通斷電檢測(cè)復(fù)位電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子電路領(lǐng)域，尤其涉及一種通斷電檢測(cè)復(fù)位電路。
【背景技術(shù)】
[0002]電子系統(tǒng)在通斷電的過程中，由于可能存在不同的電路模塊，所以通斷電時(shí)間不一致，進(jìn)而引起系統(tǒng)在通斷電瞬間出現(xiàn)工作混亂的現(xiàn)象，為了防止該現(xiàn)象的出現(xiàn)，可在一些電路模塊中加入通斷電檢測(cè)復(fù)位電路。通斷電檢測(cè)復(fù)位電路在檢測(cè)到系統(tǒng)發(fā)生斷電或通電時(shí)，會(huì)發(fā)出復(fù)位信號(hào)，然后對(duì)電路進(jìn)行復(fù)位，從而使系統(tǒng)進(jìn)入預(yù)定的狀態(tài)。傳統(tǒng)的通斷電檢測(cè)復(fù)位電路一般存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功耗偏高的缺點(diǎn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型提供一種通斷電檢測(cè)復(fù)位電路，用以實(shí)現(xiàn)對(duì)電路中斷電和通電的檢測(cè)復(fù)位，電路簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)靈活，功耗低。
[0004]本實(shí)用新型提供一種通斷電檢測(cè)復(fù)位電路，包括:
[0005]偏置電路模塊，用于根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流，生成第一偏置電流和第二偏置電流；
[0006]參考電壓模塊，用于根據(jù)所述第一偏置電流，生成參考電壓；
[0007]比較電路模塊，用于根據(jù)所述第二偏置電流，生成閾值電壓，根據(jù)所述閾值電壓比較電源電壓與所述參考電壓，根據(jù)比較結(jié)果判斷電源是否發(fā)生斷電或通電；
[0008]復(fù)位信號(hào)生成模塊，用于當(dāng)判斷所述電源發(fā)生斷電或通電時(shí)，生成復(fù)位信號(hào)，輸出所述復(fù)位信號(hào)。
[0009]本實(shí)用新型設(shè)計(jì)一種通斷電檢測(cè)復(fù)位電路，偏置電路模塊根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流生成第一偏置電流和第二偏置電流，可為整個(gè)通斷電檢測(cè)復(fù)位電路提供偏置電流，參考電壓模塊根據(jù)偏置電路模塊提供的第一偏置電流生成參考電壓，在比較電路模塊中根據(jù)第二偏置電流生成的閾值電壓比較電源電壓與參考電壓，根據(jù)比較結(jié)果判斷電源是否發(fā)生斷電或通電，若電源發(fā)生斷電或通電，則復(fù)位信號(hào)生成模塊生成并輸出復(fù)位信號(hào)，若電源未發(fā)生斷電或通電，則復(fù)位信號(hào)生成模塊生成并輸出表示電源正常的信號(hào)，這樣實(shí)現(xiàn)對(duì)電源斷電和通電的檢測(cè)復(fù)位，電路簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)靈活。并且通過偏置電路模塊中的可調(diào)電流源，可以根據(jù)各電路模塊的需求調(diào)整電流，選擇保證電路正常工作的最小電流就可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)通斷電檢測(cè)復(fù)位的功能，實(shí)現(xiàn)低功耗。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型通斷電檢測(cè)復(fù)位電路第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖2為本實(shí)用新型通斷電檢測(cè)復(fù)位電路第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖3為本實(shí)用新型通斷電檢測(cè)復(fù)位電路第二實(shí)施例中不同電壓的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合說明書附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。
[0014]如圖1所示，為本實(shí)用新型通斷電檢測(cè)復(fù)位電路第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，該電路可以包括:偏置電路模塊11、參考電壓模塊12、比較電路模塊13和復(fù)位信號(hào)生成模塊14，參考電壓模塊12與偏置電路模塊11相連，比較電路模塊13與參考電壓模塊12相連。
[0015]在本實(shí)施例中，偏置電路模塊11用于根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流，生成第一偏置電流和第二偏置電流；參考電壓模塊12用于根據(jù)第一偏置電流生成參考電壓Vref ;比較電路模塊13用于根據(jù)第二偏置電流，生成閾值電壓，根據(jù)閾值電壓比較電源電壓VDD與參考電壓Vref，根據(jù)比較結(jié)果判斷電源是否發(fā)生斷電或通電；復(fù)位信號(hào)生成模塊14用于判斷電源發(fā)生斷電或通電時(shí)，生成復(fù)位信號(hào)，輸出該復(fù)位信號(hào)，當(dāng)判斷電源正常時(shí)，生成表示電源正常的信號(hào)，輸出表示電源正常的信號(hào)。
