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一種快速啟動(dòng)的低功耗晶振電路的制作方法_2

文檔序號(hào):10275410閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
S管N5的源極連接,所述第六NMOS管N6的漏極與其襯底連接,所述第六NMOS管N6的襯底與其源極連接,所述第六NMOS管N6的源極與第一電阻Rl的另一端連接。
[0021]更進(jìn)一步地,所述加速模塊I包括第一NMOS管N1、第二匪OS管N2和第一電阻Rl,所述第一 NMOS管NI的襯底與第二 NMOS管N2的襯底連接,所述第一 NMOS管NI的源極與第二 NMOS管N2的漏極連接,所述第一 NMOS管NI的漏極與偏置模塊連接,所述第一 NMOS管NI的柵極與偏置模塊連接,所述第二 NMOS管N2的源極與第一電阻Rl的一端連接,所述第一電阻Rl的另一端與第二 NMOS管N2的柵極連接。
[0022]所述加速模塊I由檢波模塊2控制,所述檢波模塊2通過(guò)第五匪OS管N5將輸出模塊4與加速模塊I相連,隔離了所述第八NMOS管N8的柵極電壓與第七NMOS管N7的漏極電壓。
[0023]更進(jìn)一步地,所述反饋模塊3為一個(gè)反饋回路,包括第一電容Cl,所述第一電容Cl的一端與晶振Y的一端連接,所述第一電容Cl的一端與第五NMOS管N5的源極(圖2中的C)連接,所述第一電容Cl的另一端與晶振Y的另一端連接。
[0024]由于晶振電路的啟動(dòng)電流比較大,為防止飽和狀況發(fā)生,在晶振Y的兩端以及檢波模塊2之間加入了一個(gè)反饋回路。
[0025]當(dāng)所述檢波模塊2檢測(cè)到第七NMOS管N7的漏極為高電平時(shí),所述檢波模塊2控制第八匪OS管N8的柵極為高電平,所述第七匪OS管N7和第八匪OS管N8共同形成匪OS電阻,開(kāi)始泄放所述第七NMOS管N7的漏極高電壓,同時(shí)使得所述檢波模塊2檢測(cè)到的電壓降低。所述第七NMOS管N7、第九NMOS管N9和第十二匪OS管N12由偏置模塊控制,一直處于打開(kāi)狀態(tài)。所述反饋模塊3與晶振Y的壓電效應(yīng)導(dǎo)致檢波模塊2中第五NMOS管N5的源極與第八NMOS管N8的柵極電壓高于第七匪OS管N7的漏極電壓,所述第八NMOS管N8將繼續(xù)打開(kāi),降低所述第七匪OS管N7的漏極電壓。
[0026]當(dāng)所述第十一匪OS管Nll的漏極電壓達(dá)到電壓波峰附近時(shí),所述反饋模塊3和晶振Y將不再維持第八NMOS管N8的打開(kāi)狀態(tài),從而使得所述第七NMOS管N7和第八NMOS管N8的支路電阻增大。而由于電流源始終保持在充電狀態(tài),所述第七NMOS管N7的漏極電壓開(kāi)始升高。所述檢波模塊2恢復(fù)工作,所述反饋模塊3和晶振Y的壓電效應(yīng)會(huì)作用到第十一 NMOS管的柵極,由所述第i^一匪OS管NI I與第十二匪OS管N12構(gòu)成的支路電阻減小并開(kāi)始泄放電壓,如此反復(fù)形成振蕩回路。最后所述第七NMOS管N7的漏極電壓減小為0,所述加速模塊被斷開(kāi)。
[0027]電路開(kāi)啟后,當(dāng)檢波模塊2檢測(cè)到第七NMOS管N7的漏極為高電平時(shí),加速模塊I開(kāi)始工作,加速模塊I中的第二WOS管的開(kāi)啟電阻變小,所述檢波模塊2控制的第二WOS管N2支路會(huì)依據(jù)底端第一電阻Rl的大小抽走一個(gè)電流,使得整個(gè)晶振電路中的電流鏡的電流變大,此時(shí)的電流大小約為正常工作時(shí)候的4倍,晶振Y產(chǎn)生壓電效應(yīng)快速起振。電路在正常工作時(shí)的電流低于傳統(tǒng)的晶振電路的工作電流,因此本實(shí)用新型具有低功耗的特點(diǎn)。
[0028]更進(jìn)一步地,所述低功耗晶振電路還包括輸出整形模塊,所述輸出模塊中第九NMOS管N9的漏極與輸出整形模塊的輸入端連接。
[0029]所述第九NMOS管N9與第十NMOS管NlO受到第七NMOS管N7的漏極電壓控制,如圖2所示,所述第九匪OS管N9的柵極用于輸出時(shí)鐘信號(hào)CLK,所述時(shí)鐘信號(hào)CLK經(jīng)過(guò)輸出整形模塊可得到標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)鐘方波信號(hào)。
[0030]以上是對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施進(jìn)行了具體說(shuō)明,但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本實(shí)用新型精神的前提下還可做作出種種的等同變形或替換,這些等同的變形或替換均包含在本申請(qǐng)權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種快速啟動(dòng)的低功耗晶振電路,其特征在于:包括晶振,輸入模塊,反饋模塊,檢波模塊,加速模塊,偏置模塊和輸出模塊,所述晶振與輸入模塊連接,所述輸入模塊與反饋模塊連接,所述反饋模塊與檢波模塊連接,所述檢波模塊與加速模塊連接,所述檢波模塊與輸出模塊連接,所述加速模塊與偏置模塊連接,所述偏置模塊的輸出端與輸出模塊的輸入端連接,所述輸出模塊與晶振連接,所述偏置模塊的輸出端與輸入模塊的輸入端連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功耗晶振電路,其特征在于:所述加速模塊包括第一匪OS管、第二NMOS管和第一電阻,所述第一NMOS管的襯底與第二匪OS管的襯底連接,所述第一WOS管的源極與第二 