Igbt芯片水冷專用基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及有IGBT芯片的散熱技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及IGBT芯片水冷專用基板。
【背景技術(shù)】
[0002]功率器件的發(fā)熱量大，一般需要借助風(fēng)冷和液冷技術(shù)，而風(fēng)冷效果相比液冷效果是較差的，因此對(duì)于高功率的器件一般需要設(shè)計(jì)相應(yīng)的水冷基板，從而保證其散熱效果，這就使得設(shè)計(jì)液冷板進(jìn)行液冷散熱極其必要。
[0003]傳統(tǒng)液冷板的結(jié)構(gòu)包括上毛坯板和下毛坯板，上毛坯板面向下毛坯板的一面為平整的平面，下毛坯板面向上毛坯板的一面開有水道槽，其毛坯板之間采用平面接觸，中間夾焊片進(jìn)行焊接，焊接時(shí)受毛坯件的平面度、焊接變形的影響較大，尤其是大面積焊接時(shí)，容易造成虛焊，焊接成功率低，水道槽容易封閉不嚴(yán)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供IGBT芯片水冷專用基板，是一種焊接成功率高的液冷板，并且可以不受平整度的影響從而達(dá)到水道的嚴(yán)實(shí)密封。
[0005]本實(shí)用新型的目的主要通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):IGBT芯片水冷專用基板，包括上毛還板和下毛還板，上毛還板面向下毛還板的一面設(shè)置有2個(gè)上毛還凹槽，下毛還板面向上毛坯板的一面設(shè)置有過水凹槽，過水凹槽面向上毛坯板的底面設(shè)置有2個(gè)存在間隙的隔板，隔板與過水凹槽的側(cè)面之間存在槽邊隔板間隙，下毛坯板面向上毛坯板的一面設(shè)置有2個(gè)密封槽，2個(gè)密封槽與2個(gè)上毛坯凹槽形成上下對(duì)稱設(shè)置，密封槽與過水凹槽相鄰并連通，在密封槽、槽邊隔板間隙、上毛坯凹槽內(nèi)均設(shè)置有錫焊填料體，隔板面向上毛坯板的一面與上毛坯板接觸。
[0006]上述結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理為:利用在過水凹槽兩側(cè)設(shè)置密封槽，同時(shí)在上毛坯板上開設(shè)與密封槽對(duì)稱的上毛坯凹槽，這樣就會(huì)使得上毛坯凹槽和密封槽構(gòu)成一個(gè)空腔，在該空腔內(nèi)填充錫焊填料體以起到密封效果，同時(shí)為了防止在橫向受力的情況下造成上述空腔內(nèi)的錫焊填料體斷裂，因此上述結(jié)構(gòu)中還在過水凹槽內(nèi)設(shè)置隔板，而將隔板與過水凹槽的側(cè)面存在槽邊隔板間隙，同時(shí)也在槽邊隔板間隙內(nèi)設(shè)置錫焊填料體，此處的錫焊填料體與上述空腔內(nèi)的錫焊填料體形成一個(gè)整體的錫焊填料體，而這個(gè)整體的錫焊填料體為一個(gè)先豎向延伸再橫向延伸最后再豎向延伸的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)就形成一個(gè)可耐受豎向和橫向沖擊力的密封邊界，其密封效果很好，耐沖擊力大，而整個(gè)制作過程中，均不需要考慮上毛坯板和下毛坯板的平整度。
[0007]優(yōu)選的，所述上毛坯凹槽、密封槽、過水凹槽均為矩形凹槽。
[0008]優(yōu)選的，密封槽和上毛坯凹槽的深度均介于Imm至2mm。
[0009]優(yōu)選的，過水凹槽的深度大于或等于3_。
[0010]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:將傳統(tǒng)的平面焊接改為錫焊填料體密封邊界焊接，將有效焊接面縮小，可以達(dá)到快速焊接、焊接變形小、焊接成功率高的目的。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型的側(cè)剖視圖。
[0012]圖中的附圖標(biāo)記分別表示為:1、上毛坯板，11，上毛坯凹槽，2、下毛坯板，21、過水凹槽，22、隔板，23、槽邊隔板間隙，24、密封槽。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
[0014]實(shí)施例1:
[0015]如圖1所示。
[0016]IGBT芯片水冷專用基板，包括上毛還板I和下毛還板2，上毛還板I面向下毛還板2的一面設(shè)置有2個(gè)上毛還凹槽11，下毛還板2面向上毛還板I的一面設(shè)置有過水凹槽21，過水凹槽21面向上毛坯板I的底面設(shè)置有2個(gè)存在間隙的隔板22，隔板22與過水凹槽21的側(cè)面之間存在槽邊隔板間隙23，下毛坯板2面向上毛坯板I的一面設(shè)置有2個(gè)密封槽24，2個(gè)密封槽24與2個(gè)上毛坯凹槽11形成上下對(duì)稱設(shè)置，密封槽24與過水凹槽21相鄰并連通，在密封槽24、槽邊隔板間隙23、上毛坯凹槽11內(nèi)均設(shè)置有錫焊填料體，隔板22面向上毛還板I的一面與上毛還板I接觸。
