專利名稱：互補金屬氧化物半導體圖像傳感器及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器及其制造方法；并且更具體地，涉及用于提高低于0.25μm的深亞微米技術中的工藝的可再現(xiàn)性以及用于滿足像素區(qū)的光學特性以及邏輯區(qū)的電特性的CMOS圖像傳感器。
背景技術：
通常，互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器是一種通過采用CMOS技術將光學圖像轉換成電信號的裝置。特別是，CMOS圖像傳感器采取一種開關模式即通過使用在相同數(shù)量的像素中制造的MOS晶體管來順序地檢測輸出。所述CMOS圖像傳感器與當前一般用作圖像傳感器的電荷耦合裝置(CCD)相比具有若干公知的優(yōu)點。在所述CMOS技術下，可實現(xiàn)容易的操作模式和各種掃描模式。同樣，信號處理電路可集成到單個芯片中，從而實現(xiàn)產(chǎn)品最小化，并且由于使用兼容的CMOS技術，制造成本也可被減少。另外，當使用CMOS圖像傳感器時，低功率消耗是所提供的另一優(yōu)點。
圖1是電路圖，示出典型CMOS圖像傳感器的單元像素。
參見圖1，CMOS圖像傳感器的單元像素包括一個埋入式光電二極管(BPD)以及四個N-溝道MOS(NMOS)晶體管。
四個NMOS晶體管包括轉移晶體管(Tx)，用于將從埋入式光電二極管所產(chǎn)生的光生電荷轉移到用作感測節(jié)點的浮動擴散區(qū)；復位晶體管(Rx)，用于將存儲于所述浮動擴散區(qū)中的光生電荷放電以檢測下一信號；驅動晶體管(MD)，用作源跟隨器緩沖放大器；以及選擇晶體管(Sx)，用于選擇性地輸出與所述光生電荷對應的電位值。
在此，轉移晶體管Tx和復位晶體管Rx被配置以具有極低閾電壓的固有NMOS晶體管以防止當電壓電平突然下降一正的閾電壓值、電荷/電子被放電時出現(xiàn)的電荷轉移效率的降低。
圖2是示出典型CMOS圖像傳感器的截面圖。特別地，圖2示出像素區(qū)中的晶體管以及用于從像素讀取數(shù)據(jù)的邏輯區(qū)中的晶體管。
如所示，埋入式光電二極管BPD具有作為p-型外延層(epi層)202的PNP結結構，p0-型雜質擴散區(qū)207以及N--型雜質擴散區(qū)208被堆疊。取代將離子植入工藝施加到用作轉移晶體管Tx柵電極之下的溝道的p-型epi層202的部分以調節(jié)如閾電壓特性及擊穿特性的晶體管特性，轉移晶體管Tx被配置于為具有極低閾電壓電平的NMOS晶體管的固有晶體管中，以使電荷轉移效率可得以最大化。在此，p-型epi層202的該部分以參考數(shù)字202A表示。同樣，形成在設置于轉移晶體管Tx和復位晶體管Rx之間的p-型epi層202表面之下的N+-型雜質擴散區(qū)209A僅為高摻雜的漏區(qū)，而不包括輕摻雜的漏(LDD)區(qū)，并且N+-型雜質擴散區(qū)209A是用作感測節(jié)點的浮動擴散區(qū)。作為N+-型雜質擴散區(qū)209A的該特定配置的結果，有可能根據(jù)所轉移的電荷量來放大浮動擴散區(qū)電位中的變化。
同時，該傳統(tǒng)的CMOS圖像傳感器籍由通過相關雙采樣(CDS)來檢測與光生電荷對應的電信號而讀取數(shù)據(jù)。為了迅速并穩(wěn)定地檢測電信號，需要這樣的與高速操作兼容的CMOS圖像傳感器。因此，為了提高傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器的晶體管的操作速度，柵電極206被形成于包括多晶硅層206A以及硅化鎢層206B的多酸(polycide)結構中。此多酸結構被應用到像素區(qū)及邏輯區(qū)中的晶體管。
同時，優(yōu)選的是應用自對準硅化物工藝以除柵電極之外在源/漏區(qū)上形成硅化物層。但是在傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器中，上述典型的自對準硅化物工藝導致硅化物層甚至被形成于埋入式光電二極管(BPD)的p0-型雜質擴散區(qū)207上，并且形成于p0-型雜質擴散區(qū)207上的該硅化物層阻擋埋入式光電二極管BPD檢測光。
