一種片式柱晶的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉一種高分子聚合物結(jié)晶，特別涉及一種片式柱晶。
【背景技術(shù)】
[0002]柱晶是一種高分子聚合物七種結(jié)晶之一，當(dāng)聚合物熔體在應(yīng)力作用下冷卻結(jié)晶時(shí)候可以形成柱晶。但是目前市場(chǎng)上的柱晶主要包括外殼、基座和引線(xiàn)。由于只有兩根引線(xiàn)連接，外殼的重量只有作用在兩根引線(xiàn)上，導(dǎo)致柱晶的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性很差，柱晶會(huì)傾斜或歪倒，而且兩個(gè)相鄰之間的柱晶相碰撞后，會(huì)磨損外殼。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)合理，簡(jiǎn)單，穩(wěn)定性強(qiáng)的柱晶。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案:
[0005]一種片式柱晶，包括基座、外殼及引線(xiàn)，所述基座與外殼相連，其特征是:所述外殼內(nèi)設(shè)有晶片，貫穿線(xiàn)貫穿基座置于外殼內(nèi)與晶片連接，所述基座包括相互貼合且直徑相等的穩(wěn)定層及增強(qiáng)層，穩(wěn)定層與增強(qiáng)層的厚度比值為0.8-0.96，所述外殼的兩側(cè)貼合有抗壓壁，該抗壓壁呈半圓狀，所述外殼的上端面上設(shè)有穩(wěn)定桿，穩(wěn)定桿的端部與外殼上端面的圓心處連接，所述穩(wěn)定桿的長(zhǎng)度與外殼的高度比值為0.75-0.95。
[0006]進(jìn)一步，所述穩(wěn)定桿與外殼的連接方式是焊接。
[0007]進(jìn)一步，述穩(wěn)定層與增強(qiáng)層采用焊接的方式貼合。
[0008]進(jìn)一步，所述外殼是采用鋅白銅合金制成。
[0009]進(jìn)一步，所述穩(wěn)定層直徑與外殼直徑的比值為1.2-1.3。
[0010]對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的技術(shù)方案所帶來(lái)的有益效果:
[0011]本申請(qǐng)的片式柱晶的基座由穩(wěn)定層及增強(qiáng)層組成，通過(guò)穩(wěn)定層及增強(qiáng)層的設(shè)置，使得引線(xiàn)伸出外殼體的距離縮短，進(jìn)而提高了柱晶的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，而且穩(wěn)定層能保證引線(xiàn)在連接過(guò)程中不會(huì)受力變形彎曲，增強(qiáng)層能提高外殼的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度及抗撞擊能力。當(dāng)穩(wěn)定層與增強(qiáng)層的厚度比值為0.8-0.96時(shí)，引線(xiàn)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性最佳及基座的生產(chǎn)成本最低。
[0012]外殼的兩側(cè)貼合有抗壓壁，該抗壓壁能杜絕兩個(gè)相鄰的柱晶相撞而磨損外殼。通過(guò)在外殼的上端面上設(shè)置穩(wěn)定桿，該穩(wěn)定桿是與其他部件連接的，提高柱晶的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，而且分擔(dān)了引線(xiàn)的重力負(fù)荷，提高了引線(xiàn)的使用壽命。當(dāng)穩(wěn)定桿的長(zhǎng)度與外殼的高度比值為0.75-0.95時(shí)，柱晶的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性最佳及柱晶的生產(chǎn)成本最低。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型的主視圖。
[0014]圖2為本實(shí)用新型的側(cè)視圖。
[0015]圖3為本實(shí)用新型的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]如圖1-圖3所示:一種片式柱晶，包括基座2、外殼I及引線(xiàn)3，所述基座2與外殼I相連，其特征是:所述外殼I內(nèi)設(shè)有晶片，貫穿線(xiàn)貫穿基座2置于外殼I內(nèi)與晶片連接，所述基座2包括相互貼合且直徑相等的穩(wěn)定層21及增強(qiáng)層22，穩(wěn)定層21與增強(qiáng)層22的厚度比值為0.8-0.96:若穩(wěn)定層21與增強(qiáng)層22的厚度比值大于0.8-0.96時(shí)，增強(qiáng)層22變薄，導(dǎo)致外殼I受到外力撞擊時(shí)容易變形。若穩(wěn)定層21與增強(qiáng)層22的厚度比值小于0.8-0.96時(shí)，穩(wěn)定層21變薄，導(dǎo)致引線(xiàn)3伸出外殼I的距離變長(zhǎng)，進(jìn)而使得引線(xiàn)3受力容易變形彎曲。當(dāng)若穩(wěn)定層21與增強(qiáng)層22的厚度偏厚時(shí)，大大提高了生產(chǎn)成本，不符合市場(chǎng)需求。
