專利名稱：用于smf(單模光纖)的色散補(bǔ)償光纖與包括該光纖的傳輸鏈路的制作方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及波分復(fù)用(WDM)系統(tǒng)的光纖與傳輸鏈路，更具體地說，涉及色散補(bǔ)償光纖與包括這種在操作窗內(nèi)有負(fù)色散而且特別適合補(bǔ)償單模光纖色散的光纖的傳輸鏈路。
背景技術(shù)：
為促進(jìn)低成本多帶寬，電信系統(tǒng)設(shè)計(jì)師正轉(zhuǎn)向高信道計(jì)數(shù)密集的波分利用(DWDM)結(jié)構(gòu)、更長(zhǎng)的延伸系統(tǒng)和更高的傳輸比特率。由于系統(tǒng)設(shè)計(jì)師希望能精密地補(bǔ)償整個(gè)信道方案的色散，這種狀況造成了對(duì)系統(tǒng)性能起到?jīng)Q定性的色散管理問題。當(dāng)今，能解決色散的唯一可靠的寬帶商業(yè)技術(shù)一直是色散補(bǔ)償模塊(DCM)，即在其上繞制一段適當(dāng)長(zhǎng)度色散補(bǔ)償光纖(DCF)的線管。由于DWDM應(yīng)用增加到16條、32條、40條以上信道，則更加期望寬帶色散補(bǔ)償產(chǎn)品。許多目前的電信系統(tǒng)都有單模光纖(SMF)，雖然它們?cè)诩s1310nm下對(duì)零色散作了優(yōu)化，并可有效地應(yīng)用于以1550nm波長(zhǎng)發(fā)送信號(hào)，因而可應(yīng)用摻鉺的光纖放大器。一例這樣的SMF就是Corning公司制造的SMF-28。原有技術(shù)的圖2示出這種的折射率分布曲線。通常，這種光纖稱為標(biāo)準(zhǔn)單模光纖或階躍折射率單模光纖，在1550nm下，色散為17ps/nm/km，色散斜率為0.058ps/nm2/km。
由于對(duì)更高比特率系統(tǒng)(＞10Gbs)、寬帶長(zhǎng)延伸系統(tǒng)(如＞500km)和光學(xué)網(wǎng)絡(luò)的興趣愈加濃厚，同樣在SMF上運(yùn)送數(shù)據(jù)的網(wǎng)中必不可少地使用了DCF。高比特率、長(zhǎng)延伸和寬帶寬都要求更精確地補(bǔ)償色散。
因此，希望DCF具有的色散特性能使其色散匹配于SMF傳輸光纖在有關(guān)波長(zhǎng)窗口要求補(bǔ)償?shù)纳?。在給定波長(zhǎng)下色散與色散斜率之比稱為“卡巴(κ)”。對(duì)一給定的傳輸光纖，卡巴隨波長(zhǎng)變化，因而DCF的卡巴值與操作窗內(nèi)傳輸光纖的卡巴值精密匹配同樣重要。
希望開發(fā)另一種DCF，具體地說，一種能在圍繞1575nm的寬波長(zhǎng)帶尤其在C帶與L帶(1525～1625nm)內(nèi)補(bǔ)償SMF色散的DCF。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種色散補(bǔ)償光纖，較佳地在1575nm處呈現(xiàn)負(fù)色散與負(fù)色散斜率，而且較佳地設(shè)計(jì)成在C+L工作波長(zhǎng)帶內(nèi)可補(bǔ)償SMF的色散，因而提供寬帶色散補(bǔ)償。
本發(fā)明的色散補(bǔ)償光纖包括一條折射率曲線，中心纖芯部分具有正相對(duì)折射率Δ1，圍繞中心纖芯部分的溝部分具有負(fù)相對(duì)折射率Δ2，而圍繞溝部分的環(huán)分層具有正相對(duì)折射率Δ3，其中Δ1＞Δ3＞Δ2，這里的Δ定義為Δ(%)=(ni2-nc2)2nc2·100]]>式中nc是包層折射率，ni為有關(guān)分層的折射率。