[0017]上述結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理為:利用在過水凹槽21兩側(cè)設(shè)置密封槽24，同時(shí)在上毛坯板I上開設(shè)與密封槽對(duì)稱的上毛還凹槽11，這樣就會(huì)使得上毛還凹槽11和密封槽24構(gòu)成一個(gè)空腔，在該空腔內(nèi)填充錫焊填料體以起到密封效果，同時(shí)為了防止在橫向受力的情況下造成上述空腔內(nèi)的錫焊填料體斷裂，因此上述結(jié)構(gòu)中還在過水凹槽21內(nèi)設(shè)置隔板22，而將隔板22與過水凹槽21的側(cè)面存在槽邊隔板間隙23，同時(shí)也在槽邊隔板間隙23內(nèi)設(shè)置錫焊填料體，此處的錫焊填料體與上述空腔內(nèi)的錫焊填料體形成一個(gè)整體的錫焊填料體，而這個(gè)整體的錫焊填料體為一個(gè)先豎向延伸再橫向延伸最后再豎向延伸的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)就形成一個(gè)可耐受豎向和橫向沖擊力的密封邊界，其密封效果很好，耐沖擊力大，而整個(gè)制作過程中，均不需要考慮上毛坯板I和下毛坯板2的平整度。
[0018]優(yōu)選的，所述上毛坯凹槽、密封槽24、過水凹槽均為矩形凹槽。
[0019]優(yōu)選的，密封槽24和上毛坯凹槽11的深度均介于Imm至2mm。
[0020]優(yōu)選的，過水凹槽的深度大于或等于3_。
[0021]如上所述，則能很好的實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.1GBT芯片水冷專用基板，其特征在于:包括上毛還板(I)和下毛還板(2)，上毛還板(I)面向下毛坯板(2)的一面設(shè)置有2個(gè)上毛坯凹槽(11)，下毛坯板(2)面向上毛坯板(I)的一面設(shè)置有過水凹槽(21)，過水凹槽(21)面向上毛坯板(I)的底面設(shè)置有2個(gè)存在間隙的隔板(22)，隔板(22)與過水凹槽(21)的側(cè)面之間存在槽邊隔板間隙(23)，下毛坯板(2)面向上毛坯板(I)的一面設(shè)置有2個(gè)密封槽(24)，2個(gè)密封槽(24)與2個(gè)上毛坯凹槽(11)形成上下對(duì)稱設(shè)置，密封槽(24)與過水凹槽(21)相鄰并連通，在密封槽(24)、槽邊隔板間隙(23)、上毛坯凹槽(11)內(nèi)均設(shè)置有錫焊填料體，隔板(22)面向上毛坯板(I)的一面與上毛還板(I)接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT芯片水冷專用基板，其特征在于:所述上毛坯凹槽、密封槽(24)、過水凹槽均為矩形凹槽。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT芯片水冷專用基板，其特征在于:密封槽(24)和上毛坯凹槽(11)的深度均介于1_至2_。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT芯片水冷專用基板，其特征在于:過水凹槽的深度大于或等于3mm。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了IGBT芯片水冷專用基板，包括上毛坯板和下毛坯板，上毛坯板面向下毛坯板的一面設(shè)置有2個(gè)上毛坯凹槽，下毛坯板面向上毛坯板的一面設(shè)置有過水凹槽，過水凹槽面向上毛坯板的底面設(shè)置有2個(gè)存在間隙的隔板，隔板與過水凹槽的側(cè)面之間存在槽邊隔板間隙，下毛坯板面向上毛坯板的一面設(shè)置有2個(gè)密封槽，2個(gè)密封槽與2個(gè)上毛坯凹槽形成上下對(duì)稱設(shè)置，密封槽與過水凹槽相鄰并連通，在密封槽、槽邊隔板間隙、上毛坯凹槽內(nèi)均設(shè)置有錫焊填料體，隔板面向上毛坯板的一面與上毛坯板接觸。
【IPC分類】H05K7/20
【公開號(hào)】CN204697471
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520462487
【發(fā)明人】王建全, 彭彪, 張干, 王作義, 崔永明
【申請(qǐng)人】四川廣義微電子股份有限公司
【公開日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2015年7月1日