串聯(lián)改進(jìn)型電感振蕩器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】：
[0001] 本實(shí)用新型涉及振蕩器領(lǐng)域，尤其是涉及LC振蕩器領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】：
[0002] 現(xiàn)有的普通電感H點(diǎn)式振蕩器又稱為哈萊特振蕩器，其存在振蕩波形不夠好，高 次諧波反饋較強(qiáng)，波形失真較大的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】
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[0003] 為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在振蕩波形不夠好，高次諧波反饋較強(qiáng)，波形失真較大 的技術(shù)上的不足，本實(shí)用新型提供了針對解決該一問題的串聯(lián)改進(jìn)型電感振蕩器。
[0004] 本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：在普通電感H點(diǎn)式振蕩器，即 哈特萊振蕩器選頻網(wǎng)絡(luò)的電容支路靠近晶體管基極端串聯(lián)一個可調(diào)電感。
[0005] 本實(shí)用新型的有益效果是；在振蕩器反饋系數(shù)不受影響的情況下，方便地調(diào)節(jié)振 蕩器的振蕩頻率，有效改善存在的振蕩波形不夠好，高次諧波反饋較強(qiáng)，波形失真較大的技 術(shù)問題，使得本實(shí)用新型比普通的電感H點(diǎn)式更容易起振。
[0006] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
【附圖說明】：
[0007] 圖1是普通的電感H點(diǎn)式振蕩器電路原理示意圖
[0008] 圖2是本實(shí)用新型的串聯(lián)改進(jìn)型電感振蕩器電路原理示意圖
[0009] 主要元件的符號說明
[0010] Q1為晶體管
[0011] B為晶體管Q1的基極 [001引C為晶體管Q1的集電極
[0013]E為晶體管Q1的發(fā)射極
【具體實(shí)施方式】：
[0014] 現(xiàn)將參照附圖，對本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)作詳細(xì)的描述。
[0015] 圖1為普通的電感H點(diǎn)式振蕩器電路原理示意圖。
[0016] 電感H點(diǎn)式振蕩器屬于反饋式振蕩器，又叫哈特萊振蕩器，主要由放大器和反饋 網(wǎng)絡(luò)組成，其中放大器通常是W選頻網(wǎng)絡(luò)作負(fù)載，振蕩器的振蕩頻率主要由選頻網(wǎng)絡(luò)決定， 反饋網(wǎng)絡(luò)必需是正反饋，否則振蕩器無法振蕩。
[0017] 由圖1可知，其放大器主要由晶體管Q1的相關(guān)電路組成，反饋網(wǎng)絡(luò)由電感L2組 成，選頻網(wǎng)絡(luò)由兩個電感和一個電容組成，即由圖1中的電感L1、電感L2、電容C4組成。電 感L1的電抗為XI，電感L2的電抗為X2,電容C4的電抗為X4,根據(jù)H點(diǎn)式振蕩器的組成原 則是；與晶體管Q1發(fā)射極E極相連接的電抗XI，X2性質(zhì)相同；而不與晶體管Q1發(fā)射極E相 連接的電抗X4的性質(zhì)與XI、X2相反。
[0018] 電感反饋振蕩器中，電感通常是繞在同一帶磁芯的骨架上，它們之間存在互感， 用M表示。振蕩器的振蕩頻率可W用回路的諧振頻率近似表示，即
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種串聯(lián)改進(jìn)型電感振蕩器，其特征在于：在哈特萊振蕩器選頻網(wǎng)絡(luò)的電容支路靠 近晶體管基極端串聯(lián)一可調(diào)電感。
2. 如權(quán)利要求1所述的電感振蕩器，其特征在于：所述的可調(diào)電感取值遠(yuǎn)大于哈萊特 振蕩器反饋網(wǎng)絡(luò)的電感值。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種串聯(lián)改進(jìn)型電感振蕩器，其在哈特萊振蕩器選頻網(wǎng)絡(luò)的電容支路靠近晶體管基極端串聯(lián)一可調(diào)電感。本實(shí)用新型可以在振蕩器反饋系數(shù)不受影響的情況下，比普通的電感三點(diǎn)式振蕩器更容易起振，并且可改善普通振蕩器振蕩波形不夠好，高次諧波反饋較強(qiáng)，波形失真較大的問題。
【IPC分類】H03B5-04, H03B5-08
【公開號】CN204392178
【申請?zhí)枴緾N201420229298
【發(fā)明人】王志兵, 李杏清
【申請人】東莞職業(yè)技術(shù)學(xué)院
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2014年5月6日