在一些實(shí)施例中，變換器電路可操作地將阻變?cè)闹底儞Q成希望的輸出信號(hào)。 例如，變換器電路可以包括電流源，電流源能夠經(jīng)過(guò)阻變?cè)陨膳c阻變?cè)碾娮柘?對(duì)應(yīng)的輸出電壓。
[0014] 在一些實(shí)施例中，可以包括可選的切換電路以在阻變電路和變換器電路之間轉(zhuǎn)換 對(duì)阻變?cè)目刂啤?br>[0015] 在一些實(shí)施例中，提供了用于基于設(shè)置操作形成比較器電路的方法和電路。比較 器電路可以包括阻變?cè)?，?dāng)被施加的電壓(例如輸入電壓）的幅值大于設(shè)置閾值電壓(例 如能夠使阻變?cè)碾娮柁D(zhuǎn)變成低狀態(tài)的電壓）的幅值時(shí)，阻變?cè)軌蚋淖冸娮?。例如?當(dāng)輸入電壓(被施加到阻變?cè)碾妷?大于參考電壓(阻變?cè)脑O(shè)置閾值電壓)時(shí)，阻變 元件的電阻可以改變至低值。
[0016] 在一些實(shí)施例中，比較器電路可以包括阻變電路、重置電路和閾值設(shè)置電路。阻變 電路可以包括阻變?cè)碗娏骺刂蒲b置。電流控制裝置能夠用來(lái)控制通過(guò)阻變?cè)碾?流。輸入電壓可以被施加到阻變?cè)囊粋€(gè)端子以生成阻變特性。可以從阻變?cè)牧硪?端子生成輸出電壓，從而將阻變行為曲線轉(zhuǎn)變成電壓轉(zhuǎn)變曲線。
[0017] 在一些實(shí)施例中，重置電路可操作地將阻變?cè)闹抵刂弥粮唠娮锠顟B(tài)。高電阻 狀態(tài)能夠充當(dāng)用于阻變行為的基線，例如當(dāng)被施加的電壓大于設(shè)置閾值電壓時(shí)，允許阻變 元件的電阻轉(zhuǎn)變至低電阻狀態(tài)。
[0018] 在一些實(shí)施例中，閾值設(shè)置電路可操作地設(shè)置阻變?cè)脑O(shè)置閾值電壓。阻變?cè)?件的設(shè)置閾值電壓可以是阻變?cè)膶傩缘暮瘮?shù)，例如取決于制造工藝和阻變?cè)牟?料。阻變?cè)脑O(shè)置閾值電壓還可以由之前的重置操作控制。因此閾值設(shè)置電路可以被配 置成調(diào)制阻變?cè)脑O(shè)置閾值電壓，設(shè)置閾值電壓本質(zhì)上是比較器的參考電壓。
[0019] 在一些實(shí)施例中，可以包括可選的切換電路，以在阻變電路、重置電路和閾值設(shè)置 電路之間轉(zhuǎn)換對(duì)阻變?cè)目刂啤?br>[0020] 在一些實(shí)施例中，提供了用于基于重置操作形成比較器電路的方法和電路。比較 器電路可以包括阻變?cè)?dāng)施加的電壓(例如，輸入電壓）的幅值大于重置閾值電壓(例如 能夠?qū)⒆枳冊(cè)碾娮柁D(zhuǎn)變至高狀態(tài)的電壓）的幅值時(shí)，阻變?cè)梢愿淖冸娮?。例如，?dāng) 輸入電壓(例如，施加到阻變?cè)碾妷?大于參考電壓(阻變?cè)闹刂瞄撝惦妷?時(shí)，阻 變?cè)碾娮杩梢愿淖冎粮咧怠?br>[0021] 在一些實(shí)施例中，比較器電路可包括阻變電路、重置電路、變換器電路和閾值設(shè)置 電路。阻變電路可包括阻變?cè)碗娏骺刂蒲b置。電流控制裝置能夠用來(lái)控制通過(guò)阻變?cè)?件的電流。輸入電壓可以被施加到阻變?cè)囊粋€(gè)端子以生成阻變特性。
[0022] 在一些實(shí)施例中，變換器電路可操作地將阻變?cè)闹底儞Q成希望的輸出信號(hào)。 例如，變換器電路可以包括電流源，電流源可以經(jīng)過(guò)阻變?cè)陨膳c阻變?cè)碾娮柘?對(duì)應(yīng)的輸出電壓。因此可以生成輸出電壓，從而將阻變行為曲線變換成電壓轉(zhuǎn)換曲線。
[0023] 在一些實(shí)施例中，重置電路可操作地將阻變?cè)闹抵刂弥恋碗娮锠顟B(tài)。低電阻 狀態(tài)能夠充當(dāng)用于阻變行為的基線，例如當(dāng)被施加的電壓大于重置閾值電壓時(shí)，允許阻變 元件的電阻轉(zhuǎn)變至高電阻狀態(tài)。
[0024] 在一些實(shí)施例中，閾值設(shè)置電路可操作地設(shè)置阻變?cè)闹刂瞄撝惦妷?。阻變?cè)?件的重置閾值電壓可以是阻變?cè)膶傩缘暮瘮?shù)，例如取決于制造工藝和阻變?cè)牟?料。阻變?cè)闹刂瞄撝惦妷哼€可以由之前的設(shè)置操作控制。因此，閾值設(shè)置電路可以被配 置成調(diào)制阻變?cè)闹刂瞄撝惦妷?，重置閾值電壓?shí)質(zhì)上是比較器的參考電壓。
[0025] 在一些實(shí)施例中，可以包括可選的切換電路以在阻變電路、重置電路、變換器電路 和閾值設(shè)置電路之間轉(zhuǎn)換對(duì)阻變?cè)目刂啤?br>【附圖說(shuō)明】
[0026]為了便于理解，在可能的情況下，已經(jīng)使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)標(biāo)示圖所共有的相 同元件。附圖沒(méi)有按比例并且附圖中的多種元件的相關(guān)尺寸是示意地繪制的并且沒(méi)必要按 比例。
[0027] 通過(guò)考慮下面的詳細(xì)描述連同所附附圖容易理解本發(fā)明的技術(shù)，圖中：
[0028] 圖1A-圖1B說(shuō)明了現(xiàn)有技術(shù)的非反相施密特觸發(fā)器電路的示意行為；
[0029] 圖2說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的經(jīng)過(guò)雙極ReRAM單元的、作為施加到ReRAM單元的電 壓的函數(shù)的電流的曲線圖；
[0030]圖3A-圖3C說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的阻變?cè)倪t滯行為；
[0031]圖4A-圖4C說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有阻變?cè)氖┟芴赜|發(fā)器電路的示意 圖；
[0032] 圖5A-圖5B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成和操作具有阻變?cè)姆且资允?密特觸發(fā)器電路的流程圖；
[0033] 圖6A-圖6C說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有變換器電路的非易失性施密特觸發(fā)器電 路的不意圖；
[0034] 圖7A-圖7B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的非易失性施密特觸發(fā)器電路的響應(yīng)；
[0035]圖8A-圖8B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成和操作具有阻變?cè)姆且资允?密特觸發(fā)器電路的流程圖；
[0036]圖9A-圖9B說(shuō)明了現(xiàn)有技術(shù)的比較器電路的示意行為；
[0037] 圖10示出了根據(jù)一些實(shí)施例的經(jīng)過(guò)單極ReRAM單元的、作為施加到ReRAM單元的電 壓的函數(shù)的電流的曲線圖；
[0038]圖11A-圖11B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的阻變?cè)谋容^器行為；
[0039]圖12A-圖12C說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有阻變?cè)谋容^器電路的示意圖； [0040]圖13A-圖13C說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有重置電路的非易失性比較器電路的示 意圖；
[0041] 圖14A-圖14B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的非易失性比較器電路的響應(yīng)；
[0042] 圖15A-圖15B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成和操作具有阻變?cè)姆且资?比較器電路的流程圖；
[0043] 圖16A-圖16B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有重置電路和閾值設(shè)置電路的非易失性 比較器電路的示意圖；
[0044] 圖17說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的非易失性比較器電路的響應(yīng)；
[0045] 圖18A-圖18B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成和操作具有阻變?cè)姆且资?比較器電路的流程圖；
[0046]圖19A-圖19B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的非易失性比較器電路的響應(yīng)；
[0047]圖20A-圖20B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有重置電路和變換器電路的非易失性比 較器電路的示意圖；
[0048] 圖21A和圖21B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的非易失性比較器電路的響應(yīng)；
[0049] 圖22A-圖22B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成和操作具有阻變?cè)姆且资?比較器電路的流程圖；
[0050] 圖23A-圖23B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有重置電路、變換器電路和閾值設(shè)置電 路的非易失性比較器電路的示意圖；
[0051] 圖24說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的非易失性比較器電路的響應(yīng)；
[0052]圖25A-圖25B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成和操作具有阻變?cè)姆且资?比較器電路的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0053]下面提供了一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的詳細(xì)描述以及附圖。結(jié)合這類實(shí)施例提供了詳細(xì) 的描述，但是詳細(xì)的描述并不限制于任何特定的示例。范圍僅由權(quán)利要求限制，并且囊括了 很多替代物、修改和等效物。下面的描述中闡述了許多具體細(xì)節(jié)以便提供全面的理解。出于 示例的目的提供這些細(xì)節(jié)，并且在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或全部的情況下，可以根據(jù) 權(quán)利要求實(shí)踐所描述的技術(shù)。出于清楚的目的，沒(méi)有詳細(xì)描述與實(shí)施例相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域中 已知的技術(shù)材料，以避免本描述被不必要地模糊。
