溫度上升的速度，更重要的是熱膨脹系數(shù)小，使得所述熱沉在散熱的過程中各個(gè)不同位置處的形變小，提高了運(yùn)行的安全性和可靠性。需要說明的是，在本實(shí)用新型中還可以使用其它的熱沉5，本實(shí)用新型對(duì)此不作具體限定。
[0046]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本實(shí)用新型的一種【具體實(shí)施方式】中，所述鉬銅熱沉為銅-鉬-銅合金熱沉。所述鉬銅熱沉采用為類似“三明治”結(jié)構(gòu)的銅-鉬-銅復(fù)合材料，這種材料的結(jié)構(gòu)是層疊式，一般分為三層，中間層為低膨脹材料層，兩邊為高導(dǎo)電導(dǎo)熱的材料層，所述低膨脹芯材為金屬M(fèi)o，雙面高導(dǎo)電導(dǎo)熱材料為純銅，所述材料具有高強(qiáng)度、高熱導(dǎo)率、低膨脹系數(shù)以及可沖制成型等特點(diǎn)，其膨脹系數(shù)等性能還具有可設(shè)計(jì)性。在所述LDMOS功率放大器或GaN功率放大器大功率輸出，所述熱沉5溫度升高時(shí)，所述熱沉5不會(huì)發(fā)生翹邊，所述LDMOS功率放大器或GaN功率放大器的芯片不會(huì)發(fā)生斷裂，所述熱沉5與所述金屬底板4的固定效果也不會(huì)減弱。需要說明的是，在本實(shí)用新型中還可以使用其它結(jié)構(gòu)的鉬銅熱沉，只要利于提高所述熱沉的散熱能力即可，本實(shí)用新型對(duì)此不作具體限定。
[0047]在本實(shí)用新型的所述混合集成微波功率放大器的中，在所述第一功率放大器I和第二功率放大器2之間還設(shè)置有級(jí)間匹配電路，所述級(jí)間匹配電路設(shè)置于所述PCB板上，輸入端與所述第一功率放大器I的輸出端連接，輸出端與所述第二功率放大器2的輸入端連接。
[0048]另外，所述混合集成微波功率放大器一般中還包括輸出匹配電路，所述輸出匹配電路的輸入端與所述LDMOS功率放大器或GaN功率放大器的輸出端連接。
[0049]所述級(jí)間匹配電路10或所述輸出匹配電路由分立元件9和金絲綁線8組成。所述分立元件9主要是貼片電容，所述金絲綁線8具有與芯片電容阻抗匹配的分布電感，等效為級(jí)間匹配電路的電感。所述第二功率放大器2的管腳6通過金絲綁線8鍵合與所述PCB板3焊盤7上實(shí)現(xiàn)各種電氣連接。
[0050]由于所述第一功率放大器I的輸出阻抗和所述第二功率放大器2的輸入阻抗都是只有幾歐姆的低阻，故可以不再用常規(guī)的將輸入輸出阻抗匹配至50 Ω的方法，而是在所述PCB板3上通過所述金絲綁線和所述分立元件，直接將前級(jí)輸出阻抗匹配到后級(jí)輸入阻抗，并且無需進(jìn)行常規(guī)的將所述第二功率放大器封裝內(nèi)預(yù)匹配，使得所述第一功率放大器I和所述第二功率放大器2之間的阻抗非常容易匹配，而且二者之間的級(jí)間匹配電路10結(jié)構(gòu)簡單，效果良好。
[0051]綜上所述，所述混合集成微波功率放大器通過將所述第一功率放大器和所述第二功率放大器集成到所述金屬底板上，所述第一功率放大器集成到所述PCB板上，所述第二功率放大器設(shè)置到所述熱沉上，與所述第一功率放大器連接，使得所述混合集成微波功率放大器的同時(shí)具有GaAs和LDMOS/GaN兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，整體電路具有高頻、高增益、高線性度、大功率、高效率等特點(diǎn)，且集成度高，封裝成本低，應(yīng)用更方便。所述LDMOS功率放大器或GaN功率放大器設(shè)置到所述熱沉上而未集成到所述PCB板上，所述熱沉具有很低的熱膨脹系數(shù)，受熱情況下不容易發(fā)生形變，使得所述LDMOS/GaN功率放大器的芯片不會(huì)發(fā)生斷裂；所述熱沉具有很強(qiáng)的導(dǎo)熱能力，極大地提高了對(duì)所述LDMOS功率放大器GaN功率放大器的散熱能力；所述GaAs功率放大器設(shè)置到所述PCB板上，而所述PCB板和所述熱沉集成到所述金屬底板上，所述金屬底板具有很強(qiáng)的導(dǎo)熱能力，使得所述PCB板和所述熱沉的溫度差別較小，所述PCB板各部分的溫差較小，不會(huì)發(fā)生斷裂。另外，由于所述GaAs功率放大器輸出阻抗和所述LDMOS功率放大器或GaN功率放大器輸入阻抗都是只有幾歐姆的低阻，故可以不再用常規(guī)的將輸入輸出阻抗匹配至50 Ω的方法，而是在所述PCB板上直接通過分立元件和金絲綁線將前級(jí)輸出阻抗匹配到后級(jí)輸入阻抗，并且無需進(jìn)行常規(guī)的LDMOS功率放大器或GaN功率放大器封裝內(nèi)預(yù)匹配，電路結(jié)構(gòu)更簡單，效果良好。
