專(zhuān)利名稱(chēng)：硅基振膜電容式傳聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種傳聲器，尤其涉及一種硅基振膜電容式傳聲器。
背景技術(shù)：
傳聲器被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話、MP3、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、耳機(jī)、復(fù)讀機(jī)、電話機(jī)等聲電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。傳統(tǒng)的傳聲器一般由外殼、鍍金屬聚酯膜片(膜環(huán))、墊片、背極、銅環(huán)、塑料腔體、線路板、場(chǎng)效應(yīng)管、電容、電阻等組成。利用膜片遭遇聲信號(hào)作用產(chǎn)生振動(dòng)而改變電容量，以導(dǎo)致電信號(hào)隨之相應(yīng)改變，從而傳輸聲信號(hào)。該外殼一般為方柱形或圓柱形，其底部開(kāi)設(shè)有聲壓孔，外貼無(wú)紡布，以遮蔽灰塵并調(diào)節(jié)作用于膜片上的聲壓信號(hào)。該膜片與背極通過(guò)墊片隔開(kāi)而形成電容，提供電壓的駐極體或是膜片本身，或是位于背極上的薄層。
由于產(chǎn)品的組裝是將組件順序疊放排列，最后采用粘合或卷邊機(jī)卷邊封裝，在封裝過(guò)程中墊片等受壓制或外力作用，會(huì)有不同程度的變形，且各組件形變和位移很難完全一致，所以，成品單體之間的一致性很難保證，從而造成產(chǎn)品靈敏度分散，對(duì)檔率不高等問(wèn)題，這對(duì)于制造商來(lái)說(shuō)，生產(chǎn)成本增加是不可避免的，上述問(wèn)題急需解決。
另一方面，上述傳統(tǒng)的傳聲器由于其塑料腔體以及墊片的耐溫性能的局限，無(wú)法承受過(guò)回流焊(reflow solder)的高溫，因此，對(duì)于客戶來(lái)說(shuō)，一般只能采用手工焊接，而不可能隨同其他IC元件一起實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化的焊接工藝。而且，焊接的集成線路板必須為其預(yù)留出空間位置，然后采取手工焊接，這對(duì)于工業(yè)化批量生產(chǎn)來(lái)說(shuō)，勢(shì)必造成嚴(yán)重的障礙。同時(shí)，手工焊接過(guò)程存在諸多不穩(wěn)定因素，又會(huì)使客戶的產(chǎn)品產(chǎn)生新的潛在的質(zhì)量問(wèn)題。
現(xiàn)有的硅基傳聲器在一定程度上解決了上述傳統(tǒng)傳聲器存在的問(wèn)題，但由于其振膜與背極很小，采用外偏置電壓，需要額外的引線和增加提供穩(wěn)定的偏置電壓的升壓電路，這樣不僅產(chǎn)生潛在的電路干擾，而且結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，其靈敏度和信噪比不高；在產(chǎn)品進(jìn)一步微型化方面受到一定局限。另外，使用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)放大電路不僅產(chǎn)生較大的干擾信號(hào)，而且，對(duì)電磁兼容(EMC)要求提高，這對(duì)于常規(guī)傳聲器產(chǎn)品來(lái)說(shuō)都是非常不利的。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種對(duì)檔率高、可批量自動(dòng)化生產(chǎn)，而且可避免上述硅基傳聲器噪聲干擾大及難于進(jìn)一步微型化的問(wèn)題的硅基振膜電容式傳聲器。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是提供一種硅基振膜電容式傳聲器，其包括一外殼，該外殼內(nèi)設(shè)置有振膜及線路板，該外殼兼作傳聲器的背極，該振膜是硅基振膜，振膜正對(duì)外殼的表面具有等高的絕緣凸臺(tái)，該振膜與外殼通過(guò)該絕緣凸臺(tái)隔開(kāi)而形成電容。