[0054]在一些實(shí)施例中，提供了用于形成施密特觸發(fā)器電路的方法，以及由該方法產(chǎn)生 的施密特觸發(fā)器電路，其中阻變?cè)梢宰鳛橛糜谛盘?hào)的遲滯器件操作。例如，施密特觸發(fā) 器電路能夠使用輸入信號(hào)來(lái)設(shè)置阻變?cè)碾娮?。由于阻變?cè)谠O(shè)置電壓和重置電壓下 轉(zhuǎn)換狀態(tài)，因此，電阻-電壓曲線呈現(xiàn)類似于常規(guī)的施密特觸發(fā)器電路的遲滯曲線的遲滯曲 線。
[0055] 在一些實(shí)施例中，施密特觸發(fā)器電路可以包括阻變電路和變換器電路。變換器電 路可操作地將阻變電路的電阻遲滯曲線變換成電壓(或電流)遲滯曲線。例如，變換器電路 可以包括電流源，電流源能夠經(jīng)過(guò)阻變?cè)陨膳c阻變?cè)碾娮柘鄬?duì)應(yīng)的輸出電壓。 變換器電路可以被配置成生成非反相或反相施密特觸發(fā)器電路。
[0056] 阻變電路可以包括阻變?cè)涂蛇x的電流控制裝置。電流控制裝置可以包括電阻 器、晶體管、或其它電路元件。電流控制裝置可操作地控制通過(guò)阻變?cè)碾娏?。例如，電?控制裝置可以與阻變?cè)?lián)連接，因此依靠控制通過(guò)電流控制裝置的電流來(lái)調(diào)節(jié)通過(guò)阻 變?cè)碾娏?。在一些?shí)施例中，例如如果通過(guò)阻變?cè)碾娏骺梢员蛔枳冊(cè)膬?nèi)電阻 限制，那么電流控制裝置可以被省去。
[0057]在典型的操作中，輸入電壓可以被施加到阻變?cè)?，以生成電阻遲滯曲線。例如依 靠變換器電路可以從阻變?cè)奢敵鲭妷?，變換器電路將電阻遲滯曲線變換成電壓遲滯 曲線。
[0058]在一些實(shí)施例中，可以包括切換電路以在阻變電路(例如，用于將阻變?cè)罱又?輸入電壓以設(shè)置阻變?cè)碾娮?和變換器電路(例如，用于從阻變?cè)碾娮枭上Ｍ?輸出信號(hào)，例如輸出電壓)之間轉(zhuǎn)換對(duì)阻變?cè)目刂啤?br>[0059] 在一些實(shí)施例中，切換操作可以是循環(huán)的，例如在阻變電路和變換器電路之間周 期地轉(zhuǎn)換。例如，切換電路能夠切換至第一位置，以將對(duì)阻變?cè)目刂茙е凛斎腚妷??？?以將第一輸入電壓施加到阻變?cè)瑥亩O(shè)置阻變?cè)碾娮?。例如，如果輸入電壓小于設(shè) 置電壓，那么阻變?cè)３衷谄涓唠娮锠顟B(tài)下。如果輸入電壓高于設(shè)置電壓，那么阻變?cè)?轉(zhuǎn)換至其高電阻狀態(tài)。
[0060] 切換電路能夠切換至第二位置，以將對(duì)阻變?cè)目刂茙е磷儞Q器電路。來(lái)自變 換器電路的電壓或電流能夠被施加到阻變?cè)?，從而生成與阻變?cè)碾娮柚迪鄬?duì)應(yīng)的電 流或電壓。
[0061] 切換電路能夠切換回到第一位置，以根據(jù)新的輸入電壓來(lái)設(shè)置阻變?cè)？梢灾?復(fù)切換操作以生成輸出電壓，輸出電壓具有關(guān)于輸入電壓的施密特觸發(fā)器傳遞函數(shù)。
[0062] 在一些實(shí)施例中，本發(fā)明將阻變材料的使用擴(kuò)展到眾所周知的非易失性存儲(chǔ)器裝 置中的應(yīng)用之外，并且將阻變材料應(yīng)用到混合晶體管-阻變邏輯電路的實(shí)施。提供了形成阻 變施密特觸發(fā)器電路的方法，它可以表示走向真正的混合晶體管-阻變電子器件的實(shí)施的 基礎(chǔ)構(gòu)建塊。
[0063] 在一些實(shí)施例中，本施密特觸發(fā)器電路是數(shù)字裝置(與常規(guī)模擬施密特觸發(fā)器相 反），本施密特觸發(fā)器電路生成數(shù)字形式的電阻曲線或輸出電壓曲線。換句話說(shuō)，輸出電阻 或電壓是脈沖的，例如從得到輸入值以設(shè)置電阻和生成輸出電壓的循環(huán)操作切換。輸入電 壓可以是數(shù)字的(例如脈沖的），或模擬的(例如連續(xù)的）。
[0064] 本施密特觸發(fā)器電路能夠消除對(duì)外部參考電壓的需要，因?yàn)橛糜谧枳冊(cè)牡碗?阻狀態(tài)(LRS)和高電阻狀態(tài)(HRS)的閾值是觸發(fā)器電路的閾值。與傳統(tǒng)的施密特觸發(fā)器相 比，本施密特觸發(fā)器電路具有緊湊的結(jié)構(gòu)。本施密特觸發(fā)器電路可以被設(shè)計(jì)成通過(guò)改變阻 變?cè)臉O性或通過(guò)改變變換器電路的極性反相或不反相。本施密特觸發(fā)器電路可以是非 易失性的，例如信息存儲(chǔ)在非易失性的電阻改變中。
[0065] 阻變?cè)姆且资孕袨槟軌蛟试S實(shí)施非易失性數(shù)字施密特觸發(fā)器電路(例如， 使用阻變?cè)鳛檫t滯器件的施密特觸發(fā)器電路）。在下面提供對(duì)阻變?cè)拿枋?在電阻 存儲(chǔ)器裝置的情況下），以闡明阻變?cè)男袨椋⑶以试S理解阻變?cè)诓蓸颖３蛛娐分?的結(jié)合。
[0066] 呈現(xiàn)阻變特性的阻變隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(ReRAM)單元通常包括構(gòu)成堆疊的多個(gè)層。 這種堆疊結(jié)構(gòu)有時(shí)候被描述成金屬-絕緣體-金屬(ΜΠΟ結(jié)構(gòu)。具體地，堆疊包括兩個(gè)作為電 極操作的導(dǎo)電層。這些層可以包括金屬和/或其它導(dǎo)電材料。堆疊還包括布置在電極之間的 絕緣體層。絕緣體層呈現(xiàn)阻變屬性，該阻變屬性表征為形成這層的材料的不同的電阻狀態(tài)。 正因如此，這個(gè)絕緣體層通常被稱為阻變層。這些電阻狀態(tài)可以被用來(lái)表示一位或多位信 息。絕緣體層的阻變屬性被認(rèn)為取決于這層中的多種缺陷(defect)的存在和分布。例如，層 中的氧空缺的不同分布可以反映層的不同的電阻狀態(tài)，并且這些狀態(tài)對(duì)于存儲(chǔ)器應(yīng)用來(lái)說(shuō) 可以是足夠穩(wěn)定的。
[0067]為了實(shí)現(xiàn)阻變層中的缺陷的某個(gè)濃度，通常層已經(jīng)沉積有已經(jīng)存在于層中的缺 陷，即，預(yù)先形成的缺陷。換句話說(shuō)，缺陷在層形成期間被引入到層中。例如，嚴(yán)格控制原子 層沉積(ALD)、物理氣相沉積(PVD)、或用來(lái)維持在后端線(BE0L)熱預(yù)算內(nèi)的一些其它的低 溫工藝可以被用來(lái)沉積堆疊的絕緣體層。特別是在非常薄的阻變層(例如，小于100埃）中， 要精確地重復(fù)控制這些缺陷的形成是困難的。例如，當(dāng)ALD被用來(lái)形成阻變層時(shí)，一些未反 應(yīng)的前驅(qū)體會(huì)留下含碳的殘余物，含碳的殘余物會(huì)影響沉積層的電阻特性。而且，即使有可 能，精確地重復(fù)實(shí)現(xiàn)部分飽和也可能是非常困難的。在PVD的情況下，濺射靶材趨向于磨損， 從而影響沉積速率并引起在產(chǎn)生的阻變層中的變化。
[0068] 形成非易失性存儲(chǔ)器元件的方法可以涉及在堆疊退火期間將氧氣從前驅(qū)體層(例 如，用來(lái)形成或更具體地變換成阻變層)轉(zhuǎn)移到電極。退火環(huán)境可包括一些氫氣以控制退火 后組織內(nèi)的氧氣的分布。
[0069] 如上所述，氧氣從前驅(qū)體層擴(kuò)散到電極使得前驅(qū)體層變換成阻變層。前驅(qū)體層可 包括在氧空缺或一些其它缺陷在該層內(nèi)形成以前不能起阻變層作用的化學(xué)當(dāng)量氧化物或 近化學(xué)當(dāng)量氧化物。這個(gè)氧化物的金屬的負(fù)電性可以比用來(lái)捕集前驅(qū)體水平擴(kuò)散出的氧氣 的電極的金屬更高。至少在氧氣轉(zhuǎn)移之前，電極可以大體上沒(méi)有氧氣，但是電極可以在退火 期間形成氧化物。
[0070] 堆疊可以具有活性電極和惰性電極，活性電極在退火期間接收一些氧氣，惰性電 極基本上不參與氧氣轉(zhuǎn)移。惰性電極可以被稱為耐氧電極并且可以由氮化鈦、氮化鉭、鉑、 金等等制成。用于惰性電極的其它適合材料包括多種導(dǎo)電氧化物，例如，氧化銥和氧化釕。 在一些實(shí)施例中，惰性電極包括面向阻變層的氧化物亞層。電極的其余部分可以由這個(gè)氧 化物金屬形成并且基本上無(wú)氧。例如，初始組織可以由金屬制造并且然后被預(yù)處理以形成 氧化物層，由此產(chǎn)生惰性電極。然后這個(gè)電極接收前驅(qū)體層和在前驅(qū)體層上方形成的另一 活性電極。在隨后的退火期間，惰性電極不經(jīng)歷任何顯著的氧氣轉(zhuǎn)移，而活性電極從前驅(qū)體 層接收氧氣，由于前驅(qū)體層失去氧氣，因此它變換成阻變氧化物層。
[0071] 如果具有保護(hù)氧化物層的惰性電極是堆疊中首先形成的電極(例如，底部電極）， 那么它會(huì)作為金屬層首先被沉積，然后在氧氣中進(jìn)行短的低溫退火。另一方面，如果惰性電 極是堆疊中最后形成的電極(即，頂部電極），那么它的沉積可以在氧氣環(huán)境下開始(在含氧 等離子體中濺射）以形成最初的氧化物亞層，隨后在惰性環(huán)境中沉積以形成電極的剩余金 屬(和無(wú)氧)部分。
[0072] 活性電極可由與氧氣發(fā)生反應(yīng)的材料制成以形成非導(dǎo)電氧化物。適合材料的一些 示例包括錯(cuò)，鈦、鉭、絡(luò)、鐠、鉬、媽、和銀。
[0073] 前驅(qū)體層可以由諸如氧化鉭(Ta205)、氧化鈮(Nb205)、二氧化鈦(Ti02)、二氧化鉿 (Η??2)、鈦酸鍶(SrTi03)、或其它適合的過(guò)渡金屬氧化物、鈣鈦礦錳氧化物或稀土元素氧化 物等的材料制成。前驅(qū)體層可包括化學(xué)當(dāng)量的氧化物或近化學(xué)當(dāng)量的氧化物。例如，在它被 退火之前，前驅(qū)體層中的氧空缺可具有小于0.1原子百分比的濃度。
[0074] 退火可以在完全成形的堆疊或部分成形的堆疊上進(jìn)行，完全成形的堆疊包括兩個(gè) 電極和前驅(qū)體層，部分成形的堆疊只包括一個(gè)電極(第二個(gè)電極在退火之后形成）。這些堆 疊中還可以存在其它類型的層。如上所述，退火在相對(duì)溫和的條件下進(jìn)行，以實(shí)現(xiàn)對(duì)一個(gè)或 多個(gè)活性層和前驅(qū)體層之間的氧擴(kuò)散的更好控制。退火可以在前驅(qū)體層中形成有梯度的氧 空缺成分。
