專(zhuān)利名稱(chēng)：表面聲波濾波單元、表面聲波濾波器和應(yīng)用這類(lèi)器件的通信裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及表面聲波濾波單元、表面聲波濾波器、模塊和配備能抑制電學(xué)特性劣化的平衡型端口的通信裝置。
背景技術(shù)：
近年隨著移動(dòng)通信的發(fā)展，希望提高所用元件的性能并縮小其尺寸。另外，為優(yōu)化噪聲控制特性，需要平衡諸如IC一類(lèi)的半導(dǎo)體元件，對(duì)用于RF級(jí)的表面聲波濾波單元也需要平衡。
作為移動(dòng)通信裝置中RF級(jí)里的常規(guī)濾波器，表面聲波濾波器已廣為使用，尤其是，縱向耦合模式表面聲波濾波單元更容易實(shí)現(xiàn)平衡/非平衡轉(zhuǎn)換。
再者，對(duì)于超小型化，以倒裝片與CSP(芯片尺寸封裝)為代表的面朝下安裝技術(shù)，正在取代常規(guī)引線鍵合安裝技術(shù)而成為主流。
下面說(shuō)明帶常規(guī)平衡型輸入/輸出端口的縱向耦合模式表面聲波濾波單元。
圖7示出帶常規(guī)平衡型輸入/輸出端口的縱向耦合模式表面聲波濾波單元的結(jié)構(gòu)。
圖7中，表面聲波濾波單元由壓電基板701上的第一、第二和第三叉指式變換器電極(一稱(chēng)“IDT電極”)702、703與704及第一與第二反射器電極705和706構(gòu)成。第一IDT電極702一側(cè)的電極指連接至一個(gè)平衡型端口707，第一IDT電極702另一側(cè)的電極指連接至另一個(gè)平衡型端口708。
另外，第二和第三IDT電極703與704一側(cè)的電極指連接至非平衡型端口709，而另一側(cè)的電極指接地。上述結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)一種配備非平衡一平衡型端口的表面聲波濾波單元。
接著說(shuō)明一例將表面聲波濾波單元面朝下裝在電路板上的結(jié)構(gòu)。圖8A示出圖7的表面聲波濾波單元裝在壓電基板上的結(jié)構(gòu)。
第一IDT電極702一側(cè)的電極指通過(guò)第一配線電極801連接至第一電極片802，另一側(cè)的電極指通過(guò)第二配線電極803連接至第二電極片804。
第二IDT電極703一側(cè)的電極指和第三IDT電極704一側(cè)的電極指都通過(guò)第三配線電極805連接至第三電極片806。這里省略了接地電極。
圖8B顯示了安裝有前述的表面聲波濾波單元的電路板的表面布局。電路板807設(shè)置了第一、第二和第三電路板上配線電極808、809和810。
圖8A的表面聲波濾波單元采用面對(duì)電路板807的方式安裝，例如可使用應(yīng)用金凸塊作超聲墊壓鍵合的安裝方法。此時(shí)，第一電板片802連接至第一電路板上配線電極808，第二電極片804連接至第二電路板上配線電極809，第三電極片806連接至第三電路板上配線電極810。
第一、第二和第三電路板上配線電極(808、809和810)可利用電路板上的通孔、過(guò)孔或外部電極等引出作為端口。此時(shí)，第一、第二和第三電極808、809和810分別連接至平衡型輸出端口一側(cè)OUT1、平衡型輸出端口另一側(cè)OUT2和非平衡型輸入端口IN，從而實(shí)現(xiàn)具有了非平衡—平衡型端口的表面聲波濾波器。
另外，常規(guī)表面聲波器件設(shè)置多個(gè)接地連接導(dǎo)體，用于連接表面聲波單元的至少一塊接地電極片和表面安裝封裝件內(nèi)表面上的表面安裝封裝件的至少一個(gè)接地外接端口，從而提高了帶外抑制程度(如參見(jiàn)日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)11-145772)。
再有，根據(jù)常規(guī)表面聲波器件，若非平衡型輸入端口與平衡型IDT端口之間有耦合作用，就產(chǎn)生一同相電壓，所以建議抑制兩IDT間可能存在的電氣耦合作用，但未曾揭示過(guò)其特定的結(jié)構(gòu)(如參見(jiàn)“Transactions in 2001 onFoundation/Boundary Society Conference of Institute of Electronics，Information and Communication Engineers”(Institute of Electronics，Information and Communication Engineers，August 29，2001，pp.283-284))。
公開(kāi)號(hào)11-145772和pp.283-284的整個(gè)內(nèi)容，通過(guò)引用包括在這里。
然而，上述的表面聲波濾波單元或表面聲波濾波器并未解決重要電學(xué)特性之一的平衡特性劣化的成因，也未規(guī)定壓電基板上配線電極的結(jié)構(gòu)，而且未研究具有平衡特性的電路板的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)上述常規(guī)技術(shù)的諸問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供帶平衡型端口的表面聲波濾波單元、表面聲波濾波器、模塊和具有滿(mǎn)意平衡特性的通信裝置，其辦法是識(shí)別表面聲波濾波單元或表面聲波濾波器中平衡特性劣化的成因，進(jìn)而改善平衡特性。
本發(fā)明的第1方面是一種表面聲波濾波單元，包括壓電基板；和形成于所述壓電基板上的多個(gè)叉指式變換器(IDT)的電極，其中至少一個(gè)所述IDT電極連接至平衡型端口，而其它IDT電極連接至平衡型或非平衡型端口，而且已連接至或?qū)⑦B接至所述至少一個(gè)IDT電極的第一配線電極裝置和已連接至或?qū)⑦B接至所述其它IDT電極的第二配線電極裝置設(shè)置在相互不同的平面上。
本發(fā)明的第2方面是如本發(fā)明第1方面所述的表面聲波濾波單元，其中，所述第一與第二配線電極裝置中的一種設(shè)置在所述壓電基板上，所述其它配線電極裝置設(shè)置在準(zhǔn)備安裝所述壓電基板的電路板上。
本發(fā)明的第3方面是如本發(fā)明第1方面所述的表面聲波濾波單元，其中，(1)所述第一與第二配線電極裝置中的一種形成在所述壓電基板上，所述其它配線電極裝置是準(zhǔn)備安裝所述壓電基板的電路板的內(nèi)層電極，或(2)所述第一與第二配線電極裝置中的一種形成在準(zhǔn)備安裝所述壓電基板的電路板上，所述其它配線電極裝置是所述電路板的內(nèi)層電極。