如圖2中所示，由于該關鍵缺點，采用其中硅化物層僅形成在每個晶體管的柵電極206上的多酸柵結構。但是，在亞-0.25μm CMOS圖像傳感器中，多酸柵結構的使用不提供預期水平的操作速度。即，盡管在0.5μm或0.35μm CMOS圖像傳感器中關于操作速度多酸柵結構不是問題，在亞-0.25μm或0.18μm CMOS圖像傳感器中使用此多酸柵結構難以獲得預期水平的操作速度。
因此，在以下文獻中，建議在晶體管的柵及源/漏區(qū)上形成硅化物層同時遮蔽光電二極管區(qū)2001年3月8日被授予Sang-Hoon Park的韓國專利No.291179，標題為“ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor(CMOS)Image Sensor with Self-AlignedSilicide Layer and Method for Fabricating the Same，”。
圖3是示出在韓國專利No.291179中公開的CMOS圖像傳感器的像素的截面圖。
如所示，CMOS圖像傳感器的像素包括p-型epi層12，外延地生長于基片11上；埋入式光電二極管(BPD)，用于通過檢測外部光而產(chǎn)生光電荷，所述埋入式光電二極管BPD形成在該p-型epi層12內；N+-型浮動擴散區(qū)24A，用于存儲由埋入式光電二極管BPD所產(chǎn)生的光電荷，N+-型浮動擴散區(qū)24A形成在p-型epi層12部分表面之下；轉移晶體管Tx的柵，形成在設置于N+-型浮動擴散區(qū)24A及埋入式光電二極管BPD之間的p-型epi層12的部分上；以及N+-型漏結24B，形成在p-型epi層12表面的另一部分之下；復位晶體管RX的柵，形成在設置于N+-型浮動擴散區(qū)24A及N+-型漏結24B之間的p-型epi層12的部分上；p-阱13；N+-型雜質擴散區(qū)24C，用于在形成于p-阱13表面之下的源/漏區(qū)中使用；驅動晶體管MD，具有與N+-型浮動擴散區(qū)24A電連接的柵(未示出)；以及選擇晶體管Sx，包括N+-型雜質擴散區(qū)24C。除了埋入式光電二極管BPD之外，硅化物層25被形成在下述區(qū)域上轉移晶體管Tx的柵、復位晶體管RX的柵、N+-型浮動擴散區(qū)24A、N+-型漏結24B、驅動晶體管MD及選擇晶體管Sx的柵以及N+-型雜質擴散區(qū)24C。
同樣，基于原硅酸四乙酯(TEOS)的氧化物圖案21A被形成于埋入式光電二極管BPD上以防止形成自對準硅化物層。氧化物圖案21A與間隔物21B同時形成在每個柵的側壁上。即，氧化物圖案21A與間隔物21B基于相同的材料。
在韓國專利No.291179中公開的以上方法中，自對準硅化物層在光電二極管被遮蔽的同時形成于像素區(qū)及邏輯區(qū)中的晶體管上。但是根據(jù)該所公開的方法，硅化物層可形成于N+-型浮動擴散區(qū)24A的表面上。因此，在N+-型浮動擴散區(qū)24A處，泄漏電流增加。
由于CMOS圖像傳感器檢測像素區(qū)中N+-型浮動擴散區(qū)處電位中的變化并且使用此檢測作為數(shù)據(jù)，在N+-型浮動擴散區(qū)處的泄漏電流成為電信號檢測中的關鍵錯誤的起因。尤其是，泄漏電流也導致暗特性中的降級，這產(chǎn)生缺陷，其中顯示屏在暗狀態(tài)中變白。由于這個原因，對于作為感測節(jié)點的浮動擴散區(qū)的泄漏電流容易受到影響的硅化物層的應用可增加產(chǎn)生上述缺陷的可能性。同樣，如圖3所示，盡管有一個被提議的方法以在轉移晶體管柵的邊緣處阻擋自對準硅化物層，在0.18μm晶體管中，尺寸太小而不能得到好的工藝的再現(xiàn)性。另外，如果自對準硅化物層的形成在柵的邊緣處被阻擋，則可難以在柵上均勻地形成自對準硅化物層。

發(fā)明內容
因此本發(fā)明的目的是提供一種互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器，其能夠在被應用以超細線寬的設計規(guī)則的裝置中獲得期望水平的操作速度以及光檢測特性，并且能夠抑制在用作像素區(qū)中的感測節(jié)點的浮動擴散區(qū)處的泄漏電流的發(fā)生。