[0075] 當(dāng)某個(gè)轉(zhuǎn)換電壓(例如，設(shè)置電壓或重置電壓)被施加到阻變層時(shí)，阻變層改變它 的電阻狀態(tài)，如下面進(jìn)一步講解的。被施加的電壓引起層內(nèi)或在它與其它器件的兩個(gè)交界 面中的一個(gè)或兩個(gè)處的局部加熱。不受任何特定理論限制地，電場(chǎng)和局部加熱(兩者都由被 施加的電壓引起)的組合導(dǎo)致阻變層內(nèi)和/或其交界面處的多個(gè)導(dǎo)電通路的形成和損壞。依 靠移除阻變層內(nèi)的缺陷(例如，氧空缺)和通過(guò)阻變層與相鄰層形成的一個(gè)或多個(gè)交界面來(lái) 建立和損壞這些導(dǎo)電通路。
[0076] 交界面可以是惰性交界面或活性交界面。惰性交界面一般沒(méi)有通過(guò)這個(gè)交界面的 任合顯著的缺陷轉(zhuǎn)移。雖然缺陷可以存在于形成這個(gè)交界面的一個(gè)或兩個(gè)層中，但是當(dāng)轉(zhuǎn) 換電壓、讀電壓或其它類型的電壓被施加到ReRAM單元時(shí)，這些缺陷不會(huì)通過(guò)惰性交界面交 換。活性交界面一般經(jīng)歷通過(guò)這個(gè)交界面的缺陷轉(zhuǎn)移。當(dāng)阻變層包括含氧材料(例如，金屬 氧化物)時(shí)，活性交界面由氧氣活性材料(例如，鈦)形成。惰性交界面可以由非氧氣活性材 料形成，它可以是電極或擴(kuò)散阻礙層的一部分。在一些實(shí)施例中，通過(guò)活性交界面的缺陷通 量比通過(guò)惰性交界面的缺陷通量大兩個(gè)或更多數(shù)量級(jí)。正因?yàn)槿绱耍?惰性"和"活性"的命 名慣例是相對(duì)的。
[0077] 當(dāng)缺陷通過(guò)活性交界面移進(jìn)和移出阻變層時(shí)，惰性交界面提供對(duì)阻變層的控制。 例如，當(dāng)轉(zhuǎn)換電壓被施加到阻變層以便使它的電阻減小時(shí)，活性交界面允許缺陷流到層中。 缺陷通常被施加到層的電勢(shì)能驅(qū)動(dòng)并且形成通過(guò)層的導(dǎo)電通路。這個(gè)流動(dòng)的方向可以由轉(zhuǎn) 換電壓的極性和/或由缺陷的電荷(例如，帶正電氧空缺)確定。同時(shí)，盡管在驅(qū)動(dòng)勢(shì)能的作 用下，第二惰性交界面也阻止缺陷從層逃脫。如果兩個(gè)交界面都是活性的并都允許缺陷通 過(guò)，那么阻變層可以在一個(gè)交界面獲得缺陷并且在另一個(gè)交界面失去缺陷。在這種情況下， 層可能永遠(yuǎn)不能夠獲得足夠的缺陷來(lái)形成導(dǎo)電通路。
[0078] 上面的方案可以以非常類似的方式應(yīng)用到重置操作，在重置操作期間阻變層被帶 到它的高電阻狀態(tài)。當(dāng)轉(zhuǎn)換電壓被施加到層以便增加它的層電阻時(shí)，活性交界面允許缺陷 流出層。缺陷還可以被施加到層的電勢(shì)能驅(qū)動(dòng)，如上面描述的。缺陷的失去可能最終損壞層 中的導(dǎo)電通路。同時(shí)，盡管在驅(qū)動(dòng)勢(shì)能的作用下，第二惰性交界面也阻止缺陷進(jìn)入層。如果 兩個(gè)交界面都是活性的并且允許缺陷在重置操作期間通過(guò)，那么阻變層可以在一個(gè)交界面 獲得缺陷而在另一個(gè)交界面處失去缺陷，在這種情況下，層可能永遠(yuǎn)不能夠失去足夠的缺 陷以便損壞它的導(dǎo)電通路。
[0079] 交界面阻擋缺陷（作為惰性交界面）或允許缺陷擴(kuò)散通過(guò)交界面（作為活性交界 面)的能力取決于形成這個(gè)交界面的層以及阻變層的屬性。通常導(dǎo)電電極被用來(lái)形成活性 交界面和惰性交界面。這些電極可以被稱為活性電極或惰性電極并且用來(lái)形成這些電極的 材料可以被稱為活性材料和惰性材料。應(yīng)注意的是，這個(gè)術(shù)語(yǔ)（即活性和惰性)主要指的是 交界面的缺陷移動(dòng)屬性。一些示例的惰性電極材料包括參雜多晶硅、鉑、釕、氧化釕、金、銥、 銅、銀、和鎢。示例的活性電極材料包括鈦。而且，一些材料可以被定義成半惰性的，包括氮 化鉭、鉭硅氮化物、和鎢硅氮化物。在含氧阻變材料的情況下，例如，金屬氧化物，活性材料 也可以被稱為氧氣活性材料，因?yàn)檠鯕饣蜓蹩杖蓖ㄟ^(guò)活性交界面交換。鈦是氧氣活性材料 的一個(gè)示例，然而也可使用其他示例。
[0080]為了更好的理解與形成下面進(jìn)一步描述的非易失性存儲(chǔ)器元件的方法相關(guān)聯(lián)的 多種特征和結(jié)構(gòu)，提供了對(duì)ReRAM單元和它們的轉(zhuǎn)換機(jī)制的簡(jiǎn)要描述。ReRAM是非易失性存 儲(chǔ)器類型，它包括呈現(xiàn)阻變特性的電介質(zhì)材料。電介質(zhì)(通常是絕緣體)可以被制成在被施 加足夠高的電壓之后導(dǎo)通一個(gè)或多個(gè)細(xì)絲(filament)或?qū)щ娡?。?dǎo)電通路的形成可以產(chǎn) 生于不同的機(jī)制，包括在下面進(jìn)一步描述的缺陷、金屬迀移、和其它機(jī)制。一旦一個(gè)或多個(gè) 細(xì)絲或?qū)щ娡沸纬稍诖鎯?chǔ)器裝置的電介質(zhì)器件中，這些細(xì)絲或?qū)щ娡房梢酝ㄟ^(guò)施加某 些電壓而被重置(或損壞，導(dǎo)致高電阻)或設(shè)置(或再形成，導(dǎo)致較低的電阻）。不受任何特定 理論限制地，阻變被認(rèn)為與阻變層內(nèi)的，和在一些實(shí)施例中由于阻變電壓而橫穿一個(gè)形成 的交界面(當(dāng)轉(zhuǎn)換電壓被施加到層時(shí)）的缺陷迀移相對(duì)應(yīng)。
[0081 ]圖2示出了根據(jù)一些實(shí)施例的經(jīng)過(guò)雙級(jí)ReRAM單元的、作為被施加到ReRAM單元的 電壓的函數(shù)的電流的曲線。金屬-絕緣體-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)首先被制造成使得一定量的缺陷 嵌入在絕緣體層中。電壓可以被施加到MIM結(jié)構(gòu)，以例如通過(guò)將絕緣體層變成轉(zhuǎn)換層來(lái)從 Μ頂結(jié)構(gòu)形成電阻存儲(chǔ)器裝置。通過(guò)施加形成電壓Vform，隨機(jī)分布的缺陷能夠被轉(zhuǎn)變成較 低的電阻配置，例如采用細(xì)絲形式。
[0082] 較低電阻配置230可以被表征為用于電阻存儲(chǔ)器裝置的低電阻狀態(tài)(LRS)224,即 使當(dāng)電壓降低時(shí)低電阻狀態(tài)(LRS)224也繼續(xù)存在。LRS能夠表示存儲(chǔ)器裝置的邏輯狀態(tài)，例 如邏輯零（"0"）。
[0083] 在LRS下，當(dāng)另一電壓（例如Vreset)被施加時(shí)，電阻能夠轉(zhuǎn)變226成高電阻狀態(tài) (HRS)212,高電阻狀態(tài)212具有高電阻配置250,即使在電壓降低時(shí)高電阻狀態(tài)212也繼續(xù)存 在。HRS可以表示存儲(chǔ)器裝置的另一邏輯狀態(tài)，例如邏輯一（"1"）。重置電壓Vreset小于形成 電壓Vform。
[0084] 在HRS下，當(dāng)另一電壓（例如Vset)被施加時(shí)，電阻可以轉(zhuǎn)變228回到低電阻狀態(tài) (LRS)224,即使在電壓降低時(shí)低電阻狀態(tài)224也繼續(xù)存在。設(shè)置電壓Vset也小于形成電壓 Vform〇
[0085] 總的來(lái)說(shuō)，ReRAM單元可以在它的LRS和HRS之間來(lái)回多次轉(zhuǎn)換。例如，當(dāng)希望"接 通"單元(例如為了具有LRS)時(shí)，可以通過(guò)將設(shè)置電壓Vset施加到電極來(lái)進(jìn)行設(shè)置操作。設(shè) 置電壓的施加在阻變層中形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電通路。如果希望"關(guān)閉" ReRAM單元(例如為了 改變成HRS)，可以通過(guò)將重置電壓Vreset施加到電極來(lái)進(jìn)行重置操作。重置電壓的施加能 夠毀壞阻變層中的導(dǎo)電通路。
[0086] 重置電壓和設(shè)置電壓的極性在單極存儲(chǔ)器裝置(未示出）中可以是相同的，或者在 雙極裝置中可以是不同的。不受任何特定理論限制地，阻變被認(rèn)為是由于細(xì)絲形成和毀壞 而發(fā)生，而細(xì)絲形成和毀壞是由電場(chǎng)的施加而引起的。
[0087] 在這些狀態(tài)中的每個(gè)中（在轉(zhuǎn)換操作之間），可以進(jìn)行一次或多次讀操作或一次都 不進(jìn)行讀操作。在讀操作期間，通過(guò)將感測(cè)電壓施加到它的電極，可以感測(cè)到ReRAM單元的 狀態(tài)，或更具體地阻變層其電阻的電阻狀態(tài)。感測(cè)電壓有時(shí)候被稱為讀電壓Vread。
[0088] 在一些實(shí)施例中，設(shè)置電壓Vset在大約lOOmV和10V之間，或更具體地在大約500mV 和5V之間。設(shè)置電壓脈沖的長(zhǎng)度可以小于大約100毫秒，或更具體地小于大約5毫秒，甚至是 小于大約100納秒。讀電壓Vread可以在設(shè)置電壓Vset的大約0.1和0.5之間。在一些實(shí)施例 中，讀電流（Ι0Ν和I0FF)大于大約1mA，或更具體地大于大約5mA，以允許相當(dāng)小的感測(cè)放大 器快速檢測(cè)到狀態(tài)。讀電壓脈沖的長(zhǎng)度可以與對(duì)應(yīng)的設(shè)置電壓脈沖的長(zhǎng)度相差無(wú)幾，或可 以比寫電壓脈沖更短。ReRAM單元應(yīng)該能夠在LRS和HRS之間無(wú)故障地循環(huán)至少大約103次， 或更具體地至少大約107次。在熱應(yīng)力高達(dá)85°C而電應(yīng)力小時(shí)(例如不斷施加讀電壓），數(shù)據(jù) 保留時(shí)間應(yīng)為至少大約5年，或更具體地至少大約10年。其它考慮可以包括低電流泄露，例 如在HRS下對(duì)于每20A的氧化物厚度，在0.5V下測(cè)量的電流泄露小于大約40A/cm2。
[0089] 在一些實(shí)施例中，阻變?cè)?例如包括電阻存儲(chǔ)器裝置，該電阻存儲(chǔ)器裝置具有布 置在兩個(gè)電極之間的阻變?cè)?能夠被用在施密特觸發(fā)器電路中。阻變?cè)?或電阻存儲(chǔ)器 裝置)的非易失性遲滯特性能夠被用來(lái)生成施密特觸發(fā)器電路的遲滯轉(zhuǎn)移功能。