本發(fā)明第一實(shí)施例的色散補(bǔ)償光纖有一條折射率分布曲線，在1757nm波長(zhǎng)下的負(fù)色散斜率為小于-0.29而大于-0.43ps/nm2/km，更佳在1575nm波長(zhǎng)下小于-0.32而大于-0.39ps/nm2/km，在1575nm波長(zhǎng)下的負(fù)色散小于-96而大于-109ps/km；更佳在1575nm波長(zhǎng)下小于-102而大于-108ps/nm2/km。被定義為1575nm下色散除以1575nm下色散斜率的卡巴值，較佳為272～332nm，更佳為285～315nm。該色散補(bǔ)償光纖較佳地具有圍繞環(huán)形部分的包層，相對(duì)折射率Δc，其中Δ1＞Δ3＞Δc＞Δ2。
根據(jù)本發(fā)明其它實(shí)施例，色散補(bǔ)償光纖呈現(xiàn)的折射率分布曲線導(dǎo)致色散斜率在1575nm波長(zhǎng)下小于-0.32而大于-0.39ps/nm2/km，負(fù)色散在1575nm波長(zhǎng)下為-102～-108ps/nm/km。
有利的是，色散補(bǔ)償光纖的理論截止波長(zhǎng)(λc)較佳地小于1700nm。
根據(jù)本發(fā)明色散補(bǔ)償光纖的諸實(shí)施例，中心纖芯部分的最大增量Δ1大于1.7％而小于2.0％，溝部分的最低增量Δ2小于-0.2％而大于-0.6％，環(huán)形部分的最大增量Δ3＞0.2％而小于0.5％。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，色散補(bǔ)償光纖的中心纖芯部分外半徑r1為1.7～2.0微米，溝部分外半徑r2為3.5～4.5微米，環(huán)形部分中心半徑r3為5.0～8.0微米。
色散補(bǔ)償光纖較佳地呈現(xiàn)出在1575nm下小于20dB的針陣列彎曲損失。低彎曲損失對(duì)DCF很重要，因?yàn)檫@樣可在色散補(bǔ)償模塊中作緊密封裝，使總鏈路衰減保持低下。
根據(jù)本發(fā)明其它實(shí)施例，提供的光纖傳輸鏈路包括一段SMF，在1290～1320nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有色散零值，1575nm下的色散為13～21ps/nm/km；這里所述的一段色散補(bǔ)償光纖在1575nm下的色散值為-96～-108，在光學(xué)上耦接SMF，其中在1525～1625nm的傳輸帶內(nèi)，該傳輸鏈路呈現(xiàn)出小于0.3ps/km/nm的高-低殘余色散。較佳地，SMF的長(zhǎng)度為色散補(bǔ)償光纖的長(zhǎng)度的5倍以上。
下面的詳述將提出本發(fā)明的其它特征與優(yōu)點(diǎn)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過該描述顯然會(huì)明白，或通過實(shí)現(xiàn)這里描述的發(fā)明，包括下面的詳述、權(quán)項(xiàng)及附圖，都會(huì)知道。
應(yīng)該理解，前述一般描述和下面的詳述只是本發(fā)明的系例內(nèi)容，旨在為理解權(quán)項(xiàng)所要求的本發(fā)明的特性與特征提供一個(gè)概要或框架。包括的附圖可進(jìn)一步理解本發(fā)明，并構(gòu)成本說明書的一部分。諸附圖示出各種本發(fā)明的實(shí)施例，并與描述部分一起說明本發(fā)明的原理與操作。
附圖簡(jiǎn)介

圖1示出本發(fā)明包括色散補(bǔ)償光纖的傳輸鏈路。
圖2示出原有技術(shù)SMF的折射率分布曲線。
圖3示出本發(fā)明色散補(bǔ)償光纖的截面透視圖。
圖4示出本發(fā)明色散補(bǔ)償光纖的折射率分布曲線。
圖5和6示出本發(fā)明色散補(bǔ)償光纖其它實(shí)施例的折射率分布曲線。
圖7是示出本發(fā)明色散補(bǔ)償光纖諸示例實(shí)施例的色散與波長(zhǎng)窗曲線。
圖8示出本發(fā)明色散補(bǔ)償光纖諸示例實(shí)施例的色散斜率與波長(zhǎng)窗曲線。
圖9示出本發(fā)明色散補(bǔ)償光纖諸示例實(shí)施例的卡巴與波長(zhǎng)窗曲線。
圖10是一條曲線，表示本發(fā)明諸實(shí)施例包括組合的色散補(bǔ)償光纖與SMF的傳輸鏈路的殘余色散。