與現(xiàn)有技術(shù)相較，本實(shí)用新型的振膜為硅基振膜，且振膜上具有等高的絕緣凸臺(tái)，該絕緣凸臺(tái)受壓制或外力作用不會(huì)變形，其對(duì)檔率高；本實(shí)用新型的傳聲器未使用塑料腔體及墊片，其可承受過(guò)回流焊的高溫，可隨同其他IC元件一起實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化的焊接工藝；另外，本實(shí)用新型的外殼兼作傳聲器的背極，可使傳聲器做得更??；振膜無(wú)需采用外偏置電壓及CMOS放大電路，電荷可直接駐極在外殼上或振膜上，因此避免了上述現(xiàn)有技術(shù)中硅基傳聲器噪聲干擾大的問(wèn)題。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的剖視示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例包括一外殼1，該外殼1內(nèi)設(shè)置有依次層疊的振膜2及線路板3。該外殼1與振膜2、線路板3的徑向截面形狀一致，其徑向截面為方形或圓形，且外殼1與振膜2的尺寸接近緊配合，外殼1兼作傳聲器的背極。該振膜2是由硅片經(jīng)微機(jī)械加工而成的硅基振膜，振膜2正對(duì)外殼1的表面蝕刻出等高的絕緣凸臺(tái)4，電荷直接駐極在振膜2上，從而保證外殼1與振膜2形成電容，并確保腔內(nèi)氣流的運(yùn)動(dòng)，即保證均勻的聲阻。本實(shí)用新型采用微機(jī)械加工技術(shù)保證絕緣凸臺(tái)4的高度一致，從而可以大大提高產(chǎn)品的對(duì)檔率。
上述振膜2的另一表面采用半導(dǎo)體制作工藝集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管5、負(fù)載電阻6及電容7，場(chǎng)效應(yīng)晶體管5、負(fù)載電阻6、電容7通過(guò)綁定工藝與線路板3連接。線路板3與外殼1通過(guò)特制的膠水進(jìn)行粘接固定，從而保證傳聲器產(chǎn)品的進(jìn)一步微型化。
進(jìn)行成品組裝時(shí)，首先在振膜2的兩側(cè)涂上特制的膠水，然后，將振膜2放入外殼1中，再放入線路板3粘合。振膜2與外殼1之間通過(guò)振膜2上的絕緣凸臺(tái)4支撐，而形成所需的電容結(jié)構(gòu)。為保證該電容結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性與可靠性，振膜2的等高絕緣凸臺(tái)4通過(guò)特制的膠水與外殼1粘接固定，振膜2的邊框也通過(guò)特制的膠水8與外殼1粘接固定。
上述振膜2與外殼1通過(guò)絕緣凸臺(tái)4隔開(kāi)而形成電容，該絕緣凸臺(tái)4的結(jié)構(gòu)可以是位于振膜2上凸伸出的至少二凸點(diǎn)、至少二支撐邊或帶槽的支撐框。
權(quán)利要求1.一種硅基振膜電容式傳聲器，包括一外殼，該外殼內(nèi)設(shè)置有振膜及線路板，其特征在于該外殼兼作傳聲器的背極，該振膜是硅基振膜，振膜正對(duì)外殼的表面具有等高的絕緣凸臺(tái)，該振膜與外殼通過(guò)該絕緣凸臺(tái)隔開(kāi)而形成電容。
2.如權(quán)利要求1所述的硅基振膜電容式傳聲器，其特征在于所述振膜的等高絕緣凸臺(tái)通過(guò)膠水與外殼粘接固定。
3.如權(quán)利要求1所述的硅基振膜電容式傳聲器，其特征在于所述振膜的邊框通過(guò)膠水與外殼粘接固定。
4.如權(quán)利要求1所述的硅基振膜電容式傳聲器，其特征在于所述線路板通過(guò)膠水與外殼粘接固定。
5.如權(quán)利要求1所述的硅基振膜電容式傳聲器，其特征在于所述振膜的另一表面集成有場(chǎng)效應(yīng)晶體管、負(fù)載電阻及電容。
6.如權(quán)利要求5所述的硅基振膜電容式傳聲器，其特征在于所述振膜上集成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管、負(fù)載電阻、電容通過(guò)綁定工藝與線路板連接。
7.如權(quán)利要求1所述的硅基振膜電容式傳聲器，其特征在于所述絕緣凸臺(tái)為位于振膜上凸伸出的至少二凸點(diǎn)、至少二支撐邊或帶槽的支撐框。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種硅基振膜電容式傳聲器，其包括一外殼，該外殼內(nèi)設(shè)置有振膜及線路板，該外殼兼作傳聲器的背極，該振膜是硅基振膜，振膜正對(duì)外殼的表面具有等高的絕緣凸臺(tái)，該振膜與外殼通過(guò)該絕緣凸臺(tái)隔開(kāi)而形成電容。本實(shí)用新型的傳聲器對(duì)檔率高、可批量自動(dòng)化生產(chǎn)、可做得很薄，而且無(wú)需采用外偏置電壓及CMOS放大電路。
文檔編號(hào)H04R19/00GK2834074SQ200520057960
公開(kāi)日2006年11月1日 申請(qǐng)日期2005年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月11日
發(fā)明者王麗, 李軍, 胡宗保 申請(qǐng)人:深圳市豪恩電聲科技有限公司