[0052]以上對(duì)本實(shí)用新型所提供的基于PCB工藝的GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于PCB工藝的GaAs和LDMOS/GaN的混合集成微波功率放大器，其特征在于，包括: 金屬底板； 所述金屬底板的上表面設(shè)置有PCB板和熱沉； 所述PCB板上設(shè)置有第一功率放大器； 所述熱沉上設(shè)置有第二功率放大器； 所述第二功率放大器的輸入端與所述第一功率放大器的輸出端連接； 其中，所述第一功率放大器為GaAs功率放大器，所述第二功率放大器為LDMOS功率放大器或GaN功率放大器。2.如權(quán)利要求1所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述第二功率放大器通過銀漿焊或共晶焊的方式固定在所述熱沉上。3.如權(quán)利要求2所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述金屬底板上還具有槽，所述槽的形狀與所述熱沉的橫截面形狀相同，所述熱沉的底部嵌套進(jìn)所述金屬底板的槽。4.如權(quán)利要求3所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述PCB板上還具有通孔，所述通孔的橫截面形狀與所述熱沉的橫截面形狀相同，所述熱沉穿過所述通孔嵌套進(jìn)所述金屬底板的槽。5.如權(quán)利要求4所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述槽的深度等于所述熱沉的厚度與所述PCB板的厚度的差值。6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述熱沉為鉬銅熱沉。7.如權(quán)利要求6所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述鉬銅熱沉為銅-鉬-銅熱沉。8.如權(quán)利要求1所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，還包括級(jí)間匹配電路，所述級(jí)間匹配電路設(shè)置于所述PCB板上，輸入端與所述第一功率放大器的輸出端連接，輸出端與所述第二功率放大器的輸入端連接。9.如權(quán)利要求8所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，還包括輸出匹配電路，所述輸出匹配電路的輸入端與所述第二功率放大器的輸出端連接。10.如權(quán)利要求9所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述級(jí)間匹配電路或所述輸出匹配電路由分立元件和金絲綁線組成。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種基于PCB工藝的GaAs和LDMOS/GaN的混合集成微波功率放大器，包括：金屬底板；所述金屬底板的上表面設(shè)置有PCB板和熱沉；所述PCB板上設(shè)置有第一功率放大器；所述熱沉上設(shè)置有第二功率放大器；所述第二功率放大器的輸入端與所述第一功率放大器的輸出端連接；其中，所述第一功率放大器為GaAs功率放大器，所述第二功率放大器為LDMOS功率放大器或GaN功率放大器。所述GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器，結(jié)合GaAs和LDMOS/GaN兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，使得所述GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器的整體電路具有高頻、高增益、高線性度、大功率、高效率等特點(diǎn)，且集成度高，封裝成本低，應(yīng)用更方便。
【IPC分類】H03F1/02, H03F3/19, H03F1/32
【公開號(hào)】CN204669313
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520430315
【發(fā)明人】高懷, 丁杰, 王 鋒, 祖慧慧
【申請(qǐng)人】蘇州英諾迅科技股份有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請(qǐng)日】2015年6月19日