基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載led恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)，其特征在于，主要由處理芯片U，三極管VT2，電容C4，保護(hù)電路，串接在保護(hù)電路和處理芯片U之間的低通濾波電路，串接在VT2的集電極和處理芯片U的LD管腳之間的電阻R1，串接在電容C4的負(fù)極和處理芯片U的RI管腳之間的晶體管振蕩電路，分別與處理芯片U的GATE管腳和低通濾波電路相連接的柵極驅(qū)動電路，串接在柵極驅(qū)動電路和處理芯片U的CS管腳之間的電流反饋電路，以及與柵極驅(qū)動電路相連接的功率放大電路組成。本發(fā)明與現(xiàn)有LED驅(qū)動系統(tǒng)相比可以提供穩(wěn)定的振蕩頻率，從而使其驅(qū)動性能更加穩(wěn)定。
【專利說明】
基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，具體是指一種基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，由于LED燈具有能耗低、使用壽命長以及安全環(huán)保等特點，其已經(jīng)成為了人們生活照明的主流產(chǎn)品之一。隨著LED的普及和人們對照明效果要求的不斷提高，給LED驅(qū)動系統(tǒng)帶來了新的挑戰(zhàn)。然而，傳統(tǒng)的LED驅(qū)動系統(tǒng)容易受到干擾因素的影響，導(dǎo)致其無法輸出穩(wěn)定電流，這在很大的程度上影響LED的正常工作，嚴(yán)重的還會損壞LED。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服傳統(tǒng)的LED驅(qū)動系統(tǒng)容易受到外界因素的影響，導(dǎo)致其無法輸出穩(wěn)定電流的缺陷，提供一種基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)。
[0004]本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn):基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)，主要由處理芯片U，三極管VT2，電容C4，保護(hù)電路，串接在保護(hù)電路和處理芯片U之間的低通濾波電路，串接在VT2的集電極和處理芯片U的LD管腳之間的電阻Rl，串接在電容C4的負(fù)極和處理芯片U的RI管腳之間的晶體管振蕩電路，分別與處理芯片U的GATE管腳和低通濾波電路相連接的柵極驅(qū)動電路，串接在柵極驅(qū)動電路和處理芯片U的CS管腳之間的電流反饋電路，以及與柵極驅(qū)動電路相連接的功率放大電路組成;所述保護(hù)電路還與三極管VT2的基極相連接;所述電容C4的正極還與三極管VT2的發(fā)射極相連接。
[0005]進(jìn)一步的，所述晶體管振蕩電路由場效應(yīng)管MOSl，三極管VT7，負(fù)極經(jīng)電阻R14后與場效應(yīng)管MOSl的柵極相連接、正極則作為該晶體管振蕩電路的輸入端的電容C10，一端與電容ClO的負(fù)極相連接、另一端接地的電阻R13，正極與場效應(yīng)管MOSl的源極相連接、負(fù)極接地的電容Cl I，與電容Cl I相并聯(lián)的電阻R15，正極與場效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、負(fù)極則與三極管VT7的發(fā)射極相連接的電容C12，串接在場效應(yīng)管MOSl的漏極和三極管VT7的基極之間的電阻R16，P極與三極管VT7的基極相連接、N極順次經(jīng)電阻R17和電阻R18后與三極管VT7的集電極相連接的二極管Dll，以及正極與三極管VT7的集電極相連接、負(fù)極則作為該晶體管振蕩電路的輸出端的電容C13組成;所述電阻R17和電阻R18的連接點接地;所述晶體管振蕩電路的輸入端與電容C4的負(fù)極相連接、其輸出端則與控制芯片U的RI管腳相連接。