本發(fā)明的第4方面是如本發(fā)明第1方面所述的表面聲波濾波單元，其中，所述第一與第二配線電極裝置中的一種設(shè)置在壓電基板上，所述其它配線電極裝置設(shè)置在形成于所述壓電基板上的保護(hù)膜上。
本發(fā)明的第5方面是如本發(fā)明第4方面所述的表面聲波濾波單元，其中，所述保護(hù)膜是介質(zhì)薄膜。
本發(fā)明的第6方面是如本發(fā)明第1方面所述的表面聲波濾波單元，其中，所述表面聲波濾波單元是一縱向耦合模式表面聲波濾波單元，其中第一、第二與第三IDT電極和至少兩個(gè)反射器電極沿表面聲波傳播方向設(shè)置，而且所述第二與第三IDT電極置于所述第一IDT電極的兩側(cè)。
本發(fā)明的第7方面是如本發(fā)明第6方面所述的表面聲波濾波單元，其中，還包括
設(shè)置于所述壓電基板的第一與第二電極片；設(shè)置于所述壓電基板上且基本上直接連接至所述第二IDT電極的第三電極片；和設(shè)置了所述壓電基板上且基本上直接連接至所述第三IDT電極的第四電極片，其中(1)所述第一配線電極裝置置于所述壓電基板上作為一對(duì)配線電極，和(2)所述第一IDT電極為平衡型，且通過(guò)所述配線電極對(duì)各個(gè)配線電極連接至所述第一與第二電極片。
所述第二配線電極裝置置于所述電路板上，和所述表面聲波濾波單元裝在所述電路板上，因而所述第三與第四電極片連接至所述第二配線電極裝置。
本發(fā)明的第8方面是如本發(fā)明第6方面所述的表面聲波濾波單元，其中，還包括實(shí)際上直接連接至設(shè)置在所述壓電基板上的所述第一IDT電極的第一與第二電極片；和設(shè)置在所述壓電基板上的第三電極片，其中(1)所述第二配線電極裝置設(shè)置在所述壓電基板上，和(2)所述第二與第三IDT電極為非平衡型，并且通過(guò)所述第二配線電極裝置連接至所述第三電極片，所述第一配線電極裝置設(shè)置在所述電路板上，和所述表面聲波濾波單元裝在所述電路板上，而且所述第一與第二電極片連接至所述第一配線電極裝置。
本發(fā)明的第9方面是如本發(fā)明第7方面所述的表面聲波濾波單元，其中，所述第三電極片連接至所述第二IDT電極的一個(gè)電極指，所述第四電極片連接至所述第三IDT電極的另一電極指，和所述另一電極指置于從所述一個(gè)電極指觀察的相對(duì)一側(cè)。
本發(fā)明的第10方面是如本發(fā)明第8方面所述的表面聲波濾波單元，其中，所述第二電極裝置連接至所述第二IDT電極的一個(gè)電極指，還連接至所述第三IDT電極的另一電極指，和所述另一電極指設(shè)置在從所述一個(gè)電極指觀察的相對(duì)一側(cè)。
本發(fā)明的第11方面是如本發(fā)明第11方面所述的表面聲波濾波單元，其中，所述表面聲波濾波單元是采用梯型方式或?qū)ΨQ(chēng)格形方式連接第一IDT電極和由設(shè)置在所述第一IDT電極兩側(cè)的兩個(gè)反射器電極所組成的表面聲波諧振器的方法構(gòu)成的。
一種表面聲波濾波器，其中，包括本發(fā)明的第12方面是如本發(fā)明第1-11方面中任一方面所述的表面聲波濾波單元；和安裝所述表面聲波濾波單元的電路板。
本發(fā)明的第13方面是如本發(fā)明第12方面所述的表面聲波濾波器，其中，所述電路板構(gòu)成陶瓷封裝件的一部分。
本發(fā)明的第14方面是如本發(fā)明第12方面所述的表面聲波濾波器，其中，所述電路板是一介質(zhì)制作的層迭元件，所述表面聲波濾波單元裝在所述層迭元件上，和所述配線電極裝置設(shè)置在所述層迭元件上表面或所述層迭元件內(nèi)層里。
本發(fā)明的第15方面是如本發(fā)明第12方面所述的表面聲波濾波器，其中，所述IDT電極與形成在所述電路板上的配線電極裝置是以這些電極在空間上相互不重疊的方式設(shè)置的。
本發(fā)明的第16方面是如本發(fā)明第12方面所述的表面聲波濾波器，其中，所述安裝為面朝下安裝。
本發(fā)明的第17方面是如本發(fā)明第1方面所述的表面聲波濾波單元，其中，在所述不同平面之間有自由空間。
本發(fā)明的第18方面是如本發(fā)明第1方面所述的表面聲波濾波單元，其中，在假設(shè)所述不同平面之間的相對(duì)介電常數(shù)為ε、形成在所述不同平面上的所述第一與第二配線電極裝置之間的距離為t、所述第一與第二配線電極形成的交錯(cuò)面積為S時(shí)，滿(mǎn)足ε×s/t≤1.1×10-2。
本發(fā)明的第19方面是如本發(fā)明第1方面所述的表面聲波濾波單元，其中，所述壓電基板是一種有效相對(duì)于介電常數(shù)為40或更大的基板。
本發(fā)明的第20方面是如本發(fā)明第19方面所述的表面聲波濾波單元，其中，所述壓電基板的材料選自鉭酸鋰與鈮酸鋰。
本發(fā)明的第21方面是如本發(fā)明第1方面所述的表面聲波濾波單元，其中，所述表面聲波濾波單元的構(gòu)成方法是所述第一與第二配線電極裝置之間寄生元件的導(dǎo)納值為0.6ms或更小。
本發(fā)明的第22方面是一種模塊，其中，包括如本發(fā)明第1-11和17-21方面中任一方面所述的表面聲波濾波單元；預(yù)定的半導(dǎo)體；和上面裝有所述表面聲波濾波器的基板。
本發(fā)明的第23方面是如本發(fā)明第22方面所述的模塊，其中，所述基板是由層迭介質(zhì)層組成的層迭元件。
本發(fā)明的第24方面是如本發(fā)明第22方面所述的模塊，其中，所述半導(dǎo)體裝置是一低噪聲放大器。
本發(fā)明的第25方面是如本發(fā)明第24方面所述的模塊，其中，所述低噪聲放大器為平衡型。
本發(fā)明的第26方面是如本發(fā)明第24方面所述的模塊，其中，所述半導(dǎo)體裝置是開(kāi)關(guān)單元或混頻器。
本發(fā)明的第27方面是一種表面聲波濾波器，其中，包括表面聲波濾波單元，設(shè)置有(1)壓電基板，和(2)形成在所述壓電基板上的多個(gè)叉指式變換器電極(IDT電極)；上面裝有所述表面聲波濾波單元的電路板；第一配線電極裝置，用于將所述多個(gè)IDT電極中的至少一個(gè)電極連接至設(shè)置在所述電路板上的平衡型端口；和第二配線電極裝置，用于將所述多個(gè)IDT電極中的其它IDT電極連接至設(shè)置在所述電路板上的平衡型或非平衡型端口，其中所述第一與第二配線電極裝置置于不同平面上。