NMOS管的漏極連接,所述第一WOS管的漏極與偏置模塊連接,所述第一匪OS管的柵極與偏置模塊連接,所述第二 NMOS管的源極與第一電阻的一端連接,所述第一電阻的另一端與第二 NMOS管的柵極連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低功耗晶振電路,其特征在于:所述檢波模塊為一個(gè)檢波電路,包括第三匪OS管、第四匪OS管、第五匪OS管和第六匪OS管,所述第三NMOS管的柵極與偏置模塊連接,所述第三匪OS管的柵極與第四匪OS管的柵極連接,所述第四NMOS管的柵極與第五匪OS管的柵極連接,所述第三匪OS管的源極與第二匪OS管的柵極連接,所述第三匪OS管的源極與第六WOS管的柵極連接,所述第三匪OS管的襯底與第四匪OS管的襯底連接,所述第四NMOS管的襯底與第五WOS管的襯底連接,所述第三WOS管的襯底與第六NMOS管的漏極連接,所述第三匪OS管的漏極與第四匪OS管的源極連接,所述第四匪OS管的漏極與第五NMOS管的源極連接,所述第六NMOS管的漏極與其襯底連接,所述第六NMOS管的襯底與其源極連接,所述第六NMOS管的源極與第一電阻的另一端連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低功耗晶振電路,其特征在于:所述反饋模塊為一個(gè)反饋回路,包括第一電容,所述第一電容的一端與晶振的一端連接,所述第一電容的一端與第五NMOS管的源極連接,所述第一電容的另一端與晶振的另一端連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低功耗晶振電路,其特征在于:所述輸出模塊包括第一電流鏡、第二電流鏡、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管和第十NMOS管,所述第一電流鏡的輸入端與第二電流鏡的輸入端連接,所述第一電流鏡的輸入端與偏置模塊連接,所述第一電流鏡的輸出端與第七匪OS管的漏極連接,所述第一電流鏡的輸出端與第十NMOS管的柵極連接,所述第七匪OS管的漏極與第五匪OS管的漏極連接,所述第七匪OS管的柵極與第九匪OS管的柵極連接,所述第七NMOS管的柵極與第一匪OS管的柵極連接,所述第七NMOS管的襯底與第八匪OS管的襯底連接,所述第八匪OS管的柵極與第五匪OS管的源極連接,所述第八NMOS管的源極與其襯底連接,所述第二電流鏡的輸出端與第九NMOS管的漏極連接,所述第九NMOS管的源極與第十NMOS管的漏極連接,所述第九NMOS管的襯底與第十NMOS管的襯底連接,所述第十WOS管的襯底與其源極連接,所述第十WOS管的源極與第八NMOS管的源極連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低功耗晶振電路,其特征在于:所述輸入模塊包括第三電流鏡、第i^一NMOS管和第十二 NMOS管,所述第三電流鏡的輸入端與第二電流鏡的輸入端連接,所述第三電流鏡的輸出端與第i^一NMOS管的漏極連接,所述第i^一NMOS管的漏極與其柵極連接,所述第i^一匪OS管的柵極與第一電容的另一端連接,所述第^^一NMOS管的源極與第十二匪OS管的漏極連接,所述第^^一NMOS管的襯底與第十二 NMOS管的襯底連接,所述第十二匪OS管的襯底與其源極連接,所述第十二匪OS管的柵極與偏置模塊連接,所述第十二NMOS管的源極與第十NMOS管的源極連接,所述第十二 NMOS管的源極接地。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低功耗晶振電路,其特征在于:還包括輸出整形模塊,所述輸出模塊中第九NMOS管的漏極與輸出整形模塊的輸入端連接。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種快速啟動(dòng)的低功耗晶振電路,包括晶振,輸入模塊,反饋模塊,檢波模塊,加速模塊,偏置模塊和輸出模塊,所述晶振與輸入模塊連接,所述輸入模塊與反饋模塊連接,所述反饋模塊與檢波模塊連接,所述檢波模塊與加速模塊連接,所述檢波模塊與輸出模塊連接,所述加速模塊與偏置模塊連接,所述偏置模塊的輸出端與輸出模塊的輸入端連接,所述輸出模塊與晶振連接,所述偏置模塊與輸入模塊的輸入端連接。本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;加入了檢波模塊和加速模塊令電路快速起振;本實(shí)用新型的正常工作電流小,功耗低;還可以節(jié)省外部懸掛的補(bǔ)償電容。本實(shí)用新型作為一種快速啟動(dòng)的低功耗晶振電路可廣泛應(yīng)用于晶振領(lǐng)域。
【IPC分類】H03K3/012
【公開(kāi)號(hào)】CN205195675
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520911821
【發(fā)明人】賈福來(lái)
【申請(qǐng)人】深圳市匯春科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月27日
【申請(qǐng)日】2015年11月16日
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