[0090] 圖3A-圖3C說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的阻變?cè)倪t滯行為。圖3A示出了阻變裝置 的示意圖，該阻變裝置包括電介質(zhì)層330,電介質(zhì)層330布置在兩個(gè)電極320和430之間。電介 質(zhì)層330能夠作為阻變?cè)僮鳎缧纬珊碗x解導(dǎo)電細(xì)絲以改變電阻。如圖3B和圖3C示出 了作為被施加到電極320和340的輸入電壓的函數(shù)的阻變裝置的電阻響應(yīng)。阻變裝置是雙極 阻變裝置，意思是設(shè)置電壓和重置電壓具有相反的極性。圖3B中，設(shè)置電壓Vset是負(fù)的而重 置電壓Vreset是正的。當(dāng)輸入電壓Vin大于重置電壓Vreset時(shí)，電阻從低值(LRS)轉(zhuǎn)換為高 值(HRS)。當(dāng)輸入電壓Vin的幅值大于（例如，更負(fù)于）設(shè)置電壓Vset的幅值時(shí)，電阻從高值 (HRS)轉(zhuǎn)換到低值(LRS)。電阻響應(yīng)形成非反相遲滯曲線。
[0091] 圖3C中，設(shè)置電壓Vset是正的而重置電壓Vreset是負(fù)的。當(dāng)輸入電壓Vin大于設(shè)置 電壓Vset時(shí)，電阻從高值(HRS)轉(zhuǎn)換到低值(LRS)。當(dāng)輸入電壓Vin的幅值大于(例如，更負(fù) 于)重置電壓Vreset的幅值時(shí)，電阻從低值(LRS)轉(zhuǎn)換為高值(HRS)。電阻響應(yīng)形成反相遲滯 曲線。因此，通過(guò)改變阻變裝置的極性能夠?qū)崿F(xiàn)非反相或反相響應(yīng)。
[0092]圖4A-圖4C說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有阻變?cè)氖┟芴赜|發(fā)器電路的示意 圖。圖4A示出了施密特觸發(fā)器電路400的示意框圖，施密特觸發(fā)器電路400包括阻變?cè)?20 和電流控制電路410。如同示出的，施密特觸發(fā)器電路400具有遲滯電阻-電壓轉(zhuǎn)移特性，例 如具有輸入電壓Vin和輸出電阻Rrs。在一些實(shí)施例中，可以省去電流控制電路410。
[0093]圖4B示出了施密特觸發(fā)器電路400的示例，施密特觸發(fā)器電路400包括耦接至電阻 器415的阻變?cè)?25(阻變?cè)?25布置在兩個(gè)電極之間）。阻變?cè)?25可具有可變電阻 Rrs，由通過(guò)阻變?cè)碾娏髟O(shè)置可變電阻Rrs。電阻器415能夠控制通過(guò)阻變?cè)?10的電 流。可從電阻器415得到輸出電壓Vout。
[0094]圖4C示出了施密特觸發(fā)器電路400的示例，施密特觸發(fā)器電路400包括耦接至控制 晶體管416的阻變?cè)?25(阻變?cè)?25布置在兩個(gè)電極之間）。阻變?cè)?25可以具有可變 電阻Rrs，由通過(guò)阻變?cè)碾娏髟O(shè)置可變電阻Rrs。電路可以連接至輸入電壓Vin和用于晶 體管416的門電壓Vg。通過(guò)阻變?cè)?10的電流可被控制晶體管416的門電壓Vg控制?？蓮目?制晶體管416得到輸出電壓Vout。
[0095]圖5A-圖5B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成和操作具有阻變?cè)姆且资允?密特觸發(fā)器電路的流程圖。阻變?cè)梢允遣贾迷趦蓚€(gè)電極之間的絕緣體或電介質(zhì)層。描 述的流程圖是對(duì)用來(lái)形成上述存儲(chǔ)器裝置的技術(shù)的一般性描述。流程圖描述用于形成取樣 維持電路的技術(shù)，該取樣維持電路一般包括阻變?cè)推渌闹С蛛娐?，例如電流控制裝 置。盡管描述了某些加工技術(shù)和規(guī)范，但是應(yīng)理解的是，也可以使用多種其它技術(shù)和文中描 述的技術(shù)的修改。
[0096] 圖5A示出了具有阻變?cè)姆且资允┟芴赜|發(fā)器電路的形成。施密特觸發(fā)器電 路可以取樣輸入電壓，并且設(shè)置與輸入電壓相對(duì)應(yīng)的阻變?cè)碾娮?。阻變?cè)捻憫?yīng)時(shí) 間可以是短的，例如，以皮秒范圍量級(jí)，取樣操作可以被視為瞬間的。
[0097] 操作500形成非易失性施密特觸發(fā)器電路。非易失性施密特觸發(fā)器電路可包括阻 變裝置和電流控制裝置，其中阻變裝置被配置成接受輸入電壓。電流控制裝置可以被配置 成生成輸出電壓。
[0098] 阻變?cè)砂ń^緣體層，例如1102、!1?)2、211〇2)1203、鈦酸鍶(31'0)、銦鎵鋅氧 化物（IGZ0)、或Sn02的金屬氧化物層。絕緣體層可包括過(guò)渡金屬氧化物。絕緣體層的厚度可 以在3nm和30nm之間。在一些實(shí)施例中，絕緣體層可包括金屬和金屬氧化物層、氧屬元素和 鈣鈦礦層的任意組合。
[0099] 在形成絕緣體層之后可選地進(jìn)行處理。處理可包括等離子體處理或高溫處理。例 如，處理可包括在氧氣環(huán)境中在300C下快速熱氧化。處理可以在第一電極層的沉積之后在 原位置進(jìn)行。處理可包括氧自由基退火，例如氧氣環(huán)境中的等離子體退火。
[0100] 在一些實(shí)施例中，可以通過(guò)PVD或ALD工藝沉積絕緣體層。例如，ALD工藝可包括03 氧化劑，沉積溫度為大約250-300C，并且使用四（乙基甲基氨基)鋯(TEMAZ)前驅(qū)體、三(二甲 基氨基）環(huán)戊二烯基鋯前驅(qū)體、四（乙基甲基氨基）鉿(TEMAHf)前驅(qū)體、四（二甲基氨基）鉿 (TDMAHf)前驅(qū)體。
[0101] 絕緣體可形成于兩個(gè)電極之間。電極可以是多晶硅層或含金屬層。例如，電極可以 是高度參雜的多晶硅層，使用常規(guī)的化學(xué)氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)類型的多晶硅 沉積技術(shù)形成高度參雜的多晶硅層。替代地，電極可以包括TiN、TaN、Ni、Pt、或Ru。也可使用 其他元素，例如!^1、1〇02、1、？〇17-3丨、113丨1了 &3丨~或可使用?￥0或其它工藝形成的它們 的任意組合、混合物或合金，以及它們。其它加工技術(shù)，例如，ALD、脈沖層沉積(PLD)、物理氣 相沉積(PVD)、CVD、蒸發(fā)等也能夠用來(lái)沉積電極。電極可具有任何厚度，例如在大約5nm和大 約500nm厚之間。
[0102] 圖5B示出了具有阻變?cè)姆且资允┟芴赜|發(fā)器電路的操作。在輸入電壓被施 加到施密特觸發(fā)器電路之后，可提供電阻響應(yīng)。
[0103] 操作530提供具有阻變裝置和電流控制裝置的電路。電路可以是非易失性施密特 觸發(fā)器電路。操作540將輸入電壓施加到電路，以實(shí)現(xiàn)施密特觸發(fā)器功能，其中電路具有電 阻-電壓曲線的轉(zhuǎn)移功能。
[0104] 在一些實(shí)施例中，非易失性施密特觸發(fā)器電路可包括變換器電路，變換器電路可 操作地對(duì)阻變電路的電阻響應(yīng)進(jìn)行變換，例如以從電阻輸出Rrs生成電壓輸出Vout。因此當(dāng) 接收到輸入信號(hào)，例如輸入電壓時(shí)，可從阻變?cè)脑O(shè)置電阻生成輸出電壓，其中阻變?cè)?已經(jīng)被設(shè)置成具有與輸入信號(hào)相對(duì)應(yīng)的電阻。輸出電壓響應(yīng)可以是非線性的，因?yàn)槿缟厦?討論的，阻變?cè)牡湫晚憫?yīng)是非線性的?？捎镁哂泻线m的補(bǔ)償響應(yīng)的附加電路來(lái)實(shí)現(xiàn)線 性響應(yīng)。
[0105] 變換器電路可包括電壓源(連續(xù)的或脈沖的）、電流源(連續(xù)的或脈沖的）或任何其 它的電路。例如，電阻存儲(chǔ)器裝置的讀電路可被用來(lái)將阻變?cè)碾娮枳儞Q成電壓或電流。 在取樣時(shí)間段之后(例如，在阻變?cè)憫?yīng)取樣信號(hào)之后），可以向阻變?cè)峁┳儞Q器電 路。
[0106] 圖6A-圖6C說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有變換器電路的非易失性施密特觸發(fā)器電 路的示意圖。圖6A示出了電路600的簡(jiǎn)化的框圖，電路600能夠使用阻變?cè)峁┓且资?施密特觸發(fā)器功能。電路600可包括阻變電路610，例如，具有阻變?cè)碾娐?。阻變電?10 還可包括電流控制電路，以控制經(jīng)過(guò)阻變?cè)碾娏?。阻變電?10可操作地接受輸入電壓 Vin，并提供與輸入信號(hào)Vin相對(duì)應(yīng)的電阻響應(yīng)Rrs。阻變電路610可與上面討論的具有電阻-電壓轉(zhuǎn)移功能的電路相似。
[0107] 電路600可包括變換器電路630,變換器電路630可操作地對(duì)阻變電路610進(jìn)行變 換，例如將阻變?cè)碾娮枳儞Q成希望的響應(yīng)，例如輸出電壓或輸出電流。變換器電路630 可包括電壓源或電流源，電壓源或電流源是連續(xù)的或脈沖的，并且能夠向阻變?cè)峁┬?號(hào)以生產(chǎn)電壓或電流，該電壓或電流與阻變?cè)碾娮璧闹迪鄬?duì)應(yīng)。例如，如果變換器電路 包括線性電流源，那么可以生成與電阻成線性比例的電壓。如果變換器電路包括非線性源， 那么可生成對(duì)電阻的非線性信號(hào)。
[0108] 在一些實(shí)施例中，當(dāng)施加輸入電壓Vin時(shí)，阻變電路610可生成電阻響應(yīng)Rrs，電阻 響應(yīng)Rrs具有與輸入信號(hào)Vin相對(duì)應(yīng)的電阻值。變換器電路630可將電阻Rrs變換成希望的信 號(hào)，例如輸出電壓Vout。
[0109] 圖6B示出了電路605的簡(jiǎn)化電路圖，電路605能夠使用阻變?cè)峁┓且资允┟?特觸發(fā)器功能。電路605可包括阻變電路，例如，具有阻變?cè)?15和晶體管617的電路，晶體 管617作為電流控制電路，用來(lái)控制經(jīng)過(guò)阻變?cè)?15的電流。阻變電路可操作地接受輸入 電壓Vin，以將阻變?cè)?15的電阻設(shè)置成與輸入信號(hào)Vin相對(duì)應(yīng)，例如作為輸入信號(hào)Vin的 函數(shù)。
[0110]電路605可包括變換器電路635,變換器電路635可將阻變?cè)?15的電阻值變換成 希望的輸出信號(hào)。變換器電路635可包括電壓源637或638,電壓源637或638能夠提供信號(hào)， 以從阻變?cè)?15生成希望的信號(hào)。可以包括一組開關(guān)680A和680B，以使阻變?cè)?15在阻 變電路(包括Vin和晶體管617)和變換器電路635之間切換。在一個(gè)切換位置中，變換器電路 635被配置成控制阻變?cè)?15,例如，用于將電壓或電流施加到阻變?cè)?15。在其它切換 位置中，阻變電路被配置成控制阻變?cè)?15,例如用于將阻變?cè)O(shè)置成具有與輸入電壓 Vin相對(duì)應(yīng)的電阻。
