專利名稱：使用多路分解器的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及一種使用多路分解器的顯示裝置。更具體地，本發(fā)明涉及一種通過采樣/保持電路執(zhí)行多路分解的顯示裝置。
背景技術(shù)：
顯示裝置一般需要用于驅(qū)動掃描線的掃描驅(qū)動器和用于驅(qū)動數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動器。數(shù)據(jù)驅(qū)動器具有與所擁有的數(shù)據(jù)線一樣多的輸出端，以將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號轉(zhuǎn)換為模擬信號并將它們施加到所有的數(shù)據(jù)線。通常，采用多個集成電路(IC)配置數(shù)據(jù)驅(qū)動器。假定單個IC所包含的輸出端數(shù)目受到限制，則使用多個IC來驅(qū)動所有的數(shù)據(jù)線。然而，可以采用多路分解器來減少數(shù)據(jù)驅(qū)動器IC的數(shù)目。
例如，1:2多路分解器接收由數(shù)據(jù)驅(qū)動器分時并通過信號線施加的數(shù)據(jù)信號。該多路分解器將數(shù)據(jù)信號分成兩個數(shù)據(jù)組并將其輸出到兩條數(shù)據(jù)線。因此，1:2多路分解器的使用使數(shù)據(jù)驅(qū)動器IC的數(shù)目減少了一半。液晶顯示器(LCD)和有機(jī)電致發(fā)光顯示器的新近趨勢是將用于數(shù)據(jù)驅(qū)動器的IC裝配到面板上。在這種情況下，就更需要減少數(shù)據(jù)驅(qū)動器IC的數(shù)目。
在當(dāng)前技術(shù)下，當(dāng)制造用于多路分解器、數(shù)據(jù)驅(qū)動器和掃描驅(qū)動器的IC以將其直接裝配到面板上時，如圖1所示形成電源點(diǎn)、電源線和電源布線以向像素供電。
參考圖1，在顯示區(qū)域10上提供左掃描驅(qū)動器20，其用于向選擇掃描線SE1到SEm施加選擇信號，并在該顯示區(qū)域上提供右掃描驅(qū)動器30，其用于向發(fā)射掃描線EM1到EMm施加用于控制發(fā)光的信號。還在該顯示區(qū)域上提供多路分解單元40和數(shù)據(jù)驅(qū)動器50，其用于向數(shù)據(jù)線D1到Dm施加數(shù)據(jù)信號。在這種情況下，形成用于向各個像素提供電源電壓的垂直線60，并在水平方向上形成在基板的頂部耦接到每條垂直線60的電源線70。通過電源點(diǎn)90耦接電源線70和圍繞掃描驅(qū)動器20、30的外部電源線80。
在這種情況下，因?yàn)楫?dāng)在像素上使用電源電壓時電流流過電源線70和垂直線60，所以由于電源線70和垂直線60中的寄生電阻而在電源線70和垂直線60中產(chǎn)生電壓降(即IR下降)。從電源點(diǎn)90開始越沿著電源線70和垂直線60，所產(chǎn)生的電壓降就越大，在接近電源線70的中部和接近垂直線60的底部處所產(chǎn)生的電壓降最大。
通常，由于像素具有驅(qū)動晶體管的特性偏差，所以在驅(qū)動晶體管的特性曲線中一般需要獲得飽和區(qū)域的容限。但是，當(dāng)產(chǎn)生較大的電壓降時，功耗會由于放大電源電壓以獲得飽和區(qū)域的足夠容限的常規(guī)需要而增加。另外，當(dāng)在多路分解器中為1:N的多路分解使用采樣/保持電路時，通常需要在特定水平周期的1/N倍期間對與數(shù)據(jù)線對應(yīng)的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣，從而縮短采樣時間，并阻礙適當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)電流采樣。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個實(shí)施例，本發(fā)明提供了一種用于減少電壓降的使用多路分解器的顯示裝置。
根據(jù)另一個實(shí)施例，本發(fā)明提供了一種在給定時間內(nèi)執(zhí)行采樣的顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實(shí)施例，在多路分解器中對數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣前，使用電流對在多路分解器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器之間的信號線進(jìn)行預(yù)充電。
根據(jù)一個實(shí)施例，本發(fā)明涉及一種顯示裝置，其包括顯示區(qū)域，包括多條用于傳送數(shù)據(jù)電流以顯示圖像的數(shù)據(jù)線，和多個耦接到數(shù)據(jù)線的像素電路；多條第一信號線；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，耦接到第一信號線，用于對與數(shù)據(jù)電流對應(yīng)的第一電流進(jìn)行分時，并將該分時后的第一電流傳送到第一信號線；以及多路分解單元，包括多個用于分別接收來自第一信號線的第一電流的多路分解器，和耦接到該多路分解器的預(yù)充電單元，該預(yù)充電單元用于響應(yīng)于控制信號，將對應(yīng)于第一電流的預(yù)充電電流傳送到第一信號線，其中多路分解器從第一信號線接收第一電流并將該數(shù)據(jù)電流傳送到至少兩條數(shù)據(jù)線，并在數(shù)據(jù)驅(qū)動器傳送對應(yīng)于數(shù)據(jù)線之一的第一電流之前，將預(yù)充電電流傳送到第一信號線。
該多路分解器包括多個耦接到第一信號線的采樣/保持電路，并且來自該多個采樣/保持電路的第一組采樣/保持電路將在前面水平周期中所采樣的電流保持到至少兩條數(shù)據(jù)線，而第二組采樣/保持電路對在特定水平周期中通過第一信號線依次施加的第一電流依次進(jìn)行采樣。
根據(jù)一個實(shí)施例，采樣/保持電路包括第一和第二采樣/保持電路，其具有耦接到第一信號線的輸入端和耦接到至少兩條數(shù)據(jù)線的第一數(shù)據(jù)線的輸出端；以及第三和第四采樣/保持電路，其具有耦接到第一信號線的輸入端和耦接到至少兩條數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)線的輸出端，其中第一和第三采樣/保持電路形成第一組采樣/保持電路，而第二和第四采樣/保持電路形成第二組采樣/保持電路。
多路分解器包括多個耦接到第一信號線的采樣/保持電路，在水平周期的第一周期中，第一組的采樣/保持電路對通過第一信號線依次施加的第一電流依次進(jìn)行采樣，并且第二組的采樣/保持電路將所采樣的電流保持到至少兩條數(shù)據(jù)線。在水平周期的第二周期中，第一組的采樣/保持電路執(zhí)行保持，并且第二組的采樣/保持電路對由第一組的采樣/保持電路保持的電流進(jìn)行采樣。
根據(jù)一個實(shí)施例，第二周期短于第一周期。
第一組的采樣/保持電路包括第一和第二采樣/保持電路，其具有耦接到第一信號線的輸入端，并且第二組的采樣/保持電路包括第三和第四采樣/保持電路，其具有耦接到第一和第二采樣/保持電路輸出端的輸入端和耦接到至少兩條數(shù)據(jù)線的第一和第二數(shù)據(jù)線的輸出端。
采樣/保持電路包括響應(yīng)于采樣信號而導(dǎo)通的采樣開關(guān)，響應(yīng)于保持信號而導(dǎo)通的保持開關(guān)，以及數(shù)據(jù)存儲元件，其用于當(dāng)采樣開關(guān)導(dǎo)通時對通過輸入端施加的電流進(jìn)行采樣和當(dāng)保持開關(guān)導(dǎo)通時對所采樣的電流進(jìn)行保持。
數(shù)據(jù)存儲元件包括第一晶體管，其具有耦接到第一電源的源極和響應(yīng)于采樣信號耦接到第一信號線的柵極和漏極；和耦接在第一晶體管的柵極和源極之間的電容，其用于存儲對應(yīng)于傳送到漏極的電流的電壓。
預(yù)充電單元包括至少一個預(yù)充電電路，該預(yù)充電電路耦接到至少一個具有耦接到第一信號線的輸入端的采樣/保持電路。該預(yù)充電電路包括第二晶體管，該第二晶體管具有當(dāng)施加控制信號時分別耦接到第一晶體管的源極、柵極和漏極的源極、柵極和漏極。
采樣信號基本上與控制信號同時施加，并且當(dāng)施加采樣信號時，截斷(intercept)控制信號。根據(jù)一個實(shí)施例，預(yù)充電電流大約是第一電流的M倍，其中M是一個大于1的實(shí)數(shù)，并且從第二晶體管的(溝道寬度)/(溝道長度)的比率獲得的值是從第一晶體管的(溝道寬度)/(溝道長度)的比率獲得的值的大約(M-1)倍。
預(yù)充電電路還包括耦接在第一晶體管漏極和第二晶體管漏極之間的開關(guān)，并且它響應(yīng)于控制信號而導(dǎo)通。
采樣開關(guān)包括耦接在第一晶體管漏極和輸入端之間的第一開關(guān)，當(dāng)其導(dǎo)通時二極管連接(diode-connect)第一晶體管的第二開關(guān)，以及耦接在第一電源和第一晶體管之間的第三開關(guān)。保持開關(guān)包括耦接在第二電源和第一晶體管之間的第四開關(guān)，和耦接在第一晶體管和輸出端之間的第五開關(guān)。
顯示區(qū)域還包括多條用于向像素電路提供電源電壓的第二信號線。顯示裝置還包括電源線，其形成在多路分解單元和數(shù)據(jù)驅(qū)動器之間，與第一信號線絕緣且與第一信號線交叉，用于傳送從第二信號線提供的電源電壓。
像素電路包括通過數(shù)據(jù)線傳送的數(shù)據(jù)電流所流向的晶體管；耦接在晶體管的源極和柵極之間的電容，用于存儲與流向晶體管的電流對應(yīng)的電壓；以及發(fā)光元件，用于發(fā)射與根據(jù)存儲在電容中的電壓流向晶體管的電流對應(yīng)的光。
根據(jù)一個實(shí)施例，該發(fā)光元件使用有機(jī)物的電致發(fā)光的光發(fā)射。