本發(fā)明的第28方面是一種通信裝置，其中，包括天線；連接至所述天線的開(kāi)關(guān)裝置；設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)裝置與發(fā)射電路之間的發(fā)射濾波器；和設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)裝置與接收電路之間的接收濾波器，其中所述發(fā)射濾波器和/或所述接收濾波器包括如本發(fā)明第1-11、17-21和27方面中任一方面所述的表面聲波濾波單元。


圖1A是本發(fā)明實(shí)施例1的表面聲波濾波單元結(jié)構(gòu)的示意圖；
圖1B示出本發(fā)明實(shí)施例1的電路板表面層；圖2是表示本發(fā)明實(shí)施例1中電路板上配線電極與電路板上配線電極間位置關(guān)系的側(cè)視圖；圖3A是本發(fā)明實(shí)施例1的表面聲波濾波單元另一結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3B示出本發(fā)明實(shí)施例1電路板的另一表面層；圖4是本發(fā)明實(shí)施例2的表面聲波濾波器結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5A是本發(fā)明實(shí)施例2的表面聲波濾波單元結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5B示出本發(fā)明實(shí)施例2的電路板表面層；圖6是表示本發(fā)明實(shí)施例2中電路板上IDT電極與電路板上配線電極間定位關(guān)系的側(cè)視圖；圖7是表示常規(guī)表面聲波濾波器的示意框圖；圖8A是常規(guī)表面聲波濾波單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8B示出常規(guī)電路板的表面層；圖9是圖8A沿A-A’的截面圖；圖10是考慮了寄生元件的表面聲波濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖11A示出表面聲波濾波器的幅值；圖11B示出相位平衡特性；圖12是本發(fā)明實(shí)施例1表面聲波濾波器的分解透視圖；圖13是本發(fā)明修正實(shí)施例的表面聲波濾波器的分解透視圖；圖14是圖13例子的結(jié)構(gòu)示意圖；圖15A是圖3A實(shí)施例中表面聲波濾波單元修正例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖15B示出圖15A修正例中電路板的表面層；圖16是本發(fā)明另一例表面聲波濾波器封裝型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖17表示本發(fā)明另一結(jié)構(gòu)的封裝型表面聲波濾波器；圖18A是本發(fā)明另一例表面聲波濾波單元的示意圖；圖18B示出對(duì)應(yīng)于圖18A表面聲波濾波單元的電路板表面層；圖19A是本發(fā)明另一例表面聲波濾波單元的示意圖；圖19B是圖19A表面聲波濾波單元沿A-A’的截面圖；圖19C是圖19A表面聲波濾波單元沿B-B’的截面圖；圖20A是本發(fā)明一模塊結(jié)構(gòu)例的示意圖；圖20B是圖20A從一側(cè)看的示意圖；和圖21是表示一例本發(fā)明的表面聲波濾波器應(yīng)用于通信裝置的框圖。
符號(hào)說(shuō)明101壓電基板，102第一IDT電極，103第二IDT電極，104第三IDT電極，105第一反射器電極，106第二反射器電極，107第一配線電極，108第一電極片，109第二配線電極，110第二電極片，111第三電極片，112第四電極片，113電路板，114第一電路板上配線電極，115第二電路板上配線電極，116第三電路板上配線電極，301配線電極，302電極片，303第一電路板上配線電極，304第二電路板上配線電極，305第三電路板上配線電極，401壓電基片，402第一IDT電板，403第二IDT電板，404第三IDT電板，405第一反射器電板，406第二反射器電板，407一平衡型端口，408另一平衡型端口，409非平衡型端口，410表面聲波諧振器，501第一配線電極，502第一電極片，503第二配線電極，504第二電極片，505第三電極片，506第四電極片，507第五電極片，508第六電極片，509電路板，510第一電路板上配線電極，511第二電路板上配線電極，512第三電路板上配線電極，513第四電路板上配線電極，601IDT電極，602電路板上配線電極，603電路板上配線電極，604寄生元件，701壓電基板，702第一IDT電極，703第二IDT電板，704第三IDT電極，705第一反射器電極，706第二反射器電極，707一平衡器型端口，708另一平衡型端口，709非平衡型端口，801第一配線電極，802第一電極片，803第二配線電極，804第二電極片，805第三配線電極，806第三電極片，807電路板，808，第一電路板上配線電極，809第二電路板上配線電極，810第三電路板上配線電極，1001電容元件具體實(shí)施方式
實(shí)施例1現(xiàn)在參照

本發(fā)明實(shí)施例1的表面聲波濾波單元和表面聲波濾波器。
先研究一下前述表面聲波濾波單元的平衡特性劣化的原因。圖9示出圖8A中表面聲波濾波器沿A-A’的截面圖。對(duì)這種表面聲波，廣泛應(yīng)用了由鉭酸鋰(LiTaO3)與鈮酸鋰(LiNbO3)等制作的壓電基板，其有效相對(duì)介電常數(shù)分別大約為48和49。這里用公式1定義該有效相對(duì)介電常數(shù)(公式1){(ϵ11T)×(ϵ33T)}]]>其中ε11T與ε33T是壓電基板的相對(duì)介電常數(shù)張量。
如圖9所示，在第一與第三配線電極801與805之間出現(xiàn)了通過(guò)基板介質(zhì)的寄生元件Csub與空間寄生元件Cp等。
當(dāng)利用壓電基板上的配線電極使布線導(dǎo)通時(shí)，相對(duì)介電常數(shù)很大，其影響也大。反之，若這些電極相互隔開(kāi)，就能減小寄生元件的耦合作用，但在實(shí)踐中，也必須縮小表面聲波濾波單元的尺寸，限制了這些電極之間距離的拉大。
