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內(nèi)存裝置及應(yīng)用該內(nèi)存裝置的電子裝置的制造方法

文檔序號:10934852閱讀:250來源:國知局
內(nèi)存裝置及應(yīng)用該內(nèi)存裝置的電子裝置的制造方法
【專利摘要】一種內(nèi)存裝置及應(yīng)用該內(nèi)存裝置的電子裝置,該內(nèi)存裝置包括一印刷電路板、位于印刷電路板上的存儲芯片及位于印刷電路板一側(cè)的金手指,其中,所述印刷電路板包括至少8層線路板,所述每一信號層上的信號布線為波形走線或多邊形波形走線,從而有利于提高信號傳輸頻率。
【專利說明】
內(nèi)存裝置及應(yīng)用該內(nèi)存裝置的電子裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型涉及一種內(nèi)存裝置及應(yīng)用該內(nèi)存裝置的電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子信息技術(shù)的不斷發(fā)展,雙倍資料速率內(nèi)存裝置DDR(Double Data Rate)已成為現(xiàn)在的主流內(nèi)存規(guī)范,普遍受到各大芯片組廠商的主流產(chǎn)品的支持。目前DDR運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識上采用了工作頻率X 2的方法,也就是DDR2、DDR3和DDR4。
[0003]目前市面上常用的DDR4技術(shù)都是6至8層PCB,由于內(nèi)部沒有足夠空間,無法加大BUS線寬線距,也沒有經(jīng)過精密計算,DDR4頻率最高只到2400MHZ,只達(dá)到第四代普通計算機主板的工作頻率要求。由于現(xiàn)有技術(shù)中PCB層數(shù)少,內(nèi)存模組內(nèi)部的信號線通常為平滑式走線,線距較小且密集,從而導(dǎo)致該內(nèi)存裝置工作頻率不夠高,在一些高端計算機,如游戲電腦,軍工電腦等主板上不能正常工作,會影響到系統(tǒng)運行速度與穩(wěn)定性,會出現(xiàn)卡機,花屏等現(xiàn)像。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]鑒于上述內(nèi)容,有必要提供一種能提高信號傳輸頻率的內(nèi)存裝置及應(yīng)用該內(nèi)存裝置的電子裝置。
[0005]—種內(nèi)存裝置,包括一印刷電路板、位于印刷電路板上的存儲芯片及位于印刷電路板一側(cè)的金手指,其中,所述印刷電路板包括至少8層線路板,所述每一信號層上的信號布線為波形走線或多邊形波形走線。
[0006]優(yōu)選的,所述相鄰的信號布線間距距離大于20密爾(mil)。
[0007]優(yōu)選的,所述相鄰的兩條信號線的波形走線延伸方向相反且相互對稱。
[0008]優(yōu)選的,所述印刷電路板包括至少一層抗干擾層。
[0009]優(yōu)選的,所述線路板的層數(shù)為10層。
[0010]—種電子裝置,包括一內(nèi)存裝置,所述內(nèi)存裝置包括一印刷電路板、位于印刷電路板上的存儲芯片及位于印刷電路板一側(cè)的金手指,其中,所述印刷電路板包括至少8層線路板,所述每一信號層上的信號布線為波形走線或多邊形波形走線。
[0011]優(yōu)選的,所述相鄰的信號布線間距距離大于20密爾(mil)。
[0012]優(yōu)選的,所述相鄰的兩條信號線的波形走線延伸方向相反且相互對稱。
[0013]優(yōu)選的,所述印刷電路板包括至少一層抗干擾層。
[0014]優(yōu)選的,所述線路板的層數(shù)為10層。
[0015]相較現(xiàn)有技術(shù),所述內(nèi)存裝置的印刷電路板包括10層線路板,而且每一層的線路板的信號布線為波形走線或多邊形波形走線,有利于提高信號傳輸頻率。避免現(xiàn)有技術(shù)中平滑且密集的布線而導(dǎo)致信號干擾強,影響信號傳輸頻率的弊端。
【附圖說明】
[0016]下面參照附圖結(jié)合【具體實施方式】對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述:
[0017]圖1為本實用新型的電子裝置及內(nèi)存裝置的示意圖。
[0018]圖2為本實用新型的內(nèi)存裝置的示意圖。
[0019]圖3為本實用新型內(nèi)存裝置的印刷電路板的信號層布線示意圖。
