一種射頻放大器電路的制作方法
【技術(shù)領域】
[0001]本實用新型涉及一種射頻放大器電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前美國ellman公司生產(chǎn)的電刀功率放大器部分，是采用老式的電子管方式進行功率放大的；它的缺點是由于輸出頻率高，功率輸出不穩(wěn)定，功率值不準確，高頻漏電大等問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本實用新型的主要目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本實用新型提供一種輸出功率穩(wěn)定、功率值準確且高頻漏電流小的射頻放大器電路。
[0004]本實用新型提供了一種射頻放大器電路，包括輸入端、DECI420 MOSFET場效應管，DE357-102N12A場效應管，濾波電路以及輸出端，所述DECI420 MOSFET場效應管設置在所述輸入端和所述DE357-102N12A場效應管之間，所述DE357-102N12A場效應管右端與所述輸出端相連，所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳I之間連接有電阻R13、電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13，所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7，所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳5與所述DE357-102N12A場效應管的管腳2相連，所述濾波電路與所述DE357-102N12A場效應管的管腳5相連，所述濾波電路包括電容Cl、電容C2和電感LI，所述DE357-102N12A場效應管的管腳5與輸出端之間分別設置有電容C8、電容C9、電容ClO和電容16，所述輸出端左側(cè)還設置有一隔離變壓器TI，還包括取樣電路，所述取樣電路包括電流取樣傳感線圈T2。
[0005]可選的，所述電容C19為低通濾波電容。
[0006]可選的，所述電容C3為低通濾波電容。
[0007]本實用新型具有以下優(yōu)點和有益效果:本實用新型提供一種射頻放大器電路，在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳I之間連接有電阻R13和所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳3之間連接有電阻Rl可減少因電源帶來干擾；由于輸入的頻率高，要保持輸入信號的絕對干凈，不受寄生電容和磁場的干擾，在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳I之間連接有電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13，其中C19為低通濾波；在所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7，其中C3為低通濾波；被放大的電流信號直接通過DECI420M0SFET場效應管的管腳5輸入給DE357-102N12A場效應管的管腳2進行功率放大；電容Cl、電容C2和電感LI組成了功率放大電源的濾波；被放大的高頻信號通過電容C8、電容C9、電容ClO和電容16輸出一個穩(wěn)定的功率信號，再經(jīng)隔離變壓器Tl輸出，如此使其輸出功率更穩(wěn)定，功率更準確，高頻漏電流更小。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實用新型提供的一種射頻放大器電路原理圖。
【具體實施方式】
[0009]下面將參照附圖和具體實施例對本實用新型作進一步的說明。
[0010]如圖1所示:本實用新型實施例的一種射頻放大器電路，包括輸入端、DECI420 MOSFET場效應管，DE357-102N12A場效應管，濾波電路100以及輸出端，所述DECI420 MOSFET場效應管設置在所述輸入端和所述DE357-102N12A場效應管之間，所述DE357-102N12A場效應管右端與所述輸出端相連，所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應管的管腳I之間連接有電阻R13、電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13，所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7，所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳5與所述DE357-102N12A場效應管的管腳2相連，所述濾波電路100與所述DE357-102N12A場效應管的管腳5相連，所述濾波電路包括電容Cl、電容C2和電感LI，所述DE357-102N12A場效應管的管腳5與輸出端之間分別設置有電容C8、電容C9、電容ClO和電容16，所述輸出端左側(cè)還設置有一隔離變壓器Tl，還包括取樣電路200，所述取樣電路包括電流取樣傳感線圈T2。
[0011]作為上述實施例的優(yōu)選實施方式，所述電容C19為低通濾波電容。
[0012]作為上述實施例的優(yōu)選實施方式，所述電容C3為低通濾波電容。
[0013]本實用新型的工作原理為:在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳I之間連接有電阻R13和所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳3之間連接有電阻Rl可減少因電源帶來干擾；由于輸入的頻率高，要保持輸入信號的絕對干凈，不受寄生電容和磁場的干擾，在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳I之間連接有電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13，其中C19為低通濾波；在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7，其中C3為低通濾波；被放大的電流信號直接通過DECI420 MOSFET場效應管的管腳5輸入給DE357-102N12A場效應管的管腳2進行功率放大；電容Cl、電容C2和電感LI組成了功率放大電源的濾波；被放大的高頻信號通過電容C8、電容C9、電容ClO和電容16輸出一個穩(wěn)定的功率信號，再經(jīng)隔離變壓器Tl輸出，如此使其輸出功率更穩(wěn)定，功率更準確，高頻漏電流更小。
[0014]后應說明的是:以上所述的各實施例僅用于說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術(shù)人員應當理解:其依然可以對前述實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種射頻放大器電路，其特征在于:包括輸入端、DECI420M0SFET場效應管，DE357-102N12A場效應管，濾波電路以及輸出端，所述DECI420M0SFET場效應管設置在所述輸入端和所述DE357-102N12A場效應管之間，所述DE357-102N12A場效應管右端與所述輸出端相連，所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應管的管腳I之間連接有電阻R13、電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13，所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7，所述DECI420M0SFET場效應管的管腳5與所述DE357-102N12A場效應管的管腳2相連，所述濾波電路與所述DE357-102N12A場效應管的管腳5相連，所述濾波電路包括電容Cl、電容C2和電感LI，所述DE357-102N12A場效應管的管腳5與輸出端之間分別設置有電容C8、電容C9、電容ClO和電容16，所述輸出端左側(cè)還設置有一隔離變壓器TI，還包括取樣電路，所述取樣電路包括電流取樣傳感線圈T2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻放大器電路，其特征在于，所述電容C19為低通濾波電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻放大器電路，其特征在于，所述電容C3為低通濾波電容。
【專利摘要】本實用新型涉及一種射頻放大器電路，包括輸入端、DECI420 MOSFET場效應管，DE357-102N12A場效應管，濾波電路以及輸出端，所述DECI420 MOSFET場效應管設置在所述輸入端和所述DE357-102N12A場效應管之間，所述DE357-102N12A場效應管右端與所述輸出端相連，所述濾波電路包括電容C1、電容C2和電感L1，所述輸出端左側(cè)還設置有一隔離變壓器T1，還包括取樣電路，所述取樣電路包括電流取樣傳感線圈T2。本實用新型的有益效果在于，本實用新型提供一種輸出功率穩(wěn)定、功率值準確且高頻漏電流小的射頻放大器電路。
【IPC分類】H03F3-20, H03F3-193
【公開號】CN204481771
【申請?zhí)枴緾N201520098935
【發(fā)明人】馬廣軍
【申請人】北京康威電子技術(shù)有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2015年2月11日