[0111] 在一些實(shí)施例中，操作中，當(dāng)施加輸入電壓Vin時(shí)，阻變?cè)?15的電阻被設(shè)置成與 電壓Vin相互關(guān)聯(lián)的電阻Rrs。然后變換器電路635能夠?qū)⒃O(shè)置電阻變換成希望的輸出，例如 輸出電壓。
[0112] 圖6C示出了電路605的簡(jiǎn)化電路圖，電路605能夠使用阻變?cè)峁┓且资允┟?特觸發(fā)器功能。電路605可包括阻變電路，例如，具有阻變?cè)?15和晶體管618的電路，晶體 管618能夠作為電流控制電路，用來(lái)控制經(jīng)過(guò)阻變?cè)?15的電流。電路606的操作與前面的 電路605相似。
[0113] 圖7A-圖7B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的非易失性施密特觸發(fā)器電路的響應(yīng)。輸出電 壓Vout被示出為輸入電壓Vin的函數(shù)。響應(yīng)曲線具有遲滯形式，在輸入電壓的設(shè)置電壓和重 置電壓下，在輸出電壓的HRS和LRS值之間轉(zhuǎn)換?？扇Q于阻變裝置的極性生成非反相（圖 7A)和反相（圖7B)遲滯響應(yīng)。
[0114]圖8A-圖8B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成和操作具有阻變?cè)姆且资允?密特觸發(fā)器電路的流程圖。圖8A示出了具有阻變?cè)姆且资允┟芴赜|發(fā)器電路的形 成。施密特觸發(fā)器電路可操作地接受輸入電壓，并且生產(chǎn)具有遲滯曲線的輸出電壓。
[0115] 操作800形成非易失性施密特觸發(fā)器電路。非易失性施密特觸發(fā)器電路可包括阻 變電路和變換器電路。阻變電路可操作以響應(yīng)于輸入電壓Vin生成電阻Rrs。變換器電路可 操作地將阻變電路的電阻變換成輸出電壓。還可以包括切換電路，以在變換器電路和阻變 電路之間切換對(duì)阻變?cè)目刂啤?br>[0116] 非易失性施密特觸發(fā)器電路可作為施密特觸發(fā)器電路操作，例如包括取樣輸入電 壓和生成具有施密特觸發(fā)器響應(yīng)曲線的輸出電壓的功能。
[0117] 圖8B示出了具有阻變?cè)姆且资允┟芴赜|發(fā)器電路的操作。輸入電壓被施加 到施密特觸發(fā)器電路，它可用來(lái)設(shè)置阻變?cè)碾娮琛?br>[0118] 操作830提供具有阻變電路和變換器電路的電路。電路可以是非易失性施密特觸 發(fā)器電路。操作840將輸入電壓施加到阻變?cè)栽O(shè)置阻變?cè)碾娮琛？梢赃M(jìn)行可選的切 換操作，以控制阻變?cè)D(zhuǎn)換到阻變電路。
[0119] 操作850例如通過(guò)將電流或電壓施加到阻變?cè)?lái)讀阻變?cè)瑥亩鴮⒆枳冸娐?的電阻變換成輸出電壓?？梢赃M(jìn)行可選的切換操作，以使對(duì)阻變?cè)目刂妻D(zhuǎn)換至變換器 電路。
[0120] 在一些實(shí)施例中，切換操作可以是循環(huán)的，例如周期地在阻變電路和變換器電路 之間轉(zhuǎn)換。切換操作能夠生成數(shù)字施密特觸發(fā)器輸出，由于切換操作數(shù)字施密特觸發(fā)器輸 出是脈沖輸出。輸入電壓可以是模擬的或數(shù)字的。
[0121 ] 在一些實(shí)施例中，提供了形成比較器電路的方法，和由該方法產(chǎn)生的比較器電路， 其中阻變?cè)膶傩?例如，設(shè)置或重置閾值電壓)可以被用作參考信號(hào)。例如，比較器電路 可將輸入信號(hào)與阻變?cè)脑O(shè)置或重置閾值電壓相比較。進(jìn)一步，可以分別通過(guò)之前的重 置或設(shè)置操作來(lái)修改設(shè)置或重置閾值電壓，由此產(chǎn)生具有可調(diào)節(jié)參考電壓的比較器電路。
[0122] 在一些實(shí)施例中，比較器電路還可包括重置電路，重置電路可操作地設(shè)置或重置 阻變?cè)碾娮锠顟B(tài)。例如，可包括重置電路以在進(jìn)行比較器操作之前設(shè)置阻變?cè)?將阻變?cè)糜诘碗娮锠顟B(tài)（高電導(dǎo)率狀態(tài)）。阻變?cè)恢糜谧鳛槌跏紶顟B(tài)的低電阻狀 態(tài)。輸入電壓可以開始增加(在幅值方面，正值更高或負(fù)值更低），直到達(dá)到重置閾值電壓為 止，這可以從阻變?cè)身憫?yīng)。替代地，可以包括重置電路，以在進(jìn)行比較器操作之前重 置阻變?cè)?，例如，將阻變?cè)糜诟叩碾娮锠顟B(tài)(低電導(dǎo)率狀態(tài)）。阻變?cè)恢糜谧鳛槌?始狀態(tài)的高電阻狀態(tài)。輸入電壓可開始增加(在幅值方面，正值更高或負(fù)值更低），直到達(dá)到 設(shè)置閾值電壓為止，這可以從阻變?cè)身憫?yīng)。
[0123] 阻變電路可包括阻變?cè)涂蛇x的電流控制裝置。電流控制裝置可包括電阻器、 晶體管或其它電路元件。電流控制裝置可操作地控制通過(guò)阻變?cè)碾娏鳌＠?，電流控?裝置可以與阻變?cè)?lián)連接，因此依靠對(duì)通過(guò)電流控制裝置的電流進(jìn)行控制來(lái)調(diào)節(jié)通過(guò) 阻變?cè)碾娏?。在一些?shí)施例中，例如，如果通過(guò)阻變?cè)碾娏骺梢酝ㄟ^(guò)阻變?cè)膬?nèi) 電阻限制，電流控制裝置可以被省去。
[0124] 在典型的操作中，輸入電壓可以被施加到阻變?cè)＠?，?dāng)輸入電壓超過(guò)(在幅 值方面)阻變?cè)脑O(shè)置或設(shè)置閾值電壓時(shí)，可以從阻變?cè)奢敵鲰憫?yīng)。
[0125] 在一些實(shí)施例中，可以包括切換電路以在阻變電路(例如，用于將阻變?cè)罱又?輸入電壓以設(shè)置阻變?cè)碾娮?和重置電路(例如，用于將阻變?cè)O(shè)置為希望的初始狀 態(tài))之間轉(zhuǎn)換對(duì)阻變?cè)目刂啤?br>[0126] 在一些實(shí)施例中，可以進(jìn)行一次切換操作，例如首先切換至重置電路以設(shè)置用于 阻變?cè)某跏贾?，然后切換至阻變電路以執(zhí)行比較器功能。
[0127] 在一些實(shí)施例中，切換操作可以是循環(huán)的，例如周期地在重置電路(用來(lái)設(shè)置用于 阻變?cè)某跏贾?和阻變電路(用來(lái)執(zhí)行比較器功能)之間轉(zhuǎn)換。例如，可以在每個(gè)比較器 功能之后執(zhí)行重置功能。
[0128] 在一些實(shí)施例中，本發(fā)明使阻變材料的使用擴(kuò)展到眾所周知的非易失性存儲(chǔ)器裝 置中的應(yīng)用之外，并且將阻變材料應(yīng)用到混合晶體管-阻變邏輯電路的實(shí)施。提供了形成阻 變比較器電路的方法，它可以表示走向真正的混合晶體管-阻變電子器件的實(shí)施的基礎(chǔ)構(gòu) 件塊。
[0129] 在一些實(shí)施例中，本比較器電路可以是數(shù)字裝置(與常規(guī)模擬比較器相反），本比 較器生成數(shù)字形式的比較器輸出電壓曲線。換句話說(shuō)，輸出電阻或電壓是脈沖的，例如從得 到輸入值以設(shè)置電阻和生成輸出電壓的循環(huán)操作切換。輸入電壓可以是數(shù)字的（例如，脈沖 的)或模擬的（例如，連續(xù)的）。本比較器電路可以基于阻變?cè)脑O(shè)置閾值電壓或基于阻變 元件的重置閾值電壓。
[0130] 與傳統(tǒng)比較器相比，本比較器電路可具有緊湊的結(jié)構(gòu)。本比較器電路可消除對(duì)外 部參考電壓的需要，因?yàn)橛糜谧枳冊(cè)牡碗娮锠顟B(tài)(LRS)和高電阻狀態(tài)(HRS)的閾值是比 較器電路的閾值。進(jìn)一步，設(shè)置和重置閾值電壓可以由阻變?cè)膶傩詻Q定，在重置/設(shè)置 階段期間也可分別由之前的重置/設(shè)置操作控制。因此，通過(guò)施加適合的電氣控制，Vset_ threshold和Vreset_threshoId可以被調(diào)制，例如通過(guò)改變比較器的參考電壓Vref產(chǎn)生調(diào) 制。
[0131 ]圖10說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的經(jīng)過(guò)單極ReRAM單元的、作為被施加到ReRAM單元的 電壓的函數(shù)的電流的曲線。較低的電阻配置1030可以表征成用于電阻存儲(chǔ)器裝置的低電阻 狀態(tài)(LRS)1024。
[0132] 在LRS下，當(dāng)另一電壓(例如Vreset)被施加時(shí)，電阻可以轉(zhuǎn)變1026至具有高電阻配 置1050的高電阻狀態(tài)(HRS) 1012。在HRS下，當(dāng)另一電壓(例如Vset)被施加時(shí)，電阻可以轉(zhuǎn)變 1028回到低電阻狀態(tài)(LRS) 1024。
[0133] 圖11A-圖11B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的阻變?cè)谋容^器行為。這些圖示出了作 為被施加到阻變?cè)碾姌O的輸入電壓的函數(shù)的阻變裝置的電阻響應(yīng)。阻變裝置可以是單 極或雙極阻變裝置。圖11A中，當(dāng)輸入電壓Vin(在幅值方面)大于設(shè)置電壓Vset時(shí)，電阻從高 值(HRS)轉(zhuǎn)換到低值(LRS)。圖11B中，當(dāng)輸入電壓Vin(在幅值方面)大于重置電壓Vreset時(shí)， 電阻從低值(LRS)轉(zhuǎn)換到高值(HRS)。
[0134] 圖12A-圖12C說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有阻變?cè)谋容^器電路的示意圖。圖 12A示出了比較器電路1200的示意框圖，比較器電路1200包括阻變?cè)?220和電流控制電 路1210。如同示出的，比較器電路1200具有電阻-電壓轉(zhuǎn)移特性，例如，具有輸入電壓Vin和 輸出電阻Rrs。在一些實(shí)施例中，電流控制電路1210可以被省去。
[0135] 圖12B示出了比較器電路1200的示例，比較器電路1200包括耦接至電阻器1215的 阻變?cè)?225(阻變?cè)?225布置在兩個(gè)電極之間）。阻變?cè)?225可具有可變電阻Rrs，可 以憑借通過(guò)阻變?cè)碾娏髟O(shè)置可變電阻Rrs。電阻器1215能夠控制能夠通過(guò)阻變?cè)?1210的電流?？梢詮碾娮杵?215得到輸出電壓Vout。
[0136] 圖12C示出了比較器電路1200的示例，比較器電路1200包括耦接至控制晶體管 1216的阻變?cè)?225(阻變?cè)?225布置在兩個(gè)電極之間）。電路可以連接至輸入電壓Vin 和用于晶體管1216的門電壓Vg?？梢詰{借控制晶體管1216的門電壓Vg對(duì)通過(guò)阻變?cè)?210 的電流進(jìn)行控制?？梢詮目刂凭w管1216得到輸出電壓Vout。