[0017]所述外殼I的兩側(cè)貼合有抗壓壁5，該抗壓壁5呈半圓狀，所述外殼I的上端面上設(shè)有穩(wěn)定桿4，穩(wěn)定桿4的端部與外殼I上端面的圓心處連接，大大提高了穩(wěn)定桿4與外殼I的連接穩(wěn)定性。所述穩(wěn)定桿4的長(zhǎng)度與外殼I的高度比值為0.75-0.95:若穩(wěn)定桿4的長(zhǎng)度與外殼I的高度比值大于0.75-0.95時(shí)，外殼I的高度偏低，導(dǎo)致外殼I內(nèi)的晶片的安裝空間變下，影響柱晶的使用效果。若穩(wěn)定桿4的長(zhǎng)度與外殼I的高度比值小于0.75-0.95時(shí)，穩(wěn)定桿4長(zhǎng)度偏低，導(dǎo)致穩(wěn)定桿4起到的支撐穩(wěn)定柱晶的效果降低。若穩(wěn)定桿4的長(zhǎng)度及外殼I的高度偏高時(shí)，大大提高了生產(chǎn)成本，不符合市場(chǎng)需求。
[0018]進(jìn)一步，所述穩(wěn)定桿4與外殼I的連接方式是焊接。
[0019]進(jìn)一步，述穩(wěn)定層21與增強(qiáng)層22采用焊接的方式貼合。
[0020]進(jìn)一步，所述外殼I是采用鋅白銅合金制成。
[0021]進(jìn)一步，所述穩(wěn)定層21直徑與外殼I直徑的比值為1.2-1.3時(shí)，柱晶的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性及抗扭能力最佳。
[0022]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行通常的變化和替換都應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種片式柱晶，包括基座、外殼及引線(xiàn)，所述基座與外殼相連，其特征是:所述外殼內(nèi)設(shè)有晶片，貫穿線(xiàn)貫穿基座置于外殼內(nèi)與晶片連接，所述基座包括相互貼合且直徑相等的穩(wěn)定層及增強(qiáng)層，穩(wěn)定層與增強(qiáng)層的厚度比值為0.8-0.96，所述外殼的兩側(cè)貼合有抗壓壁，該抗壓壁呈半圓狀，所述外殼的上端面上設(shè)有穩(wěn)定桿，穩(wěn)定桿的端部與外殼上端面的圓心處連接，所述穩(wěn)定桿的長(zhǎng)度與外殼的高度比值為0.75-0.95。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種片式柱晶，其特征是:所述穩(wěn)定桿與外殼的連接方式是焊接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種片式柱晶，其特征是:所述穩(wěn)定層與增強(qiáng)層采用焊接的方式貼合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種片式柱晶，其特征是:所述外殼是采用鋅白銅合金制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種片式柱晶，其特征是:所述穩(wěn)定層直徑與外殼直徑的比值為 1.2-1.3。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉一種高分子聚合物結(jié)晶，特別涉及一種片式柱晶，包括基座、外殼及引線(xiàn)，所述基座與外殼相連，所述外殼內(nèi)設(shè)有晶片，貫穿線(xiàn)貫穿基座置于外殼內(nèi)與晶片連接，所述基座包括相互貼合且直徑相等的穩(wěn)定層及增強(qiáng)層，穩(wěn)定層與增強(qiáng)層的厚度比值為0.8-0.96，所述外殼的兩側(cè)貼合有抗壓壁，該抗壓壁呈半圓狀，所述外殼的上端面上設(shè)有穩(wěn)定桿，穩(wěn)定桿的端部與外殼上端面的圓心處連接，所述穩(wěn)定桿的長(zhǎng)度與外殼的高度比值為0.75-0.95。本實(shí)用新型構(gòu)合理，簡(jiǎn)單，穩(wěn)定性強(qiáng)。
【IPC分類(lèi)】H03H9-05
【公開(kāi)號(hào)】CN204376846
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520083986
【發(fā)明人】蔡國(guó)旺
【申請(qǐng)人】浙江一晶電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年6月3日
【申請(qǐng)日】2015年2月2日