一種觸控面板的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及平板顯示技術領域，尤其涉及一種觸控面板。
【背景技術】
[0002]G+G電容屏有主要是有下部的傳感器玻璃層即觸控面板和上部蓋板兩個部分組成。其上部蓋板通常為鋼化玻璃，表面非常堅硬，硬度可以達到8H以上，表面耐腐蝕，同時透光率高達91%以上，高透過率對顯示畫面影響小，且操控手感滑順。
[0003]G+G電容屏下部的傳感器玻璃層，即觸控面板通常采用ΙΤ0架橋技術，一般為氧化銦錫在高溫環(huán)境下兩次真空濺射鍍膜形成兩層絕緣交叉的ΙΤ0(氧化銦錫)層作為觸控電極層，在上述兩層觸控電極層之間光刻膠上光刻ΙΤ0架橋圖案得到ΙΤ0層。上述傳統(tǒng)工藝中使用的氧化銦錫，兩次鍍膜必須在高溫條件下進行，生產(chǎn)條件要求高，且蝕刻觸控電極圖案的過程中，第二次鍍膜的電極層中非電極串列的部分需全部蝕刻掉，因為在蝕刻在架橋層(第一絕緣層)上的ΙΤ0時易產(chǎn)生過刻問題，尤其在第二電極層氧化銦錫厚度較厚時(即電阻較低時)特別嚴重，從而可能導致產(chǎn)品良率低下。當前為滿足驅動1C的要求，ΙΤ0電阻值應選用更小的電阻值。另外，過刻還導致ΙΤ0圖形邊緣過渡區(qū)變大(即ΙΤ0圖形端面斜面坡角較小)，邊緣過渡區(qū)大導致ΙΤ0圖形虛邊嚴重從而使得ΙΤ0圖形外觀明顯。
[0004]因此，當前急需一種能制作電阻值更小、不使用高溫鍍膜、ΙΤ0圖形邊緣過渡區(qū)小、ΙΤ0圖形外觀更佳的觸控面板。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]有鑒于此，本實用新型提供一種本實用新型提供一種能制作電阻值更小、不使用高溫鍍膜、ΙΤ0邊緣過渡區(qū)小、ΙΤ0圖形外觀更佳的觸控面板。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術方案如下:
[0007]根據(jù)本實用新型提供的一種觸控面板，其至少包括:一基板，該基板至少具有第一表面，該第一表面至少包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第二區(qū)域位于第一區(qū)域的至少一側；第一電極層，其形成于第一區(qū)域所在的第一表面上，第一電極層包括至少一條第一電極串列，第一電極串列沿第一方向排列；第二電極層，其形成于第一電極層上，第二電極層包括至少一條第二電極串列，第二電極串列沿第一方向排列，第二電極層還包括至少一條第三電極串列，第三電極串列沿第二方向排列；第一電極串列與第二電極串列重合，第一電極串列與第三電極串列交叉絕緣設置。
[0008]優(yōu)選地，本實用新型提供的觸控面板中，第一電極層由氧化銦錫在基片溫度不小于200攝氏度條件下完成鍍膜并蝕刻形成第一圖案；第二電極層由非結晶態(tài)氧化銦錫室溫在基片溫度不大于100攝氏度條件下完成鍍膜形成，再通過弱酸蝕刻液蝕刻第二電極層形成第二圖案再后經(jīng)在基片溫度不小于200攝氏度條件下退火，形成第二電極串列與第三電極串列，形成的第二電極層是與第一電極層性能相同、相近的第二電極層電極圖形，蝕刻液不改變第一圖案鍍膜形成第一電極層以及第二電極層所選用的導電材料均為低電阻導電材料，優(yōu)選地，鍍膜所選用的氧化銦錫以及非結晶態(tài)氧化銦錫的電阻值-方塊電阻至多為20歐姆。
[0009]進一步的，本實用新型提供的觸控面板中，第一電極層與第二電極層之間設置有第一絕緣層，第二電極層上形成有第二絕緣層；第一絕緣層包括至少一個絕緣塊，第一電極串列與第三電極串列交叉處通過該絕緣塊絕緣；第二電極層經(jīng)蝕刻液蝕刻后，第二電極串列在絕緣塊處斷開連接并與第一電極串列重合。
[0010]進一步的，本實用新型提供的觸控面板中，第一電極層與第一絕緣層之間還設置有第一引線層，第一引線層從第一電極串列上引出，并延伸至第二區(qū)域；第二電極層與第二絕緣層之間還設置有第二引線層，第二引線層從第三電極串列上引出，并延伸至第二區(qū)域。
[0011]優(yōu)選地，本實用新型提供的觸控面板中，基板的第一表面上方的第二絕緣層上設置一蓋板，蓋板覆蓋基板。
[0012]進一步的，本實用新型提供的觸控面板中，上述蓋板與第二絕緣層之間設置有光學功能層，光學功能層由氮化娃、氮氧化娃和二氧化娃或其他的無機氧化物層中的至少一種沉積而成。