圖10示出考慮了這些寄生元件的結(jié)構(gòu)。對(duì)于圖7表面聲波濾波器中的寄生元件，可以假設(shè)一種電容元件1001插在輸入/輸出IDT電極之間的結(jié)構(gòu)。圖11A與11B示出了900MHz帶濾波器在圖10結(jié)構(gòu)中改變電容元件1001的電容值時(shí)的分析結(jié)構(gòu)。
圖11A與11B把幅值平衡特性和相位平衡特性分別示為指示平衡特性的指標(biāo)。
這里的幅值平衡特性如下。就是說(shuō)，把從圖7或圖10所示表面聲波濾波單元非平衡型端口709輸入的信號(hào)，輸出到一側(cè)的平衡型端口707和另一側(cè)的平衡型端口708作為平衡信號(hào)。正是幅值平衡特性指示了輸出到一側(cè)平衡型端口707的信號(hào)幅值與輸出到另一側(cè)平衡型端口708的信號(hào)幅值之間的幅值差。于是，若該值變?yōu)榱悖陀锌赡軘喽ㄆ胶馓匦詿o(wú)劣化。
另一方面，相位平衡性指示信號(hào)輸出到一側(cè)平衡型端口707的相位與信號(hào)輸出到另一側(cè)平衡型端口708的相位之間的相位差與180度的偏差。于是，若該值變?yōu)榱?，就有可能斷定平衡特性無(wú)劣化。
圖11A與11B分別指出幅值與相位平衡特性在通帶內(nèi)的最大與最小值，圖11A示出幅值平衡特性，圖11B示出相位平衡特性。
如圖11A與11B所示，平衡特性隨電容值增大而劣化，即，輸入與輸出間因寄生元件而引起的耦合越大，則平衡特性的劣化就越大。
要實(shí)現(xiàn)一種能將幅值平衡特性保持在±1dB內(nèi)并將相位平衡特性保持在±10度內(nèi)的濾波器，就要求把作為輸入與輸出之間寄生元件的電容值減至0.10pF或更小。即考慮到導(dǎo)納分量y＝2πfc，可把y置成0.6(ms)或更小，其中f為頻率，c是電容值。
接著說(shuō)明能克服上述平衡特性劣化原因的表面聲波濾波單元與表面聲波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖1A是壓電基板上表面聲波濾波單元的一種結(jié)構(gòu)示意圖。第一IDT電極102一側(cè)的電極指通過(guò)第一配線電極107連接至第一電極片108。
第一IDT電極102另一側(cè)的電極指通過(guò)第二配線電極109連接至第二電極片110。
第二和第三IDT電極103與104一側(cè)的電極指，實(shí)際上直接連接至第三和第四電極片111與112，其另一側(cè)的電極指均接地，不過(guò)這里省略了接地電極。
圖1B示出安裝有上述的表面聲波濾波單元的電路板的表面布局。該電路板113設(shè)置了第一、第二和第三電路板上配線電極114、115和116。
圖1A的表面聲波濾波單元以面向電路板113的方式安裝(見(jiàn)圖12)。這里，圖12是表面聲波濾波器的分解透視圖，表面聲波濾波單元以面向電路板113的方式安裝。
例如，可以應(yīng)用以金凸塊作超聲熱壓鍵口的安裝方法。
此時(shí)，將第一電極片108連接至第一電路板上配線電極114，第二電極片110連接至第二電路板上配線電極115，以及第三和第四電極片111與112連接至第三電路板上配線電極116的兩個(gè)位置。
此時(shí)，電路板上的第三配線電極116起著與圖8A中第三配線電極805同樣的作用，即起著電氣連接第三與第四電極片111與112的配線電極的作用。
第一、第二和第三電路板上配線電極(114、115和116)利用電路板的通孔、過(guò)孔或外接電極等作為端口引出。
此時(shí)，第一、第二和第三電極114、115和116連接至平衡型輸出端口一側(cè)OUT1、另一側(cè)OUT2和非平衡型輸入端IN，構(gòu)成具有非平衡-平衡型端口的表面聲波濾波器。
采用這種結(jié)構(gòu)，第一IDT電極的第一與第二配線電極107與109在空間上與連接至第二和第三IDT電極的第三電路板上的配線電極116隔開(kāi)。
與圖8A的結(jié)構(gòu)相比，這種結(jié)構(gòu)顯然能把輸入與輸出之間的耦合作用抑制到最小，改進(jìn)了表面聲波濾波單元的平衡特性。
順便提一下，本發(fā)明的第一配線電極方式相當(dāng)于圖1A中用第一與第二配線電極107與109所指示的一對(duì)配線電極。而且，本發(fā)明的第二配線電極方式相當(dāng)于圖1B所示的第三電路板上配線電極116。
此外，在圖2中，存在著第一配線電極107與電路板上第三配線電極116交錯(cuò)的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)的寄生元件Ca用公式2表示，假定把該交錯(cuò)區(qū)域近似為一只平行板電容器。
(公式2)Ca＝ε0×S/t其中ε0是自由空間內(nèi)的介由常數(shù)，S為相交面積，t為電極之間的距離。
例如，設(shè)S＝100μm×100μm，t＝20μm，根據(jù)公式2，Ca小至4.4fF。
實(shí)際上，必須優(yōu)化壓電基板的結(jié)構(gòu)，也須要考慮電路板相交區(qū)域以外的諸單元，若兩電極在空間上相互遠(yuǎn)離，則與常規(guī)結(jié)構(gòu)相比，有可能減小輸入與輸出間的耦合作用，且獲得同樣改進(jìn)平衡特性的效果。
另外，在布線時(shí)，通過(guò)消除表面聲波濾波單元壓電基板上的配線電極并把該電路板用作多層基板，包括基板在內(nèi)的整個(gè)濾波器的高度略為增大，這從低型面的觀點(diǎn)來(lái)看可能是個(gè)缺點(diǎn)，但對(duì)平衡特性而言，若使用相對(duì)介電常數(shù)小的基板也能獲得改善的效果。
電路板的例子包括由氧化鋁與陶瓷介質(zhì)等構(gòu)制的層迭元件，這類(lèi)物質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)為10量級(jí)。此時(shí)，按上述公式，Ca變?yōu)?.04pF，由圖11可看出，平衡特性的劣化很小。
因此，為在電路板中實(shí)施多層布線以實(shí)現(xiàn)寄生分量減至0.1pF或更小的結(jié)構(gòu)，較佳地，電路板材料的相對(duì)介電常數(shù)ε、配線電極之間的距離t和配線電極的交錯(cuò)面積s之間的關(guān)系滿(mǎn)足(公式3)ε×S/t≤1.1×10-2然而，在平面之間存在多種不同相對(duì)介電常數(shù)的材料時(shí)，這些平面在整體上必須滿(mǎn)足上述關(guān)系式。