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器，包括像素區(qū)，提供有多個單元像素，每個包括埋入式光電二極管及浮動擴散區(qū)；以及邏輯區(qū)，提供有用于處理從單元像素輸出的數(shù)據(jù)的CMOS裝置，其中自對準硅化物層形成于邏輯區(qū)中的CMOS裝置的柵電極和源/漏區(qū)上，而自對準硅化物阻擋層形成在像素區(qū)之上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器，包括像素區(qū)，提供有多個單元像素，形成包括埋入式光電二極管及浮動擴散區(qū)的每個；以及邏輯區(qū)，提供有用于處理從單元像素輸出的數(shù)據(jù)的CMOS裝置，其中自對準硅化物阻擋層形成于從埋入式光電二極管延伸到浮動擴散區(qū)的區(qū)域之上，而自對準硅化物層形成于像素區(qū)中除了形成自對準硅化物阻擋層的區(qū)域之外的裝置上，并且形成在邏輯區(qū)中的CMOS裝置的柵電極和源/漏區(qū)上。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器的單元像素，包括第一傳導型的半傳導層；埋入式光電二極管，其形成于所述半傳導層中；第二傳導型的浮動擴散區(qū)，形成于所述半傳導層表面的部分之下并且包括高摻雜的雜質區(qū)；轉移晶體管的柵，形成在設置于浮動擴散區(qū)和埋入式光電二極管之間的半傳導層上；第二傳導型的漏結，形成在所述半傳導層表面的另一部分之下并且包括高摻雜的雜質區(qū)；復位晶體管的柵，形成在設置于浮動擴散區(qū)和漏結之間的半傳導層上；第一傳導型的阱區(qū)，形成在半傳導層的部分中，其中未形成埋入式光電二極管、轉移晶體管的柵、浮動擴散區(qū)及復位晶體管的柵；以及驅動晶體管和選擇晶體管，每個形成于阱區(qū)上并且包括高摻雜的雜質區(qū)及低摻雜的雜質擴散區(qū)，其中自對準硅化物阻擋層形成于埋入式光電二極管、轉移晶體管的柵以及浮動擴散區(qū)上，而自對準硅化物層形成在驅動晶體管和選擇晶體管的柵、漏結以及所述阱區(qū)的高摻雜的及低摻雜的雜質區(qū)之上。
根據(jù)本發(fā)明的進一步的方面，提供了一種用于制造互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器的方法，包括在半傳導層的像素區(qū)和邏輯區(qū)中分別形成配置單元像素的裝置以及用于處理從單元像素輸出的數(shù)據(jù)的CMOS裝置；形成覆蓋像素區(qū)并開放邏輯區(qū)的柵電極及源/漏區(qū)的自對準硅化物阻擋層；在像素區(qū)和邏輯區(qū)之上形成過渡金屬層；執(zhí)行快速熱退火工藝，從而形成自對準硅化物層；以及去除形成于自對準硅化物阻擋層上的過渡金屬層的非反應部分。
根據(jù)本發(fā)明的另一進一步的方面，提供了一種用于制造互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器的方法，包括在半傳導層的像素區(qū)和邏輯區(qū)中分別形成配置包括埋入式光電二極管和浮動擴散區(qū)的單元像素的裝置以及用于處理從單元像素輸出的數(shù)據(jù)的CMOS裝置；在從埋入式光電二極管延伸到浮動擴散區(qū)的區(qū)之上形成自對準硅化物阻擋層；在像素區(qū)和邏輯區(qū)之上形成過渡金屬層；執(zhí)行快速熱工藝，從而在除自對準硅化物阻擋層所形成的區(qū)域之外的像素和邏輯區(qū)上形成自對準硅化物層；以及去除形成于自對準硅化物阻擋層上的過渡金屬層的非反應部分。


關于下面結合附圖給出的優(yōu)選實施例的描述，本發(fā)明的以上及其他目的和特征將變得更好理解。
圖1是電路圖，示出傳統(tǒng)互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器的單元像素；圖2是示出傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器的單元像素的結構的圖；圖3是示出另一被設計的傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器的單元像素的結構的截面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的CMOS圖像傳感器的結構的截面圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的CMOS圖像傳感器的結構的截面圖。
具體實施例方式