[0016]在本實(shí)施例中，通過偏置電路模塊11根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流生成第一偏置電流和第二偏置電流，可為整個(gè)通斷電檢測(cè)復(fù)位電路提供偏置電流，參考電壓模塊12根據(jù)偏置電路模塊11提供的第一偏置電流生成參考電壓Vref，通過在比較電路模塊13中根據(jù)第二偏置電流生成的閾值電壓比較電源電壓VDD與參考電壓Vref，由結(jié)果來判斷電源是否發(fā)生斷電或通電，若電源發(fā)生斷電或通電，則復(fù)位信號(hào)生成模塊14生成并輸出復(fù)位信號(hào)，若電源未發(fā)生斷電或通電，也就是電源正常，則復(fù)位信號(hào)生成模塊14生成并輸出表示電源正常的信號(hào)，這樣實(shí)現(xiàn)對(duì)電源斷電和通電的檢測(cè)復(fù)位，電路簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)靈活。由于可調(diào)電流源提供的電流可調(diào)，所以可以根據(jù)各電路模塊的需求調(diào)整由可調(diào)電流源提供的電流得到的第一偏置電流和第二偏置電流，選擇保證電路正常工作的最小電流就可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)通斷電檢測(cè)復(fù)位的功能，從而實(shí)現(xiàn)低功耗。
[0017]可選地，再參見圖1所示的示意圖，偏置電路模塊11可以包括:可調(diào)電流源I1、第一 PMOS管M1、第二 PMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4，可調(diào)電流源Il的正極與地連接，可調(diào)電流源Il的負(fù)極與第一 PMOS管Ml的漏極連接，第一 PMOS管Ml的源極、第二PMOS管M2的源極均與電源電壓VDD連接，第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接并與第二 PMOS管M2的柵極連接，第三NMOS管M3的柵極、源極均與地連接，第四NMOS管M4的源極與地連接，第四NMOS管M4的柵極與漏極短接。其中，可以通過改變可調(diào)電流源Il的實(shí)現(xiàn)方式調(diào)整可調(diào)電流源Il提供的電流，可調(diào)電流源Il有多種實(shí)現(xiàn)方式，例如:用一個(gè)電阻實(shí)現(xiàn)可調(diào)電流源II，就可以通過調(diào)整電阻的阻值實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的調(diào)整，從而可以得到可調(diào)整的第一偏置電流和第二偏置電流；第一 PMOS管Ml根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流向參考電壓模塊12傳遞第一偏置電流，第二 PMOS管M2根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流向第四NMOS管M4傳遞第二偏置電流，第四NMOS管M4向比較電路模塊13傳遞第二偏置電流；第三NMOS管M3用于保護(hù)第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓，具體地，當(dāng)斷電發(fā)生，電源電壓VDD下降的過程中，第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓也會(huì)隨著下降，由于第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓低于電源電壓VDD，所以當(dāng)電源電壓VDD降至OV時(shí)，第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓會(huì)低于0V，出現(xiàn)過沖現(xiàn)象，如果第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓過低，第三NMOS管M3的漏極與襯底之間的寄生二極管就會(huì)導(dǎo)通，這樣就會(huì)由第三NMOS管M3的襯底向第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處注入電流，從而防止第一PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于0V。
[0018]可選地，在本實(shí)施例中，參考電壓模塊12用于將第一偏置電流施加在場(chǎng)效應(yīng)晶體管上，生成參考電壓Vref，具體地，再參見圖1所示的示意圖，參考電壓模塊12可以包括:第五PMOS管M5、參考電壓生成單元121，第五PMOS管M5的源極與電源電壓VDD連接，第五PMOS管M5的柵極與第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處連接，第五PMOS管M5的漏極與參考電壓生成單元121連接，參考電壓生成單元121與地連接。其中，第五PMOS管M5與第一 PMOS管Ml組成鏡像電流源為參考電壓生成單元121提供第一偏置電流，參考電壓生成單元121包括上述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，參考電壓Vref為場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的電壓，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管在第一偏置電流的作用下導(dǎo)通，根據(jù)第一偏置電流生成參考電壓Vref。
[0019]可選地，在本實(shí)施例中，參考電壓生成單元121中場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以為I個(gè)MOS管、或串聯(lián)連接的兩個(gè)以上MOS管，參考電壓Vref為各MOS管上的電壓的和，由于電路中只需保證各MOS管導(dǎo)通即可，所以第一偏置電流可以很小，所以MOS管上的電壓近似等于該MOS管的截止電壓，則參考電壓Vref為各MOS管的截止電壓之和。并且，由于參考電壓生成單元121中可以調(diào)節(jié)MOS管的個(gè)數(shù)，所以參考電壓Vref的大小可以調(diào)節(jié)。
[0020]具體地，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以為I個(gè)PMOS管，則PMOS管的源極與第五PMOS管M5的漏極連接，PMOS管的柵極與漏極短接并與地連接；場(chǎng)效應(yīng)晶體管還可以為I個(gè)NMOS管，則NMOS管的柵極與漏極短接并與第五PMOS管M5的漏極連接，NMOS管的源極與地連接；場(chǎng)效應(yīng)晶體管還可以為2個(gè)PMOS管，即PMOS管Pl和PMOS管P2，則PMOS管Pl的源極與第五PMOS管M5的漏極連接，PMOS管Pl的柵極與漏極短接并與PMOS管P2的源極連接，PMOS管P2的柵極與漏極短接并