根據(jù)另一實(shí)施例，本發(fā)明涉及一種顯示裝置，其包括顯示區(qū)域，包括在一個方向上延伸的第一和第二數(shù)據(jù)線和耦接到第一和第二數(shù)據(jù)線的多個像素電路；第一信號線；第一采樣/保持電路，耦接在第一信號線和第一數(shù)據(jù)線之間，用于將顯示圖像所用的第一數(shù)據(jù)電流保持到第一數(shù)據(jù)線；第二采樣/保持電路，耦接在第一信號線和第二數(shù)據(jù)線之間，用于將顯示圖像所用的第二數(shù)據(jù)電流保持到第二數(shù)據(jù)線；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，耦接到第一信號線，用于將分別對應(yīng)于第一和第二數(shù)據(jù)電流的第一和第二電流依次傳送到第一信號線；第一預(yù)充電電路，耦接到第一采樣/保持電路，用于在將第一電流施加到第一信號線之前將第一預(yù)充電電流傳送到第一信號線；以及第二預(yù)充電電路，耦接到第二采樣/保持電路，用于在將第二電流施加到第一信號線之前將第二預(yù)充電電流傳送到第一信號線。第一和第二采樣/保持電路在一個水平周期中分別對第一和第二電流進(jìn)行采樣并在下一個水平周期中保持第一和第二電流。
在本發(fā)明的另一個方面，一種顯示裝置包括顯示區(qū)域，包括在一個方向上延伸的第一和第二數(shù)據(jù)線和耦接到第一和第二數(shù)據(jù)線的多個像素電路；第一信號線；第一采樣/保持電路，具有耦接到第一信號線的輸入端；第二采樣/保持電路，具有耦接到第一信號線的輸入端；第三采樣/保持電路，耦接在第一采樣/保持電路的輸出端和第一數(shù)據(jù)線之間，用于將顯示圖像所用的第一數(shù)據(jù)電流保持到第一數(shù)據(jù)線；第四采樣/保持電路，耦接在第二采樣/保持電路的輸出端和第二數(shù)據(jù)線之間，用于將顯示圖像所用的第二數(shù)據(jù)電流保持到第二數(shù)據(jù)線；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，耦接到第一信號線，用于將分別對應(yīng)于第一和第二數(shù)據(jù)電流的第一和第二電流依次傳送到第一信號線；第一預(yù)充電電路，耦接到第一采樣/保持電路，用于在將第一電流施加到第一信號線之前將第一預(yù)充電電流傳送到第一信號線；以及第二預(yù)充電電路，其耦接到第二采樣/保持電路，用于在將第二電流施加到第一信號線之前將第二預(yù)充電電流傳送到第一信號線。第一和第二采樣/保持電路在水平周期的第一部分中分別對第一和第二電流進(jìn)行采樣并在該水平周期的第二部分中保持所采樣的電流，并且第三和第四采樣/保持電路在該第二部分中對由第一和第二采樣/保持電路保持的電流進(jìn)行采樣并在該第一部分中保持第一和第二數(shù)據(jù)電流。
在另一個實(shí)施例中，本發(fā)明涉及一種顯示裝置，該顯示裝置包括多條用于傳送顯示圖像所用的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)線，多個耦接到數(shù)據(jù)線用于根據(jù)數(shù)據(jù)電流顯示圖像的像素電路，以及多個第一信號線，其對應(yīng)于數(shù)據(jù)線之中的至少兩條數(shù)據(jù)線并依次傳送對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流的電流。該顯示裝置包括數(shù)據(jù)驅(qū)動器，用于對與至少兩條數(shù)據(jù)線對應(yīng)的電流進(jìn)行分時并將它們施加到第一信號線；第一采樣/保持電路，用于對經(jīng)過分時并通過第一信號線施加的對應(yīng)于數(shù)據(jù)線之一的第一電流進(jìn)行采樣，第一采樣/保持電路包括第一晶體管和耦接到第一晶體管的源極和柵極的電容；以及預(yù)充電電路，耦接到第一采樣/保持電路，該預(yù)充電電路包括第二晶體管。在第一和第二晶體管的源極、柵極和漏極耦接時將對應(yīng)于第一電流的預(yù)充電電流施加到第一信號線之后，在第一和第二晶體管的源極、柵極和漏極至少之一分離(decouple)時將第一電流施加到第一信號線。
根據(jù)另一實(shí)施例，本發(fā)明涉及一種顯示裝置，該顯示裝置包括顯示區(qū)域，具有多條用于傳送顯示圖像所用的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)線和多個耦接到數(shù)據(jù)線的像素電路。該顯示裝置還包括多條第一信號線和耦接到該多個第一信號線的數(shù)據(jù)驅(qū)動器。該數(shù)據(jù)驅(qū)動器對與數(shù)據(jù)電流對應(yīng)的第一電流進(jìn)行分時并將分時后的第一電流傳送到該多個第一信號線。該顯示裝置還包括多路分解單元，其具有多個多路分解器和耦接到至少一個多路分解器的預(yù)充電單元。在數(shù)據(jù)驅(qū)動器通過第一信號線之一傳送第一電流之前，該預(yù)充電單元響應(yīng)于控制信號將預(yù)充電電流傳送到至少一條第一信號線。根據(jù)一個實(shí)施例，預(yù)充電電流比第一數(shù)據(jù)電流大約大M倍，其中M是大于1的實(shí)數(shù)。多路分解器之一接收由數(shù)據(jù)驅(qū)動器通過第一信號線之一傳送的第一電流并將第一電流傳送到至少兩條數(shù)據(jù)線。


圖1示出傳統(tǒng)的使用多路分解器的顯示裝置的簡化圖；圖2示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的使用多路分解器的顯示裝置的簡化圖；圖3示出包括多個數(shù)據(jù)驅(qū)動器和多路分解單元的圖2的顯示裝置；圖4示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的多路分解單元；圖5示出包括采樣/保持電路的多路分解器；圖6示出圖5的多路分解器中的開關(guān)的驅(qū)動時序圖；圖7A到7D示出根據(jù)圖6的時序圖的圖5的多路分解器的操作；圖8示出圖5的采樣/保持電路的簡化電路圖；圖9示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的多路分解器；圖10示出圖9的多路分解器中的開關(guān)的驅(qū)動時序圖；圖11A到11C示出根據(jù)圖10的時序圖的圖9多路分解器的操作；圖12示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的多路分解器；圖13示出在圖12的多路分解器中的開關(guān)的驅(qū)動時序圖；圖14示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的采樣/保持電路；圖15示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的采樣/保持電路；圖16示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的預(yù)充電方法的驅(qū)動時序圖；圖17A到17B分別示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的預(yù)充電方法；圖18示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例的采樣/保持電路；圖19示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例的預(yù)充電方法的驅(qū)動時序圖；圖20A到20B分別示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例的預(yù)充電方法；以及圖21示出像素電路的簡化電路圖。
具體實(shí)施例方式
圖2示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的使用多路分解器的顯示裝置的簡化圖。圖3示出包括多個數(shù)據(jù)驅(qū)動器和多路分解器的圖2的顯示裝置的圖。
如圖2所示，顯示裝置包括絕緣基板1，其分成作為屏幕對于顯示裝置用戶可見的顯示區(qū)域100和外部周圍區(qū)域。在周圍區(qū)域形成選擇掃描驅(qū)動器200，發(fā)射掃描驅(qū)動器300，多路分解單元400和數(shù)據(jù)驅(qū)動器500。根據(jù)一個實(shí)施例，數(shù)據(jù)驅(qū)動器500可以不形成在絕緣基板1的周圍區(qū)域而是形成在一個單獨(dú)位置但耦接到絕緣基板1，其不同于圖2所示。
顯示區(qū)域100包括多條數(shù)據(jù)線D1到Dn，多條選擇掃描線SE1到SEm，多條發(fā)射掃描線EM1到EMm和多個像素電路110。根據(jù)一個實(shí)施例，選擇和發(fā)射掃描線SE1到SEm和EM1到EMm形成在絕緣基板1上，并且將柵極(未示出)耦接到各條用絕緣膜(未示出)覆蓋的掃描線SE1到SEm和EM1到EMm。由硅例如非晶硅或多晶硅制成的半導(dǎo)體層(未示出)形成在柵極的底部，其間具有絕緣層。數(shù)據(jù)線D1到Dn形成在覆蓋掃描線SE1到SEm和EM1到EMm的絕緣層上，并將源極和漏極耦接到各條數(shù)據(jù)線D1到Dn。柵極、源極和漏極構(gòu)成薄膜晶體管(TFT)的三個端子，而在源極和漏極之間提供的半導(dǎo)體層是晶體管的溝道層。
參考圖2，數(shù)據(jù)線D1到Dn在垂直方向上延伸并將顯示圖像所用的數(shù)據(jù)電流傳送到像素電路110。選擇掃描線SE1到SEm和發(fā)射掃描線EM1到EMm在水平方向上延伸并分別將選擇信號和發(fā)射信號傳送到像素電路110。兩條相鄰數(shù)據(jù)線和兩條相鄰選擇掃描線限定形成像素電路110的像素區(qū)域。
根據(jù)一個實(shí)施例，選擇掃描驅(qū)動器200依次將選擇信號施加到選擇掃描線SE1到SEm，并且發(fā)射掃描驅(qū)動器300依次將發(fā)射信號施加到發(fā)射掃描線EM1到EMm。數(shù)據(jù)驅(qū)動器500對數(shù)據(jù)信號進(jìn)行分時并將其施加到多路分解單元400，并且多路分解單元400將分時后的數(shù)據(jù)信號施加到數(shù)據(jù)線D1到Dn。當(dāng)多路分解單元400執(zhí)行1:N多路分解時，用于將數(shù)據(jù)信號從數(shù)據(jù)驅(qū)動器500傳送到多路分解單元400的信號線X1到Xn/N的數(shù)目是n/N。就是說，信號線X1將分時并施加的數(shù)據(jù)信號傳送到N條數(shù)據(jù)線D1到DN。