[0006]所述功率放大電路由三極管VT5，三極管VT6，放大器P1，正極與三極管VT5的基極相連接、負(fù)極與柵極驅(qū)動電路相連接的同時接地的電容C6，串接在三極管VT5的集電極和電容C6的負(fù)極之間的電阻R9，負(fù)極與放大器Pl的正極相連接、正極則與柵極驅(qū)動電路相連接的電容C7，串接在三極管VT5的發(fā)射極和放大器PI的輸出端之間的電阻RlO，正極經(jīng)電阻Rl I后與放大器PI的負(fù)極相連接、負(fù)極則與電容C6的負(fù)極相連接的電容C8，？極與電容C8的正極相連接、N極則與三極管VT6的基極相連接的二極管D8，串接在電容C6的負(fù)極和三極管VT6的集電極之間的電阻R12，以及正極經(jīng)二極管D9后與放大器Pl的輸出端相連接、負(fù)極則經(jīng)二極管DlO后與三極管VT6的集電極相連接的電容C9組成;所述三極管VT6的集電極接地、其發(fā)射極與放大器Pl的輸出端相連接;所述電容C9的正極和其負(fù)極共同形成該功率放大電路的輸出端。
[0007]所述保護(hù)電路由電容Cl，一端與電容Cl的正極相連接、另一端則與電容Cl的負(fù)極共同形成該保護(hù)電路的輸入端的熔斷器FU，以及P極與電容Cl的負(fù)極相連接、N極則與三極管VT2的基極相連接的二極管Dl組成;所述電容Cl的正極還與低通濾波電路相連接。
[0008]所述低通濾波電路由三極管VTl，正極與電容Cl的正極相連接、負(fù)極接地的電容C2，串接在電容C2的負(fù)極和處理芯片U的GND管腳之間的電阻R3，N極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、P極則與電容C2的負(fù)極相連接的二極管D2，負(fù)極與三極管VTI的集電極相連接、正極則與電容CI的正極相連接的電容C3，N極與電容CI的正極相連接、P極接地的二極管D4，P極與三極管VTl的基極相連接、N極經(jīng)電阻R4后與二極管D4的P極相連接的二極管D3，以及P極與處理芯片U的VIN管腳相連接、N極經(jīng)電阻R5后與二極管D4的N極相連接的二極管D5組成；所述二極管D4的N極還與柵極驅(qū)動電路相連接。
[0009]所述柵極驅(qū)動電路由三極管VT3，場效應(yīng)管MOS，一端與三極管VT3的發(fā)射極相連接、另一端接地的電阻R6，負(fù)極與三極管VT3的集電極相連接、正極則與二極管D4的N極相連接的電容C5，P極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、N極經(jīng)電阻R7后與電容C5的正極相連接的二極管D7，以及一端與二極管D7的P極相連接、另一端則與電容C6的負(fù)極相連接的電感L2組成;所述三極管VT3的基極與處理芯片U的GATE管腳相連接、其集電極則與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接;所述場效應(yīng)管MOS的源極則與電流反饋電路相連接;所述電容C5的正極還與電容C7的正極相連接。
[0010]所述電流反饋電路由三極管VT4，一端與三極管VT4的集電極相連接、另一端接地的電阻R8，以及N極經(jīng)電阻R2后與處理芯片U的CS管腳相連接、P極則經(jīng)電感LI后與三極管VT4的發(fā)射極相連接的二極管D6組成;所述三極管VT4的基極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接。
[0011]所述處理芯片U為PT4107集成芯片。
[0012]本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點及有益效果:
[0013](I)本發(fā)明可以對干擾信號進(jìn)行過濾，從而使其輸出電流更加穩(wěn)定；同時本發(fā)明還可以對輸出電流進(jìn)行檢測，從而實時的對輸出電流進(jìn)行調(diào)節(jié)，進(jìn)一步的提高其輸出電流的穩(wěn)定性。
[0014](2)本發(fā)明可以放大其輸出功率，極大的提高了其負(fù)載能力，使其應(yīng)用范圍更廣。
[0015](3)本發(fā)明與現(xiàn)有LED驅(qū)動系統(tǒng)相比可以提供穩(wěn)定的振蕩頻率，從而使其驅(qū)動性能更加穩(wěn)定。
【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為本發(fā)明的晶體管振蕩電路的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0018]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實施方式并不限于此。
[0019]實施例
[0020]如圖1所示，本發(fā)明的基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)，主要由處理芯片U，三極管VT2，電阻R1，電容C4，保護(hù)電路，低通濾波電路，晶體管振蕩電路，柵極驅(qū)動電路，功率放大電路以及電流反饋電路組成。
