一種寄生導通效應消除電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型特別涉及一種寄生導通效應消除電路。該寄生導通效應消除電路，包括驅動器電路和單電源驅動電路，所述單電源驅動電路包括串連在一起的MOS管T1和T2，所述MOS管T1和T2的S極和D極之間分別通過二極管D1和D2單向連通；所述MOS管T2的D極和G極之間連接有電容C1，所述MOS管T1的D極連接高壓直流電源，所述MOS管T2的S極接地；所述MOS管T2的G極與S極之間連接三極管Q1，所述三級管Q1分別通過電阻R3和R4連接到電阻R1。該寄生導通效應消除電路，結構簡單，通過將MOS管的G極與S極短路來消除寄生導通效應，這樣流經米勒電容的電流將通過三極管旁路而不至于流向驅動器電路，有效的消除了IGBT的寄生導通效應。
【專利說明】
一種寄生導通效應消除電路
技術領域
[0001]本實用新型涉及UPS主機/電源模塊設計技術領域，特別涉及一種寄生導通效應消除電路。
【背景技術】
[0002]米勒效應所產生的電容和峰值問題在日常工作中，屬于一種比較常見的情況。在IGBT模塊操作中，如果沒有及時處理米勒電容問題，很容易造成IGBT損壞。
[0003]在日常的工作過程中，IGBT模塊操作時一旦出現了米勒效應的寄生電容問題，往往見于明顯的在O到15V類型的門極驅動器，也就是工程師們常說的單電源驅動器。門集-電極之間的耦合在IGBT關斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導寄生IGBT道通，也就是門集電壓尖峰，這對于IGBT乃至整機來說，都是一種潛在的危險。
[0004]通常情況下，為了防止出現寄生IGBT通道的情況發(fā)生，通常有三種解決辦法。第一個辦法是為配置添加門極和發(fā)射極之間的電容，第二是通過使用負門極電壓驅動，第三個是改變門極電阻。如果使用第一方案，那么會使驅動電源功耗會增加，相同的門極驅動電阻情況下IGBT的開關損耗也會增加。第二個方案則需要考慮到額外費用和成本問題。第三種方法會增加開通損耗。本發(fā)明是一種有源米勒鉗位的方法，解決IGBT米勒電容引起的寄生導通效應的問題。
[0005]基于上述問題，本實用新型提出了一種寄生導通效應消除電路。

【發(fā)明內容】

[0006]本實用新型為了彌補現有技術的缺陷，提供了一種簡單高效的寄生導通效應消除電路。
[0007]本實用新型是通過如下技術方案實現的:
[0008]—種寄生導通效應消除電路，其特征在于:包括驅動器電路和單電源驅動電路，所述驅動器電路通過電阻Rl連接到所述單電源驅動電路;所述單電源驅動電路包括串連在一起的MOS管Tl和T2，所述MOS管Tl和T2的S極和D極之間分別通過二極管Dl和D2單向連通;所述MOS管T2的D極和G極之間連接有電容Cl，所述MOS管Tl的D極連接高壓直流電源，所述MOS管T2的S極接地;所述MOS管T2的G極與S極之間連接三極管Ql，所述三極管Ql分別通過電阻R3和R4連接到電阻R1。
[0009]所述三極管Ql的E極和C極分別接MOS管T2的G極和S極，當MOS管T2的G極和S極的電壓到達最大值Vcsmax時，三極管Ql處于導通狀態(tài);三極管Ql的B極和C極分別通過電阻R3和R4連接到電阻Rl;所述MOS管T2的G極通過電阻R2連接到電阻Rl。
[0010]所述三極管Ql為PNP型三極管。
[0011]所述MOS管Tl和T2均為P型MOS管。
[0012]所述MOS管Tl的G極接驅動器電路。
[0013]所述MOS管T2的G極和S極的電壓最大值Vgs■為2.4V。
[0014]本實用新型的有益效果是:該寄生導通效應消除電路，結構簡單，通過將MOS管的G極與S極短路來消除寄生導通效應，這樣流經米勒電容的電流將通過三極管旁路而不至于流向驅動器電路，有效的消除了 IGBT的寄生導通效應。
【附圖說明】
[0015]附圖1為本實用新型寄生導通效應消除電路結構示意圖。
【具體實施方式】
[0016]為了使本實用新型所要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合附圖和實施例，對本實用新型進行詳細的說明。應當說明的是，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0017]該寄生導通效應消除電路，包括驅動器電路和單電源驅動電路，所述驅動器電路通過電阻Rl連接到所述單電源驅動電路;所述單電源驅動電路包括串連在一起的MOS管Tl和T2，所述MOS管Tl和T2的S極和D極之間分別通過二極管Dl和D2單向連通;所述MOS管T2的D極和G極之間連接有電容Cl，所述MOS管Tl的D極連接高壓直流電源，所述MOS管T2的S極接地;所述MOS管T2的G極與S極之間連接三極管Ql，所述三極管Ql分別通過電阻R3和R4連接到電阻R1。
[0018]所述三極管Ql的E極和C極分別接MOS管T2的G極和S極，當MOS管T2的G極和S極的電壓到達最大值VGSmax時，三極管Ql處于導通狀態(tài);三極管Ql的B極和C極分別通過電阻R3和R4連接到電阻Rl;所述MOS管T2的G極通過電阻R2連接到電阻Rl。
[0019]所述三極管Ql為PNP型三極管。
[0020]所述MOS管Tl和T2均為P型MOS管。
[0021 ]所述MOS管Tl的G極接驅動器電路。
[0022]所述MOS管T2的G極和S極的電壓最大值Vcsmax為2.4V。
【主權項】
1.一種寄生導通效應消除電路，其特征在于:包括驅動器電路和單電源驅動電路，所述驅動器電路通過電阻Rl連接到所述單電源驅動電路;所述單電源驅動電路包括串連在一起的MOS管Tl和T2，所述MOS管Tl和T2的S極和D極之間分別通過二極管Dl和D2單向連通;所述MOS管T2的D極和G極之間連接有電容Cl，所述MOS管Tl的D極連接高壓直流電源，所述MOS管T2的S極接地;所述MOS管T2的G極與S極之間連接三極管Ql，所述三極管Ql分別通過電阻R3和R4連接到電阻R1。2.根據權利要求1所述的寄生導通效應消除電路，其特征在于:所述三極管Ql的E極和C極分別接MOS管T2的G極和S極，當MOS管T2的G極和S極的電壓到達最大值VGSmax時，三極管Ql處于導通狀態(tài);三極管Ql的B極和C極分別通過電阻R3和R4連接到電阻Rl;所述MOS管T2的G極通過電阻R2連接到電阻Rl。3.根據權利要求1或2所述的寄生導通效應消除電路，其特征在于:所述三極管Ql為PNP型三極管。4.根據權利要求2所述的寄生導通效應消除電路，其特征在于:所述MOS管T2的G極和S極的電壓最大值Vcsmax為2.4V。5.根據權利要求1所述的寄生導通效應消除電路，其特征在于:所述MOS管Tl和T2均為P型MOS管。
【文檔編號】H03K17/567GK205545181SQ201620314495
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月15日
【發(fā)明人】肖波, 滕學軍, 李松磊, 高鵬飛
【申請人】浪潮電子信息產業(yè)股份有限公司