發(fā)明的詳細(xì)描述現(xiàn)在仔細(xì)參照本發(fā)明目前較佳的諸實(shí)施例，諸附圖示出了其中的一例。只要可能，諸附圖都用同樣的標(biāo)號(hào)指示同樣或同類部件。附圖不按比例。圖1示出本發(fā)明包括色散補(bǔ)償光纖的傳輸鏈路的一實(shí)施例。
傳輸鏈路含一段SMF22，基本上在1575nm下單模操作，正色散為13～21ps/nm/km，標(biāo)稱18ps/nm/km，正色散斜率在1575nm下為0.04～0.07ps/nm2/km，標(biāo)稱0.057ps/nm2/km。SMF在1575nm下的卡巴較佳為318nm。較佳地，SMF22呈現(xiàn)圖2的階躍折射率形狀，如在1290～1320nm內(nèi)具有零色散波長(zhǎng)。鏈路20還包括一段本發(fā)明的色散補(bǔ)償光纖24，其幾何形狀與纖芯折射率分布曲線分別如圖4～6的實(shí)施例所示。
如圖3所示，色散補(bǔ)償光纖24具有沿光纖中心延伸的中心柱形纖芯部分30，具有正相對(duì)折射率Δ1(見圖4)；圍繞貼近中心纖芯部分30的圓形的溝部分32，具有負(fù)相對(duì)折射率Δ2(圖4)；和貼近圍繞溝部分32的圓形環(huán)形部分34，具有正相對(duì)折射率Δ3(圖4)。具體而言，如圖4～6的諸實(shí)施例所示，色散補(bǔ)償光纖的折射率分布曲線形狀最好使Δ1＞Δ3＞Δ2。
本發(fā)明諸實(shí)施例的色散補(bǔ)償光纖24的纖芯折射率分布曲線如圖4～6所示，因而得出的光纖在1575nm波長(zhǎng)下的負(fù)色散斜率小于-0.29ps/nm2/km而大于-0.43ps/nm2/km，在1575nm波長(zhǎng)下的負(fù)色散小于-96ps/nm/km而大于-108ps/nm/km。更佳地，在1575nm的色散斜率小于-0.32而大于-0.39ps/nm2/km。如圖4實(shí)施例所示，在1575nm的色散較佳地小于-96而大于-108ps/nm/km，最佳地在1575nm小于-102而大于-108ps/nm/km。在包括一段跨越C與L波段(1525～1625nm)工作的SMF的傳輸鏈路內(nèi)，這一色散補(bǔ)償光纖的屬性十分適合補(bǔ)償色散與色散斜率。最佳地，色散補(bǔ)償光纖24呈現(xiàn)出272～332nm的卡巴值(κ)，該值定義為1575nm的色散(D)除以1575nm的色散斜率(DS)(即D/DS)。從圖3可見，光纖24較佳地還包括圍繞貼近環(huán)形部分34的圓包層36，具有相對(duì)折射率Δc。具體地說，該包層較佳為純石英，光纖24的折射率分布曲線使Δ1＞Δ3＞Δc＞Δ2。
再參見圖4，色散補(bǔ)償光纖24的折射率分布曲線具有峰為Δ1的向上摻雜的中心纖芯部分30和α為1.5～5.0的α分布曲線。纖芯部分30被負(fù)峰Δ2的向下?lián)诫s的溝部分32圍繞，而后者被峰Δ3的向上摻雜的圓環(huán)形部分34圍繞。前述所有物理纖芯部分較佳地用純石英包層36和諸如尿烷丙烯酸鹽等保護(hù)性聚合物層38(圖3)圍繞，按常規(guī)，鍍層38較佳地分別包括較佳與較高模量的主輔層部分。較佳地，纖芯和環(huán)形部分30與34用適量摻鋅的SiO2構(gòu)成，雖然也可用其它形式的折射率增大摻雜劑實(shí)現(xiàn)本文揭示的光纖，只要實(shí)現(xiàn)同樣的一般折射率分布曲線。同樣地，雖然溝部分32較佳地用摻氟SiO2構(gòu)成，但除了氟，也可應(yīng)用其它折射率減小的摻雜劑。如上所述，包層36較佳地由純二氧化硅構(gòu)成，但只要維持圖4所示相對(duì)Δ與半徑的關(guān)系，包層區(qū)36必要時(shí)還可包含折射率增大或減小的摻雜劑。圖4中用于限定R1、R2與R3和Δ1、Δ2與Δ3的尺寸慣例同樣適用于圖5和6，然而為清楚起見，這些圖中并未示出。