[0021 ]其中，低通濾波電路串接在保護(hù)電路和處理芯片U之間。電阻Rl串接在VT2的集電極和處理芯片U的LD管腳之間。晶體管振蕩電路串接在電容C4的負(fù)極和處理芯片U的RI管腳之間。柵極驅(qū)動電路分別與處理芯片U的GATE管腳和低通濾波電路相連接。該功率放大電路則與柵極驅(qū)動電路相連接。電流反饋電路則串接在柵極驅(qū)動電路和處理芯片U的CS管腳之間。所述保護(hù)電路還與三極管VT2的基極相連接。所述電容C4的正極與三極管VT2的發(fā)射極相連接。為了更好的實施本發(fā)明，所述處理芯片U優(yōu)選PT4107集成芯片來實現(xiàn)。
[0022]該保護(hù)電路由電容Cl，熔斷器FU以及二極管Dl組成。熔斷器FU的一端與電容Cl的正極相連接、其另一端則與電容Cl的負(fù)極共同形成該保護(hù)電路的輸入端并接電源。二極管DI的P極與電容Cl的負(fù)極相連接、其N極則與三極管VT2的基極相連接。所述電容Cl的正極還與低通濾波電路相連接。
[0023]另外，該低通濾波電路由三極管VTl，電容C2，電容C3，電阻R3，電阻R4，電阻R5，二極管D2，二極管D3，二極管D4以及二極管D5組成。
[0024]連接時，電容C2的正極與電容Cl的正極相連接、其負(fù)極接地。電阻R3串接在電容C2的負(fù)極和處理芯片U的GND管腳之間。二極管02的~極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、其P極則與電容C2的負(fù)極相連接。電容C3的負(fù)極與三極管VTl的集電極相連接、其正極則與電容Cl的正極相連接。二極管D4的N極與電容Cl的正極相連接、其P極接地。二極管D3的P極與三極管VTl的基極相連接、其N極經(jīng)電阻R4后與二極管D4的P極相連接。二極管D5的P極與處理芯片U的VIN管腳相連接、其N極經(jīng)電阻R5后與二極管D4的N極相連接。所述二極管D4的N極還與柵極驅(qū)動電路相連接。
[0025]柵極驅(qū)動電路由三極管VT3，場效應(yīng)管MOS，電阻R6，電阻R7，電容C5，二極管D7以及電感L2組成。
[0026]該電阻R6的一端與三極管VT3的發(fā)射極相連接、其另一端接地。電容C5的負(fù)極與三極管VT3的集電極相連接、其正極則與二極管D4的N極相連接。二極管D7的P極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、其N極經(jīng)電阻R7后與電容C5的正極相連接。電感L2的一端與二極管D7的P極相連接、其另一端則與功率放大電路相連接。所述三極管VT3的基極與處理芯片U的GATE管腳相連接、其集電極則與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接。所述場效應(yīng)管MOS的源極則與電流反饋電路相連接;所述電容C5的正極還與功率放大電路相連接。
[0027]該電流反饋電路由三極管VT4，電阻R8，電感LI，二極管D6以及電阻R2組成。其中，電阻R8的一端與三極管VT4的集電極相連接、其另一端接地。二極管D6的N極經(jīng)電阻R2后與處理芯片U的CS管腳相連接、其P極則經(jīng)電感LI后與三極管VT4的發(fā)射極相連接。所述三極管VT4的基極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接。
[0028]該功率放大電路由三極管VT5，三極管VT6，放大器P1，電阻R9，電阻R10，電阻R11，電阻Rl 2，電容C6，電容C7，電容C8，電容C9，二極管D8，二極管D9，以及二極管DlO組成。
[0029]連接時，電容C6的正極與三極管VT5的基極相連接、其負(fù)極接地。電阻R9串接在三極管VT5的集電極和電容C6的負(fù)極之間。電容C7的負(fù)極與放大器Pl的正極相連接、其正極則與電容C5的正極相連接。電阻Rl O串接在三極管VT5的發(fā)射極和放大器PI的輸出端之間。電容C8的正極經(jīng)電阻Rl I后與放大器Pl的負(fù)極相連接、其負(fù)極則與電容C6的負(fù)極相連接。二極管D8的P極與電容C8的正極相連接、其N極則與三極管VT6的基極相連接。電阻R12串接在電容C6的負(fù)極和三極管VT6的集電極之間。電容C9的正極與二極管D9的N極相連接、其負(fù)極則與二極管DlO的N極相連接。所述二極管DlO的P極與三極管VT6的集電極相連接。所述二極管D9的P極則放大器Pl的輸出端相連接。所述三極管VT6的集電極接地、其發(fā)射極與放大器Pl的輸出端相連接。所述電容C6的負(fù)極經(jīng)電感L2后與二極管D7的P極相連接。所述電容C9的正極和其負(fù)極共同形成該功率放大電路的輸出端并接LED燈。
