各級控制頻率也相應的改變，使XED燈(20)工作在最佳狀態(tài)，保證XED燈(20)的壽命及光衰維持率。采用本實用新型技術方案，可以使總個驅(qū)動方案達到97%以上的負載效率，從而達到節(jié)能的目的，同時有效的解決電子鎮(zhèn)流器入網(wǎng)的ESD干擾難于解決的問題。同時能保證在波動市電電壓輸入不穩(wěn)定狀態(tài)及負載功率不一樣的情況下，確保功率因素維持不變水平。
[0040]參見圖3，所示為本實用新型基于二級變頻控制技術的XED鎮(zhèn)流器實施方式3的原理框圖，還包括智能接口(108)，所述智能接口(108)與所述控制模塊(106)相連接，用于與外部設備相連接。智能接口(108)是為了實現(xiàn)智慧型產(chǎn)品的控制，這一接口兼容電力載波、CDMA、GPRS、Dala1、5V電壓、WiF1、APP等不同的控制方式進行控制燈的工作狀態(tài)，有利于產(chǎn)品的智能化控制實現(xiàn)。
[0041]參見圖4，所示為本實用新型基于二級變頻控制技術的XED鎮(zhèn)流器的電路原理圖。
[0042]在一種優(yōu)選的實施方式中，整流濾波模塊(101)由F3保險絲、吸收電阻RT2，電容C4、電感T5、電容C6、整流橋D3、電容C12等電子元件組成；
[0043]在一種優(yōu)選的實施方式中，功率因數(shù)校正模塊(102)由變壓器T6、電阻R3、電阻R7、電阻R9、電阻R17、電阻R5、電阻R4、電阻R2、電阻R20、電阻R2022、電容C20、電容C14、電容C15、電容C17、芯片U2、二極管D2004、M0S管Q2等電子元件組成；
[0044]在一種優(yōu)選的實施方式中，第一變頻模塊(103)由電阻R38、電阻R39、電阻R37、電阻R23、電阻R24、電阻R26、三極管Q5、三極管Q6、MOS管Q3、MOS管Q4等電子元件組成；
[0045]在一種優(yōu)選的實施方式中，第二變頻模塊(104)由轉(zhuǎn)換電感器T3、轉(zhuǎn)換電感器T2、電容C22、電容C28、電容Cl 1、電容C27等電子元件組成；
[0046]在一種優(yōu)選的實施方式中，高壓啟動模塊(105)由高壓變換器Tl組成；
[0047]在一種優(yōu)選的實施方式中，輔助電源(107)由二極管D1、電容Cl、電容C4、二極管D5、二極管D6、電容C3、穩(wěn)壓管D4、二極管D2、電感L1、穩(wěn)壓管D3、集成電路芯片U1、電容C29、電阻R1、集成電路芯片U3、電容C7等電子元件組成；
[0048]在一種優(yōu)選的實施方式中，控制模塊(106)為MCU單片機U4，其外圍電路由電阻R30、電阻R32、電阻R36、電容C20、電阻R18、電阻R19、電容C19、電容C18、電容C13、電阻R16、電阻R29、電容C30、電阻R31、電容C24、電容C25、電阻R33、電阻R15、電容C16、電阻R14、二極管D6A、二極管D6B、電阻R34、電容C26、電阻R35、電容Cl、電容C10、電容C9、電容C8、電阻R12、電阻R13、電容C12、電阻R11、電阻R8等電子元件組成。
[0049]在圖4所示的電路原理圖中，部分連接關系和工作原理如下:
[0050]電阻R30的一端連到整流橋D3的正端，另一端與電阻R32的一端相連，電阻R32的另一端與電阻R36相連后與電容C13的一端相連，同時與MCU單片機集成電路U4的29腳相連，達到檢測輸入電壓數(shù)據(jù)的檢測作用，這一數(shù)據(jù)用來對功率因數(shù)校正控制作出設計整作用；
[0051]電阻R3的一端與整流橋D3的正端相連，電阻R3的另一端與電阻R7的一端相連，電阻R7的另一端與電阻R9的一端，與C14的一端，MCU單片機集成電路U4的13腳相連，作為MCU單片機檢測輸入電壓經(jīng)整流橋D3整流，并在經(jīng)電容C12濾波，得到的半正弦波的波形進行檢測，得到的數(shù)據(jù)經(jīng)MCU單片機U4處理后，作為對PFC控制的開關控制，使輸入的電流與電壓相位一致，得到一個高功率因素值。電容C15的一端與變換器T6的副邊一端相連，另一端與電阻R17的一端相連，電阻R17的一端與電容C17的一端相連，同時連到U4的第10腳，作為功率因數(shù)校正控制中的零電流開關檢測；
[0052]電阻R8的一端與二極管D2004的負端相連，電阻R8的另一端與電阻Rll的一端相連，電阻Rll的另一端與電容C12的一端、電阻R13的一端相連后與U4的第27腳相連，U4的27腳作為功率因數(shù)校正模塊(102)經(jīng)功率因素校正并升壓后得到的直流穩(wěn)定電壓的檢測，這個參數(shù)值經(jīng)控制模塊(106)后得到XED燈(20)在不同階段工作的一個參量，以此對燈進行控制，控制是經(jīng)第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)來實現(xiàn)；
[0053]U4的第4腳、第3腳分別與電阻R26、R39的一端相連后去控制第一變頻模塊(103)，實現(xiàn)第一級變頻的驅(qū)動控制。U4的第18腳與電阻R14、R33相連，R33的另一端與電容與C25的一端相連，C25的另一端與二極管D6A正極相連，二極管D6A的正極與變壓器T2的副邊一端相連，U4第7腳與電阻R19、R31的一端相連，電阻R31的另一端與電容C24的一端相連，電容C24的另一端與二極管D6B的正極相連后與變壓器T3的副邊一端相連，二極管D6A與D6B的負端相連后與電阻R34、R35、電容C26的一端相連，電阻R35的另一端與電容Cl相連后與U4的第19腳相連，這樣U4的第19腳、第18腳、第7腳作為二極變頻的控制處理。
[0054]以上所述，僅是本實用新型的實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，雖然本實用新型已以實施例揭露如上，然而并非用以限定本實用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本實用新型技術方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本實用新型技術方案內(nèi)容，依據(jù)本實用新型的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內(nèi)。
【主權項】