另外，根據(jù)該實(shí)施例，平衡側(cè)的配線電極107與109形成在壓電基板101上，而非平衡側(cè)的這些配線電極實(shí)際上直接連接至電路板上配線電極116。但該實(shí)施例并不限于此，如圖3所示，也可將非平衡側(cè)的第二和第三IDT電極103和104通過(guò)配線電極301連接至電極片302，以及還可把第一和第二電極片108和110直接連接至第一IDT電極102。
此時(shí)，將第一和第二電極片108和110連接至電路板上的配線電極303和304，因而電路板上的配線電極303起著與圖8A中第一配線電極801同樣的作用(配線電極的作用)。而且，電路板上的配線電極304起著與圖8A中第二配線電極803同樣的作用(配線電極的作用)。
另外，把第三電極片302連接至電路板上的配線電極305。此時(shí)，根據(jù)壓電基板101上表面聲波的配置，在電路板113表面層上的電路板上合理地安置電路板上配線電極303、304和305。
即便是上述結(jié)構(gòu)，也要使第一和第二電路板上的第一IDT電板的配線電極303和304在空間上與第二和第三IDT電極的配線電極301分開(kāi)，從而有可能將輸入與輸出間的耦合作用減至最小，且改善表面聲波濾波器的平衡特性。
順便提一下，本發(fā)明的第一配線電極方式對(duì)應(yīng)于圖3B中第一與第二電路板上配線電極303和304所表示的一對(duì)配線電極，本發(fā)明的第二配線電極方式對(duì)應(yīng)于圖3A所示的配線電極301。
本實(shí)施例描述了電路板，但也可使用封裝組件等。
另外，本實(shí)施例描述的結(jié)構(gòu)實(shí)際上把第二和第三IDT電極103與104一側(cè)的電極指直接連接至第三和第四電極片111與112，但本實(shí)施例并不限于此，如也可通過(guò)總線條電極等連接至電極指，只要該結(jié)構(gòu)至少優(yōu)化成縮短布線長(zhǎng)度的結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例2下面參照

本發(fā)明實(shí)施例2的表面聲波濾波單元與表面聲波濾波器。
圖4中，該表面聲波濾波單元由第一、第二與第三IDT電極402、403和404、第一和第二反射器電極405與406構(gòu)成，表面聲波諧振器410由壓電基板401上的IDT電極與反射器電極組成。
第一IDT電極402一側(cè)的電極指連接至一平衡型端口407，其另一側(cè)的電極指連接至另一平衡型端口408。
另外，非平衡型端口409通過(guò)表面聲波諧振器410連接至第二IDT電極403一側(cè)的電極指和第三IDT電極404另一側(cè)的電極指。
這里將第二IDT電極403一側(cè)的電極指403a與第三IDT電極404另一側(cè)的電極指404b相對(duì)而安置，如圖4和5所示。
采用這種結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)具有非平衡型—平衡型端口的表面聲波濾波單元。
接著說(shuō)明一例將表面聲波單元面朝下安裝在封裝件與基板上的結(jié)構(gòu)。圖5A是壓電基板上表面聲波濾波單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
第一IDT電極402一側(cè)的電極指通過(guò)第一配線電極501連接至第一電極片502，其另一側(cè)的電極指通過(guò)第二配線電極503連接至第二電極片504。
第二IDT電極403一側(cè)的電極指實(shí)際上直接連接至第三電極片505，第三IDT電極404另一側(cè)的電極指實(shí)際上直接連接至第四電極片506。
第二IDT電極403另一側(cè)的電極指和第三IDT電極404一側(cè)的電極指接地，但這里不描述接地電極。
另外，表面聲波諧振器410的IDT電極兩側(cè)實(shí)際上都直接連接至第五與第六電極片507與508。
圖5B示出裝有上述的表面聲波濾波單元的電路板的表面層。電路板509設(shè)置了第一、第二、第三和第四電路板上配線電極510、511、512和513。
圖5A所示的表面聲波濾波單元以面對(duì)電路板509的方式安裝。
例如，可使用應(yīng)用金凸塊作超聲熱壓鍵合的安裝方法。此時(shí)，第一電極片502連接至第一電路板上配線電極510，第二電極片504連接至第二電路板上配線電極511，而第三和第四電極片505與506連接至第三電路板上配線電極512。
另外，第五電極片507連接至第四電路板上配線電極513，第六電極片508連接至第三電路板上配線電極512。
就是說(shuō)，第三電路板上配線電極512連接至3個(gè)電極片，并起著連接表面聲波諧振器410和第二與第三IDT電極403與404配線電極的作用。
再者，利用該電路板的通孔、過(guò)孔或外接電極，把第一、第二和第四電路板上配線電極510、511與513作為端口引出。
此時(shí)，將第一、第二和第四電極510、511與513連接至平衡型輸出端一側(cè)OUT1、另一側(cè)OUT2和非平衡型輸入端IN，從而實(shí)現(xiàn)具有非平衡-平衡型端口的表面聲波濾波器。
采用該結(jié)構(gòu)，第一IDT電極的第一與第二配線電極501與503在空間上與連接至第二和第三IDT電極的第三電路板上配線電極512分開(kāi)，這樣能把輸入與輸出間的耦合抑制到最小，改善表面聲波濾波單元的平衡特性。
將本發(fā)明濾波器與常規(guī)結(jié)構(gòu)濾波器的實(shí)測(cè)結(jié)果作了比較，并用1.8GHz帶寬濾波器評(píng)估了平衡特性。結(jié)果表明，采用本發(fā)明結(jié)構(gòu)后，幅值與相位平衡特性的偏差(最大與最小值之差)減小了約25％。
另外，采用這種電路板上配線電極與壓電基板上形成的IDT電極相互在空間上不重迭的結(jié)構(gòu)，有可能進(jìn)一步減小寄生分量。
就是說(shuō)，當(dāng)以圖6箭頭A所示的方向觀看壓電基板401時(shí)，采用防止IDT電極601與在電路板上配線電極602重迭的結(jié)構(gòu)是有效的，如圖6所示，若在圖6中用虛線表示的區(qū)域603上設(shè)置電路板上配線電極，則在一些IDT電極和該區(qū)域之間就會(huì)產(chǎn)生寄生元件604，這樣會(huì)劣化電學(xué)特性。
上述實(shí)施例主要描述了在壓電基板上設(shè)置本發(fā)明的第一或第二配線電極并在電路板上設(shè)置其它配線電極的情況。
