高端輸入信號(hào)和低端輸入信號(hào)進(jìn)入閉鎖邏輯控制模塊進(jìn)行閉鎖保護(hù)并經(jīng)延時(shí)控制后輸出給電平位移模塊和低端驅(qū)動(dòng)t吳塊。
[0017]所述電平位移模塊采用電阻與低壓晶體管的串聯(lián)分壓電路替代現(xiàn)有兩個(gè)耐壓MOS晶體管串聯(lián)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高壓單元與低壓單元間的電平位移功能。
[0018]所述高端驅(qū)動(dòng)模塊與電平位移模塊相連，經(jīng)過電平位移模塊的高端輸出信號(hào)通過高端驅(qū)動(dòng)模塊驅(qū)動(dòng)輸出，低端輸出信號(hào)通過低端驅(qū)動(dòng)模塊驅(qū)動(dòng)輸出。
[0019]所述低壓單元采用UHV工藝集成為耐壓集成塊，所述耐壓集成塊的耐壓值為600V。由于所述高壓單元工作在VB~VS間的電源域中，而VB-VS的相對(duì)電壓并不高，通常均為10~20V，所以采用30V HV工藝將所述高壓單元集成為高壓集成塊完全可以滿足電路需求。采用雙芯片封裝技術(shù)將耐壓集成塊與高壓集成塊封裝在同一個(gè)塑封體內(nèi)，形成一顆具有完整半橋驅(qū)動(dòng)功能的芯片。
[0020]如圖2所示，所述電平位移模塊包括恒流源Is、與恒流源相匹配的電流鏡1、負(fù)載電阻RL、電阻分壓電路4、晶體管分壓電路3和反相器2。所述電阻分壓電路4是由至少兩個(gè)分壓電阻串聯(lián)而成，所述晶體管分壓電路3是由至少兩個(gè)低壓晶體管串聯(lián)而成，所述恒流源Is的正極與電源VDD相連，負(fù)極連接電流鏡I的輸入端。所述電流鏡I采用兩個(gè)同型號(hào)的三極管Ql和Q2背靠背連接構(gòu)成，所述電流鏡I的輸出端與晶體管分壓電路3的一端相連，晶體管分壓電路3的另一端連接負(fù)載電阻RL，負(fù)載電阻RL的另一端、電阻分壓電路4的一端與高端驅(qū)動(dòng)模塊的高端懸浮電源VB相連，電阻分壓電路4的另一端連接地GND，并且晶體管分壓電路3的所有低壓晶體管基極依次連接到電阻分壓電路4中相鄰兩個(gè)分壓電阻之間引出的支路，所述反相器2是由一低壓晶體管Q3和電阻R串聯(lián)而成，其中電阻R的一端與低壓晶體管Q3的集電極相連，另一端與高端驅(qū)動(dòng)模塊的高端懸浮地VS相連，并且該低壓晶體管Q3的基極連接在負(fù)載電阻RL和晶體管分壓電路3之間引出的支路上，電平位移模塊的輸入端IN設(shè)置在恒流源I和電流鏡2之間引出的支路上，其輸出端OUT設(shè)置在反相器2的低壓晶體管Q3和電阻R之間的支路上。
[0021]如圖3所示，所述耐壓集成塊和高壓集成塊設(shè)置在包含雙基島的引線框架上，具體為所述耐壓集成塊設(shè)置在引線框架的左基島上，所述高壓集成塊設(shè)置在引線框架的右基島上。并在所述耐壓集成塊上引出兩個(gè)第一焊盤PADl和PAD2，在所述高壓集成塊上引出兩個(gè)第二焊盤PADla和PAD2a ;所述第一焊盤PADl和第二焊盤PADla之間通過導(dǎo)線相連，所述第一焊盤PAD2和第二焊盤PAD2a之間通過導(dǎo)線相連。
[0022]實(shí)施例中其他相關(guān)電路模塊的設(shè)計(jì)屬于本領(lǐng)域的現(xiàn)有技術(shù)或公知常識(shí)，在此不再贅述。需要說明的是上述實(shí)施例，并非用來限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上所作出的等同變換或替代均落入本實(shí)用新型權(quán)利要求所保護(hù)的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低成本的半橋驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于:該芯片內(nèi)部的集成電路分為高壓單元和低壓單元兩部分，所述低壓單元包括電流偏置模塊、欠壓保護(hù)模塊、閉鎖邏輯控制模塊、電平位移模塊和低端驅(qū)動(dòng)模塊，所述高壓單元包括高端驅(qū)動(dòng)模塊；所述電流偏置模塊分別與欠壓保護(hù)模塊、閉鎖邏輯控制模塊和低端驅(qū)動(dòng)模塊相連，所述電流偏置模塊提供基準(zhǔn)的偏置電流給欠壓保護(hù)模塊、閉鎖邏輯控制模塊和低端驅(qū)動(dòng)模塊，所述欠壓保護(hù)模塊與閉鎖邏輯控制模塊相連，所述欠壓保護(hù)模塊提供欠壓保護(hù)信號(hào)給閉鎖邏輯控制模塊，所述閉鎖邏輯控制模塊分別與電平位移模塊和低端驅(qū)動(dòng)模塊相連；高端輸入信號(