[0013]本實用新型提供的面板結構中，由于選用非結晶態(tài)氧化銦錫作為第二電極層的材料，在基片溫度不大于100攝氏度條件下進行第二電極層的鍍膜，其與第一電極串列重合的部分通過蝕刻液蝕刻后并不會因此蝕刻掉，而是與第一電極串列迭加，形成并聯(lián)電阻，第一電極層與第二電極層都可選用低電阻材料，二者并聯(lián)后的電阻更低，更符合驅動1C的運行要求，再經(jīng)在基片溫度不小于200攝氏度條件下退火固定，重合部分的第二電極串列不用被蝕刻掉，反而有更佳的效果，簡化了制作工序，同時節(jié)約了生產(chǎn)成本。利用蝕刻液對非結晶態(tài)氧化銦錫在在基片溫度不大于100攝氏度條件下形成的第三電極串列在絕緣塊上的部分進行蝕刻效果干凈，并可解決蝕刻速率過快導致ΙΤ0層上的導電圖形殘缺的問題，第二電極層經(jīng)蝕刻后得到的圖形邊緣過渡區(qū)小，端面斜面坡度大，ΙΤ0外觀不明顯。
【附圖說明】
[0014]下面將結合附圖及實施例對本實用新型作進一步說明，附圖中:
[0015]圖1為本實用新型提供的一優(yōu)選實施例的觸控面板的截面示意圖；
[0016]圖2為圖1所示的優(yōu)選實施例的觸控面板的示意圖；
[0017]圖3為圖2所示的優(yōu)選實施例的觸控面板的A處的放大后示意圖；
【具體實施方式】
[0018]為說明本實用新型提供的觸控面板，以下結合說明書附圖及文字說明進行詳細闡述。
[0019]參考圖1與圖2，圖1為本實用新型提供的一優(yōu)選實施例的觸控面板的截面示意圖，圖2為圖1所示的優(yōu)選實施例的觸控面板的示意圖。本實用新型提供的觸控面板至少包括一基板10，基板10可選用透明材料如玻璃、樹脂制成，也可優(yōu)選使用鋼化玻璃。基板10至少具有第一表面100，該第一表面100為一連續(xù)且光滑的平面或者曲面，第一表面100至少包括第一區(qū)域101和第二區(qū)域102，第二區(qū)域102位于第一區(qū)域101的至少一側。第一表面100的第一區(qū)域101用于觸控操作，該第一表面100的第二區(qū)域102用于鋪設引線以及設置與引線連接的驅動IC(圖中未示出)。第一電極層110，其形成于第一區(qū)域101所在的第一表面100上，第一電極層110包括至少一條第一電極串列111，為得到更佳的技術效果，將第一電極串列111滿面鋪設于第一表面100的第一區(qū)域101上，第一電極串列111沿第一方向排列。第二電極層120，其形成于第一電極層110上，第二電極層120包括至少一條第二電極串列121，第二電極串列121沿第一方向排列，第二電極層120還包括至少一條第三電極串列122，第三電極串列122沿第二方向排列。第一電極串列111與第二電極串列121重合，為得到更佳的技術效果，將第二電極串列121相對于第一表面100的投影覆蓋第一電極串列111相對第一表面100的投影。第一電極串列111與第三電極串列122交叉絕緣設置，第一電極串列111與第三電極串列122交叉產(chǎn)生的角度可以為90度或其他角度。第一電極層110與第二電極層120之間設置有第一絕緣層130，第二電極層120上形成有第二絕緣層140。第一絕緣層130與第二絕緣層140形成所用的材料為透明光學膠，該光學膠可選有機硅膠、丙烯酸型樹脂及不飽和聚酯、聚氨酯、環(huán)氧樹脂等膠粘劑中至少一種制成。第一絕緣層130包括至少一個絕緣塊131，每一個第一電極串列111與第三電極串列122相交叉的位置點都在二者之間設置一個絕緣塊131，第一電極串列111與第三電極串列122交叉處通過絕緣塊131絕緣，第一電極串列111通過絕緣塊131與第一表面100之間與第三電極串列122電性絕緣，第三電極串列122通過絕緣塊131遠離第一表面100的一側與第一電極串列111電性絕緣。第二電極層120經(jīng)蝕刻液蝕刻形成第二圖案后，其中第二電極串列121在絕緣塊131處斷開，第二電極串列121未連成一體，于絕緣塊131處隔斷形成片段，彼此之間不能流通電流。絕緣塊131投影以外的第二電極串列121部分以片段的形式與第一電極串列111重合。
[0020]第一電極層110由氧化銦錫在基片溫度不小于200攝氏度條件下完成鍍膜并蝕刻形成第一圖案，第二電極層120由非結晶態(tài)氧化銦錫，S卩α-ΙΤΟ在在基片溫度不大于100攝氏度條件下完成鍍膜形成第二圖案，該種非結晶態(tài)氧化銦錫也具有電阻低且透明導電的特性，絕緣塊131處的非結晶態(tài)氧化銦錫遇到蝕刻液溶液可被蝕刻掉，并可完整的保留所