在圖4～6所示的所有色散補(bǔ)償光纖24的實(shí)施例中，Δ1較佳地大于1.7％而小于2.0％，還包括1.7～2.0微米的外半徑R1(圖4中，R1畫到分布曲線與零增量軸37相交的點(diǎn))。Δ2較佳地小于-0.2％而大于-0.6％，溝部分32的外半徑R2為3.5～4.5微米。根據(jù)本發(fā)明，環(huán)形部分34的Δ3大于0.2％而小于0.5％，其中心半徑R3(從連接分層半高點(diǎn)的直線的中心測(cè)量)為5～8微米。
最佳地，中心纖芯部分30具有α分布曲線形狀，α小于5(較佳為1.8)，Δ1為1.8～2.0％，外半徑R1為1.7～1.8微米。更佳地，溝部分32的Δ2為-0.35％～-0.6％，外半徑r2為3.3～4.1微米。圓環(huán)形部分34較佳地呈現(xiàn)出Δ3大于0.2％而小于0.4％，中心半徑5～8微米，半高寬度大于1.0微米。
按本發(fā)明制作的色散補(bǔ)償光纖，理論(模擬)光纖截止波長(zhǎng)(λc)較佳地小于1700nm，因而本文揭示的光纖的實(shí)際截止點(diǎn)小于1500nm，所以希望單模操作范圍為1525～1625nm。
應(yīng)指出，本文揭示的光纖不一定只能用于色散補(bǔ)償模塊，也可用于色散補(bǔ)償纖纜(不是封閉式模塊，一般為盒式外殼)。
在諸實(shí)施例中，本文揭示的色散補(bǔ)償光纖部署在這樣的色散補(bǔ)償模塊中，其中光纖繞在多凸緣螺短管的輪轂上。較佳地，輪轂為圓柱形，直徑小于12英寸，更佳地小于10英寸，最佳小于6英寸，里面部署的光纖長(zhǎng)度通常大于1km。在本發(fā)明一實(shí)施例中，當(dāng)用于傳輸鏈路時(shí)，SMF與色散補(bǔ)償光纖的長(zhǎng)度之比較佳地大于5∶1.在圖1的傳輸鏈路中，該比值為5.29∶1～5.95∶1.為清楚起見，SMF22長(zhǎng)100km，DCF24長(zhǎng)16.81～18.91km。
實(shí)例本發(fā)明將用以下諸實(shí)例進(jìn)一步示明，而實(shí)例是說明本發(fā)明的，實(shí)例1～3示于表1，分別對(duì)應(yīng)于圖4～6所示的折射率分布曲線。
表1

這里按本發(fā)明描述的光纖，作為工作于C+L波段的色散補(bǔ)償光纖具有良好的應(yīng)用前景，可以補(bǔ)償應(yīng)用SMF光纖的光通信系統(tǒng)所產(chǎn)生的色散，這種SMF光纖的零色散波長(zhǎng)為1290～1320nm，例如Corning公司制造的SMF-28或SMF-28eTM。
因此在圖1中被優(yōu)化成跨越C+L波段對(duì)SMF作寬帶色散補(bǔ)償?shù)膶?shí)施例中，應(yīng)用諸如實(shí)例1的色散補(bǔ)償光纖，可跨越C+L波段(1525～1625nm)補(bǔ)償色散。如圖1例舉的這種光通信鏈路20，例如通常包括至少一個(gè)信號(hào)元件26，諸如發(fā)射機(jī)或放大器；第二元件28，諸如信號(hào)接收機(jī)或放大器；和一個(gè)或多個(gè)通過通信路徑光學(xué)互連SMF與DCF(共同示為框27)的放大器或帶通濾波器。當(dāng)然，也設(shè)想了包括雙向通信的系統(tǒng)。
圖7～9分別示出本發(fā)明各實(shí)施例跨越所需波長(zhǎng)帶的諸屬性(色散、色散斜率與卡巴)，例如第一實(shí)施例(實(shí)例1)定為38，第二實(shí)施例定為40，第三實(shí)施例定為42。該示例色散補(bǔ)償光纖在優(yōu)選工作波長(zhǎng)范圍內(nèi)(1525～1625nm)的色散曲線示于圖7。同樣地，在C波段(1525～1575nm)和L波段(1575～1625nm)的色散斜率曲線示于圖8。圖9示出DC光纖諸實(shí)施例與波長(zhǎng)有關(guān)的卡巴。