[0030]如圖2所示，該晶體管振蕩電路由場效應(yīng)管MOSI，三極管VT7，電阻Rl3，電阻Rl4，電阻R15，電阻R16，電阻R17，電阻R18，電容C10，電容C11，電容C12，電容C13以及二極管D11。
[0031]連接時，電容ClO的負(fù)極經(jīng)電阻R14后與場效應(yīng)管MOSl的柵極相連接、其正極則作為該晶體管振蕩電路的輸入端并與電容C4的負(fù)極相連接。電阻R13的一端與電容ClO的負(fù)極相連接、其另一端接地。電容Cl I的正極與場效應(yīng)管MOSI的源極相連接、其負(fù)極接地。電阻R15與電容C11相并聯(lián)。電容C12的正極與場效應(yīng)管MOSI的漏極相連接、其負(fù)極則與三極管VT7的發(fā)射極相連接。電阻R16串接在場效應(yīng)管MOSl的漏極和三極管VT7的基極之間。二極管Dll的P極與三極管VT7的基極相連接、其N極順次經(jīng)電阻R17和電阻R18后與三極管VT7的集電極相連接。電容C13的正極與三極管VT7的集電極相連接、其負(fù)極則作為該晶體管振蕩電路的輸出端并與控制芯片U的RI管腳相連接。所述電阻R17和電阻R18的連接點接地。
[0032]本發(fā)明可以對干擾信號進(jìn)行過濾，從而使其輸出電流更加穩(wěn)定。同時本發(fā)明還可以對輸出電流進(jìn)行檢測，從而實時的對輸出電流進(jìn)行調(diào)節(jié)，進(jìn)一步的提高其輸出電流的穩(wěn)定性。本發(fā)明可以放大其輸出功率，極大的提高了其負(fù)載能力，使其應(yīng)用范圍更廣；與現(xiàn)有LED驅(qū)動系統(tǒng)相比可以提供穩(wěn)定的振蕩頻率，從而使其驅(qū)動性能更加穩(wěn)定。
[0033]如上所述，便可很好的實現(xiàn)本發(fā)明。
【主權(quán)項】
1.基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)，其特征在于，主要由處理芯片U，三極管VT2，電容C4，保護(hù)電路，串接在保護(hù)電路和處理芯片U之間的低通濾波電路，串接在VT2的集電極和處理芯片U的LD管腳之間的電阻Rl，串接在電容C4的負(fù)極和處理芯片U的RI管腳之間的晶體管振蕩電路，分別與處理芯片U的GATE管腳和低通濾波電路相連接的柵極驅(qū)動電路，串接在柵極驅(qū)動電路和處理芯片U的CS管腳之間的電流反饋電路，以及與柵極驅(qū)動電路相連接的功率放大電路組成;所述保護(hù)電路還與三極管VT2的基極相連接;所述電容C4的正極還與三極管VT2的發(fā)射極相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)其特征在于，所述晶體管振蕩電路由場效應(yīng)管MOSl，三極管VT7，負(fù)極經(jīng)電阻R14后與場效應(yīng)管MOSI的柵極相連接、正極則作為該晶體管振蕩電路的輸入端的電容ClO，一端與電容ClO的負(fù)極相連接、另一端接地的電阻R13，正極與場效應(yīng)管MOSl的源極相連接、負(fù)極接地的電容Cll，與電容Cll相并聯(lián)的電阻R15，正極與場效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、負(fù)極則與三極管VT7的發(fā)射極相連接的電容C12，串接在場效應(yīng)管MOSl的漏極和三極管VT7的基極之間的電阻R16，P極與三極管VT7的基極相連接、N極順次經(jīng)電阻R17和電阻R18后與三極管VT7的集電極相連接的二極管Dll，以及正極與三極管VT7的集電極相連接、負(fù)極則作為該晶體管振蕩電路的輸出端的電容C13組成;所述電阻R17和電阻Rl 8的連接點接地;所述晶體管振蕩電路的輸入端與電容C4的負(fù)極相連接、其輸出端則與控制芯片U的RI管腳相連接。3.