然而，該實(shí)施例并不限于此，還可以按下述方法構(gòu)成(1)在壓電基板上形成第一或第二配線電極，而其它配線電極則是要安裝該壓電基板的電路板的內(nèi)層電極(見(jiàn)圖13)，或(2)在要安裝壓電基板的電路板上形成第一或第二配線電極，其它配線電極則是電路板的內(nèi)層電極(圖被省略)。
圖13是第一種結(jié)構(gòu)例的分解透視圖，與圖12的情況不同，在電路板內(nèi)層平面上把對(duì)應(yīng)于本發(fā)明第二配線電極的配線電極形成為內(nèi)層電極1301，并通過(guò)過(guò)孔1302連接至第三和第四電極片111與112。而且，在電路板上把端口電極1303a與1303b電氣連接至表面層電極114與115。另外，用圖13說(shuō)明該最新的實(shí)例?？稍陔娐钒迳隙皇菈弘娀迳?，把對(duì)應(yīng)于圖13中本發(fā)明第一配線電極方式的第一和第二配線電極107與109形成為表面層電極。或者，用圖13說(shuō)明的上述結(jié)構(gòu)表明，本發(fā)明的第一與第二配線電極方式在表面層電極與內(nèi)層電極之間有一種關(guān)系，但是也有可能采納二者間的關(guān)系相反的結(jié)構(gòu)，即本發(fā)明的第一配線電極方式是電路板的內(nèi)層電極，而本發(fā)明的第二配線電極方式為表面層電極。
圖14示出圖13中結(jié)構(gòu)例的示意圖，圖中把壓電基板101和電路板113表示為透明狀，而示意性畫(huà)出的斜線區(qū)示出表面聲波濾波器電極的位置。
另外，上述實(shí)施例用圖5A描述了這樣一種情況，即把第三電極片505連接至第二IDT電極403一側(cè)的電極指403a，第四電極片506連接至第三IDT電極404另一側(cè)的電極指404b，且另一側(cè)的電極指404b設(shè)置在一側(cè)上述電極指403a的相對(duì)側(cè)。
然而，該實(shí)施例并不限于此，例如也可以是圖15A所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，把本發(fā)明第二配線電極裝置3011的一端1501a連接至第二IDT電極103的電極指103a，把第二配線電極裝置3011的另一端1501b連接至第三IDT電極104的另一電極指104b，并在一側(cè)把另一電極指104b設(shè)置在電極指103a的相對(duì)側(cè)。
這種情況的效果與上述實(shí)施例一樣。圖15A是一示意圖，表示圖3A實(shí)施例中表面聲波濾波單元修正例的結(jié)構(gòu)。圖15B示出對(duì)應(yīng)于圖15A中修正例的電路板表面層。
另外，上述實(shí)施例主要描述了具有壓電基板和電路板的結(jié)構(gòu)，但該例并不限于此，例如表面聲波濾波器也可以由壓電基板與封裝構(gòu)成。此時(shí)，如圖16與17所示，也能可能采用一種把陶瓷封裝件1601和1701的下半部分用作電路板1602與1702的結(jié)構(gòu)。在圖16中，標(biāo)號(hào)1603和1604表示外接端口。圖17的結(jié)構(gòu)不同于圖16，外接端口(底面電極)1704采用過(guò)孔1703電氣連接。
圖16和17示意示出一結(jié)構(gòu)例，表面聲波濾波器由像圖14那樣似乎透明的壓電基板和封裝件組成。圖中陰影區(qū)示意表示該表面聲波濾波器電極的位置。
上述實(shí)施例描述的表面聲波濾波單元和表面聲波濾波器實(shí)例，把本發(fā)明的第一和第二配線電極裝置置于不同平面上，作為上述不同平面的特定實(shí)例，該實(shí)施例描述了使用壓電基板與電路板的情況(如圖1、3、5和15)和使用電路板表面層平面與內(nèi)層平面等情況。
然而，該實(shí)施例并不限于這些情況，如圖18與19所示，使用這樣一種表面聲波濾波單元也有可能取得與上述同樣的效果，即其中在壓電基板上(圖18B的113)設(shè)置本發(fā)明的第一與第二配線電極(圖18A—圖19C的107和109)中的一種，并在形成于壓電基板主平面的保護(hù)膜(圖19C的1902)上設(shè)置其它配線電極(圖19C的1901)。
這樣，如圖19B與19C所示，配線電極1901經(jīng)過(guò)孔1905電氣連接至電極1903與1904，而電極片108經(jīng)過(guò)孔1906電氣連接至配線電極107。
尤其是，對(duì)該保護(hù)膜使用二氧化硅或氮化硅一類(lèi)的介質(zhì)薄膜，對(duì)IDT電極具有鈍化作用，且具有改善溫度特性的作用。
再者，電極片連接并不限于過(guò)孔，可以是任一種至少能作電氣連接的結(jié)構(gòu)。
另外，在本發(fā)明實(shí)施例1和2中，若壓電基板的有效相對(duì)介電常數(shù)越大，則效果也越好，而有效相對(duì)介電常數(shù)為40或更高的壓電基板，如LiTaO3與LiNbO3等，就可得到滿(mǎn)意的效果。
還有，本發(fā)明實(shí)施例1和2描述了應(yīng)用3電極縱向耦合模式濾波器的情況，但只要輸入側(cè)與輸出側(cè)的耦合作用像本發(fā)明這些實(shí)施例的一樣小，2電極、4電極或5電極的縱向耦合模式濾波器也能獲得類(lèi)似的平衡特性效果。再者，不僅多電極縱向耦合模式表面聲波濾波器，而且使用表面聲波諧振器的梯型或?qū)ΨQ(chēng)格型濾波器結(jié)構(gòu)也能獲得類(lèi)似的平衡特性效果，只要這類(lèi)濾波器的結(jié)構(gòu)能減小輸入側(cè)與輸出側(cè)的耦合作用。
再者，該實(shí)施例描述了一級(jí)表面聲波濾波單元，但也可能采用多級(jí)級(jí)聯(lián)的多個(gè)表面聲波濾波單元的結(jié)構(gòu)。
另外，隨著IDT電極數(shù)量的增大，在壓電基板上布線也變得更復(fù)雜，配線電極間的寄生分量也增大，因而希望本發(fā)明在改善平衡特性上有更大效果。
而且，實(shí)施例1與2描述了平衡-非平衡型表面聲波濾波單元和平衡-非平衡型表面聲波濾波器，但是甚至平衡-平衡型表面聲波濾波器等也能對(duì)平衡特性獲得類(lèi)似效果，只要采用了至少可減小輸入側(cè)與輸出側(cè)之間耦合作用的結(jié)構(gòu)。
另外，實(shí)施例1和2對(duì)輸入一側(cè)采用非平衡型而對(duì)輸出一側(cè)采用平衡型，但是相反的關(guān)系也可獲得同樣效果。
