一種功率放大器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型屬于放大器電路領(lǐng)域,尤其涉及一種功率放大器。該放大器包括晶體管M作為功放管,晶體管M的漏極上連接并聯(lián)電容C2,并聯(lián)電容C2的另一端接地,晶體管M的漏極上依次串聯(lián)有諧振電感L與諧振電容C1作為諧振回路,諧振回路與晶體管M的源極之間連接負(fù)載電阻R,晶體管M的漏極上連接有電感線圈RFC,電感線圈RFC的另一端連接有電源DC,電感線圈RFC用于過(guò)濾交流電流,實(shí)際中的開(kāi)關(guān)類(lèi)功率放大器的效率都因?yàn)樵纫蛩囟荒苓_(dá)到理想的值。本實(shí)用新型通過(guò)解決上述這些問(wèn)題,降低電路中的功率損耗,將開(kāi)關(guān)類(lèi)功率放大器的到更多的發(fā)展空間。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種功率放大器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于放大器電路領(lǐng)域,尤其涉及一種功率放大器。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)代社會(huì)隨著信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,無(wú)線能量傳輸在生活中有了更廣泛的應(yīng)用,人們有了越來(lái)越高的要求。射頻功率放大器正在起到越來(lái)越重要的角色,怎樣制造出效率高、性能好的功率放大器已經(jīng)引起了人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注?,F(xiàn)代電子設(shè)備正在向集成化方向進(jìn)展,因此提出了對(duì)于功率放大器的新要求,這樣既可以提高系統(tǒng)可靠性,并且減小功率損耗。無(wú)線能量傳輸領(lǐng)域的,工作頻率10k到30MHz之間,遠(yuǎn)低于過(guò)去多用于手機(jī)等無(wú)線通信領(lǐng)域(10MHz以上),E類(lèi)功率放大器理論上具備100 %的集電極效率。射頻功率放大器的功能影響了無(wú)線能量傳輸?shù)男Ч?,直接關(guān)系到整個(gè)東西性能發(fā)揮,成功設(shè)計(jì)制作高效的E類(lèi)功率放大器也就成為了當(dāng)今社會(huì)一個(gè)重要問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種功率放大器,具有功率損耗小,高效的優(yōu)點(diǎn)。
[0004]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種功率放大器,該放大器包括晶體管M作為功放管,晶體管M的漏極上連接并聯(lián)電容C2用于濾波,提高抗干擾能力,并聯(lián)電容C2的另一端接地,晶體管M的漏極上依次串聯(lián)有諧振電感L與諧振電容Cl作為諧振回路,諧振回路與晶體管M的源極之間連接負(fù)載電阻R,晶體管M的漏極上連接有電感線圈RFC,電感線圈RFC的另一端連接有電源DC,電感線圈RFC用于過(guò)濾交流電流。
[0005 ]進(jìn)一步地,晶體管M采型號(hào)為用RD16HHFI的場(chǎng)效應(yīng)管。
[0006]進(jìn)一步地,并聯(lián)電容C2為680pF,諧振電感L為220μΗ,諧振電容Cl為120pF。
[0007]進(jìn)一步地,并聯(lián)電容C2為1.5nF,諧振電感L為470μΗ,諧振電容Cl為230pF。
[0008]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比,有益效果在于:實(shí)際中的開(kāi)關(guān)類(lèi)功率放大器的都因?yàn)樵纫蛩夭荒苓_(dá)到理想的值而導(dǎo)致放大器的效率變低,功率損耗變大。本實(shí)用新型通過(guò)解決上述這些問(wèn)題,降低電路中的功率損耗,將開(kāi)關(guān)類(lèi)功率放大器的到更多的發(fā)展空間。開(kāi)關(guān)類(lèi)功率放大器有著廣闊的研究空間,這可以促進(jìn)無(wú)線能量傳輸上的不斷發(fā)展,滿足人們?cè)谏鐣?huì)生產(chǎn)生活中的需要。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
[0011]實(shí)施例1
[0012]該放大器包括晶體管M作為功放管,晶體管M的漏極上連接并聯(lián)電容C2,并聯(lián)電容C2的作用是濾波,提高抗干擾能力,并聯(lián)電容C2的另一端接地,晶體管M的漏極上依次串聯(lián)有諧振電感L與諧振電容Cl作為諧振回路,諧振回路與晶體管M的源極之間連接負(fù)載電阻R,晶體管M的漏極上連接有電感線圈RFC,電感線圈RFC的另一端連接有電源DC,電感線圈RFC用于過(guò)濾交流電流。
[0013]晶體管M采型號(hào)為用RD16HHF1的場(chǎng)效應(yīng)管。高功率增益:Pcmt=16W,Vdd = 12.5V,f =30MHz ο
[0014]采用并聯(lián)電容C2為680pF,諧振電感L為220μΗ,諧振電容Cl為120pF。實(shí)現(xiàn)IMHz頻率E類(lèi)功率放大器的參數(shù)設(shè)計(jì)。
[0015]實(shí)施例2
[0016]與實(shí)施例1不同之處在于,并聯(lián)電容C2為1.5nF,諧振電感L為470μΗ,諧振電容Cl為230pF得到220kHz頻率E類(lèi)功率放大器的各元件參數(shù)。
[0017]進(jìn)行測(cè)試,當(dāng)電路工作時(shí)集電極處的電壓和電流波形不同時(shí)出現(xiàn)。即電壓為零時(shí)電流出現(xiàn),電流為零時(shí)電壓才出現(xiàn),滿足E類(lèi)放大器的ZVS和ZDS條件。
[0018]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種功率放大器,其特征在于,該放大器包括晶體管M作為功放管,晶體管M的漏極上連接并聯(lián)電容C2用于濾波,并聯(lián)電容C2的另一端接地,晶體管M的漏極上依次串聯(lián)有諧振電感L與諧振電容Cl作為諧振回路,諧振回路與晶體管M的源極之間連接負(fù)載電阻R,晶體管M的漏極上連接有電感線圈RFC,電感線圈RFC的另一端連接有電源DC,電感線圈RFC用于過(guò)濾交流電流。2.如權(quán)利要求1所述的功率放大器,其特征在于,晶體管M采型號(hào)為用RD16HHF1的場(chǎng)效應(yīng)管。3.如權(quán)利要求1所述的功率放大器,其特征在于,并聯(lián)電容C2為680pF,諧振電感L為220μΗ,諧振電容Cl為120pF。4.如權(quán)利要求1所述的功率放大器,其特征在于,并聯(lián)電容C2為1.5nF,諧振電感L為470μΗ,諧振電容Cl為230pF。
【文檔編號(hào)】H03F1/02GK205681380SQ201620605453
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月21日 公開(kāi)號(hào)201620605453.1, CN 201620605453, CN 205681380 U, CN 205681380U, CN-U-205681380, CN201620605453, CN201620605453.1, CN205681380 U, CN205681380U
【發(fā)明人】孫淑琴, 王翀, 曹華松
【申請(qǐng)人】吉林大學(xué)