輸入端口保護(hù)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及輸入端口保護(hù)技術(shù)，尤其涉及到防止過沖電流裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]為了防止輸入端口有較大的過沖電流使端口損壞，設(shè)置了防止過沖電壓裝置，可以使電壓緩慢上升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型旨在解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種防止過沖電壓損壞輸入端口的輸入端口保護(hù)裝置。
[0004]輸入端口保護(hù)裝置，包括第一電阻、第一瓷片電容、第一穩(wěn)壓管、第一電解電容、第一 NMOS管和第二電阻:
[0005]所述第一電阻的一端接輸入端口和所述第一 NMOS管的漏極，另一端接所述第一瓷片電容的一端和所述第一穩(wěn)壓管的陰極和所述第一電解電容的正極和所述第一 NMOS管的柵極；
[0006]所述第一瓷片電容的一端接所述第一電阻的一端和所述第一穩(wěn)壓管的陰極和所述第一電解電容的正極和所述第一 NMOS管的柵極，另一端接地；
[0007]所述第一穩(wěn)壓管的陽極接地，陰極接所述第一電阻的一端和所述第一瓷片電容的一端和所述第一電解電容的正極和所述第一匪OS管的柵極；
[0008]所述第一電解電容的正極接所述第一電阻的一端和所述第一瓷片電容的一端和所述第一穩(wěn)壓管的陰極和所述第一 NMOS管的柵極，負(fù)極接地；
[0009]所述第一 NMOS管的柵極接所述第一電阻的一端和所述第一瓷片電容的一端和所述第一穩(wěn)壓管的陰極和所述第一電解電容的正極，漏極接輸入端口，源極接所述第二電阻的一端;
[0010]所述第二電阻的一端接所述第一 NMOS管的源極，另一端接地。
[0011]所述第一電阻、所述第一瓷片電容、所述第一穩(wěn)壓管和所述第一電解電容構(gòu)成所述第一 NMOS管的柵極電壓產(chǎn)生電路，當(dāng)輸入電壓升高時，由于有所述第一瓷片電容和所述第一電解電容的存在，所述第一 NMOS管的柵極電壓會慢慢上升，所述第一瓷片電容和所述第一電解電容上的電壓上升到所述第一穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值，同時所述第一瓷片電容有濾除高頻信號的特性，使其上升過程中的高頻干擾降低，所述第一電解電容有濾除低頻信號的特性，使其上升過程中的低頻干擾降低，使其上升過程中讓干擾信號降到最??；當(dāng)所述第一NMOS管的柵極電壓和源極電壓差上升到閾值電壓時開始導(dǎo)通工作，由于電容上的電壓不會突變，使得所述第一 NMOS管開始慢慢導(dǎo)通，使其源極有電流流出，同時源極的電壓也開始上升，達(dá)到輸出電壓慢慢上升的目的，防止有沖擊電流產(chǎn)生。
【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型的輸入端口保護(hù)裝置的電路圖。
【具體實施方式】
[0013]以下結(jié)合附圖對本【實用新型內(nèi)容】進(jìn)一步說明。
[0014]輸入端口保護(hù)裝置，如圖1所示，包括第一電阻101、第一瓷片電容102、第一穩(wěn)壓管103、第一電解電容104、第一 NMOS管105和第二電阻106:
[0015]所述第一電阻101的一端接輸入端口和所述第一 NMOS管105的漏極，另一端接所述第一瓷片電容102的一端和所述第一穩(wěn)壓管103的陰極和所述第一電解電容104的正極和所述第一 NMOS管105的柵極；
[0016]所述第一瓷片電容102的一端接所述第一電阻101的一端和所述第一穩(wěn)壓管103的陰極和所述第一電解電容104的正極和所述第一 NMOS管105的柵極，另一端接地；
[0017]所述第一穩(wěn)壓管103的陽極接地，陰極接所述第一電阻101的一端和所述第一瓷片電容102的一端和所述第一電解電容104的正極和所述第一 NMOS管105的柵極；
[0018]所述第一電解電容104的正極接所述第一電阻101的一端和所述第一瓷片電容102的一端和所述第一穩(wěn)壓管103的陰極和所述第一 NMOS管105的柵極，負(fù)極接地；
[0019]所述第一 NMOS管105的柵極接所述第一電阻101的一端和所述第一瓷片電容102的一端和所述第一穩(wěn)壓管103的陰極和所述第一電解電容104的正極，漏極接輸入端口，源極接所述第二電阻106的一端；
[0020]所述第二電阻106的一端接所述第一 NMOS管105的源極，另一端接地。
[0021]所述第一電阻101、所述第一瓷片電容102、所述第一穩(wěn)壓管103和所述第一電解電容104構(gòu)成所述第一 NMOS管105的柵極電壓產(chǎn)生電路，當(dāng)輸入電壓升高時，由于有所述第一瓷片電容102和所述第一電解電容104的存在，所述第一 NMOS管105的柵極電壓會慢慢上升，所述第一瓷片電容102和所述第一電解電容104上的電壓上升到所述第一穩(wěn)壓管103的穩(wěn)壓值，同時所述第一瓷片電容102有濾除高頻信號的特性，使其上升過程中的高頻干擾降低，所述第一電解電容104有濾除低頻信號的特性，使其上升過程中的低頻干擾降低，使其上升過程中讓干擾信號降到最?。划?dāng)所述第一 NMOS管105的柵極電壓和源極電壓差上升到閾值電壓時開始導(dǎo)通工作，由于電容上的電壓不會突變，使得所述第一 NMOS管105開始慢慢導(dǎo)通，使其源極有電流流出，同時源極的電壓也開始上升，達(dá)到輸出電壓慢慢上升的目的，防止有沖擊電流產(chǎn)生。
【主權(quán)項】
1.輸入端口保護(hù)裝置，其特征在于包括第一電阻、第一瓷片電容、第一穩(wěn)壓管、第一電解電容、第一 NMOS管和第二電阻: 所述第一電阻的一端接輸入端口和所述第一 NMOS管的漏極，另一端接所述第一瓷片電容的一端和所述第一穩(wěn)壓管的陰極和所述第一電解電容的正極和所述第一 NMOS管的柵極； 所述第一瓷片電容的一端接所述第一電阻的一端和所述第一穩(wěn)壓管的陰極和所述第一電解電容的正極和所述第一 NMOS管的柵極，另一端接地； 所述第一穩(wěn)壓管的陽極接地，陰極接所述第一電阻的一端和所述第一瓷片電容的一端和所述第一電解電容的正極和所述第一 NMOS管的柵極； 所述第一電解電容的正極接所述第一電阻的一端和所述第一瓷片電容的一端和所述第一穩(wěn)壓管的陰極和所述第一 NMOS管的柵極，負(fù)極接地； 所述第一 NMOS管的柵極接所述第一電阻的一端和所述第一瓷片電容的一端和所述第一穩(wěn)壓管的陰極和所述第一電解電容的正極，漏極接輸入端口，源極接所述第二電阻的一端; 所述第二電阻的一端接所述第一 NMOS管的源極，另一端接地。
【專利摘要】本實用新型公開了一種輸入端口保護(hù)裝置。輸入端口保護(hù)裝置包括第一電阻、第一瓷片電容、第一穩(wěn)壓管、第一電解電容、第一NMOS管和第二電阻。利用本實用新型提供的輸入端口保護(hù)裝置能很好地防止過沖電壓損壞輸入端口。
【IPC分類】H02M1-08, H03K19-0175
【公開號】CN204290934
【申請?zhí)枴緾N201420843160
【發(fā)明人】王文建
【申請人】杭州寬福科技有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月25日