再者，如圖20A與20B所示，像模塊那樣，在安裝基板2001上安裝本發(fā)明的表面聲波濾波單元2002和半導(dǎo)體IC2003，有可能使整個(gè)設(shè)備精致小巧，同時(shí)減小了靈敏度因平衡特性變劣而發(fā)生的劣化。在同樣的附圖中，標(biāo)號(hào)2004和2005指外接端口，標(biāo)號(hào)2006指匹配電路。圖20A是模塊平面圖，圖20B是示意圖，像圖14那樣把結(jié)構(gòu)例示為透明狀。圖內(nèi)陰影區(qū)示意表示該表面聲波濾波器諸電極的位置。
再者，上述模塊也可構(gòu)成用半導(dǎo)體器件組成低噪聲放大器?；蛘撸雽?dǎo)體器件也可以是混頻器。
而且，上述實(shí)施例已經(jīng)描述了半導(dǎo)體裝置為平衡類(lèi)型，但是也可以將非平衡-平衡型表面聲波濾波器與非平衡-非平衡型裝置(例如GaAs-開(kāi)關(guān)和使用PIN二極管的開(kāi)關(guān))相結(jié)合。
另外，還有可能把本發(fā)明的表面聲波濾波單元或表面聲波濾波器應(yīng)用于配有圖21的平衡型高頻電路的通信裝置等。這樣有可能抑制靈敏度因發(fā)射或接收濾波器平衡特性變劣而發(fā)生的劣化，從而實(shí)現(xiàn)高性能移動(dòng)通信裝置。
下面參照?qǐng)D21說(shuō)明配備上述平衡型高頻電路的通信裝置的結(jié)構(gòu)與工作原理。圖21是示出應(yīng)用本發(fā)明的平衡型器件的平衡型高頻電路2701的框圖。
在圖21中，發(fā)射電路2711輸出的發(fā)射信號(hào)通過(guò)發(fā)射放大器2702、發(fā)射濾波器2703和開(kāi)關(guān)2704從天線2705發(fā)出。
另外，天線2705接收到的接收信號(hào)通過(guò)開(kāi)關(guān)2704、接收濾波器2706和接收放大器2707輸入到接收電路2712。
這里的發(fā)射放大器2702為平衡型，開(kāi)關(guān)2704為非平衡型，因而發(fā)射濾波器2703是一種具有非平衡-平衡型輸入/輸出端口的結(jié)構(gòu)。另外，接收放大器2707為平衡型，開(kāi)關(guān)2704為非平衡型，因而接收濾波器2706是一種具有非平衡-平衡型輸入/輸出端口的結(jié)構(gòu)。
把本發(fā)明的表面聲波濾波器應(yīng)用于發(fā)射濾波器2703和/或接收濾波器2706，也能抑制調(diào)制精度在發(fā)射期間因平衡特性劣化而引起的變劣。另外，這樣做也可抑制靈敏度在接收期間因平衡特性變劣而引起的劣化，以實(shí)現(xiàn)高性能平衡型高頻電路。
另外，發(fā)射濾波器2703與發(fā)射放大器2702或接收濾波器2706與接收放大器2707，也有可能采用上述模塊結(jié)構(gòu)。
還有，開(kāi)關(guān)單元與接收濾波器或開(kāi)關(guān)單元與發(fā)射濾波器，也有可能采用上述模塊結(jié)構(gòu)。
由上述說(shuō)明可知，本發(fā)明具有令人滿(mǎn)意的平衡特性的優(yōu)點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種表面聲波濾波單元，其特征在于，包括壓電基板；和形成于所述壓電基板上的多個(gè)叉指式變換器(IDT)的電極，其中至少一個(gè)所述IDT電極連接至平衡型端口，而其它IDT電極連接至平衡型或非平衡型端口，而且已連接至或?qū)⑦B接至所述至少一個(gè)IDT電極的第一配線電極裝置和已連接至或?qū)⑦B接至所述其它IDT電極的第二配線電極裝置設(shè)置在相互不同的平面上。
2.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，所述第一與第二配線電極裝置中的一種設(shè)置在所述壓電基板上，所述其它配線電極裝置設(shè)置在準(zhǔn)備安裝所述壓電基板的電路板上。
3.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，(1)所述第一與第二配線電極裝置中的一種形成在所述壓電基板上，所述其它配線電極裝置是準(zhǔn)備安裝所述壓電基板的電路板的內(nèi)層電極，或(2)所述第一與第二配線電極裝置中的一種形成在準(zhǔn)備安裝所述壓電基板的電路板上，所述其它配線電極裝置是所述電路板的內(nèi)層電極。
4.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，所述第一與第二配線電極裝置中的一種設(shè)置在壓電基板上，所述其它配線電極裝置設(shè)置在形成于所述壓電基板上的保護(hù)膜上。
5.如權(quán)利要求4所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，所述保護(hù)膜是介質(zhì)薄膜。
6.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，所述表面聲波濾波單元是一縱向耦合模式表面聲波濾波單元，其中第一、第二與第三IDT電極和至少兩個(gè)反射器電極沿表面聲波傳播方向設(shè)置，而且所述第二與第三IDT電極置于所述第一IDT電極的兩側(cè)。
7.如權(quán)利要求6所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，還包括設(shè)置于所述壓電基板的第一與第二電極片；設(shè)置于所述壓電基板上且基本上直接連接至所述第二IDT電極的第三電極片；和設(shè)置了所述壓電基板上且基本上直接連接至所述第三IDT電極的第四電極片，其中(1)所述第一配線電極裝置置于所述壓電基板上作為一對(duì)配線電極，和(2)所述第一IDT電極為平衡型，且通過(guò)所述配線電極對(duì)各個(gè)配線電極連接至所述第一與第二電極片。所述第二配線電極裝置置于所述電路板上，和所述表面聲波濾波單元裝在所述電路板上，因而所述第三與第四電極片連接至所述第二配線電極裝置。
8.如權(quán)利要求6所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，還包括實(shí)際上直接連接至設(shè)置在所述壓電基板上的所述第一IDT電極的第一與第二電極片；和設(shè)置在所述壓電基板上的第三電極片，其中(1)所述第二配線電極裝置設(shè)置在所述壓電基板上，和(2)所述第二與第三IDT電極為非平衡型，并且通過(guò)所述第二配線電極裝置連接至所述第三電極片，所述第一配線電極裝置設(shè)置在所述電路板上，和所述表面聲波濾波單元裝在所述電路板上，而且所述第一與第二電極片連接至所述第一配線電極裝置。