在這種情況下，選擇和發(fā)射掃描驅(qū)動器200、300，多路分解單元400以及數(shù)據(jù)驅(qū)動器500以IC的形式裝配在絕緣基板1中，并耦接到形成在絕緣基板1上的掃描線SE1到SEm和EM1到EMm、信號線X1到Xn/N以及數(shù)據(jù)線D1到Dn。此外，選擇和發(fā)射掃描驅(qū)動器200、300，多路分解單元400和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動器500可以形成在與在絕緣基板1上形成掃描線SE1到SEm和EM1到EMm、信號線X1到Xn/N以及數(shù)據(jù)線D1到Dn的層相同的層上。而且，數(shù)據(jù)驅(qū)動器500可以作為芯片裝配在耦接到多路分解單元400的載帶封裝(tapecarrier package，TCP)、柔性印刷電路(FPC)或卷帶自動接合(tape automaticbonding，TAB)上。
再次參考圖2，多條垂直線V1到Vn將電源電壓傳送到顯示區(qū)域100上的像素電路110。垂直線V1到Vn可以形成在與數(shù)據(jù)線D1到Dn相同的層上，而不是疊加在掃描線SE1到SEm和EM1到EMm上。
在水平方向上形成在絕緣基板1的頂部的電源線600耦接到垂直線V1到Vn的第一端。在水平方向上形成的電源線700在多路分解單元400和數(shù)據(jù)驅(qū)動器500之間通過。垂直線V1到Vn延伸以穿過多路分解單元400并將垂直線V1到Vn的第二端耦接到電源線700。在這種情況下，電源線700形成在與信號線X1到Xn/N不同的層上，這樣電源線700就不會疊加在信號線X1到Xn/N上。
電源線610、620形成在絕緣基板1上并通過第一電源點(diǎn)630、640耦接到顯示區(qū)域100的電源線600。以類似的方式，電源線710、720形成在絕緣基板1上并通過電源點(diǎn)730、740耦接到顯示區(qū)域100的電源線700。電源線610、620在水平方向上從電源點(diǎn)630、640延伸并懸于掃描驅(qū)動器200、300之上，并且還在垂直方向上延伸使得電源線610、620可以不疊加在掃描線SE1到SEm和EM1到EMm，數(shù)據(jù)線D1到Dn和信號線X1到Xn/N上。以類似的方式，電源線710，720從電源點(diǎn)730，740在垂直方向延伸，使得電源線710、720可以不疊加在掃描線SE1到SEm和EM1到EMm，數(shù)據(jù)線D1到Dn和信號線X1到Xn/N上。
在這種情況下，在垂直方向上延伸的電源線610、620、710、720的第一端耦接到一墊板(pad)(未示出)，并進(jìn)一步通過該墊板耦接到外部電路板。
根據(jù)一個實(shí)施例，由于電源線600、700和電源線610、620、710、720將電流或電壓傳送到垂直線V1到Vn，所以它們的寬度大于垂直線V1到Vn的寬度。
因此，在絕緣基板1上形成4個電源點(diǎn)630、640、730、740以幫助解決在垂直線V1到Vn的底部產(chǎn)生的電壓降。
當(dāng)如圖3所示形成多個多路分解單元400a、400b和數(shù)據(jù)驅(qū)動器500a、500b時，在兩個數(shù)據(jù)驅(qū)動器500a、500b之間另外布置電源線710a、710b、720a、720b以增加電源點(diǎn)630、640、730a、730b、740a、740b的數(shù)量。
參考圖4到8，將描述帶有包括采樣/保持電路的多路分解單元的顯示裝置。為了便于描述，多路分解單元被描述為執(zhí)行1:2多路分解，并對第一信號線X1和對應(yīng)于信號線X1的數(shù)據(jù)線D1和D2進(jìn)行舉例說明。
如圖4所示，多路分解單元400包括多個多路分解器401。參考圖4和5，多路分解器401包括四個采樣/保持電路410、420、430、440。采樣/保持電路410、420、430、440分別包括采樣開關(guān)S1、S2、S3、S4，數(shù)據(jù)存儲單元411、421、431、441，以及保持開關(guān)H1、H2、H3、H4。采樣/保持電路410、420、430、440的采樣開關(guān)S1、S2、S3、S4的第一端分別耦接到數(shù)據(jù)存儲單元411、421、431、441，而保持開關(guān)H1、H2、H3、H4的第一端分別耦接到數(shù)據(jù)存儲單元411、421、431、441。采樣/保持電路410、420、430、440的采樣開關(guān)S1、S2、S3、S4的第二端共同耦接到信號線X1。采樣/保持電路410、430的保持開關(guān)H1、H3的第二端共同耦接到數(shù)據(jù)線D1，而采樣/保持電路420、440的保持開關(guān)H2、H4的第二端共同耦接到數(shù)據(jù)線D2。耦接到信號線X1的采樣開關(guān)S1、S2、S3、S4的第二端在下文中將稱作輸入端，而耦接到數(shù)據(jù)線D1和D2的保持開關(guān)H1、H2、H3、H4的第二端在下文中將稱作輸出端。
當(dāng)采樣開關(guān)S1、S2、S3、S4導(dǎo)通時，采樣/保持電路410、420、430、440分別對通過采樣開關(guān)S1、S2、S3、S4傳送的電流進(jìn)行采樣并將它們以電壓形式存儲在數(shù)據(jù)存儲單元411、421、431、441中。當(dāng)保持開關(guān)H1、H2、H3、H4導(dǎo)通時，采樣/保持電路410、420、430、440分別通過保持開關(guān)H1、H2、H3、H4對存儲在數(shù)據(jù)存儲單元411、421、431、441中的電壓所對應(yīng)的電流進(jìn)行保持。
參考圖5，耦接在信號線X1和數(shù)據(jù)線D1之間的采樣/保持電路410、430形成信號采樣/保持電路單元，而采樣/保持電路410、430交替地執(zhí)行采樣和保持。以類似的方式，耦接在信號線X1和數(shù)據(jù)線D2之間的采樣/保持電路420、440形成單個采樣/保持電路單元，并且采樣/保持電路420、440交替地執(zhí)行采樣和保持。
根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，采樣/保持電路的采樣功能包括將輸入電流以電壓形式記錄在數(shù)據(jù)存儲元件中，等待(standby)功能包括維持記錄在數(shù)據(jù)存儲元件中的數(shù)據(jù)，而保持功能包括輸出對應(yīng)于記錄在數(shù)據(jù)存儲元件中的數(shù)據(jù)的電流。
參考圖6和圖7A到7D，將對在圖5中所示的多路分解器的操作進(jìn)行描述。
圖6示出在圖5的多路分解器中的開關(guān)的驅(qū)動時序圖，而圖7A到7D示出根據(jù)圖6的時序圖的圖5的多路分解器的操作。根據(jù)該時序圖，當(dāng)控制信號電平低時，采樣開關(guān)S1、S2、S3、S4導(dǎo)通，而當(dāng)控制信號電平高時，保持開關(guān)H1、H2、H3、H4導(dǎo)通。
參考圖6和7A，在時間周期T1，采樣開關(guān)S1和保持開關(guān)H3、H4響應(yīng)于控制信號而導(dǎo)通。當(dāng)采樣開關(guān)S1導(dǎo)通時，采樣/保持電路410對通過信號線X1施加到存儲元件411中的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣。當(dāng)保持開關(guān)H3、H4導(dǎo)通時，采樣/保持電路430、440將對應(yīng)于存儲在存儲元件431、441中的數(shù)據(jù)的電流保持到數(shù)據(jù)線D1、D2。帶有關(guān)斷的采樣開關(guān)S2和保持開關(guān)H2的采樣/保持電路420等待(stand by)。
參考圖6和7B，在時間周期T2，響應(yīng)于控制信號，采樣開關(guān)S1關(guān)斷而采樣開關(guān)S2導(dǎo)通，同時保持開關(guān)H3、H4導(dǎo)通。由于保持開關(guān)H3、H4導(dǎo)通，將對應(yīng)于存儲在存儲元件431、441中的數(shù)據(jù)的電流連續(xù)地保持到數(shù)據(jù)線D1、D2。當(dāng)采樣開關(guān)S2導(dǎo)通時，采樣/保持電路420對通過信號線X1施加到存儲元件421中的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣。
參考圖6和7C，在時間周期T3，響應(yīng)于控制信號，采樣開關(guān)S2和保持開關(guān)H3、H4關(guān)斷，而采樣開關(guān)S3和保持開關(guān)H1、H2導(dǎo)通。當(dāng)采樣開關(guān)S3導(dǎo)通時，采樣/保持電路430對通過信號線X1施加到存儲元件431中的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣。當(dāng)保持開關(guān)H1、H2導(dǎo)通時，采樣/保持電路410、420分別將對應(yīng)于存儲在存儲元件411、421中的數(shù)據(jù)的電流保持到數(shù)據(jù)線D1、D2。
參考圖6和7D，在時間周期T4，響應(yīng)于控制信號，采樣開關(guān)S3關(guān)斷而采樣開關(guān)S4導(dǎo)通，同時保持開關(guān)H1、H2導(dǎo)通。由于保持開關(guān)H1、H2導(dǎo)通，因此將對應(yīng)于存儲在存儲元件411、421中數(shù)據(jù)的電流連續(xù)地保持到數(shù)據(jù)線D1、D2。當(dāng)采樣開關(guān)S4導(dǎo)通時，采樣/保持電路440對通過信號線X1施加到存儲元件441中的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣。
如上所述，根據(jù)采樣和保持操作，將多路分解器401的采樣/保持電路410、420、430、440分成兩組。第二組的采樣/保持電路430、440將先前采樣的數(shù)據(jù)保持到數(shù)據(jù)線D1、D2，同時第一組的采樣/保持電路410、420對通過信號線X1施加的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣。以類似的方式，第一組的采樣/保持電路410、420對先前采樣的數(shù)據(jù)進(jìn)行保持，同時第二組的采樣/保持電路430、440進(jìn)行采樣。由于根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，保持開關(guān)H1、H2在基本上相同的時間操作，所以可以用同一控制信號驅(qū)動它們，并且可以以類似的方式用同一控制信號驅(qū)動保持開關(guān)H3、H4。