[0137] 圖13A-圖13C說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有重置電路的非易失性比較器的示意 圖。圖13A示出了電路1300的簡(jiǎn)化框圖，電路1300能夠使用阻變?cè)峁┓且资员容^器功 能。電路1300可包括阻變電路1310，例如具有阻變?cè)碾娐贰Ｗ枳冸娐?310還可包括電流 控制電路，以控制經(jīng)過(guò)阻變?cè)碾娏?。阻變電?310可操作地接受輸入電壓Vin，并提供 與輸入信號(hào)Vin相對(duì)應(yīng)的電阻響應(yīng)Rrs。阻變電路1310可以與上面討論的具有電阻-電壓轉(zhuǎn) 移功能的電路相似。
[0138] 電路1300可包括重置電路1330,重置電路1330可操作地重置阻變電路1310,例如， 重置阻變電路1310中的阻變?cè)碾娮琛Ｖ刂秒娐?330可包括電壓源或電流源，電壓源或 電流源是連續(xù)的或脈沖的，并且可提供信號(hào)以使阻變?cè)D(zhuǎn)變至高電阻狀態(tài)。
[0139] 在一些實(shí)施例中，重置電路1330可以重置阻變電路1310,例如等于或大于(在幅值 方面)能夠設(shè)置或重置阻變?cè)碾妷旱碾妷嚎梢员皇┘拥阶枳冊(cè)詫⒆枳冊(cè)謩e置 于低或高電阻值。當(dāng)重置阻變?cè)r(shí)，阻變電路1310可生成電阻響應(yīng)Rrs，電阻響應(yīng)Rrs具有 與輸入信號(hào)Vin相對(duì)應(yīng)的電阻值。
[0140]圖13B示出了電路1305的簡(jiǎn)化電路圖，電路1305使用阻變?cè)峁┓且资员容^ 器功能。電路1305可包括阻變電路，例如，具有阻變?cè)?315和晶體管1317的電路，晶體管 1317作為電流控制電路，用來(lái)控制經(jīng)過(guò)阻變?cè)?315的電流。阻變電路可操作地接受輸入 電壓Vin以將阻變?cè)?315的電阻設(shè)置成與輸入信號(hào)Vin相對(duì)應(yīng)，例如作為輸入信號(hào)Vin的 函數(shù)。
[0141] 電路1305可包括重置電路1335,重置電路1335能夠?qū)⒆枳冊(cè)?315的電阻值重置 至初始值。重置電路1335可包括電壓源1337或1338,電壓源1337或1338能夠提供電壓或電 流以設(shè)置或重置阻變?cè)?315?？梢园ㄒ唤M開關(guān)1380A和1380B以使阻變?cè)?315在阻變 電路(包括Vin和晶體管1317)和重置電路1335之間切換。在一個(gè)切換位置中，重置電路1335 被配置以控制阻變?cè)?315,例如用于將電壓或電流施加到阻變?cè)?315。在另一切換位 置中，阻變電路被配置以控制阻變?cè)?315,例如，用于將阻變?cè)O(shè)置成具有與輸入電壓 Vin相對(duì)應(yīng)的電阻。
[0142] 在一些實(shí)施例中，操作中，在重置阻變?cè)碾娮柚?，?dāng)施加輸入電壓Vin時(shí)，阻 變?cè)?315的電阻被設(shè)置成與電壓Vin相互關(guān)聯(lián)的電阻Rrs。
[0143] 圖13C示出了電路1305的簡(jiǎn)化的電路圖，電路1305能夠使用阻變?cè)峁┓且资?性比較器功能。電路1306可以包括阻變電路，例如具有阻變?cè)?315和電阻器1318的電路， 電阻器1318能夠作為電流控制電路，用來(lái)控制經(jīng)過(guò)阻變?cè)?315的電流。電路1306的操作 可以與前面的電路1305類似。
[0144] 在一些實(shí)施例中，提供了比較器電路，比較器電路基于阻變?cè)脑O(shè)置閾值。當(dāng)輸 入電壓(在幅值方面)大于阻變?cè)脑O(shè)置閾值電壓時(shí)，可以發(fā)生電壓轉(zhuǎn)變，導(dǎo)致在輸入電 壓和設(shè)置閾值電壓之間的比較器功能。
[0145] 圖14A-圖14B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的非易失性比較器電路的響應(yīng)。輸出電阻R或 輸出電壓Vout被示出為輸入電壓Vin的函數(shù)。響應(yīng)曲線具有比較器形式，在輸入電壓的設(shè)置 電壓下，在輸出電壓的HRS和LRS值之間轉(zhuǎn)換。
[0146] 圖15A-圖15B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成和操作具有阻變?cè)姆且资?比較器電路的其它流程圖。圖15A示出了具有阻變?cè)姆且资员容^器電路的形成。比較 器電路可操作地接受輸入電壓，并且生成具有比較器曲線的輸出電壓。
[0147] 操作1500形成非易失性比較器電路。非易失性比較器電路可包括阻變?cè)椭刂?電路。重置電路可操作地將阻變電路中的阻變?cè)刂弥粮叩碾娮锠顟B(tài)。阻變電路可操作 以響應(yīng)于輸入電壓Vin生成輸出電壓Vout。也可以包括切換電路，以在重置電路和阻變電路 之間切換對(duì)阻變?cè)目刂啤?br>[0148] 非易失性比較器電路可作為比較器電路操作，例如包括取樣輸入電壓和生成具有 比較器響應(yīng)曲線的輸出電壓的功能。
[0149] 圖15B示出了具有阻變?cè)姆且资员容^器電路的操作。輸入電壓被施加到比 較器電路，比較器電路能夠被用來(lái)生成輸入電壓和阻變?cè)脑O(shè)置閾值電壓之間的比較器 輸出。
[0150] 操作1530提供具有阻變電路和重置電路的電路。電路可以是非易失性比較器電 路。操作1540重置阻變電路，例如將重置電壓施加到阻變?cè)允棺枳冊(cè)D(zhuǎn)變至高電阻 狀態(tài)。可以進(jìn)行可選的切換操作，以將對(duì)阻變?cè)目刂妻D(zhuǎn)換至重置電路。
[0151] 操作1540將輸入電壓施加到阻變?cè)陨奢斎腚妷汉妥枳冊(cè)脑O(shè)置閾值電 壓之間的比較器輸出?？梢赃M(jìn)行可選的切換操作，以將對(duì)阻變?cè)目刂妻D(zhuǎn)換至阻變電路。 在一些實(shí)施例中，切換操作可以進(jìn)行一次。在一些實(shí)施例中，切換操作可以是循環(huán)的。
[0152] 在一些實(shí)施例中，可以包括閾值設(shè)置電路以改變比較器電路的設(shè)置或重置閾值。 由于可以通過(guò)之前的重置或設(shè)置操作分別改變?cè)O(shè)置或重置閾值，因此閾值設(shè)置電路可以與 可控重置電路相似。
[0153] 圖16A-圖16B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有重置電路和閾值設(shè)置電路的非易失性 比較器電路的示意圖。圖16A示出了電路1600的簡(jiǎn)化框圖，電路1600能夠使用阻變?cè)峁?非易失性比較器功能。電路1600可以包括阻變電路1610,例如具有阻變?cè)碾娐?。阻變?路1610還可以包括電流控制電路以控制經(jīng)過(guò)阻變?cè)碾娏?。阻變電?610可操作地接受 輸入電壓Vin，并且提供與輸入信號(hào)Vin相對(duì)應(yīng)的輸出響應(yīng)Vout。
[0154] 電路1600可以包括重置電路1630,重置電路1630可操作地重置阻變?cè)碾娮锠?態(tài)。因此，可以包括重置電路以在施加輸入電壓之前重置阻變?cè)?，例如，將阻變?cè)糜?高電阻狀態(tài)(低電導(dǎo)率狀態(tài)）中。
[0155] 電路1600可包括閾值設(shè)置電路1640，閾值設(shè)置電路1640可操作地修改阻變電路 1610的設(shè)置閾值，例如，改變阻變?cè)腍RS轉(zhuǎn)換至LRS時(shí)的電壓。閾值設(shè)置電路1640可以包 括電壓源或電流源，電壓源或電流源是連續(xù)的或脈沖的，并且可以向阻變?cè)峁┬盘?hào)以 生成與阻變?cè)碾娮璧闹迪鄬?duì)應(yīng)的電壓或電流。
[0156] 在一些實(shí)施例中，在將阻變電路重置到高電阻狀態(tài)之后，當(dāng)施加輸入電壓Vin時(shí)， 阻變電路1610能夠生成輸出電壓響應(yīng)Vout，輸出電壓響應(yīng)Vout表示與阻變?cè)脑O(shè)置電壓 的比較器信號(hào)。
[0157] 圖16B示出了電路1605的簡(jiǎn)化電路圖，電路1605能夠使用阻變?cè)峁┓且资?比較器功能。電路1605可以包括阻變電路，例如，具有阻變?cè)?615和晶體管1617(或電阻 器，未示出）的電路，晶體管1617作為電流控制電路，用來(lái)控制經(jīng)過(guò)阻變?cè)?615的電流。阻 變電路可操作地接受輸入電壓Vin以將阻變?cè)碾娮柙O(shè)置成與輸入信號(hào)Vin相對(duì)應(yīng)，例如 為輸入信號(hào)Vin的函數(shù)。
[0158] 電路1605可包括重置電路1635,重置電路1635能夠重置阻變?cè)?615。重置電路 1635可包括電壓源1637或1638?？梢园ㄒ唤M開關(guān)1680A和1680B以在阻變電路(包括Vin和 晶體管1617)和重置電路1635之間切換阻變?cè)?615。
[0159] 電路1605可包括閾值設(shè)置電路1635,閾值設(shè)置電路1635能夠修改阻變?cè)?615的 設(shè)置閾值。閾值設(shè)置電路1635可包括電壓源1637或1638?？梢园ㄒ唤M開關(guān)1680A和1680B 以在阻變電路(包括Vin和晶體管1617)和閾值設(shè)置電路1635之間切換阻變?cè)?615。
[0160] 在一些實(shí)施例中，操作時(shí)，阻變?cè)脑O(shè)置閾值被修改成希望的值。阻變?cè)€被 重置至高電阻狀態(tài)。然后當(dāng)施加輸入電壓Vin時(shí)，輸出電壓可以被生成，輸出電壓具有輸入 電壓和設(shè)置閾值電壓之間的比較形式。
[0161] 圖17說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的非易失性比較器電路的響應(yīng)。輸出電壓Vout被示出 為輸入電壓Vin的函數(shù)。響應(yīng)曲線具有比較器形式，在設(shè)置閾值電壓下，在零和Vm之間轉(zhuǎn)換。 示出了不同的設(shè)置閾值電壓Vsetl、Vset2、和Vset3,表示具有不同設(shè)置閾值操作的不同響 應(yīng)曲線。
[0162] 圖18A-圖18B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成和操作具有阻變?cè)姆且资?比較器電路的流程圖。圖18A示出了具有阻變?cè)姆且资员容^器電路的形成。比較器電 路可操作地接受輸入電壓，并且生成具有比較器曲線的輸出電壓。
[0163] 操作1800形成非易失性比較器電路。非易失性比較器電路可包括阻變電路，重置 電路，和設(shè)置閾值電路。阻變電路可以操作以響應(yīng)于輸入電壓Vin生成電阻Rrs。重置電路可 操作地將阻變?cè)刂弥粮唠娮锠顟B(tài)。設(shè)置閾值電路可操作地修改阻變?cè)脑O(shè)置閾值電 壓。還可以包括切換電路以在重置電路、閾值設(shè)置電路和阻變電路之間切換對(duì)阻變?cè)?控制。