9.如權(quán)利要求7所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，所述第三電極片連接至所述第二IDT電極的一個(gè)電極指，所述第四電極片連接至所述第三IDT電極的另一電極指，和所述另一電極指置于從所述一個(gè)電極指觀察的相對(duì)一側(cè)。
10.如權(quán)利要求8所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，所述第二電極裝置連接至所述第二IDT電極的一個(gè)電極指，還連接至所述第三IDT電極的另一電極指，和所述另一電極指設(shè)置在從所述一個(gè)電極指觀察的相對(duì)一側(cè)。
11.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，所述表面聲波濾波單元是采用梯型方式或?qū)ΨQ(chēng)格形方式連接第一IDT電極和由設(shè)置在所述第一IDT電極兩側(cè)的兩個(gè)反射器電極所組成的表面聲波諧振器的方法構(gòu)成的。
12.一種表面聲波濾波器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-11中任一權(quán)項(xiàng)所述的表面聲波濾波單元；和安裝所述表面聲波濾波單元的電路板。
13.如權(quán)利要求12所述的表面聲波濾波器，其特征在于，所述電路板構(gòu)成陶瓷封裝件的一部分。
14.如權(quán)利要求12所述的表面聲波濾波器，其特征在于，所述電路板是一介質(zhì)制作的層迭元件，所述表面聲波濾波單元裝在所述層迭元件上，和所述配線電極裝置設(shè)置在所述層迭元件上表面或所述層迭元件內(nèi)層里。
15.如權(quán)利要求12所述的表面聲波濾波器，其特征在于，所述IDT電極與形成在所述電路板上的配線電極裝置是以這些電極在空間上相互不重疊的方式設(shè)置的。
16.如權(quán)利要求12所述的表面聲波濾波器，其特征在于，所述安裝為面朝下安裝。
17.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，在所述不同平面之間有自由空間。
18.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，在假設(shè)所述不同平面之間的相對(duì)介電常數(shù)為ε、形成在所述不同平面上的所述第一與第二配線電極裝置之間的距離為t、所述第一與第二配線電極形成的交錯(cuò)面積為S時(shí)，滿(mǎn)足ε×s/t≤1.1×10-2。
19.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，所述壓電基板是一種有效相對(duì)于介電常數(shù)為40或更大的基板。
20.如權(quán)利要求19所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，所述壓電基板的材料選自鉭酸鋰與鈮酸鋰。
21.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波單元，其特征在于，所述表面聲波濾波單元的構(gòu)成方法是所述第一與第二配線電極裝置之間寄生元件的導(dǎo)納值為0.6ms或更小。
22.一種模塊，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-11和17-21中任一權(quán)項(xiàng)所述的表面聲波濾波單元；預(yù)定的半導(dǎo)體；和上面裝有所述表面聲波濾波器的基板。
23.如權(quán)利要求22所述的模塊，其特征在于，所述基板是由層迭介質(zhì)層組成的層迭元件。
24.如權(quán)利要求22所述的模塊，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是一低噪聲放大器。
25.如權(quán)利要求24所述的模塊，其特征在于，所述低噪聲放大器為平衡型。
26.如權(quán)利要求24所述的模塊，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是開(kāi)關(guān)單元或混頻器。
27.一種表面聲波濾波器，其特征在于，包括表面聲波濾波單元，設(shè)置有(1)壓電基板，和(2)形成在所述壓電基板上的多個(gè)叉指式變換器電極(IDT電極)；上面裝有所述表面聲波濾波單元的電路板；第一配線電極裝置，用于將所述多個(gè)IDT電極中的至少一個(gè)電極連接至設(shè)置在所述電路板上的平衡型端口；和第二配線電極裝置，用于將所述多個(gè)IDT電極中的其它IDT電極連接至設(shè)置在所述電路板上的平衡型或非平衡型端口，其中所述第一與第二配線電極裝置置于不同平面上。
28.一種通信裝置，其特征在于，包括天線；連接至所述天線的開(kāi)關(guān)裝置；設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)裝置與發(fā)射電路之間的發(fā)射濾波器；和設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)裝置與接收電路之間的接收濾波器，其中所述發(fā)射濾波器和/或所述接收濾波器包括如權(quán)利要求1-11、17-21和27中任一權(quán)項(xiàng)所述的表面聲波濾波單元。
全文摘要
一種表面聲波濾波單元，具有壓電基板；和形成于所述壓電基板上的多個(gè)叉指式變換器(IDT)電極，其中至少一個(gè)所述IDT電極連接至平衡型端口，其它IDT電極連接至平衡型或非平衡型端口，并且已連接和將連接至所述至少一個(gè)IDT電極的第一配線電極裝置和已連接或要連接至所述其它IDT電極的第二配線電極裝置設(shè)置在相互不同的平面上。
文檔編號(hào)H04B1/16GK1418031SQ0214828
公開(kāi)日2003年5月14日 申請(qǐng)日期2002年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月29日
發(fā)明者中村弘幸, 大西慶治, 常川昭雄, 都築茂 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社