根據(jù)權(quán)利要求書2所述的基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)，其特征在于，所述功率放大電路由三極管VT5，三極管VT6，放大器Pl，正極與三極管VT5的基極相連接、負(fù)極與柵極驅(qū)動電路相連接的同時接地的電容C6，串接在三極管VT5的集電極和電容C6的負(fù)極之間的電阻R9，負(fù)極與放大器Pl的正極相連接、正極則與柵極驅(qū)動電路相連接的電容C7，串接在三極管VT5的發(fā)射極和放大器Pl的輸出端之間的電阻RlO，正極經(jīng)電阻Rl I后與放大器Pl的負(fù)極相連接、負(fù)極則與電容C6的負(fù)極相連接的電容C8，P極與電容C8的正極相連接、N極則與三極管VT6的基極相連接的二極管D8，串接在電容C6的負(fù)極和三極管VT6的集電極之間的電阻R12，以及正極經(jīng)二極管D9后與放大器Pl的輸出端相連接、負(fù)極則經(jīng)二極管DlO后與三極管VT6的集電極相連接的電容C9組成;所述三極管VT6的集電極接地、其發(fā)射極與放大器Pl的輸出端相連接;所述電容C9的正極和其負(fù)極共同形成該功率放大電路的輸出端。4.根據(jù)權(quán)利要求書3所述的基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)，其特征在于，所述保護(hù)電路由電容Cl，一端與電容Cl的正極相連接、另一端則與電容Cl的負(fù)極共同形成該保護(hù)電路的輸入端的熔斷器FU，以及P極與電容Cl的負(fù)極相連接、N極則與三極管VT2的基極相連接的二極管Dl組成;所述電容Cl的正極還與低通濾波電路相連接。5.根據(jù)權(quán)利要求書4所述的基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)，其特征在于，所述低通濾波電路由三極管VTl，正極與電容Cl的正極相連接、負(fù)極接地的電容C2，串接在電容C2的負(fù)極和處理芯片U的GND管腳之間的電阻R3，N極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、P極則與電容C2的負(fù)極相連接的二極管D2，負(fù)極與三極管VTI的集電極相連接、正極則與電容CI的正極相連接的電容C3，N極與電容CI的正極相連接、P極接地的二極管D4，P極與三極管VTl的基極相連接、N極經(jīng)電阻R4后與二極管D4的P極相連接的二極管D3，以及P極與處理芯片U的VIN管腳相連接、N極經(jīng)電阻R5后與二極管D4的N極相連接的二極管D5組成;所述二極管D4的N極還與柵極驅(qū)動電路相連接。6.根據(jù)權(quán)利要求書5所述的基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)，其特征在于，所述柵極驅(qū)動電路由三極管VT3，場效應(yīng)管MOS，一端與三極管VT3的發(fā)射極相連接、另一端接地的電阻R6，負(fù)極與三極管VT3的集電極相連接、正極則與二極管D4的N極相連接的電容C5，P極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、N極經(jīng)電阻R7后與電容C5的正極相連接的二極管D7，以及一端與二極管D7的P極相連接、另一端則與電容C6的負(fù)極相連接的電感L2組成；所述三極管VT3的基極與處理芯片U的GATE管腳相連接、其集電極則與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接;所述場效應(yīng)管MOS的源極則與電流反饋電路相連接;所述電容C5的正極還與電容C7的正極相連接。7.根據(jù)權(quán)利要求書6所述的基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)，其特征在于，所述電流反饋電路由三極管VT4，一端與三極管VT4的集電極相連接、另一端接地的電阻R8，以及N極經(jīng)電阻R2后與處理芯片U的CS管腳相連接、P極則經(jīng)電感LI后與三極管VT4的發(fā)射極相連接的二極管D6組成;所述三極管VT4的基極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接。8.根據(jù)權(quán)利要求書7所述的基于晶體管振蕩電路的高負(fù)載LED恒流輸出驅(qū)動系統(tǒng)，其特征在于，所述處理芯片U為PT4107集成芯片。
【文檔編號】H05B33/08GK106061007SQ201610375495
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年5月28日
【發(fā)明人】劉磊
【申請人】成都白描網(wǎng)絡(luò)科技有限公司