一種用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于毫米波成像技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人們對(duì)公共場(chǎng)合安全問題關(guān)注度的提高，針對(duì)反恐、安檢等特殊場(chǎng)合的成像技術(shù)也得到了越來越廣泛的應(yīng)用，其中主動(dòng)式毫米波成像技術(shù)在近幾年發(fā)展迅猛，成為國內(nèi)外研究的一大熱點(diǎn)。在進(jìn)行主動(dòng)式毫米波成像實(shí)驗(yàn)時(shí)，為防止外部空間電磁波的干擾，保證實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性，屏蔽外界電磁干擾的暗室應(yīng)運(yùn)而生。傳統(tǒng)的微波暗室是一種與外界隔絕的一個(gè)大空間六面屏蔽體。微波暗室的結(jié)構(gòu)從外到內(nèi)分為3層，最外層是金屬屏蔽層，起到隔離空間電磁波的作用；中間一層是鐵氧體吸波材料，主要吸收低頻段的電磁波;最里層為聚合物泡沫吸波材料，吸收低頻至高頻所有頻率。傳統(tǒng)的微波暗室占地面積大，耗材多，加上吸波材料本身價(jià)格昂貴，故建設(shè)成本高，且建成后不可隨意移動(dòng)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本實(shí)用新型提出一種用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室，該微型暗室占地面積小;耗材少，成本低;可在較短的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行拆卸和移動(dòng)，使用方便。
[0004]本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室，該微型暗室包括屏蔽箱體和吸波層，該吸波層包括有一定間隔或無間隔排列在屏蔽箱體內(nèi)側(cè)的多個(gè)吸波體;每個(gè)吸波體包括角錐和與角錐連接的底座，所述底座固定在屏蔽箱體內(nèi)側(cè)。
[0005]優(yōu)選地，所述屏蔽箱體包括KT板和包覆在所述KT板外側(cè)的金屬層。
[0006]優(yōu)選地，所述吸波層為聚氨酯泡沫層。
[0007]優(yōu)選地，所述底座高度為角錐1高度的1/3-1/4。
[0008]優(yōu)選地，所述微型暗室一側(cè)開設(shè)有側(cè)門。
[0009]優(yōu)選地，所述微型暗室內(nèi)部拐角由相鄰角錐拼接形成。
[0010]優(yōu)選地，所述微型暗室內(nèi)部拐角由相鄰角錐各剪掉一半拼接形成。
[0011]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型的微型暗室裝置，包括屏蔽箱體和吸波層，該吸波層包括排列在屏蔽箱體內(nèi)側(cè)的多個(gè)吸波體;每個(gè)吸波體包括角錐和與角錐連接的底座，所述底座固定在屏蔽箱體內(nèi)側(cè)，角錐和底座共同形成的吸波體，與屏蔽箱體組合形成所述微型暗室，占地面積小;屏蔽箱體由KT板材構(gòu)成，耗材少，成本低同時(shí)也可移動(dòng)，使用方便。
【附圖說明】
[0012]圖1A為本實(shí)用新型一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖1B為吸波體不意圖；
[0014]圖2為圖1的軸測(cè)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步描述，以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而不能以此來限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0016]本實(shí)用新型提供了一種微型暗室，意在使得占地面積小，耗材少，成本低，并便于拆卸和移動(dòng)。
[0017]如圖1A、圖1B和圖2所示為本實(shí)用新型一種實(shí)施例的用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室，本實(shí)施方式中的暗室可大致分為兩層:屏蔽箱體3和吸波層，也就是說該微型暗室包括屏蔽箱體3和吸波層，吸波層包括有一定間距或者無間隔地排列在屏蔽箱體3內(nèi)側(cè)的多個(gè)吸波體，每個(gè)吸波體包括角錐1和與角錐1連接的底座2，底座2固定(如粘附)在屏蔽箱體3的內(nèi)側(cè)，屏蔽箱體3與吸波層形成微型暗室4。
[0018]該實(shí)用新型中，構(gòu)成吸波層的吸波體由角錐1和底座2共同形成，角錐和底座由吸波材料組成，該吸波材料例如可以為聚氨酯泡沫材料(如聚氨酯泡沫角錐吸收體)，但本實(shí)用新型并不限于此，吸波材料還可以為其他聚合物泡沫吸收材料。此外，角錐1的形狀可類似三角錐體或三角塊體，底座2固定在屏蔽箱體3內(nèi)側(cè)。由吸波層和屏蔽箱體3形成的微型暗室4，占地面積小，耗材減少，成本低，并且可以在較短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行拆卸和移動(dòng)，因此使用方便。