下文中，將參考附圖詳細描述根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器及其制造方法。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的CMOS圖像傳感器的截面圖。
如所示，硅化物阻擋層450形成于整個像素區(qū)上，所述像素區(qū)包括埋入式光電二極管BPD，作為感測節(jié)點的N+-型浮動擴散區(qū)424A，以及配置單元像素的其它裝置。在邏輯區(qū)中，硅化物層470形成于CMOS裝置的每個柵以及用作源/漏區(qū)的高摻雜的N+-型雜質區(qū)426A以及P+-型雜質擴散區(qū)426B兩者上。在此，硅化物層是自對準硅化物層。
如果硅化物層形成于除像素區(qū)之外的邏輯區(qū)的源/漏區(qū)上，可提高CMOS圖像傳感器的操作速度，所述CMOS圖像傳感器通過相關雙采樣模式來檢測對應于光產(chǎn)生電荷的電信號。同樣，不同于傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器，硅化物層不形成于作為感測節(jié)點的浮動擴散區(qū)上。結果是，有可能抑制泄漏電流的產(chǎn)生。另外，不象傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器，整個像素區(qū)被保護不受硅化物工藝的影響，并且因此可提高裝置制造過程的再現(xiàn)性，所述裝置制造過程被應用約0.18μm超細線寬的設計規(guī)則。
下文中，將詳細描述根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的圖像傳感器的結構。
如上所述，CMOS圖像傳感器包括像素區(qū)和邏輯區(qū)。像素區(qū)的單元像素包括p-型epi層412，外延地生長于基片401上；埋入式光電二極管BPD，用于通過檢測來自外部的光而產(chǎn)生光電荷，所述埋入式光電二極管BPD形成于p-型epi層412中；N+-型浮動擴散區(qū)424A，用于存儲從埋入式光電二極管BPD產(chǎn)生的光電荷，N+-型浮動擴散區(qū)424A形成在p-型epi層412表面的部分之下；轉移晶體管Tx的柵，形成在設置于N+-型浮動擴散區(qū)424A及埋入式光電二極管BPD之間的p-型epi層412的部分上；N+-型漏結424B，形成在p-型epi層412表面的另一部分之下；復位晶體管RX的柵，形成在設置于N+-型浮動擴散區(qū)424A以及N+-型漏結424B之間的p-型epi層412的部分上；p-阱413；N+-型雜質擴散區(qū)424C，形成在p-阱413中；驅動晶體管Dx，具有與N+-型浮動擴散區(qū)424A電連接的柵(未示出)；以及選擇晶體管Sx，包括形成在p-阱413中的N+-型雜質擴散區(qū)424C。
如上所述，硅化物阻擋層450形成在整個像素區(qū)之上。由于埋入式光電二極管BPD需要接收光，硅化物阻擋層450是通過使用具有光透明特性的氧化物層而形成的，并且在阻擋硅化物層在像素區(qū)中形成中起作用。盡管在前述解釋中已提供，在硅化物層470于邏輯區(qū)中形成之后，硅化物阻擋層450可被去除或者保留。
在邏輯區(qū)中，存在CMOS裝置，其包括N溝道金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管及P溝道MOS(PMOS)晶體管。所述CMOS裝置是用于處理從單元像素輸出的數(shù)據(jù)的裝置。應該注意的是硅化物層470形成在NMOS晶體管及PMOS晶體管的柵以及高摻雜的N+-型雜質擴散區(qū)426A及高度摻雜的P+-型雜質擴散區(qū)426B上。
將詳細描述用于制造以上述結構而構造的CMOS圖像傳感器的方法。
首先，形成在像素區(qū)中形成的上述裝置及用于處理從單元像素輸出的數(shù)據(jù)的邏輯區(qū)中的CMOS裝置。隨后，形成硅化物阻擋層450，其覆蓋轉移晶體管Tx、復位晶體管Rx、驅動晶體管Dx及選擇晶體管Sx的柵、N+-型浮動擴散區(qū)424A、N+-型漏結424B以及N+-型雜質擴散區(qū)424C，同時開放邏輯區(qū)中的NMOS晶體管及PMOS晶體管的柵、N+-型雜質擴散區(qū)426A以及P+-型雜質擴散區(qū)426B。
