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一種基于pwm驅(qū)動的mos電路的制作方法

文檔序號:10880549閱讀:2630來源:國知局
一種基于pwm驅(qū)動的mos電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于PWM驅(qū)動的MOS電路,包括電阻R1、三極管Q1、三極管Q2、電容C1、電阻R7和三極管Q3,所述電阻R1連接PWM信號,電阻R1另一端分別連接三極管Q1發(fā)射極和三極管Q2發(fā)射極,三極管Q1基極分別連接三極管Q2基極、電阻R2、電阻R3和三極管Q5集電極,電阻R2另一端連接電壓V1,三極管Q5發(fā)射極分別連接電阻R7和電容C1,電阻R7另一端分別連接電容C1另一端、電阻R5、三極管Q4發(fā)射極和電阻R3另一端并接地。本實用新型基于PWM驅(qū)動的MOS電路把MOS管的G極電壓和電流都限制在一個有限的數(shù)值,從而安全的驅(qū)動MOS管,安全性高。
【專利說明】
一種基于PWM驅(qū)動的MOS電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本實用新型涉及一種驅(qū)動電路,具體是一種基于PffM驅(qū)動的MOS電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素,這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。
[0003]MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好,所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中,常見的如開關(guān)電源和電機驅(qū)動,也有照明調(diào)光等。
[0004]現(xiàn)在的MOS驅(qū)動,有幾個特別的需求:
[0005]1.低壓應(yīng)用
[0006]當使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be有0.7V左右的壓降,導(dǎo)致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候,我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。
[0007]2.寬電壓應(yīng)用
[0008]輸入電壓并不是一個固定值,它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導(dǎo)致P麗電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下,當提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓,就會引起較大的靜態(tài)功耗。同時,如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓,就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候,MOS管工作良好,而輸入電壓降低的時候gate電壓不足,弓丨起導(dǎo)通不夠徹底,從而增加功耗。
[0009]3.雙電壓應(yīng)用
[0010]在一些控制電路中,邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓,而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。這就提出一個要求,需要使用一個電路,讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管,同時高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對I和2中提到的問題。
[0011]在這三種情況下,圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求,而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動1C,也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。
【實用新型內(nèi)容】
[0012]本實用新型的目的在于提供一種基于PWM驅(qū)動的MOS電路,以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0013]為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術(shù)方案:
[0014]一種基于P麗驅(qū)動的MOS電路,包括電阻R1、三極管Q1、三極管Q2、電容Cl、電阻R7和三極管Q3,所述電阻Rl連接PffM信號,電阻Rl另一端分別連接三極管Ql發(fā)射極和三極管Q2發(fā)射極,三極管Ql基極分別連接三極管Q2基極、電阻R2、電阻R3和三極管Q5集電極,電阻R2另一端連接電壓Vl,三極管Q5發(fā)射極分別連接電阻R7和電容Cl,電阻R7另一端分別連接電容Cl另一端、電阻R5、三極管Q4發(fā)射極和電阻R3另一端并接地,電阻R5另一端分別連接三極管Q5基極和電阻R6,電阻R6另一端分別連接電阻R4和MOS管的G極,電阻R4另一端分別連接三極管Q3集電極和三極管Q4集電極,三極管Q3發(fā)射極連接電壓V2,三極管Q4基極連接三級管Q2集電極。
[0015]作為本實用新型再進一步的方案:所述電壓Vl的值小于電壓V2。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的有益效果是:本實用新型基于P麗驅(qū)動的MOS電路把MOS管的G極電壓和電流都限制在一個有限的數(shù)值,從而安全的驅(qū)動MOS管,安全性高。
【附圖說明】
[0017]圖1為基于PffM驅(qū)動的MOS電路的電路圖。
【具體實施方式】
[0018]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
[0019]請參閱圖1,本實用新型實施例中,一種基于P麗驅(qū)動的MOS電路,包括電阻Rl、三極管Ql、三極管Q2、電容Cl、電阻R7和三極管Q3,所述電阻Rl連接PffM信號,電阻Rl另一端分別連接三極管Ql發(fā)射極和三極管Q2發(fā)射極,三極管Ql基極分別連接三極管Q2基極、電阻R2、電阻R3和三極管Q5集電極,電阻R2另一端連接電壓VI,三極管Q5發(fā)射極分別連接電阻R7和電容Cl,電阻R7另一端分別連接電容Cl另一端、電阻R5、三極管Q4發(fā)射極和電阻R3另一端并接地,電阻R5另一端分別連接三極管Q5基極和電阻R6,電阻R6另一端分別連接電阻R4和MOS管的G極,電阻R4另一端分別連接三極管Q3集電極和三極管Q4集電極,三極管Q3發(fā)射極連接電壓V2,三極管Q4基極連接三級管Q2集電極;所述電壓Vl的值小于電壓V2。
[0020]本實用新型的工作原理是:請參閱圖1,Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱,用來實現(xiàn)隔離,同時確保兩只驅(qū)動管Q3和Q4不會同時導(dǎo)通,R2和R3提供了 PWM電壓基準,通過改變這個基準,可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置,Q3和Q4用來提供驅(qū)動電流;R5和R6是反饋電阻,用于對MOS管的G極電壓進行采樣,采樣后的電壓通過Q5對Ql和Q2的基極產(chǎn)生一個強烈的負反饋,從而把MOS管的G極電壓限制在一個有限的數(shù)值,從而安全的驅(qū)動MOS管,這個數(shù)值可以通過R5和R6來調(diào)節(jié);最后,Rl提供了對Q3和Q4的基極電流限制,R4提供了對MOS管的G極電流限制。
[0021]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節(jié),而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本實用新型。因此,無論從哪一點來看,均應(yīng)將實施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0022]此外,應(yīng)當理解,雖然本說明書按照實施方式加以描述,但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案,說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當將說明書作為一個整體,各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當組合,形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。
【主權(quán)項】
1.一種基于PWM驅(qū)動的MOS電路,包括電阻Rl、三極管Ql、三極管Q2、電容Cl、電阻R7和三極管Q3,其特征在于,所述電阻Rl連接PWM信號,電阻Rl另一端分別連接三極管Ql發(fā)射極和三極管Q2發(fā)射極,三極管Ql基極分別連接三極管Q2基極、電阻R2、電阻R3和三極管Q5集電極,電阻R2另一端連接電壓Vl,三極管Q5發(fā)射極分別連接電阻R7和電容Cl,電阻R7另一端分別連接電容Cl另一端、電阻R5、三極管Q4發(fā)射極和電阻R3另一端并接地,電阻R5另一端分別連接三極管Q5基極和電阻R6,電阻R6另一端分別連接電阻R4和MOS管的G極,電阻R4另一端分別連接三極管Q3集電極和三極管Q4集電極,三極管Q3發(fā)射極連接電壓V2,三極管Q4基極連接三級管Q2集電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于PWM驅(qū)動的MOS電路,其特征在于,所述電壓Vl的值小于電壓V2。
【文檔編號】H03K17/687GK205566255SQ201620352527
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年4月21日
【發(fā)明人】胡立鳴
【申請人】象山杰爾德智能科技有限公司
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