[0020 ]圖4為本實用新型內(nèi)存裝置的印刷電路板的示意圖。
【具體實施方式】
[0021]請參照圖1及圖2,本實用新型電子裝置100包括一內(nèi)存裝置10,該內(nèi)存裝置10包括印刷電路板11、設(shè)置在印刷電路板11上的若干存儲芯片U0-U8、及位于印刷電路板11一端的金手指12。在本實施例中,所述存儲芯片U0-U8為動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic RandomAccess Memory,簡稱DRAM)。在本實施例中,電子裝置100為一電腦。所述若干存儲芯片UO-U8通過差分布線與金手指12實現(xiàn)電連接。
[0022]如圖3及圖4所示,所述印刷電路板10包括至少8層線路板,在本實施例中,印刷電路板10包括10層線路板?1-?10,所述線路板?1、?2、?3、?6、?7、?9、?10為信號層,所述線路板P4、P5為接地層和電源層,所述線路板P8為抗干擾層。所述每一線路板上都有若干接地孔、電源孔、及信號傳輸孔。在本實施例中,所述每一信號層上的信號布線為波形走線或多邊形波形走線,相鄰的兩條信號線可以設(shè)置為延伸方向相反且相互對稱的走線波形走線或多邊形波形走線。在本實施例中,所述信號層P1、P2、P9、P10上布置較多的時鐘信號,用以提高信號傳輸頻率。在本實施例中,相鄰的信號布線間距距離大于20密爾(mil)。
[0023]當(dāng)然,依據(jù)實際需要,也可以將所述線路板?1、?2、?3、?7、?9、?10定義為信號層,將線路板P5、P6定義為接地層和電源層。將所述線路板P4、P8定義為抗干擾層。所述抗干擾層上設(shè)置有少許信號布線,蝕刻出較多的地信號,從而增大信號屏蔽區(qū)的面積,增強信號的抗干擾性,以提高信號的傳輸頻率。
[0024]在本實施例中,所述內(nèi)存裝置10的頻率最高可達(dá)4000MHZ,可應(yīng)用在高端要求的計算機中,如大型游戲主板,軍工電腦等。
[0025]綜上,由于內(nèi)存裝置10的印刷電路板11包括10層線路板,而且每一層的線路板的信號布線的寬度大于20mil,且信號布線為波形走線或多邊形波形走線,有利于提高信號傳輸頻率。從而,避免現(xiàn)有技術(shù)中平滑且密集的布線而導(dǎo)致信號干擾強,影響信號傳輸頻率的弊端。
【主權(quán)項】
1.一種內(nèi)存裝置,包括一印刷電路板、位于印刷電路板上的存儲芯片及位于印刷電路板一側(cè)的金手指,其特征在于:所述印刷電路板包括至少8層線路板,所述每一信號層上的信號布線為波形走線或多邊形波形走線。2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存裝置,其特征在于:所述相鄰的信號布線間距距離大于20密爾(mil)ο3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存裝置,其特征在于:所述相鄰的兩條信號線的波形走線延伸方向相反且相互對稱。4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存裝置,其特征在于:所述印刷電路板包括至少一層抗干擾層。5.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存裝置,其特征在于:所述線路板的層數(shù)為10層。6.—種電子裝置,包括一內(nèi)存裝置,所述內(nèi)存裝置包括一印刷電路板、位于印刷電路板上的存儲芯片及位于印刷電路板一側(cè)的金手指,其特征在于:所述印刷電路板包括至少8層線路板,所述每一信號層上的信號布線為波形走線或多邊形波形走線。7.如權(quán)利要求6所述的電子裝置,其特征在于:所述相鄰的信號布線間距距離大于20密爾(mil)ο8.如權(quán)利要求6所述的電子裝置,其特征在于:所述相鄰的兩條信號線的波形走線延伸方向相反且相互對稱。9.如權(quán)利要求6所述的電子裝置,其特征在于:所述印刷電路板包括至少一層抗干擾層。10.如權(quán)利要求6所述的電子裝置,其特征在于:所述線路板的層數(shù)為10層。
【文檔編號】H05K1/18GK205622983SQ201521124054
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年12月31日
【發(fā)明人】陳任佳, 向正友
【申請人】深圳市嘉合勁威電子科技有限公司
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