在這種情況下，時間周期T1、T2對應(yīng)于根據(jù)選擇信號將數(shù)據(jù)施加到耦接到一行掃描線的像素電路的周期(以下稱作“水平周期”)，并且時間周期T3、T4對應(yīng)于下一水平周期。由于在每一水平周期中可以將數(shù)據(jù)電流連續(xù)地施加到特定數(shù)據(jù)線，因此可以獲得用于將數(shù)據(jù)編程到像素的充分時間，并且由于重復(fù)時間周期T1到T4，在特定幀期間可以將數(shù)據(jù)電流傳送到特定數(shù)據(jù)線。
由于包括在圖5的多路分解器中的四個采樣/保持電路可以基本上相同地實(shí)現(xiàn)，所以將參考圖8詳細(xì)描述圖5的采樣/保持電路410。
圖8的采樣/保持電路410耦接在信號線X1和數(shù)據(jù)線D1之間，并且包括晶體管M1，電容Ch，以及五個開關(guān)Sa、Sb、Sc、Ha、Hb。寄生電阻成分和寄生電容成分形成在數(shù)據(jù)線D1中，其中將寄生電阻成分舉例說明為R1和R2，并將寄生電容成分舉例說明為C1、C2和C3。根據(jù)一個實(shí)施例，晶體管M1是p溝道場效應(yīng)晶體管，特別是金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
開關(guān)Sa耦接在電源電壓VDD1和晶體管M1的源極之間。開關(guān)Ha耦接在電源電壓VSS1和晶體管M1的漏極之間。由于根據(jù)所示實(shí)施例，晶體管M1是p溝道型，所以電源電壓VDD1具有高于電源電壓VSS1的電壓，并通過耦接到電源線700的垂直線V1到Vn提供電源電壓VDD1。開關(guān)Sb耦接在作為輸入端的信號線X1和晶體管M1的柵極之間，并且開關(guān)Hb耦接在晶體管M1的源極和作為輸出端的數(shù)據(jù)線D1之間。開關(guān)Sc耦接在信號線X1和晶體管漏極之間，并當(dāng)開關(guān)Sb和Sc導(dǎo)通時二極管連接晶體管M1。在這種情況下，開關(guān)Sc能夠耦接在晶體管M1的漏極和柵極之間以二極管連接晶體管M1。當(dāng)開關(guān)Sc耦接在晶體管M1的柵極和漏極之間時，開關(guān)Sb可以耦接在信號線X1和晶體管M1的漏極之間。
將描述圖8的采樣/保持電路410的操作。根據(jù)一個實(shí)施例，開關(guān)Sa、Sb、Sc在基本上相同的時間導(dǎo)通/關(guān)斷，并且開關(guān)Ha、Hb在基本上相同的時間導(dǎo)通/關(guān)斷。
當(dāng)開關(guān)Sa、Sb、Sc導(dǎo)通和開關(guān)Ha、Hb關(guān)斷時，晶體管M1是二極管連接的，將電流提供給電容Ch，因而以一電壓對其充電，晶體管M1的柵極電勢下降，從而電流從源極流向漏極。一旦經(jīng)過特定時間周期，電容Ch的充電電壓升高，并且晶體管M1的漏極電流對應(yīng)于從信號線X1提供的數(shù)據(jù)電流IDATA，電容Ch的充電電流不再增大，因此，以恒定電壓對電容Ch充電。在這種情況下，晶體管M1的源極和柵極間電壓的絕對值VSG(以下稱作“源極-柵極電壓”)與從信號線X1提供的數(shù)據(jù)電流IDATA之間的關(guān)系滿足等式1。以這種方式，采樣/保持電路410對從信號線X1提供的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣。
等式1IDATA=β2(VSG-VTH)2]]>其中β是由晶體管M1的溝道寬度和溝道長度確定的常量，而VTH是晶體管M1的閾值的絕對值。
當(dāng)開關(guān)Sa、Sb、Sc關(guān)斷和開關(guān)Ha、Hb導(dǎo)通時，對應(yīng)于充入電容Ch的源極-柵極電壓VSG的電流，即數(shù)據(jù)電流IDATA通過開關(guān)Hb傳送到數(shù)據(jù)線D1。以這種方式，采樣/保持電路410將電流保持到數(shù)據(jù)線D1。
在時間周期T2，在圖5的采樣/保持電路420執(zhí)行采樣時，由于開關(guān)Sa、Sb、Sc、Ha、Hb關(guān)斷，因此采樣/保持電路410維持充入電容Ch的電壓。就是說，采樣/保持電路410進(jìn)入等待狀態(tài)。
由于當(dāng)開關(guān)Sa、Sb、Sc導(dǎo)通時采樣/保持電路410執(zhí)行采樣，因此開關(guān)Sa、Sb、Sc對應(yīng)于圖5的采樣開關(guān)S1，并且由于當(dāng)開關(guān)Ha、Hb導(dǎo)通時采樣/保持電路410執(zhí)行保持，因此開關(guān)Ha、Hb對應(yīng)于圖5的保持開關(guān)H1。由于電容Ch和晶體管M1用來存儲對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流的電壓，因此它們對應(yīng)于數(shù)據(jù)存儲元件411。開關(guān)Sa、Sb、Sc、Ha、Hb可以用p溝道或n溝道FETS來實(shí)現(xiàn)。此外，開關(guān)Sa、Sb、Sc可以用相同導(dǎo)電型的晶體管來實(shí)現(xiàn)，并且開關(guān)Ha、Hb可以以類似的方式用相同導(dǎo)電型的晶體管來實(shí)現(xiàn)。而且，開關(guān)Sa、Sb、Sc可以用p溝道晶體管來實(shí)現(xiàn)而開關(guān)Ha、Hb可以用n溝道晶體管來實(shí)現(xiàn)，這樣就可以按照圖6的時序圖驅(qū)動它們。
圖8的采樣/保持電路410在采樣操作期間向信號線X1即輸入端供應(yīng)(source)數(shù)據(jù)電流，并在保持操作期間從數(shù)據(jù)線D1即輸出端吸收(sink)數(shù)據(jù)電流。因此，圖8中所示的采樣/保持電路410可以與用于吸收信號線X1上的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)驅(qū)動器500即具有電流宿型(current sink type)輸出端的數(shù)據(jù)驅(qū)動器一起使用。由于具有電流宿型輸出端的驅(qū)動IC通常比具有電流源(currentsource type)型輸出端的驅(qū)動IC便宜，所以降低了數(shù)據(jù)驅(qū)動器500的成本。
另外，當(dāng)在圖8中用n溝道FET實(shí)現(xiàn)晶體管M1并且相互交換電源電壓VDD1和VSS1的相對電壓電平時，可以實(shí)現(xiàn)具有電流宿型輸入端和電流源型輸出端的采樣/保持電路。因?yàn)閷τ诒绢I(lǐng)域技術(shù)人員這是清楚的，所以將不詳細(xì)描述該采樣/保持電路的配置。
在圖5所示的第一實(shí)施例中，在信號線和數(shù)據(jù)線之間并聯(lián)兩個采樣/保持電路以形成一個采樣/保持電路單元。根據(jù)圖9到11C所示的第二實(shí)施例，在信號線和數(shù)據(jù)線之間串聯(lián)兩個采樣/保持電路。為了便于描述，根據(jù)第二實(shí)施例的多路分解單元被描述為執(zhí)行1:2的多路分解。
圖9示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的多路分解器。
參考圖9，采樣/保持電路410a、430a串聯(lián)，并且采樣/保持電路420a、440a也串聯(lián)。這樣，采樣/保持電路410a的輸出端耦接到采樣/保持電路430a的輸入端，并且采樣/保持電路430a的輸出端耦接到數(shù)據(jù)線D1以形成一個采樣/保持電路單元。以類似的方式，采樣/保持電路420a的輸出端耦接到采樣/保持電路440a的輸入端，并且采樣/保持電路440a的輸出端耦接到數(shù)據(jù)線D2以形成另一個采樣/保持電路單元。采樣/保持電路410a、420a的輸入端共同耦接到信號線X1。
將參考圖10和11A到11C對圖9的多路分解器的操作進(jìn)行描述。
圖10示出圖9的多路分解器中的開關(guān)的驅(qū)動時序圖，而圖11A到11C示出根據(jù)圖10的時序圖的圖9的多路分解器的操作。根據(jù)該時序圖，當(dāng)控制信號電平低時，采樣開關(guān)S1、S2、S3、S4導(dǎo)通，而當(dāng)控制信號電平高時保持開關(guān)H1、H2、H3、H4導(dǎo)通。
參考圖10和11A，在時間周期T11，采樣開關(guān)S1和保持開關(guān)H3、H4響應(yīng)于控制信號而導(dǎo)通。當(dāng)采樣開關(guān)S1導(dǎo)通時，采樣/保持電路410a對通過信號線X1施加到存儲元件411中的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣。當(dāng)保持開關(guān)H3和H4導(dǎo)通時，采樣/保持電路430a、440a將對應(yīng)于存儲在存儲元件431和441中的數(shù)據(jù)的電流保持到數(shù)據(jù)線D1、D2。帶有關(guān)斷的采樣開關(guān)S2和保持開關(guān)H2的采樣/保持電路420a等待。
參考圖10和11B，在時間周期T12，響應(yīng)于控制信號，采樣開關(guān)S1關(guān)斷而采樣開關(guān)S2導(dǎo)通，同時保持開關(guān)H3和H4導(dǎo)通。由于保持開關(guān)H3、H4導(dǎo)通，因此采樣/保持電路430a、440a將對應(yīng)于存儲在存儲元件431、441中的數(shù)據(jù)的電流連續(xù)地保持到數(shù)據(jù)線D1、D2。當(dāng)采樣開關(guān)S2導(dǎo)通時，采樣/保持電路420a對通過信號線X1施加到存儲元件421中的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣。
參考圖10和11C，在時間周期T13，響應(yīng)于控制信號，采樣開關(guān)S2和保持開關(guān)H3、H4關(guān)斷，而保持開關(guān)H1、H2和采樣開關(guān)S3、S4導(dǎo)通。采樣/保持電路410a、420a在時間周期T11、T12中將所采樣的電流保持到存儲元件411、421，而采樣/保持電路430a、440a對分別由采樣/保持電路410a、420a保持到存儲元件431、441中的電流進(jìn)行采樣。