hào)和低端輸入信號(hào)進(jìn)入閉鎖邏輯控制模塊進(jìn)行閉鎖保護(hù)并經(jīng)延時(shí)控制后輸出給電平位移模塊和低端驅(qū)動(dòng)模塊，所述電平位移模塊采用電阻與低壓晶體管的串聯(lián)分壓電路替代現(xiàn)有兩個(gè)耐壓MOS晶體管串聯(lián)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高壓單元與低壓單元間的電平位移功能，所述高端驅(qū)動(dòng)模塊與電平位移模塊相連，經(jīng)過電平位移模塊的高端輸出信號(hào)通過高端驅(qū)動(dòng)模塊驅(qū)動(dòng)輸出，低端輸出信號(hào)通過低端驅(qū)動(dòng)模塊驅(qū)動(dòng)輸出；所述低壓單元采用UHV工藝集成為耐壓集成塊，所述高壓單元采用HV工藝集成為高壓集成塊，采用雙芯片封裝技術(shù)將耐壓集成塊與高壓集成塊封裝在同一個(gè)塑封體內(nèi)，形成一顆具有完整半橋驅(qū)動(dòng)功能的芯片。2.如權(quán)利要求1所述的一種低成本的半橋驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述電平位移模塊包括恒流源、與恒流源相匹配的電流鏡、負(fù)載電阻、電阻分壓電路、晶體管分壓電路和反相器，所述電阻分壓電路是由至少兩個(gè)分壓電阻串聯(lián)而成，所述晶體管分壓電路是由至少兩個(gè)低壓晶體管串聯(lián)而成，所述恒流源的正極與電源VDD相連，負(fù)極連接電流鏡的輸入端，所述電流鏡采用兩個(gè)同型號(hào)的三極管背靠背連接構(gòu)成，所述電流鏡的輸出端與晶體管分壓電路的一端相連，晶體管分壓電路的另一端連接負(fù)載電阻，負(fù)載電阻的另一端、電阻分壓電路的一端與高端驅(qū)動(dòng)模塊的高端懸浮電源VB相連，電阻分壓電路的另一端連接地GND，并且晶體管分壓電路的所有低壓晶體管基極依次連接到電阻分壓電路中相鄰兩個(gè)分壓電阻之間引出的支路，所述反相器是由一低壓晶體管和電阻串聯(lián)而成，其中電阻的一端與低壓晶體管的集電極相連，另一端與高端驅(qū)動(dòng)模塊的高端懸浮地VS相連，并且該低壓晶體管的基極連接在負(fù)載電阻和晶體管分壓電路之間引出的支路上，電平位移模塊的輸入端設(shè)置在恒流源和電流鏡之間引出的支路上，其輸出端設(shè)置在反相器的低壓晶體管和電阻之間的支路上。3.如權(quán)利要求1所述的一種低成本的半橋驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述耐壓集成塊和高壓集成塊設(shè)置在包含雙基島的引線框架上，具體為所述耐壓集成塊設(shè)置在引線框架的左基島上，所述高壓集成塊設(shè)置在引線框架的右基島上；所述耐壓集成塊與高壓集成塊之間通過各自引出的焊盤采用導(dǎo)線進(jìn)行連接。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種低成本的半橋驅(qū)動(dòng)芯片，該芯片內(nèi)部的集成電路由高壓單元和低壓單元組成，低壓單元包括電流偏置模塊、欠壓保護(hù)模塊、閉鎖邏輯控制模塊、電平位移模塊和低端驅(qū)動(dòng)模塊，高壓單元包括高端驅(qū)動(dòng)模塊；其中的電平位移模塊采用電阻與低壓晶體管的分壓電路替代現(xiàn)有耐壓MOS晶體管串聯(lián)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高壓與低壓間的電平位移功能；此外，低壓單元采用UHV工藝集成為耐壓集成塊，高壓單元采用HV工藝集成為高壓集成塊，采用雙芯片封裝技術(shù)將耐壓集成塊與高壓集成塊封裝在同一個(gè)塑封體內(nèi)，形成一顆具有完整半橋驅(qū)動(dòng)功能的芯片。本半橋驅(qū)動(dòng)芯片具有集成度高、體積小、工作頻率高、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、低功耗等優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】H03K19/0175
【公開號(hào)】CN204615804
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520335777
【發(fā)明人】羅寅, 譚在超, 張海濱
【申請(qǐng)人】蘇州鍇威特半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2015年9月2日
【申請(qǐng)日】2015年5月22日...