1.一種基于二級變頻控制技術的XE D燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，包括整流濾波模塊(101)、功率因數(shù)校正模塊(102)、第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)和高壓啟動模塊(105)，其中， 所述整流濾波模塊(101)與交流輸入相連接，用于對交流電進行整流濾波； 所述功率因數(shù)校正模塊(102)與所述整流濾波模塊(101)相連接，用于進行功率因數(shù)校正； 所述第一變頻模塊(103)與所述功率因數(shù)校正模塊(102)相連接，用于將所述功率因數(shù)校正模塊(102)輸出的直流電壓進行脈沖方波變換； 所述第二變頻模塊(104)與所述第一變頻模塊(103)相連接，用于將所述第一變頻模塊(103)輸出的脈沖方波信號轉(zhuǎn)換為頻率更低的脈沖方波信號； 所述高壓啟動模塊(105)與所述第二變頻模塊(104)相連接，用于在所述鎮(zhèn)流器(10)開啟時產(chǎn)生瞬間高壓信號點亮XED燈(20)。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于二級變頻控制技術的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，還包括輔助電源(107)和控制模塊(106)，所述輔助電源(107)與所述功率因數(shù)校正模塊(102)相連接，用于為所述控制模塊(106)提供低壓供電； 所述控制模塊(106)與所述功率因數(shù)校正模塊(102)、第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)相連接，用于檢測所述功率因數(shù)校正模塊(102)、第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)的工作參數(shù)，并根據(jù)該工作參數(shù)控制所述功率因數(shù)校正模塊(102)、第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104) ?
3.根據(jù)權利要求2所述的基于二級變頻控制技術的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，還包括智能接口(108)，所述智能接口(108)與所述控制模塊(106)相連接，用于與外部設備相連接。
4.根據(jù)權利要求2所述的基于二級變頻控制技術的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述整流濾波模塊(101)包括保險絲F3、吸收電阻RT2，電容C4、電感T5、電容C6、整流橋D3和電容 C12。
5.根據(jù)權利要求2所述的基于二級變頻控制技術的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述功率因數(shù)校正模塊(102)包括變壓器T6、電阻R3、電阻R7、電阻R9、電阻R17、電阻R5、電阻R4、電阻R2、電阻R20、電阻R2022、電容C20、電容C14、電容C15、電容C17、芯片U2、二極管D2004 和 MOS 管 Q2。
6.根據(jù)權利要求2所述的基于二級變頻控制技術的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述第一變頻模塊(103)包括電阻R38、電阻R39、電阻R37、電阻R23、電阻R24、電阻R26、三極管Q5、三極管Q6、MOS管Q3和MOS管Q4。
7.根據(jù)權利要求2所述的基于二級變頻控制技術的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述第二變頻模塊(104)包括轉(zhuǎn)換電感器13、轉(zhuǎn)換電感器12、電容022、電容028、電容(:11和電容C27。
8.根據(jù)權利要求2所述的基于二級變頻控制技術的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述高壓啟動模塊(105)為高壓變換器Tl。
9.根據(jù)權利要求2所述的基于二級變頻控制技術的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述輔助電源(107)包括二極管D1、電容Cl、電容C4、二極管D5、二極管D6、電容C3、穩(wěn)壓管D4、二極管D2、電感L1、穩(wěn)壓管D3、集成電路芯片U1、電容C29、電阻R1、集成電路芯片U3和電容C7 ； 所述控制模塊(106)為單片機。
10.根據(jù)權利要求1或2所述的基于二級變頻控制技術的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述第一變頻模塊(103)輸出的方波信號的頻率范圍在40KHz-200KHz之間； 所述第二變頻模塊(104)根據(jù)所述第一變頻模塊(103)輸出的方波信號進行跟隨變頻，其輸出的方波信號的頻率范圍在50Hz-500Hz之間。
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于二級變頻控制技術的XED燈鎮(zhèn)流器，包括整流濾波模塊、功率因數(shù)校正模塊、第一變頻模塊、第二變頻模塊和高壓啟動模塊，控制模塊以及輔助電源，所述控制模塊與所述功率因數(shù)校正模塊、第一變頻模塊、第二變頻模塊相連接，用于檢測所述功率因數(shù)校正模塊、第一變頻模塊、第二變頻模塊的工作參數(shù)，并根據(jù)該工作參數(shù)控制所述功率因數(shù)校正模塊、第一變頻模塊、第二變頻模塊。采用本實用新型的技術方案，有效的消除了脈沖尖峰在點火啟動時對燈電極的損傷，相對的延長了燈的使用壽命，同時減小了傳導干擾因素，并可以保持有效燈使用壽命(3萬小時)的光效不變，維持在初始光效狀態(tài)。
【IPC分類】H05B41-285
【公開號】CN204291539
【申請?zhí)枴緾N201420708133
【發(fā)明人】唐耀宗, 鄭緒昌
【申請人】嘉興雷明電子科技有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年11月21日