如上所述，多路分解器401的采樣/保持電路410a、420a、430a、440a根據(jù)采樣和保持操作分成兩組。第一組的采樣/保持電路410a、420a在時間周期T11、T12中執(zhí)行采樣，而第二組的采樣/保持電路430a、440a對在前一水平周期的時間周期T13中所采樣的數(shù)據(jù)進(jìn)行保持。第一組的采樣/保持電路410a、420a在時間周期T13中對在時間周期T11、T12中采樣的數(shù)據(jù)進(jìn)行保持，而第二組的采樣/保持電路430a、440a對由第一組的采樣/保持電路410a、420a保持的數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣。由于采樣開關(guān)S3、S4在相同時間周期操作，所以可以用相同的控制信號來驅(qū)動它們。類似地，可以用相同的控制信號來驅(qū)動保持開關(guān)H1、H2，并且也可以用相同的控制信號來驅(qū)動保持開關(guān)H3、H4。
在這種情況下，時間周期T11到T13對應(yīng)于一個水平周期，并且通過重復(fù)時間周期T11到T13可以在特定幀期間將時間數(shù)據(jù)電流傳送到特定數(shù)據(jù)線。
在這種情況下，由于在特定水平周期的時間周期T13中沒有向數(shù)據(jù)線施加數(shù)據(jù)電流，所以可以減少被分配用于數(shù)據(jù)編程的時間。但是，數(shù)據(jù)存儲元件411和數(shù)據(jù)存儲元件431被連續(xù)地耦接，并且在數(shù)據(jù)存儲元件411、431之間提供的寄生電容小得足以可以忽略不計(jì)。以類似的方式，在數(shù)據(jù)存儲元件421、441之間提供的寄生電容也小得足以可以忽略不計(jì)。因此，在時間周期T13中所用的時間可以大大小于提供數(shù)據(jù)電流所用的時間，因此，當(dāng)在時間周期T13中沒有數(shù)據(jù)電流施加到數(shù)據(jù)線時基本上不會產(chǎn)生影響。
可以用圖8中所示的采樣/保持電路來實(shí)現(xiàn)包括在圖9的多路分解器中的四個采樣/保持電路。由于如圖10所示，采樣/保持電路410a、420a的保持開關(guān)H1、H2以及采樣/保持電路430a、440a的采樣開關(guān)S3、S4在相同時間導(dǎo)通/關(guān)斷，所以如參考圖12到14所述，可以去除保持開關(guān)H1、H2或采樣開關(guān)S3、S4。
圖12示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的多路分解器。為了便于描述，根據(jù)第三示例性實(shí)施例的多路分解器被描述為執(zhí)行1:2多路分解。圖13示出圖12的多路分解器中的開關(guān)的驅(qū)動時序圖。根據(jù)該時序圖，當(dāng)控制信號電平低時采樣開關(guān)S1、S2導(dǎo)通，而當(dāng)控制信號電平高時保持開關(guān)H1、H2、H3、H4導(dǎo)通。
參考圖12，根據(jù)第三實(shí)施例的多路分解器具有以下配置從圖9的多路分解器中去除了采樣/保持電路430a、440a的采樣開關(guān)。就是說，如圖13所示，當(dāng)在時間周期T13中采樣/保持電路410b、420b的保持開關(guān)H1、H2導(dǎo)通時，采樣/保持電路410b、420b執(zhí)行保持而采樣/保持電路430b、440b執(zhí)行采樣。
現(xiàn)在將參考圖14對圖12中的包括兩個串聯(lián)的采樣/保持電路410b、430b的單個采樣/保持電路單元進(jìn)行描述。
圖14示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的采樣/保持電路單元。
如圖所示，采樣/保持電路410b、430b具有以下配置圖8的采樣/保持電路的輸出端耦接到同一采樣/保持電路的輸入端，并且從前一級的采樣/保持電路中去除了保持開關(guān)Hb。
具體地，采樣和保持電路410b包括圖8的開關(guān)Sa、Sb、Sc、Ha、晶體管M1和電容Ch，并且其耦接狀態(tài)對應(yīng)于圖8的耦接狀態(tài)。采樣/保持電路430b包括開關(guān)Sa1、Sb1、Sc1、Ha1、Hb1、晶體管M2和電容Ch1，并且其耦接狀態(tài)對應(yīng)于開關(guān)Sa、Sb、Sc、Ha、Hb、晶體管M1和電容Ch的耦接狀態(tài)。
總之，當(dāng)開關(guān)Sa、Sb、Sc導(dǎo)通時，將從信號線X1提供的數(shù)據(jù)電流IDATA所對應(yīng)的電壓存儲在電容Ch中。當(dāng)開關(guān)Sa、Sb、Sc關(guān)斷而開關(guān)Ha、Sa1、Sb1、Sc1導(dǎo)通時，將存儲在電容Ch的電壓所對應(yīng)的電流輸出到晶體管M1的源極，并將輸出到晶體管M1的源極的電流所對應(yīng)的電壓再次存儲到電容Ch1中。當(dāng)開關(guān)Ha、Sa1、Sb1、Sc1關(guān)斷而開關(guān)Ha1、Hb1導(dǎo)通時，通過晶體管M2的源極將存儲在電容Ch1中的電壓所對應(yīng)的電流輸出到數(shù)據(jù)線D1。
在這種情況下，由于當(dāng)開關(guān)Sa、Sb、Sc導(dǎo)通時采樣/保持電路單元的采樣/保持電路410b執(zhí)行采樣，因此開關(guān)Sa、Sb、Sc對應(yīng)于圖12的采樣開關(guān)S1。由于當(dāng)開關(guān)Ha、Sa1、Sb1、Sc1導(dǎo)通時采樣/保持電路410b執(zhí)行保持而采樣/保持電路430b執(zhí)行采樣，因此開關(guān)Ha、Sa1、Sb1、Sc1對應(yīng)于圖12的保持開關(guān)H1。由于當(dāng)開關(guān)Ha1、Hb1導(dǎo)通時采樣/保持電路430b執(zhí)行保持，因此開關(guān)Ha1、Hb1對應(yīng)于圖12的保持開關(guān)H3。
可以用p溝道或n溝道FET來實(shí)現(xiàn)開關(guān)Sa、Sb、Sc、Ha、Sa1、Sb1、Sc1、Ha1、Hb1。而且，可以用相同導(dǎo)電型晶體管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)Sa、Sb、Sc，用相同導(dǎo)電型晶體管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)Ha、Sa1、Sb1、Sc1，并且用相同導(dǎo)電型晶體管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)Ha1、Hb1。另外，可以用p溝道晶體管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)Sa、Sb、Sc，并且用n溝道晶體管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)Ha、Sa1、Sb1、Sc1、Ha1、Hb1，使得可以根據(jù)圖13的定時來驅(qū)動它們。此外，劃分(divide)用于驅(qū)動開關(guān)Ha和開關(guān)Sa1、Sb1、Sc1的控制信號并用n溝道晶體管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)Ha而用p溝道晶體管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)Sa1、Sb1、Sc1是可能的。
如上所述，根據(jù)第一到第三示例性實(shí)施例的多路分解器在一個水平周期中依次對經(jīng)過分時且通過信號線X1施加的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣，并在下一水平周期中將所采樣的電流施加到數(shù)據(jù)線D1和D2。當(dāng)執(zhí)行1:N的多路分解操作時，多路分解器對與單條數(shù)據(jù)線D1對應(yīng)的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣的時間是一個水平周期的約1/N。因此，多路分解器400通常必須在對應(yīng)于一個水平周期的1/N的時間內(nèi)對與單條數(shù)據(jù)線對應(yīng)的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣。為了滿足這一條件，當(dāng)數(shù)據(jù)驅(qū)動器500通過信號線X1施加數(shù)據(jù)電流時信號線X1上的電容成分應(yīng)當(dāng)小于當(dāng)多路分解器400通過一條數(shù)據(jù)線D1施加所采樣的電流時數(shù)據(jù)線D1上的電容成分的1/N。
當(dāng)數(shù)據(jù)驅(qū)動器500通過信號線X1向多路分解器400施加對應(yīng)于特定數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流時，其驅(qū)動由信號線X1和電源線700形成的寄生電容成分C1。當(dāng)在顯示區(qū)域100中絕緣且與數(shù)據(jù)線D1交叉的金屬是選擇掃描線SE1到SEm和發(fā)射掃描線EM1到EMm時，在施加所采樣的數(shù)據(jù)電流到數(shù)據(jù)線D1時，多路分解器400驅(qū)動由數(shù)據(jù)線D1、選擇掃描線SE1到SEm和發(fā)射掃描線EM1到EMm形成的寄生成分C2。
通常，當(dāng)在兩金屬板之間提供相同介電材料時，由兩金屬板形成的電容與金屬板表面面積成正比而與兩金屬板之間的距離成反比。在寄生電容成分C1和C2中，兩相對金屬板之間的距離相等，并且形成寄生電容成分C1的金屬板一側(cè)的長度按信號線X1的寬度給出，寄生電容成分C1另一側(cè)的長度按電源線700的寬度給出，形成寄生電容成分C2的金屬板一側(cè)的長度按數(shù)據(jù)線D1的寬度給出，而寄生電容成分C2另一側(cè)的長度按m條選擇掃描線SE1到SEm和m條發(fā)射掃描線EM1到EMm的寬度之和給出。
例如，當(dāng)選擇掃描線SE1到SEm中的一條和發(fā)射掃描線EM1到EMm中的一條的寬度分別是7μm時，電源線700的寬度是2mm，并且數(shù)據(jù)線D1的寬度對應(yīng)于在QCIF分辨率(即176×220)下信號線X1的寬度，電容成分C1的大小變?yōu)殡娙莩煞諧2的大約2/3(2,000/(7×220×2))。因此，不滿足上述1/N的條件，多路分解單元不能在給定時間內(nèi)對電流進(jìn)行采樣，因此，需要增加電流采樣率。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，可以在施加要采樣的電流之前施加預(yù)充電電流，將參考圖15到20B對此進(jìn)行詳細(xì)描述。