[0164] 非易失性比較器電路可作為比較器電路操作，例如，包括取樣輸入電壓和生成具 有比較器響應(yīng)曲線的輸出電壓的功能。
[0165] 圖18B示出了具有阻變?cè)姆且资员容^器電路的操作。輸入電壓被施加到比 較器電路，比較器電路可以被用來(lái)生成輸入電壓和阻變?cè)闹刂瞄撝惦妷褐g的比較器 輸出。
[0166] 操作1830提供具有阻變電路、重置電路和閾值設(shè)置電路的電路。電路可以是非易 失性比較器電路。
[0167] 操作1840設(shè)置，例如修改用于阻變?cè)拈撝惦妷骸？梢栽陂撝翟O(shè)置操作之前，進(jìn) 行可選的切換操作來(lái)將對(duì)阻變?cè)目刂妻D(zhuǎn)換至設(shè)置閾值電路。
[0168] 操作1850重置阻變電路的電阻，從而將阻變?cè)糜诟唠娮锠顟B(tài)?？梢赃M(jìn)行可選 的切換操作，以將對(duì)阻變?cè)目刂妻D(zhuǎn)換至重置電路。
[0169] 操作1860將輸入電壓施加到阻變?cè)陨奢敵鲭妷?，輸出電壓是由于輸入電?和設(shè)置閾值電壓之間的比較產(chǎn)生的?？梢赃M(jìn)行可選的切換操作以將對(duì)阻變?cè)目刂妻D(zhuǎn)換 至阻變電路。
[0170] 在一些實(shí)施例中，切換操作可以進(jìn)行一次或是循環(huán)的。例如，可以進(jìn)行一次閾值設(shè) 置操作，并且重置操作可以是循環(huán)的（例如在生成輸出電壓之前）。
[0171] 在一些實(shí)施例中，提供了比較器電路，比較器電路基于阻變?cè)闹刂瞄撝怠．?dāng)輸 入電壓(在幅值方面)大于阻變?cè)闹刂瞄撝惦妷簳r(shí)，可以發(fā)生電壓轉(zhuǎn)變，從而引起輸入 電壓和重置閾值電壓之間的比較器功能。
[0172]圖19A-圖19B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的非易失性比較器電路的響應(yīng)。輸出電阻R或 輸出電壓Vout被示出為輸入電壓Vin的函數(shù)。響應(yīng)曲線具有比較器形式，在輸入電壓的重置 電壓下，從輸出電壓的LRS值和HRS值轉(zhuǎn)換。
[0173]圖20A-圖20B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有重置電路和變換器電路的非易失性比 較器電路的示意圖。圖20A示出了電路2000的簡(jiǎn)化框圖，電路2000能夠使用阻變?cè)峁┓?易失性比較器功能。電路2000可以包括阻變電路2010，例如具有阻變?cè)碾娐贰Ｗ枳冸娐?2010還可以包括電流控制電路以控制經(jīng)過(guò)阻變?cè)碾娏?。阻變電?010可操作地接受輸 入電壓Vin，并且提供與輸入信號(hào)Vin相對(duì)應(yīng)的輸出響應(yīng)Vout。
[0174] 電路2000可以包括重置電路2030,重置電路2030可操作地重置阻變?cè)碾娮锠?態(tài)。因此，可以包括重置電路以在施加輸入電壓之前設(shè)置阻變?cè)鐚⒆枳冊(cè)糜诘?電阻狀態(tài)。
[0175] 電路2000可以包括變換器電路2050,變換器電路2050可操作地將非易失性電阻值 變換成任何希望的輸出。例如，具有電流源的變換器電路可以耦接至阻變?cè)陨奢敵?電壓，例如將輸出電阻變換成輸出電壓。
[0176] 在一些實(shí)施例中，在將阻變電路重置至低電阻狀態(tài)之后，當(dāng)施加輸入電壓Vin時(shí)， 阻變電路2010能夠生成輸出電阻響應(yīng)Rrs，輸出電阻響應(yīng)Rrs能夠被變換成輸出電壓Vout， 輸出電壓Vout表示與阻變?cè)闹刂秒妷旱谋容^器信號(hào)。
[0177] 圖20B示出了電路2005的簡(jiǎn)化電路圖，電路2005能夠使用阻變?cè)峁┓且资?比較器功能。電路2005可以包括阻變電路，例如具有阻變?cè)?015和晶體管2017(或電阻 器，未示出）的電路，晶體管2017作為電流控制電路，用來(lái)控制經(jīng)過(guò)阻變?cè)?015的電流。阻 變電路可操作地接受輸入電壓Vin以將阻變?cè)?015的電阻設(shè)置成與輸入信號(hào)Vin相對(duì)應(yīng)， 例如作為輸入信號(hào)Vin的函數(shù)。
[0178] 電路2005可以包括重置電路2035,重置電路2035能夠重置阻變?cè)?015。重置電 路2035可以包括電壓源2037或2038?？梢园ㄒ唤M開關(guān)2080A和2080B以使阻變?cè)?015在 阻變電路(包括Vin和晶體管2017)和重置電路2035之間切換。
[0179] 電路2005可以包括變換器電路2055,變換器電路2055可以將非易失性電阻值變換 成任何希望的輸出。變換器電路2055可以包括電壓源2057或2058。可以包括一組開關(guān)2080A 和2080B，以使阻變?cè)?015在阻變電路(包括Vin和晶體管2017)和變換器電路2055之間切 換。
[0180] 在一些實(shí)施例中，操作中，阻變?cè)闹刂瞄撝当恍薷某上Ｍ闹?。阻變?cè)恢?置至低電阻狀態(tài)。然后當(dāng)施加輸入電壓Vin時(shí)，可以生成輸出電壓，輸出電壓具有輸入電壓 和重置閾值電壓之間的比較形式。
[0181] 圖21A和圖21B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的非易失性比較器電路的響應(yīng)。在圖21A中， 輸出電阻Rrs被示出為輸入電壓Vin的函數(shù)。響應(yīng)曲線顯示了阻變?cè)闹刂棉D(zhuǎn)變，即在重 置閾值電壓下從LRS轉(zhuǎn)換至HRS。在圖21B中，輸出電壓Vout被示出為輸入電壓Vin的函數(shù)。響 應(yīng)曲線具有比較器形式，在重置閾值電壓下在零和Vm之間轉(zhuǎn)換。電壓響應(yīng)可以是由變換器 電路產(chǎn)生的，變換器電路將電阻響應(yīng)Rrs變換成電壓響應(yīng)Vout。
[0182] 圖22A-圖22B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成和操作具有阻變?cè)姆且资?比較器電路的流程圖。圖22A示出了具有阻變?cè)姆且资员容^器電路的形成。比較器電 路可操作地接受輸入電壓，并且生成具有比較器曲線的輸出電壓。
[0183] 操作2200形成非易失性比較器電路。非易失性比較器電路可以包括阻變電路、重 置電路和變換器電路。重置電路可操作地將阻變電路中的阻變?cè)O(shè)置成低電阻狀態(tài)。阻 變電路可操作以響應(yīng)于輸入電壓Vin生成電阻輸出Rrs。變換器電路可操作地將電阻響應(yīng)變 換成電壓響應(yīng)。還可以包括切換電路，以在重置電路、變換器電路和阻變電路之間切換對(duì)阻 變?cè)目刂啤?br>[0184] 非易失性比較器電路可作為比較器電路操作，例如包括取樣輸入電壓和生成具比 較器響應(yīng)曲線的輸出電壓的功能。
[0185] 圖22B示出了具有阻變?cè)姆且资员容^器電路的操作。輸入電壓被施加到比 較器電路，比較器電路能夠用來(lái)生成輸入電壓和阻變?cè)闹刂瞄撝惦妷褐g的比較器輸 出。
[0186] 操作2230提供具有阻變電路、重置電路和變換器電路的電路。電路可以是非易失 性比較器電路。操作2240重置阻變電路，例如將設(shè)置電壓施加到阻變?cè)允棺枳冊(cè)D(zhuǎn) 變至低電阻狀態(tài)?？梢赃M(jìn)行可選的切換操作以將對(duì)阻變?cè)目刂妻D(zhuǎn)換至重置電路。
[0187] 操作2250將輸入電壓施加到阻變?cè)陨奢斎腚妷汉妥枳冊(cè)脑O(shè)置閾值電 壓之間的比較器輸出?？梢赃M(jìn)行可選的切換操作，以將對(duì)阻變?cè)目刂妻D(zhuǎn)換至阻變電路。 在一些實(shí)施例中，切換操作可以進(jìn)行一次。在一些實(shí)施例中，切換操作可以是循環(huán)的。
[0188] 操作2260將電阻輸出變換成電壓輸出。可以進(jìn)行可選的切換操作以將對(duì)阻變?cè)?的控制轉(zhuǎn)換至變換器電路。在一些實(shí)施例中，切換操作可以進(jìn)行一次。在一些實(shí)施例中，切 換操作可以是循環(huán)的。
[0189] 在一些實(shí)施例中，可以包括閾值設(shè)置電路以改變比較器電路的設(shè)置或重置閾值。 由于可以通過(guò)之前的重置或設(shè)置操作分別改變?cè)O(shè)置或重置閾值，因此閾值設(shè)置電路可以與 可控重置電路相似。
[0190]圖23A-圖23B說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的具有重置電路、變換器電路和閾值設(shè)置電 路的非易失性比較器電路的示意圖。圖23A示出了電路2300的簡(jiǎn)化框圖，電路2300能夠使用 阻變?cè)峁┓且资员容^器功能。電路2300可以包括阻變電路2310,例如具有阻變?cè)?的電路。阻變電路2310還可以包括電流控制電路，以控制經(jīng)過(guò)阻變?cè)碾娏?。阻變電?2310可操作地接受輸入電壓Vin，并且提供與輸入信號(hào)Vin相對(duì)應(yīng)的輸出響應(yīng)Vout。
[0191] 電路2300可以包括重置電路2330,重置電路2330可操作地重置阻變?cè)碾娮锠?態(tài)。因此，可以包括重置電路以在施加輸入電壓之前重置阻變?cè)?，例如將阻變?cè)糜诟?電阻狀態(tài)(低電導(dǎo)率狀態(tài)）。
[0192] 電路2300可包括閾值設(shè)置電路2340,閾值設(shè)置電路2340可操作地修改阻變電路 2310的設(shè)置閾值，例如改變阻變?cè)腍RS轉(zhuǎn)換至LRS時(shí)的電壓。閾值設(shè)置電路2340可包括 電壓源或電流源，電壓源或電流源是連續(xù)的或脈沖的，并且可以向阻變?cè)峁┬盘?hào)以生 成與阻變?cè)碾娮璧闹迪鄬?duì)應(yīng)的電壓或電流。
[0193] 電路2300可以包括變換器電路2350,變換器電路2350能夠?qū)⒎且资噪娮柚底儞Q 成任何希望的輸出。
[0194] 在一些實(shí)施例中，設(shè)置閾值電壓被修改成希望的參考電壓值。在將阻變電路重置 為低電阻狀態(tài)之后，當(dāng)施加輸入電壓Vin時(shí)，阻變電路2310能夠生成輸出電壓響應(yīng)Vout，輸 出電壓響應(yīng)Vout表示與阻變?cè)闹刂秒妷旱谋容^器信號(hào)。