接著，過渡金屬層形成在以上結果的結構上并且經(jīng)受熱工藝以形成自對準硅化物層470。在所述熱工藝期間，來自過渡金屬層的過渡金屬與來自邏輯區(qū)中的柵及N+-型和P+-型雜質擴散區(qū)426A和426B的硅反應以形成自對準硅化物層470。由于硅化物阻擋層450，自對準硅化物層470不形成在像素區(qū)中，因為過渡金屬層不與未包括硅的硅化物阻擋層450反應。之后，形成在硅化物阻擋層450上不反應的過渡金屬層被去除。
在硅化物工藝的更多細節(jié)中，鈦層以范圍從約300到約500的厚度形成在以上結果的基片結構上，并且隨后，第一快速熱退火工藝以范圍從大約700℃到大約750℃的溫度在所述鈦層上執(zhí)行。由于該第一快速熱退火工藝，來自鈦層的鈦與來自由多晶硅制成的柵電極以N+-型和P+-型雜質擴散區(qū)426A和426B的硅反應，從而獲得自對準硅化物層450。之后，設置在硅化物阻擋層450上的鈦層的非反應部分通過使用含有氫氧化銨(NH4OH)的溶液被去除。第二快速熱退火工藝以范圍從大約820℃到大約870℃的溫度被執(zhí)行，以在暴露的柵電極以及N+-型和P+-型雜質擴散區(qū)426A和426B上形成硅化鈦層。在此，除使用鈦之外，其它過渡金屬如鈷也可使用。因為下一施加的工藝是層間絕緣工藝，硅化物阻擋層450可不去除。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的CMOS圖像傳感器的截面圖。
在根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的CMOS圖像傳感器中，硅化物阻擋層550形成在埋入式光電二極管(BPD)、轉移晶體管Tx的柵、N+-型浮動擴散區(qū)524A以及復位晶體管Rx柵的部分上，而硅化物層570形成在配置像素區(qū)中的單元像素的那些裝置之上以及邏輯區(qū)中的CMOS裝置之上。即，硅化物層570形成在驅動晶體管Dx、選擇晶體管Sx、NMOS晶體管、PMOS晶體管的柵，N+-型漏結524B、N+-型雜質擴散區(qū)524C以及N+-型和P+-型雜質擴散區(qū)526A和526B上。應該注意的是，除硅化物阻擋層550所形成的位置，根據(jù)第二實施例的CMOS圖像傳感器制造方法與本發(fā)明的第一實施例中所描述的CMOS圖像傳感器制造方法相同。因此，將省略對于根據(jù)第二實施例的CMOS圖像傳感器的詳細描述。
特別地，圖5中所示的CMOS圖像傳感器的結構提供了除所述的應用第一實施例時所獲得的優(yōu)點之外的優(yōu)點。在附加優(yōu)點的更多的細節(jié)中，有可能通過減小每個驅動晶體管Dx的柵的接觸電阻來保持精確的感測能力，其通過被設置在幾十萬到幾百萬像素之內而在感測信號中起作用。同樣，有可能關于選擇晶體管Sx而抑制時序延遲的發(fā)生，并且作為此優(yōu)點的結果，可獲得高質量的圖像以及高操作速度。同樣，由于硅化物層在作為感測節(jié)點的浮動擴散區(qū)不存在，不產(chǎn)生泄漏電流。另外，有可能提高的再現(xiàn)性，所述CMOS工藝應用0.18μm超細線寬的設計規(guī)則。
盡管本發(fā)明已關于某些優(yōu)選實施例被描述，對于本領域技術人員來說顯而易見的是，可進行各種修改和變化而不背離由所附權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。
權利要求
1.一種互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器，包括像素區(qū)，提供有多個單元像素，每個包括埋入式光電二極管以及浮動擴散區(qū)；以及邏輯區(qū)，提供有用于處理從所述單元像素輸出的數(shù)據(jù)的CMOS裝置，其中自對準硅化物層形成在所述邏輯區(qū)中的所述CMOS裝置的柵電極和源/漏區(qū)上，而自對準硅化物阻擋層形成在所述像素區(qū)之上。
2.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其中所述自對準硅化物阻擋層是透明氧化物層。
3.一種互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器，包括像素區(qū)，提供有多個單元像素，每個包括埋入式光電二極管及浮動擴散區(qū)；以及邏輯區(qū)，提供有用于處理從所述單元像素輸出的數(shù)據(jù)的CMOS裝置，其中自對準硅化物阻擋層形成在從所述埋入式光電二極管延伸到所述浮動擴散區(qū)的區(qū)之上，而自對準硅化物層形成在所述像素區(qū)中除所述自對準硅化物阻擋層所形成的區(qū)之外的裝置上，并且形成在所述邏輯區(qū)中的所述CMOS裝置的柵電極和源/漏區(qū)上。
