一種用于直流弧放電高密度等離子體發(fā)生裝置的冷卻板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種用于直流弧放電高密度等離子體發(fā)生裝置的冷卻板。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)是制備晶硅和薄膜太陽能電池的關(guān)鍵設(shè)備。按等離子體源與樣品的關(guān)系可將PECVD技術(shù)分為直接和間接技術(shù)。多級直流弧放電等離子體PECVD技術(shù)是間接PECVD技術(shù)一種，這種沉積裝置中等離子體源和沉積腔室間的壓力相差很大，達到亞大氣壓，在這種等離子體源中氬氣氣體的離化率可達10%，NH3分解率可達100%。這樣陽極噴嘴噴出的等離子體噴射擴展到沉積腔室時會有大量活性的離子或中性原子存在，而且低壓的沉積腔室可以有效的避免不同活性粒子之間的復(fù)合。由于實現(xiàn)了樣品和等離子體源的分離，可以降低等離子體中離子對薄膜的濺射和損傷，實現(xiàn)高速的沉積率，達到20nm/s (普通的射頻等離子體源沉積速率是30nm/min)。目前多級直流弧放電等離子體發(fā)生裝置存在的問題是:由于冷卻板焊接工藝不能保證，容易造成冷卻水泄漏現(xiàn)象，造成設(shè)備經(jīng)常停機維護。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的目的在于提供一種用于直流弧放電高密度等離子體發(fā)生裝置的冷卻板，該冷卻板能增大薄膜沉積面積、提高薄膜沉積效率。
[0004]為達到上述目的，本實用新型采用的解決方案是:其上設(shè)有環(huán)形冷卻管，所述冷卻板由一個鑰柱鑲嵌于銅板中構(gòu)成，鑰柱的中心區(qū)域加工有等離子體通道孔，外圓柱面上加工有環(huán)形凹槽，用于放置環(huán)形冷卻管；等離子體通道孔沿銅板中心通過，環(huán)形冷卻管上設(shè)有一進水口和一出水口。
[0005]本實用新型具有如下效果:
[0006](I)冷卻板可以多個疊加組合使用，形成不同的弧壓，因此不僅能增大薄膜沉積面積、提高薄膜沉積效率，而且能有效的減小離子源的空間尺寸，使整個結(jié)構(gòu)更為緊湊；
[0007](2)由于等離子體通道采用具有良好耐高溫性能的鑰加工而成，因此能有效的延長通道的使用壽命；
[0008](3)由于采用整體式銅管對銅板包覆冷卻，既對等離子體通道進行有效的冷卻，又能有效防止冷卻介質(zhì)泄漏；同時降低了加工難度，更易實現(xiàn)。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型的縱剖視圖。
[0010]圖2為本實用新型的主視圖。
[0011]圖中:101—環(huán)形凹槽，201—等離子體通道孔，3—環(huán)形冷卻管，301—出水口，302—進水口。
【具體實施方式】
[0012]為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型作進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0013]如圖1、圖2所示，本實用新型由一個鑰柱鑲嵌于銅板中構(gòu)成，每個鑰柱的中心區(qū)域加工有等離子體通道孔201，銅板上設(shè)有一環(huán)形冷卻管3，其一端為進水口 302和出水口301。工作時，冷卻水由進水口 302進入，然后經(jīng)環(huán)形冷卻管沿銅板上的環(huán)形凹槽101繞行一圈，對銅板進行冷卻，最后經(jīng)出水口 301流出。
【主權(quán)項】
1.一種用于直流弧放電高密度等離子體發(fā)生裝置的冷卻板，其上設(shè)有環(huán)形冷卻管(3)，其特征在于:所述冷卻板由一個鑰柱鑲嵌于銅板中構(gòu)成，鑰柱的中心區(qū)域加工有等離子體通道孔(201)，外圓柱面上加工有環(huán)形凹槽(101)，用于放置環(huán)形冷卻管(3);等離子體通道孔(201)沿銅板中心通過，環(huán)形冷卻管(3)上設(shè)有一進水口(302)和一出水口(301)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種用于直流弧放電高密度等離子體發(fā)生裝置的冷卻板，該冷卻板由一個鉬柱鑲嵌于銅板中構(gòu)成，鉬柱的中心區(qū)域加工有等離子體通道孔，銅板外圓柱面上加工有環(huán)形凹槽，等離子體通道孔布于冷卻板中心軸線上，冷卻管上設(shè)有一進水口和一出水口。本實用新型不僅能自由疊加組合，而且能有效增大薄膜沉積面積、提高薄膜沉積效率，也能有效減小離子源的空間尺寸。
【IPC分類】H05H1-34, H05K7-20
【公開號】CN204335131
【申請?zhí)枴緾N201420180803
【發(fā)明人】芶富均
【申請人】芶富均
【公開日】2015年5月13日
【申請日】2014年4月15日