[0195] 圖23B示出了電路2305的簡(jiǎn)化電路圖，電路2305能夠使用阻變?cè)峁┓且资?比較器功能。電路2305可以包括阻變電路，例如具有阻變?cè)?315和晶體管2317(或電阻 器，未示出）的電路，晶體管2317作為電流控制電路，用來(lái)控制經(jīng)過(guò)阻變?cè)?315的電流。阻 變電路可操作地接受輸入電壓Vin以將阻變?cè)?315的電阻設(shè)置成與輸入信號(hào)Vin相對(duì)應(yīng)， 例如作為輸入信號(hào)Vin的函數(shù)。
[0196] 電路2305可包括重置電路2335,重置電路2335能夠設(shè)置阻變?cè)?315。重置電路 2335可包括電壓源2337或2338?？梢园ㄒ唤M開關(guān)2380A和2380B以使阻變?cè)?315在阻變 電路(包括Vin和晶體管2317)和重置電路2335之間切換。
[0197] 電路2305可包括閾值設(shè)置電路2335,閾值設(shè)置電路2335能夠修改阻變?cè)?315的 重置閾值。閾值設(shè)置電路2335可包括電壓源2337或2338?？梢园ㄒ唤M開關(guān)2380A和2380B 以使阻變?cè)?315在阻變電路(包括Vin和晶體管2317)和閾值設(shè)置電路2335之間切換。
[0198] 電路2305可包括變換器電路2355,變換器電路2355可將非易失性電阻值變換成任 何希望的輸出。變換器電路2355可包括電壓源2357或2358?？砂ㄒ唤M開關(guān)2380A和2380B 以使阻變?cè)?315在阻變電路(包括Vin和晶體管2317)和變換器電路2355之間切換。
[0199] 在一些實(shí)施例中，操作中，阻變?cè)闹刂瞄撝悼梢员恍薷臑橄Ｍ闹?。還可以將 阻變?cè)O(shè)置為低電阻狀態(tài)。然后當(dāng)施加輸入電壓Vin時(shí)，可以生成輸出電阻，輸出電阻可 以被變換成輸出電壓，輸出電壓具有輸入電壓和重置閾值電壓之間的比較形式。
[0200] 圖24說(shuō)明了根據(jù)一些實(shí)施例的非易失性比較器電路的響應(yīng)。輸出電壓Vout被示出 為輸入電壓Vin的函數(shù)。響應(yīng)曲線具有比較器形式，在重置閾值電壓下從Vm轉(zhuǎn)換至零。示出 了不同的重置閾值電壓Vresetl、Vreset2、和Vreset3,表示具有不同重置閾值操作的不同 響應(yīng)曲線。
[0201] 圖25A-圖25B示出了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成和操作具有阻變?cè)姆且资?比較器電路的流程圖。圖25A示出了具有阻變?cè)姆且资员容^器電路的形成。比較器電 路可操作地接受輸入電壓，并且生成具有比較器曲線的輸出電壓。
[0202] 操作2500形成非易失性比較器電路。非易失性比較器電路可包括阻變電路、重置 電路、變換器電路和設(shè)置閾值電路。阻變電路可操作以響應(yīng)于輸入電壓Vin生成電阻Rrs。重 置電路可操作地將阻變?cè)刂弥粮唠娮锠顟B(tài)。設(shè)置閾值電路可操作地修改阻變?cè)脑O(shè) 置閾值電壓。變換器電路可操作地將電阻值變換為電壓或電流值。還可以包括切換電路，以 在重置電路、變換器電路、閾值設(shè)置電路和阻變電路之間切換對(duì)阻變?cè)目刂啤?br>[0203] 非易失性比較器電路可作為比較器電路操作，例如包括取樣輸入電壓和生成具有 比較器響應(yīng)曲線的輸出電壓的功能。
[0204] 圖25B示出了具有阻變?cè)姆且资员容^器電路的操作。輸入電壓被施加到比 較器電路，比較器電路能夠用來(lái)生成輸入電壓和阻變?cè)闹刂瞄撝惦妷褐g的比較器輸 出。
[0205] 操作2530提供具有阻變電路、重置電路、變換器電路和閾值設(shè)置電路的電路。電路 可以是非易失性比較器電路。
[0206] 操作2540設(shè)置，例如修改用于阻變?cè)闹刂瞄撝惦妷??？梢栽陂撝翟O(shè)置操作之 前進(jìn)行可選的切換操作，以將對(duì)阻變?cè)目刂妻D(zhuǎn)換至設(shè)置閾值電路。
[0207] 操作2550重置阻變電路的電阻，從而將阻變?cè)糜诘碗娮锠顟B(tài)?？梢赃M(jìn)行可選 的切換操作以將對(duì)阻變?cè)目刂妻D(zhuǎn)換至重置電路。
[0208]操作2560將輸入電壓施加到阻變?cè)陨奢敵鲭娮?，輸出電阻是由于阻變?cè)?的轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的。可以進(jìn)行可選的切換操作以將對(duì)阻變?cè)目刂妻D(zhuǎn)換至阻變電路。
[0209] 操作2570將輸出電阻變換成希望的值，例如輸出電壓。可以進(jìn)行可選的切換操作 以將對(duì)阻變?cè)目刂妻D(zhuǎn)換至變換器電路。
[0210] 在一些實(shí)施例中，切換操作可以進(jìn)行一次或是循環(huán)的。例如，閾值設(shè)置操作可以進(jìn) 行一次，并且重置操作可以是循環(huán)的（例如在生成輸出電壓之前）。
[0211] 盡管出于清楚理解的目的在一些細(xì)節(jié)中描述了上述示例，但是本發(fā)明并不限于提 供的細(xì)節(jié)。存在實(shí)施本發(fā)明的很多替代方式。公開的示例是解說(shuō)性的而非限制性的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電路，所述電路包括： 阻變電路， 其中所述阻變電路包括阻變?cè)? 其中所述阻變?cè)ǜ唠娮锠顟B(tài)和低電阻狀態(tài)； 變換器電路， 其中所述變換器電路可操作地提供與所述阻變?cè)杀壤碾妷骸?. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，所述阻變電路還包括電流控制裝置。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其中，所述電流控制裝置包括電阻器或晶體管。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，所述電路將輸入電壓接受到所述阻變?cè)牡谝?端子端，其中所述電路在所述阻變?cè)牡诙俗佣颂幪峁┹敵鲭妷骸?. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，還包括切換電路，其中所述切換電路被配置成允許所述 變換器電路連接至所述阻變?cè)?. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，所述變換器電路包括電流源，所述電流源提供通 過(guò)所述阻變?cè)碾娏鳌?. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，所述阻變?cè)慌渲贸商峁┓欠聪嗍┟芴赜|發(fā)器 功能。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，所述阻變?cè)慌渲贸商峁┓聪嗍┟芴赜|發(fā)器功 能。9. 一種比較器電路，所述比較器電路包括： 阻變電路， 其中所述阻變電路包括阻變?cè)? 其中所述阻變?cè)ǜ唠娮锠顟B(tài)和低電阻狀態(tài)， 其中所述阻變?cè)慌渲贸稍谠O(shè)置電壓下從所述高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)變至所述低電阻狀態(tài)； 重置電路， 其中所述重置電路可操作地將所述阻變?cè)糜谒龈唠娮锠顟B(tài)； 閾值設(shè)置電路， 其中所述閾值設(shè)置電路可操作地改變所述設(shè)置電壓。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的比較器電路，其中，所述阻變電路還包括電流控制裝置。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的比較器電路，其中，所述電流控制裝置包括電阻器或晶體 管。12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的比較器電路，其中，所述比較器電路將輸入電壓接受到所述 阻變?cè)牡谝欢俗佣耍渲兴霰容^器電路在所述阻變?cè)牡诙俗佣颂幪峁┹敵鲭?壓。13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的比較器電路，所述比較器電路還包括切換電路，其中所述切 換電路被配置成允許所述重置電路或所述閾值設(shè)置電路連接至所述阻變?cè)?4. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的比較器電路，其中，所述重置電路包括電壓源或電流源，所述 電壓源或電流源提供通過(guò)所述阻變?cè)碾娏鳌?5. -種比較器電路，所述比較器電路包括： 阻變電路， 其中所述阻變電路包括阻變?cè)? 其中所述阻變?cè)ǜ唠娮锠顟B(tài)和低電阻狀態(tài)， 其中所述阻變?cè)慌渲贸稍谠O(shè)置電壓下從所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)變至所述高電阻狀態(tài)； 重置電路， 其中所述重置電路可操作地將所述阻變?cè)糜谒龅碗娮锠顟B(tài)； 變換器電路， 其中所述變換器電路可操作地提供與所述阻變?cè)杀壤碾妷海? 閾值設(shè)置電路， 其中所述閾值設(shè)置電路可操作地改變所述設(shè)置電壓。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的比較器電路，其中，所述阻變電路還包括電流控制裝置，其 中所述電流控制裝置包括電阻器或晶體管。17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的比較器電路，其中，所述比較器電路將輸入電壓接受到所述 阻變?cè)牡谝欢俗佣?，其中所述比較器電路在所述阻變?cè)牡诙俗佣颂幪峁┹敵鲭?壓。18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的比較器電路，所述比較器電路還包括切換電路，其中所述切 換電路被配置成允許所述重置電路、所述變換器電路、或所述閾值設(shè)置電路連接至所述阻 變?cè)?9. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的比較器電路，其中，所述變換器電路包括電流源，所述電流 源提供通過(guò)所述阻變?cè)碾娏鳌?0. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的比較器電路，其中，所述重置電路包括電壓源或電流源，所 述電壓源或電流源提供通過(guò)所述阻變?cè)碾娏鳌?br>【文檔編號(hào)】H03K3/037GK105900338SQ201480072914
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2014年12月16日
【發(fā)明人】F·納爾迪, 王云
【申請(qǐng)人】分子間公司