4.如權利要求3所述的CMOS圖像傳感器，其中所述自對準硅化物阻擋層是透明氧化物層。
5.一種互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器的單元像素，包括第一傳導型的半傳導層；埋入式光電二極管，形成于所述半傳導層中；第二傳導型的浮動擴散區(qū)，形成在所述半傳導層的部分表面之下并且包括高摻雜的雜質區(qū)；轉移晶體管的柵，形成在設置于所述浮動擴散區(qū)和所述埋入式光電二極管之間的所述半傳導層上；第二傳導型的漏結，形成在所述半傳導層表面的另一部分之下并且包括高摻雜的雜質區(qū)；復位晶體管的柵，形成在設置于所述浮動擴散區(qū)和所述漏結之間的所述半傳導層上；第一傳導型的阱區(qū)，形成在所述半傳導層的部分中，其中形成所述埋入式光電二極管、所述轉移晶體管的柵、所述浮動擴散區(qū)以及所述復位晶體管的柵；以及驅動晶體管和選擇晶體管，每個形成在所述阱區(qū)上并且包括高摻雜的雜質區(qū)以及低摻雜的雜質擴散區(qū)，其中自對準硅化物阻擋層形成在所述埋入式光電二極管、所述轉移晶體管的柵以及所述浮動擴散區(qū)上，而自對準硅化物層形成在所述驅動晶體管和所述選擇晶體管的柵、所述漏結以及所述阱區(qū)的高摻雜的和低摻雜的雜質區(qū)之上。
6.如權利要求5所述的CMOS圖像傳感器的單元像素，其中所述自對準硅化物阻擋層延伸到所述復位晶體管的柵的部分。
7.如權利要求5所述的CMOS圖像傳感器的單元像素，其中所述自對準硅化物阻擋層是透明氧化物層。
8.一種用于制造互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器的方法，包括在半傳導層的像素區(qū)和邏輯區(qū)中分別形成配置單元像素的裝置及用于處理從所述單元像素輸出的數(shù)據(jù)的CMOS裝置；形成覆蓋所述像素區(qū)并開放所述邏輯區(qū)的柵電極及源/漏區(qū)的自對準硅化物阻擋層；在所述像素區(qū)和所述邏輯區(qū)之上形成過渡金屬層；執(zhí)行快速熱退火工藝，從而形成自對準硅化物層；以及去除形成在所述自對準硅化物阻擋層上的所述過渡金屬層的非反應部分。
9.如權利要求8所述的方法，其中所述自對準硅化物阻擋層是透明氧化物層。
10.如權利要求8所述的方法，其中所述快速熱工藝以范圍從大約700℃到大約750℃的溫度被執(zhí)行。
11.一種用于制造互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器的方法，包括在半傳導層的像素區(qū)和邏輯區(qū)中分別形成配置包括埋入式光電二極管及浮動擴散區(qū)的單元像素的裝置以及用于處理從所述單元像素輸出的數(shù)據(jù)的CMOS裝置；在從所述埋入式光電二極管延伸到所述浮動擴散區(qū)的區(qū)之上，形成自對準硅化物阻擋層；在所述像素區(qū)和所述邏輯區(qū)之上形成過渡金屬層；執(zhí)行快速熱工藝，從而在除了所述自對準硅化物阻擋層所形成的區(qū)之外的像素和邏輯區(qū)上形成自對準硅化物層；以及去除形成在所述自對準硅化物阻擋層上的所述過渡金屬層的非反應部分。
12.如權利要求11所述的方法，其中所述自對準硅化物阻擋層是透明氧化物層。
13.如權利要求11所述的方法，其中所述快速熱工藝以范圍從大約700℃到大約750℃的溫度被執(zhí)行。
全文摘要
一種互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器及其制造方法被公開。所述CMOS圖像傳感器包括像素區(qū)，提供有多個單元像素，每個包括埋入式光電二極管以及浮動擴散區(qū)；以及邏輯區(qū)，提供有用于處理從單元像素輸出的數(shù)據(jù)的CMOS裝置，其中自對準硅化物層形成在邏輯區(qū)中的CMOS裝置的柵電極和源/漏區(qū)上，而自對準硅化物阻擋層形成在像素區(qū)之上。
文檔編號H04N5/357GK1828916SQ20051013760
公開日2006年9月6日 申請日期2005年12月26日 優(yōu)先權日2005年2月28日
發(fā)明者李柱日 申請人:美格納半導體有限會社