參考圖15、16、17A和17B，將描述在圖5的多路分解器中在采樣前施加預(yù)充電電流的第四實(shí)施例。第四實(shí)施例涉及一種用于向根據(jù)第一實(shí)施例的多路分解器施加預(yù)充電電流的方法。
圖15示出根據(jù)第四實(shí)施例的采樣/保持電路410b。
如圖所示，相對于圖8的采樣/保持電路，根據(jù)第四實(shí)施例的多路分解器中的采樣/保持電路還包括預(yù)充電電路。具體地，預(yù)充電電路包括晶體管M3和預(yù)充電開關(guān)P1。將采樣/保持電路分別耦接到預(yù)充電電路，并且這些預(yù)充電電路形成預(yù)充電單元。晶體管M3的源極和柵極耦接到晶體管M1的源極和柵極，并且開關(guān)P1耦接在晶體管M1的漏極和晶體管M3的漏極之間。晶體管M3具有與晶體管M1相同的溝道類型，并且類似于晶體管M1被圖示為p溝道FET。晶體管M3的溝道寬度W3與溝道長度L3的比率W3/L3是晶體管M1的溝道寬度W1與溝道長度L1的比率W1/L1的(M-1)倍。
在數(shù)據(jù)驅(qū)動器500將數(shù)據(jù)電流傳送到多路分解單元400之前，預(yù)充電單元將對應(yīng)于M(M是大于1的實(shí)數(shù))倍數(shù)據(jù)電流IDATA的預(yù)充電電流MIDATA傳送到信號線X1到Xn/N。另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動器500產(chǎn)生附加電流，其用于與數(shù)據(jù)電流一起產(chǎn)生預(yù)充電電流。該附加電流是對應(yīng)于(M-1)倍數(shù)據(jù)電流IDATA的電流(M-1)IDATA，并通過使用電流鏡像電路從數(shù)據(jù)電流IDATA產(chǎn)生。由于通過電流鏡像電路產(chǎn)生附加電流(M-1)IDATA的方法對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是公知的，因此這里不提供具體描述。
參考圖16、17A和17B，將具體描述圖15的采樣/保持電路410c的操作。
圖16示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的用于預(yù)充電方法的驅(qū)動時序圖，并且圖17A和17B分別示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的預(yù)充電方法。當(dāng)控制信號電平低時，預(yù)充電開關(guān)P1、P2、P3、P4和采樣開關(guān)S1、S2、S3、S4，即開關(guān)Sa、Sb、Sc導(dǎo)通，而當(dāng)控制信號電平高時保持開關(guān)H1、H2、H3、H4，即開關(guān)Ha、Hb導(dǎo)通。
參考圖16和17A，在預(yù)充電周期Tp1中開關(guān)Sa、Sb、Sc(類似于圖5的采樣開關(guān)S1)和預(yù)充電開關(guān)P1導(dǎo)通并且晶體管M1、M3分別二極管連接。從數(shù)據(jù)驅(qū)動器500將數(shù)據(jù)電流IDATA和附加電流(M-1)IDATA同時施加到信號線X1。由于晶體管M3的溝道寬度與溝道長度的比率W3/L3是晶體管M1的溝道寬度與溝道長度的比率W1/L1的(M-1)倍，所以將電流(M-1)IDATA傳送到晶體管M3的漏極，并將電流IDATA傳送到晶體管M1的漏極。結(jié)果，用與對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流IDATA的電壓接近的電壓對信號線X1充電。在這種情況下，由于將預(yù)充電電壓充入電容Ch，所以采樣/保持電路410c執(zhí)行采樣。
由于形成在信號線X1中的寄生電容，根據(jù)預(yù)充電電流MIDATA以對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流IDATA的電壓對信號線X1進(jìn)行充電一般需要時間。但是，由于預(yù)充電電流MIDATA是比數(shù)據(jù)電流IDATA大M倍的電流，所以可以在短于以數(shù)據(jù)電流IDATA對信號線X1充電的時間內(nèi)對信號線X1充電。因此，即使在短的預(yù)充電時間周期中，也可以以與對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流IDATA的電壓接近的電壓對信號線X1充電。
參考圖16和圖17B，在采樣周期Ts1中從數(shù)據(jù)驅(qū)動器500截斷附加電流(M-1)IDATA，并且同時關(guān)斷預(yù)充電開關(guān)P1。將從信號線X1提供的數(shù)據(jù)電流IDATA傳送到晶體管M1的漏極，并用對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流IDATA的電壓對電容Ch充電。就是說，采樣/保持電路410c執(zhí)行采樣。具體地，由于通過預(yù)充電操作將接近于數(shù)據(jù)電流IDATA的預(yù)充電電壓施加到信號線X1，所以當(dāng)在信號線X1中提供寄生電容成分時，用對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流IDATA的電壓對電容Ch進(jìn)行快速充電。
已經(jīng)通過舉例說明特定采樣/保持電路410c描述了預(yù)充電操作。當(dāng)諸如圖5的采樣/保持電路410、420、430、440的采樣/保持電路在多路分解器401中依次執(zhí)行采樣操作時，可以在采樣操作前執(zhí)行預(yù)充電操作。就是說，如圖16所示，可以將周期T1、T2、T3、T4分成預(yù)充電周期Tp1、Tp2、Tp3、Tp4，和采樣周期Ts1、Ts2、Ts3、Ts4。圖16中的元件P1、P2、P3、P4分別表示形成在諸如圖5的采樣/保持電路410、420、430、440的采樣/保持電路中的預(yù)充電單元的預(yù)充電開關(guān)。結(jié)果，在諸如圖5的采樣/保持電路410、420、430、440的各個采樣/保持電路對數(shù)據(jù)電流IDATA進(jìn)行采樣之前，由于使用與對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流IDATA的電壓接近的電壓對信號線X1預(yù)充電，所以在較快的時間內(nèi)對數(shù)據(jù)電流IDATA進(jìn)行采樣。
通過在圖9和12的多路分解器中形成上述預(yù)充電單元，可以根據(jù)相同的方法對信號線預(yù)充電。將參考圖18、19、20A和20B對在執(zhí)行采樣操作前由圖12的多路分解器對信號線進(jìn)行預(yù)充電的第五實(shí)施例進(jìn)行描述。第四實(shí)施例涉及一種用于向根據(jù)所述第二和第三實(shí)施例的多路分解器施加預(yù)充電電流的方法。
圖18示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例的采樣/保持電路210d。
如圖所示，根據(jù)第五實(shí)施例的多路分解器中的采樣/保持電路單元還包括采樣/保持電路410d、430d，其中相對于圖14的采樣/保持電路410b，采樣/保持電路410d包括預(yù)充電單元。具體地，該預(yù)充電單元包括如參考圖15所述的晶體管M3和預(yù)充電開關(guān)P1。晶體管M3的源極和柵極分別耦接到晶體管M1的源極和柵極，并且開關(guān)P1耦接在晶體管M1的漏極和晶體管M3的漏極之間。晶體管M3的溝道寬度W3與溝道長度L3的比率W3/L3是晶體管M1的溝道寬度W1與溝道長度L1的比率W1/L1的(M-1)倍。
如上所述，在數(shù)據(jù)驅(qū)動器500將數(shù)據(jù)電流傳送到多路分解單元400之前，預(yù)充電單元將對應(yīng)于M(M是大于1的實(shí)數(shù))倍數(shù)據(jù)電流IDATA的預(yù)充電電流MIDATA傳送到信號線X1到Xn/N。另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動器500產(chǎn)生附加電流(M-1)IDATA，其用于與數(shù)據(jù)電流IDATA一起產(chǎn)生預(yù)充電電流MIDATA。
參考圖19、20A和20B，將描述包括采樣/保持電路410d、430d的采樣/保持電路單元的操作。
圖19示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例的用于預(yù)充電方法的驅(qū)動時序圖，并且圖20A和20B分別示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例的預(yù)充電方法。
參考圖19和20A，在預(yù)充電周期Tp11中開關(guān)Sa、Sb、Sc(類似于圖12的采樣開關(guān)S1)和預(yù)充電開關(guān)P1導(dǎo)通，并且晶體管M1、M3分別二極管連接。數(shù)據(jù)電流IDATA和附加電流(M-1)IDATA從數(shù)據(jù)驅(qū)動器500同時施加到信號線X1。由于晶體管M3的溝道寬度與溝道長度的比率W3/L3是晶體管M1的溝道寬度與溝道長度的比率W1/L1的(M-1)倍，所以將電流(M-1)IDATA傳送到晶體管M3的漏極，并將電流IDATA傳送到晶體管M1的漏極。結(jié)果，用與對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流IDATA的電壓接近的電壓對信號線X1充電。
參考圖19和20B，在采樣周期Ts11中從數(shù)據(jù)驅(qū)動器500截斷附加電流(M-1)IDATA并同時關(guān)斷預(yù)充電開關(guān)P1。將從信號線X1提供的數(shù)據(jù)電流IDATA傳送到晶體管M1的漏極，并用對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流IDATA的電壓對電容Ch充電。由于后續(xù)操作對應(yīng)于第三實(shí)施例中的操作，所以將不對其進(jìn)行描述。