圖10示出在C+L波段內(nèi)應(yīng)用實(shí)例1～3的色散補(bǔ)償光纖所得出的與波長(zhǎng)有關(guān)的高-低殘余色散?？梢钥闯?，跨越C+L波段的殘余色散高-低值44(從各曲線的最高點(diǎn)到同一曲線的最低點(diǎn))小于0.3ps/nm/km；更佳地小于0.25ps/nm/km。曲線表明，在整個(gè)C+L波段窗內(nèi)，本發(fā)明的色散補(bǔ)償光纖24很好地補(bǔ)償了鏈路20中SMF22(圖1)的色散。
本發(fā)明諸實(shí)施例的色散補(bǔ)償光纖24較佳地應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)OVD法制造。把摻鋅的二氧化硅煙炱淀積到錐形氧化鋁轉(zhuǎn)軸上，形成纖芯部分30，然后取下轉(zhuǎn)軸，使煙炱預(yù)制件在爐內(nèi)固結(jié)成透明的固結(jié)預(yù)制件。接著，在再拉絲爐內(nèi)把固結(jié)預(yù)制件拉成芯莖(細(xì)長(zhǎng)桿)，同時(shí)在真空下封閉中軸線孔。將一段芯莖裝回車床，再在其上用OVD法淀積二氧化硅煙炱，然后加負(fù)煙炱的芯莖在固結(jié)爐內(nèi)摻氟，而爐內(nèi)引入足以形成溝的SiF4氣體。之后，經(jīng)氟處理的煙炱預(yù)制件完全固結(jié)，在對(duì)應(yīng)于溝部分32的空區(qū)形成摻氟溝區(qū)。固結(jié)的空區(qū)再被拉制成芯莖，并在其上用0VD法施加附加的摻鋅的煙炱，形成對(duì)應(yīng)于環(huán)形部分34的區(qū)域。加負(fù)煙炱的芯莖再次固結(jié)，再拉成如前所述的芯莖。應(yīng)該明白，該芯莖現(xiàn)在包括對(duì)應(yīng)于纖芯、溝與環(huán)形等部分的諸區(qū)域。最后，用OVD法把對(duì)應(yīng)于包層36的二氧化硅煙炱加到該芯莖上，并再次固結(jié)加負(fù)煙炱的芯莖，這樣就形成了拉制光纖的最后固結(jié)的預(yù)制件。接著將該預(yù)制件轉(zhuǎn)到拉制爐，用常規(guī)技術(shù)從中拉制色散補(bǔ)償光纖。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白，可對(duì)本發(fā)明作各種修正與變更而不違背本發(fā)明的精神與范圍，因此本發(fā)明包括本發(fā)明的各種修正與變更，只要它們屬于所附權(quán)項(xiàng)及其等效技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種色散補(bǔ)償光纖，其特征在于包括一條折射率分布曲線，具有相對(duì)折射率Δ1為正的中心纖芯部分，圍繞中心纖芯部分、相對(duì)折射率Δ2為負(fù)的溝部分，和圍繞溝部分、相對(duì)折射率Δ3為正的環(huán)形部分，其中Δ1＞Δ3＞Δ2。所述折射率分布曲線造成色散斜率在1575nm下小于-0.43ps/nm2/km而大于-0.29ps/nm2/km；和色散在1575nm下比-96ps/nm/km負(fù)得多而比-108ps/nm/km負(fù)得少。
2.權(quán)項(xiàng)1的光纖，其特征在于還包括一在272與332nm之間的卡巴值，所述卡巴值被定義為1575nm下的色散除以1575nm下的色散斜率。
3.權(quán)項(xiàng)1的光纖，其特征在于還包括圍繞環(huán)形部分、相對(duì)折射率為Δc的包層，其中Δ1＞Δ3＞Δc＞Δ2。
4.權(quán)項(xiàng)1的光纖，其中色散斜率在1575nm下小于-0.32ps/nm2/km而大于-0.39ps/nm2/km。
5.權(quán)項(xiàng)1的光纖，其中色散在1575nm下為-102～-108ps/nm/km。
6.權(quán)項(xiàng)1的光纖，其特征在于，還包括一小于1700nm的理論截止波長(zhǎng)(λc)。
7.權(quán)項(xiàng)1的光纖，其中Δ1大于1.7％而小于2.0％。
8.權(quán)項(xiàng)1的光纖，其中Δ2小于0.2％而大于0.6％。