[0019]本實(shí)施例中，屏蔽箱體3可以為KT板，該KT板的外側(cè)包覆有一層金屬薄層(例如可以是銅、鋁、鋼或鐵氧體等材料)，以隔離空間電磁波。當(dāng)然，本實(shí)用新型中的屏蔽箱體3還可以由其他材料制成。
[0020]KT板是一種由PS顆粒經(jīng)過發(fā)泡生成板芯，再經(jīng)過表面覆膜壓合而成的一種新型材料，板體挺括、輕盈、不易變質(zhì)、易于加工。利用KT板板體挺括、輕盈的特點(diǎn)，能夠使得該微型暗室裝置便于移動(dòng)。
[0021]本實(shí)施例中，底座2高度優(yōu)選為角錐1高度的1/4，以確保吸收材料橫放時(shí)，重心也在底座部分，當(dāng)然底座2高度也可以選擇為角錐高度的1/3，同樣可以確保吸收材料橫放時(shí)，重心也在底座部分。
[0022]此外，底座2高度為角錐高度的1/4至1/3，能夠使得電磁波垂直入射和斜入射條件下，具有極好的寬帶性能，同時(shí)還具有良好的散射和隔離衰減性能，適合于暗室內(nèi)的各個(gè)部位。
[0023]本實(shí)施例中，微型暗室4的一側(cè)開設(shè)有側(cè)門5。
[0024]側(cè)門5面積例如可以為50CmX50Cm，進(jìn)行毫米波成像實(shí)驗(yàn)之前，可通過此門調(diào)節(jié)波源和被測(cè)物的位置。在此，側(cè)門5的面積值僅為示例，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行合理地設(shè)置。
[0025]本實(shí)施例中，微型暗室4內(nèi)部拐角可由相鄰角錐1拼接形成。例如，微型暗室4內(nèi)部拐角可由相鄰角錐1各剪掉一半拼接形成。
[0026]本實(shí)用新型的具有如上結(jié)構(gòu)的微型暗室，不僅占地面積小，耗材少，成本低，而且便于拆卸和移動(dòng)。
[0027]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)先實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室，其特征在于:該微型暗室(4)包括屏蔽箱體(3)和吸波層，該吸波層包括有一定間隔或無間隔排列在屏蔽箱體(3)內(nèi)側(cè)的多個(gè)吸波體；每個(gè)吸波體包括角錐(1)和與角錐(1)連接的底座(2)，所述底座(2)固定在屏蔽箱體(3)內(nèi)側(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室，其特征在于:所述屏蔽箱體(3)包括KT板和包覆在所述KT板外側(cè)的金屬層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室，其特征在于:所述吸波層為聚氨酯泡沫層。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室，其特征在于:所述底座(2)高度為角錐(1)高度的1/3-1/4。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室，其特征在于:所述微型暗室(4)一側(cè)開設(shè)有側(cè)門(5)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室，其特征在于:所述微型暗室(4)內(nèi)部拐角由相鄰角錐(1)拼接形成。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室，其特征在于:所述微型暗室(4)內(nèi)部拐角由相鄰角錐(1)各剪掉一半拼接形成。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于主動(dòng)式毫米波成像的微型暗室，該微型暗室包括屏蔽箱體(3)和吸波層，該吸波層包括無間隔地排列在屏蔽箱體3內(nèi)側(cè)的多個(gè)吸波體；每個(gè)吸波體包括角錐(1)和與角錐(1)連接的底座(2)，所述底座(2)固定在屏蔽箱體(3)內(nèi)側(cè)。該微型暗室裝置占地面積?。缓牟纳?，成本低；可在較短的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行拆卸和移動(dòng)，使用方便。
【IPC分類】H05K9/00
【公開號(hào)】CN205124245
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520909044
【發(fā)明人】趙璐, 楊魁, 王金榜, 張爽, 韓悅, 張濤, 劉志國
【申請(qǐng)人】北京師范大學(xué)
【公開日】2016年3月30日
【申請(qǐng)日】2015年11月13日