上面已經(jīng)通過舉例說明一個采樣/保持電路單元對預(yù)充電操作進(jìn)行了描述。當(dāng)諸如圖12的采樣/保持電路410b、420b的采樣/保持電路在多路分解器401中依次執(zhí)行采樣操作時，在采樣操作前可以執(zhí)行預(yù)充電操作。就是說，如圖19所示，可以將周期T11、T12分成預(yù)充電周期Tp11、Tp12和采樣周期Ts11、Ts12。圖19中的元件P1、P2分別表示形成在諸如圖12的采樣/保持電路410b、420b的采樣/保持電路中的預(yù)充電單元的預(yù)充電開關(guān)。結(jié)果，在諸如采樣/保持電路410a、420b的各個采樣/保持電路對數(shù)據(jù)電流IDATA進(jìn)行采樣之前，由于使用與對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流IDATA的電壓接近的電壓對信號線X1進(jìn)行預(yù)充電，所以在較快的時間內(nèi)對數(shù)據(jù)電流IDATA進(jìn)行采樣。
參考圖21，將對根據(jù)第一到第五實(shí)施例的顯示裝置的顯示區(qū)域中形成的像素電路進(jìn)行描述。圖21示出該像素電路的簡化電路圖。
如圖所示，像素電路110耦接到數(shù)據(jù)線D1，并且通過電流將數(shù)據(jù)編程到像素電路110。根據(jù)一個實(shí)施例，像素電路110使用有機(jī)材料的電致發(fā)光的光發(fā)射。像素電路110包括四個晶體管P1、P2、P3、P4，電容Cst，以及可以是有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光元件OLED。晶體管P1、P2、P3、P4在圖21中示為p溝道FETS。
晶體管P1的源極耦接到電源電壓VDD2，并且電容Cst耦接在晶體管P1的源極和柵極之間。晶體管P2耦接在數(shù)據(jù)線D1和晶體管P1的柵極之間并響應(yīng)于從選擇掃描線SE1提供的選擇信號。晶體管P3耦接在晶體管P1的漏極和數(shù)據(jù)線D1之間，并響應(yīng)于從選擇掃描線SE1提供的選擇信號將晶體管P1和P2二極管連接。晶體管P4耦接在晶體管P1的漏極和發(fā)光元件OLED之間，并響應(yīng)于從發(fā)射掃描線EM1提供的發(fā)射信號將從晶體管P1提供的電流傳送到發(fā)光元件OLED。發(fā)光元件OLED的陰極耦接到比電源電壓VDD2小的電源電壓VSS2。
在這種情況下，當(dāng)晶體管P2和P3由從選擇掃描線SE1提供的選擇信號而導(dǎo)通時，從數(shù)據(jù)線D1提供的電流流向晶體管P1的漏極，并將對應(yīng)于該電流的晶體管P1的源極-柵極電壓存儲在電容Cst中。當(dāng)從發(fā)射掃描線EM1施加發(fā)射信號時，晶體管P4導(dǎo)通，并且將與存儲在電容Cst中的電壓對應(yīng)的晶體管P1的電流IOLED提供到發(fā)光元件OLED，因此，發(fā)光元件OLED發(fā)光。
由于在像素電路中通過垂直線V1提供電源電壓VDD2，并且在顯示區(qū)域的頂部和底部形成用于將電壓傳送到垂直線V1的電源線600、700，所以垂直線V1中的電壓降減少。
前文描述了多路分解器執(zhí)行1:2多路分解，但是不局限于此，本發(fā)明可應(yīng)用于用于執(zhí)行1:N多路分解的多路分解單元。另外，前文描述了從耦接到電源線700的垂直線V1到Vn提供采樣/保持電路的電源電壓VDD1。但是，電源電壓VDD1可以從與耦接到電源線700的垂直線V1到Vn不同的線來提供。此外，第四和第五實(shí)施例所述的驅(qū)動方法可應(yīng)用于電源線700不耦接到垂直線V1到Vn的情況。
根據(jù)本發(fā)明，可以通過額外提供用于在使用多路分解器的顯示裝置中提供電源的電源線來減少在垂直線中產(chǎn)生的電壓降，并且通過對在多路分解器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器之間提供的信號線預(yù)充電，在給定時間內(nèi)對數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣。
盡管已經(jīng)結(jié)合當(dāng)前被認(rèn)為是實(shí)際示例性實(shí)施例的實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不局限于所公開的實(shí)施例，而是相反地，其旨在覆蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同方案。
對相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2003年11月27在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2003-0085079號的優(yōu)先權(quán)和利益，在此將其全文引作參考。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括顯示區(qū)域，包括多條用于傳送顯示圖像所用的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)線，以及多條耦接到數(shù)據(jù)線的像素電路；多條第一信號線；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，耦接到第一信號線，用于對與數(shù)據(jù)電流對應(yīng)的第一電流進(jìn)行分時，并將分時后的第一電流傳送到第一信號線；以及多路分解單元，包括多個用于分別接收來自第一信號線的第一電流的多路分解器，和耦接到該多路分解器的預(yù)充電單元，該預(yù)充電單元用于響應(yīng)于控制信號，將對應(yīng)于第一電流的預(yù)充電電流傳送到第一信號線，其中多路分解器從第一信號線接收第一電流并將該數(shù)據(jù)電流傳送到至少兩條數(shù)據(jù)線，并且在數(shù)據(jù)驅(qū)動器傳送對應(yīng)于數(shù)據(jù)線之一的第一電流之前將預(yù)充電電流傳送到第一信號線。
2.如權(quán)利要求1的顯示裝置，其中該多路分解器包括多個耦接到第一信號線的采樣/保持電路，并且來自所述多個采樣/保持電路的第一組采樣/保持電路將在前面水平周期中所采樣的電流保持到至少兩條數(shù)據(jù)線，而第二組采樣/保持電路對在特定水平周期中通過第一信號線依次施加的第一電流依次進(jìn)行采樣。
3.如權(quán)利要求2的顯示裝置，其中采樣/保持電路包括第一和第二采樣/保持電路，具有耦接到第一信號線之一的輸入端和耦接到所述至少兩條數(shù)據(jù)線的第一數(shù)據(jù)線的輸出端；以及第三和第四采樣/保持電路，具有耦接到第一信號線之一的輸入端和耦接到所述至少兩條數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)線的輸出端，其中第一和第三采樣/保持電路形成第一組采樣/保持電路，而第二和第四采樣/保持電路形成第二組采樣/保持電路。
4.如權(quán)利要求1的顯示裝置，其中多路分解器包括多個耦接到第一信號線的采樣/保持電路，在水平周期的第一部分中，第一組采樣/保持電路對通過第一信號線依次施加的第一電流依次進(jìn)行采樣，而第二組采樣/保持電路將所采樣的電流保持到至少兩條數(shù)據(jù)線，并且在水平周期的第二部分中，第一組的采樣/保持電路保持電流，而第二組的采樣/保持電路對由第一組的采樣/保持電路保持的電流進(jìn)行采樣。
5.如權(quán)利要求4的顯示裝置，其中第二部分短于第一部分。
6.如權(quán)利要求4的顯示裝置，其中第一組的采樣/保持電路包括第一和第二采樣/保持電路，其具有耦接到第一信號線的輸入端，并且第二組的采樣/保持電路包括第三和第四采樣/保持電路，其具有耦接到第一和第二采樣/保持電路輸出端的輸入端和耦接到所述至少兩條數(shù)據(jù)線的第一和第二數(shù)據(jù)線的輸出端。
7.如權(quán)利要求4的顯示裝置，其中采樣/保持電路包括響應(yīng)于采樣信號而導(dǎo)通的采樣開關(guān)，響應(yīng)于保持信號而導(dǎo)通的保持開關(guān)，以及數(shù)據(jù)存儲元件，該數(shù)據(jù)存儲元件用于當(dāng)采樣開關(guān)導(dǎo)通時對通過輸入端施加的電流進(jìn)行采樣，并且當(dāng)保持開關(guān)導(dǎo)通時保持所采樣的電流，并且其中第一組采樣/保持電路的保持開關(guān)和第二組采樣/保持電路的采樣開關(guān)是共用的。
8.如權(quán)利要求2的顯示裝置，其中采樣/保持電路包括響應(yīng)于采樣信號而導(dǎo)通的采樣開關(guān)，響應(yīng)于保持信號而導(dǎo)通的保持開關(guān)，以及數(shù)據(jù)存儲元件，該數(shù)據(jù)存儲元件用于當(dāng)采樣開關(guān)導(dǎo)通時對通過輸入端施加的電流進(jìn)行采樣，并且當(dāng)保持開關(guān)導(dǎo)通時保持所采樣的電流。
9.如權(quán)利要求8的顯示裝置，其中數(shù)據(jù)存儲元件包括第一晶體管，具有耦接到第一電源的源極和響應(yīng)于采樣信號耦接到第一信號線的柵極和漏極；和電容，耦接在第一晶體管的柵極和源極之間，用于存儲對應(yīng)于傳送到漏極的電流的電壓。
10.如權(quán)利要求9的顯示裝置，其中預(yù)充電單元包括至少一個預(yù)充電電路，該預(yù)充電電路耦接到至少一個具有耦接到第一信號線的輸入端的采樣/保持電路，并且其中該預(yù)充電電路包括第二晶體管，該第二晶體管具有當(dāng)施加控制信號時分別耦接到第一晶體管的源極、柵極和漏極的源極、柵極和漏極。
11.如權(quán)利要求10的顯示裝置，其中采樣信號基本上與控制信號同時施加，并且當(dāng)施加采樣信號時截斷控制信號，并且其中預(yù)充電電流是第一電流的大約M倍，其中M是一個大于1的實(shí)數(shù)，并且其中從第二晶體管的(溝道寬度)/(溝道長度)的比率獲得的值是從第一晶體管的(溝道寬度)/(溝道長度)的比率獲得的值的大約(M-1)倍。
12.如權(quán)利要求11的顯示裝置，其中第一和第二晶體管為相同導(dǎo)電型。
13.如權(quán)利要求10的顯示裝置，其中預(yù)充電電路還包括耦接在第一晶體管漏極和第二晶體管漏極之間的開關(guān)，其中該預(yù)充電電路響應(yīng)于控制信號而導(dǎo)通。
14.如權(quán)利要求9的顯示裝置，其中采樣開關(guān)包括耦接在第一晶體管漏極和輸入端之間的第一開關(guān)，當(dāng)其導(dǎo)通時二極管連接第一晶體管的第二開關(guān)，以及耦接在第一電源和第一晶體管之間的第三開關(guān)，并且保持開關(guān)包括耦接在第二電源和第一晶體管之間的第四開關(guān)，以及耦接在第一晶體管和輸出端之間的第五開關(guān)。