9.權(quán)項(xiàng)1的光纖，其中Δ3大于0.2％而小于0.5％。
10.權(quán)項(xiàng)1的光纖，其特征在于還包括中心纖芯部分的外半徑r1為1.7～2微米；溝部分的外半徑r2為3.5～4.5微米；和環(huán)形部分的中心半徑r3為5～8微米。
11.權(quán)項(xiàng)10的光纖，其中Δ1＞1.7％而小于2.0％，Δ2小于-0.2％而大于-0.6％，和Δ3大于0.2％而小于0.5％。
12.權(quán)項(xiàng)1的光纖，其中有效面積(Aeff)在1575nm下大于約18.5平方微米。
13.權(quán)項(xiàng)1的光纖，其特征在于，還包括在1575nm下小于25dB的理論針陣列彎曲損失。
14.一種包括權(quán)項(xiàng)1的色散補(bǔ)償光纖的光纖傳輸鏈路，其特征在于還包括一段在1290nm～1320nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有一零色散波長(zhǎng)并在1575nm下色散為13～21ps/nm/km的SMF，其中對(duì)于1525nm～1625nm的傳輸波段，所述鏈路呈現(xiàn)小于0.3ps/nm/km的高-低殘余色散。
15.權(quán)項(xiàng)14的傳輸鏈路，其中SMF的長(zhǎng)度比色散補(bǔ)償光纖的長(zhǎng)度大5倍以上。
16.一種色散補(bǔ)償光纖，其特征在于包括一條折射率分布曲線，具有具有正相對(duì)折射率Δ1大于1.7％而小于2.0％的中心纖芯部分，圍繞中心纖芯部分，負(fù)相對(duì)折射率Δ2小于-0.2％而大于-0.6％的溝部分，圍繞溝部分，正相對(duì)折射率Δ3大于0.2％而小于0.5％的環(huán)形部分，和圍繞環(huán)形部分，相對(duì)折射率為Δc的包層，其中Δ1＞Δ3＞Δc＞Δ2，所述折射率分布曲線造成色散斜率在1575nm下小于-0.32ps/nm2/km而大于-0.39ps/nm2/km；色散在1575nm下小于-102ps/nm/km而大于-108ps/nm/km，和卡巴值為272～332nm，所述卡巴值被定義為在1575nm下的色散除以在1575nm下的失散斜率。
17.一種色散補(bǔ)償光纖，其特征在于包括一條折射率分布曲線，具有正相對(duì)折射率Δ1大于1.7％而小于2.0％的中心纖芯部分，其中中心纖芯部分的外半徑r1為1.7～2.0微米，圍繞中心纖芯部分，負(fù)相對(duì)折射率Δ2小于-0.2％而大于-0.6％的溝部分，其中溝部分的外半徑r2為3.5～4.5微米。圍繞溝部分，正相對(duì)折射率Δ3大于0.2％而小于0.5％的環(huán)形部分，其中環(huán)形部分的中心半徑r3為5～8微米，和圍繞環(huán)形部分，相對(duì)折射率為Δc的包層，其中Δ1＞Δ3＞Δc＞Δ2，所述折射率分布曲線造成色散斜率在1575nm下小于-0.32ps/nm2/km而大于-0.39ps/nm2/km；色散在1575nm下小于-102ps/nm/km而大于-108ps/nm/km，和卡巴值為272～332nm，所述卡巴值被定義為在1575nm下的色散除以在1575nm下的失散斜率。
全文摘要
用于在C+L波段窗內(nèi)補(bǔ)償一段SMF累積色散的DCF，包括被折射率為Δc的包層圍繞的纖芯。該纖芯包括至少三個(gè)徑向相鄰的分層具有正Δ1的中心纖芯部分、具有負(fù)折射率Δ2的溝部分和具有正折射率Δ3的環(huán)形部分，其中Δ1＞Δ3＞Δc＞Δ2。DCF在1575nm下呈現(xiàn)－0.29～－0.43ps/nm
文檔編號(hào)H04B10/18GK1735821SQ200380108219
公開日2006年2月15日 申請(qǐng)日期2003年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月27日
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