15.如權(quán)利要求1的顯示裝置，其中顯示區(qū)域還包括多條用于向像素電路提供電源電壓的第二信號線，并且其中顯示裝置還包括用于傳送從第二信號線提供的電源電壓的電源線，該電源線形成在多路分解單元和數(shù)據(jù)驅(qū)動器之間，與第一信號線絕緣且與其交叉。
16.如權(quán)利要求15的顯示裝置，其中第一電源耦接到電源線。
17.如權(quán)利要求1的顯示裝置，其中像素電路包括通過數(shù)據(jù)線傳送的電流所流向的晶體管；耦接在晶體管源極和柵極之間的電容，用于存儲與流向晶體管的電流對應(yīng)的電壓；以及發(fā)光元件，用于發(fā)射與根據(jù)存儲在電容中的電壓流向晶體管的電流對應(yīng)的光。
18.如權(quán)利要求17的顯示裝置，其中發(fā)光元件使用有機(jī)材料的電致發(fā)光的光發(fā)射。
19.一種顯示裝置，包括顯示區(qū)域，包括在一個方向上延伸的第一和第二數(shù)據(jù)線和耦接到第一和第二數(shù)據(jù)線的多個像素電路；第一信號線；第一采樣/保持電路，耦接在第一信號線和第一數(shù)據(jù)線之間，用于將顯示圖像所用的第一數(shù)據(jù)電流保持到第一數(shù)據(jù)線；第二采樣/保持電路，耦接在第一信號線和第二數(shù)據(jù)線之間，用于將顯示圖像所用的第二數(shù)據(jù)電流保持到第二數(shù)據(jù)線；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，耦接到第一信號線，用于將分別對應(yīng)于第一和第二數(shù)據(jù)電流的第一和第二電流依次傳送到第一信號線；第一預(yù)充電電路，耦接到第一采樣/保持電路，用于在將第一電流施加到第一信號線之前將第一預(yù)充電電流傳送到第一信號線；以及第二預(yù)充電電路，耦接到第二采樣/保持電路，用于在將第二電流施加到第一信號線之前將第二預(yù)充電電流傳送到第一信號線，其中第一和第二采樣/保持電路在一個水平周期中分別對第一和第二電流進(jìn)行采樣并在下一個水平周期中分別保持第一和第二電流。
20.如權(quán)利要求19的顯示裝置，其中第一和第二預(yù)充電電流分別是第一和第二電流的大約M倍，其中M是一個大于1的實(shí)數(shù)。
21.如權(quán)利要求20的顯示裝置，其中第一和第二采樣/保持電路中的每個包括第一晶體管和耦接在第一晶體管源極和柵極之間的電容，并且其中第一和第二預(yù)充電電路的每個包括第二晶體管，并且其中當(dāng)將第一和第二預(yù)充電電流之一施加到第一信號線時，第一和第二晶體管的源極、柵極和漏極分別耦接，并且將第一和第二預(yù)充電電流之一傳送到第一和第二晶體管的漏極，并且其中當(dāng)將第一和第二電流之一施加到第一信號線時，將第一和第二晶體管的源極、柵極和漏極的至少之一分離并將第一和第二電流之一傳送到第一晶體管的漏極。
22.如權(quán)利要求19的顯示裝置，還包括第三采樣/保持電路，耦接在第一信號線和第一數(shù)據(jù)線之間，用于將第一數(shù)據(jù)電流保持到第一數(shù)據(jù)線；以及第四采樣/保持電路，耦接在第一信號線和第二數(shù)據(jù)線之間，用于將第二數(shù)據(jù)電流保持到第二數(shù)據(jù)線，其中當(dāng)?shù)谝缓偷诙蓸?保持電路保持第一和第二電流時第三和第四采樣/保持電路分別對第一和第二電流進(jìn)行采樣。
23.一種顯示裝置，包括顯示區(qū)域，包括在一個方向上延伸的第一和第二數(shù)據(jù)線和耦接到第一和第二數(shù)據(jù)線的多個像素電路；第一信號線；第一采樣/保持電路，具有耦接到第一信號線的輸入端；第二采樣/保持電路，具有耦接到第一信號線的輸入端；第三采樣/保持電路，耦接在第一采樣/保持電路的輸出端和第一數(shù)據(jù)線之間，用于將顯示圖像所用的第一數(shù)據(jù)電流保持到第一數(shù)據(jù)線；第四采樣/保持電路，耦接在第二采樣/保持電路的輸出端和第二數(shù)據(jù)線之間，用于將顯示圖像所用的第二數(shù)據(jù)電流保持到第二數(shù)據(jù)線；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，耦接到第一信號線，用于將分別對應(yīng)于第一和第二數(shù)據(jù)電流的第一和第二電流依次傳送到第一信號線；第一預(yù)充電電路，耦接到第一采樣/保持電路，用于在將第一電流施加到第一信號線之前將第一預(yù)充電電流傳送到第一信號線；以及第二預(yù)充電電路，耦接到第二采樣/保持電路，用于在將第二電流施加到第一信號線之前將第二預(yù)充電電流傳送到第一信號線，其中第一和第二采樣/保持電路在水平周期的第一部分中分別對第一和第二電流進(jìn)行采樣并在水平周期的第二部分中保持所采樣的電流，并且第三和第四采樣/保持電路在該第二部分中對由第一和第二采樣/保持電路保持的電流進(jìn)行采樣并在該第一部分中保持第一和第二數(shù)據(jù)電流。
24.如權(quán)利要求23的顯示裝置，其中第一和第二預(yù)充電電流分別是第一和第二電流的大約M倍，其中M是一個大于1的實(shí)數(shù)。
25.如權(quán)利要求24的顯示裝置，其中第一和第二采樣/保持電路中的每個包括第一晶體管和耦接在第一晶體管源極和柵極之間的電容，第一和第二預(yù)充電電路中的每個包括第二晶體管，當(dāng)將第一和第二預(yù)充電電流之一施加到第一信號線時，第一和第二晶體管的源極、柵極和漏極分別耦接，并且將第一和第二預(yù)充電電流之一傳送到第一和第二晶體管的漏極，并且當(dāng)將第一和第二電流之一施加到第一信號線時，將第一和第二晶體管的源極、柵極和漏極中的至少之一分離，并將第一和第二電流之一傳送到第一晶體管的漏極。
26.一種顯示裝置，包括多條用于傳送顯示圖像所用的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)線，多個耦接到數(shù)據(jù)線且用于根據(jù)數(shù)據(jù)電流顯示圖像的像素電路，以及多條第一信號線，所述第一信號線對應(yīng)于數(shù)據(jù)線之中的至少兩條數(shù)據(jù)線并依次傳送對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流的電流，該顯示裝置包括數(shù)據(jù)驅(qū)動器，用于對與至少兩條數(shù)據(jù)線對應(yīng)的電流進(jìn)行分時，并將其施加到第一信號線；第一采樣/保持電路，用于對分時后并通過第一信號線施加的對應(yīng)于數(shù)據(jù)線之一的第一電流進(jìn)行采樣，第一采樣/保持電路包括第一晶體管和耦接到第一晶體管的源極和柵極的電容；以及預(yù)充電電路，耦接到第一采樣/保持電路，該預(yù)充電電路包括第二晶體管，其中在當(dāng)?shù)谝缓偷诙w管的源極、柵極和漏極耦接時將對應(yīng)于第一電流的預(yù)充電電流施加到第一信號線之后，在第一和第二晶體管的源極、柵極和漏極至少之一分離時將第一電流施加到第一信號線。
27.如權(quán)利要求26的顯示裝置，其中預(yù)充電電流是第一電流的大約M倍，并且從第二晶體管的(溝道寬度)/(溝道長度)的比率獲得的值是從第一晶體管的(溝道寬度)/(溝道長度)的比率獲得的值的大約(M-1)倍。
28.如權(quán)利要求26的顯示裝置，其中第一采樣/保持電路將所采樣的第一電流保持到數(shù)據(jù)線。
29.如權(quán)利要求26的顯示裝置，還包括耦接在第一采樣/保持電路的輸出端和數(shù)據(jù)線之間的第二采樣/保持電路，其中第一采樣/保持電路將所采樣的第一電流保持到第二采樣/保持電路的輸入端，并且第二采樣/保持電路對由第一采樣/保持電路保持的電流進(jìn)行采樣并將其保持到數(shù)據(jù)線。
30.一種顯示裝置，包括顯示區(qū)域，包括多條用于傳送顯示圖像所用的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)線和多條耦接到數(shù)據(jù)線的像素電路；多條第一信號線；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，耦接到所述多條第一信號線，該數(shù)據(jù)驅(qū)動器對與數(shù)據(jù)電流對應(yīng)的第一電流進(jìn)行分時并將分時后的第一電流傳送到所述多條第一信號線；以及多路分解單元，包括多個多路分解器和耦接到多路分解器至少之一的預(yù)充電單元，其中在數(shù)據(jù)驅(qū)動器通過第一信號線之一傳送第一電流之前，預(yù)充電單元響應(yīng)于控制信號將預(yù)充電電流傳送到第一信號線至少之一，預(yù)充電電流是第一數(shù)據(jù)電流的大約M倍，其中M是大于1的實(shí)數(shù)，并且其中多路分解器之一接收由數(shù)據(jù)驅(qū)動器通過第一信號線之一傳送的第一電流并將該第一電流傳送到至少兩條數(shù)據(jù)線。
全文摘要
公開了一種使用多路分解器的顯示裝置。多路分解器依次對由數(shù)據(jù)驅(qū)動器分時并提供的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣，并將其保持到數(shù)據(jù)線。由于當(dāng)執(zhí)行1∶N多路分解時，多路分解器在一個水平周期中要對與N條數(shù)據(jù)線對應(yīng)的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣，因此在1/N水平周期中對與一條數(shù)據(jù)線對應(yīng)的數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣。在本發(fā)明中，在將預(yù)充電電路耦接到采樣/保持電路并對數(shù)據(jù)電流進(jìn)行采樣之前用電流對耦接在多路分解器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器之間的信號線進(jìn)行預(yù)充電。預(yù)充電電流是數(shù)據(jù)電流的M倍，其中M是一個大于1的實(shí)數(shù)。
文檔編號H04J3/02GK1637793SQ20041009542
公開日2005年7月13日 申請日期2004年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月27日
發(fā)明者申東蓉 申請人:三星Sdi株式會社