專利名稱：立體聲分離調(diào)整電路及其mos集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)立體聲信號(hào)的分離電平(separation level)進(jìn)行調(diào)整的電路以及搭載有該電路的MOS集成電路。
背景技術(shù)：
在FM接收機(jī)中設(shè)置有立體聲分離(stereo separation)調(diào)整電路，其用于在FM信號(hào)的接收信號(hào)強(qiáng)度較弱時(shí)，使左右信號(hào)的分離電平下降并接近單聲道接收以減少噪聲，在接收信號(hào)強(qiáng)度較強(qiáng)時(shí)，提高分離電平以自動(dòng)進(jìn)行立體聲接收。
在車載用的FM接收機(jī)中，因?yàn)槎嗦吩肼暤挠绊戄^大，所以，為了除去多路噪聲，就需要有分離調(diào)整電路。
為了減少FM接收機(jī)中的多路噪聲，例如，在專利文獻(xiàn)1中，記載了如下技術(shù)檢測(cè)多路電波量，對(duì)應(yīng)于該檢測(cè)出的多路電波量來(lái)控制分離量。
此外，在車載用FM接收機(jī)中，在自動(dòng)調(diào)整立體聲分離的情況下，接收狀態(tài)急劇并且周期性地或者隨機(jī)地變化時(shí)，反復(fù)進(jìn)行增大立體聲分離的控制或者減小立體聲分離的控制，存在在聲音上產(chǎn)生不穩(wěn)、刺耳的問(wèn)題。為了解決這樣的問(wèn)題，在專利文獻(xiàn)2中，記載了如下技術(shù)保持分離極限值和斜率不同的三個(gè)圖形以上的特性曲線，在當(dāng)前的電場(chǎng)強(qiáng)度比前次檢測(cè)出的電場(chǎng)強(qiáng)度大時(shí)，選擇分離極限值和斜率較大的特性曲線。
作為立體聲分離調(diào)整電路存在如下電路例如，在由MOS晶體管構(gòu)成的差動(dòng)放大電路的源極側(cè)連接可變電流源，改變可變電流源的電流值，以調(diào)整分離電平。由于在這種結(jié)構(gòu)的電路中，通過(guò)調(diào)整分離電平，使差動(dòng)放大電路的MOS晶體管中流動(dòng)的電流發(fā)生變化，所以，存在輸出電壓的動(dòng)態(tài)范圍會(huì)變窄的問(wèn)題。
專利文獻(xiàn)1特開(kāi)2000-49723號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開(kāi)平11-298426號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題是使得能夠確保輸出電壓的動(dòng)態(tài)范圍并且可任意調(diào)整分離電平。
本發(fā)明的立體聲分離調(diào)整電路具備第一和第二差動(dòng)放大電路，對(duì)用于解調(diào)立體聲復(fù)合信號(hào)的預(yù)定頻率的信號(hào)進(jìn)行差動(dòng)放大；第一MOS晶體管，與所述第一差動(dòng)放大電路級(jí)聯(lián)連接，對(duì)柵極輸入立體聲復(fù)合信號(hào)；第二MOS晶體管，與所述第二差動(dòng)放大電路級(jí)聯(lián)連接，對(duì)柵極輸入將立體聲復(fù)合信號(hào)反轉(zhuǎn)后的信號(hào)或者基準(zhǔn)電壓；切換電路，在所述第一和第二MOS晶體管的源極間并聯(lián)連接有多個(gè)包含電阻和開(kāi)關(guān)元件的電路；第一電流源，連接在所述第一MOS晶體管上；以及第二電流源，連接在所述第二MOS晶體管上，其中，接通、斷開(kāi)所述開(kāi)關(guān)元件，使所述第一和第二MOS晶體管的源極間的電阻值變化，調(diào)整分離電平。
按照本發(fā)明，可不使立體聲分離調(diào)整電路的輸出電壓的動(dòng)態(tài)范圍變窄地來(lái)調(diào)整分離電平。
本發(fā)明的其他方式是所述第一和第二差動(dòng)放大電路包括向柵極輸入導(dǎo)頻信號(hào)的兩倍頻率的交流信號(hào)和其反轉(zhuǎn)信號(hào)的四個(gè)MOS晶體管，所述開(kāi)關(guān)元件是并聯(lián)連接p溝道MOS晶體管和n溝道MOS晶體管而構(gòu)成的。
通過(guò)這樣構(gòu)成，可混合調(diào)整了立體聲復(fù)合信號(hào)的信號(hào)電平的信號(hào)和導(dǎo)頻信號(hào)的兩倍頻率的信號(hào)，以對(duì)立體聲的R、L信號(hào)進(jìn)行解調(diào)。
本發(fā)明的其他的立體聲分離調(diào)整電路具備第一和第二差動(dòng)放大電路，對(duì)用于解調(diào)立體聲復(fù)合信號(hào)的預(yù)定頻率的信號(hào)進(jìn)行差動(dòng)放大；第一MOS晶體管，與所述第一差動(dòng)放大電路級(jí)聯(lián)連接，對(duì)柵極輸入立體聲復(fù)合信號(hào)；第二MOS晶體管，與所述第二差動(dòng)放大電路級(jí)聯(lián)連接，對(duì)柵極輸入將立體聲復(fù)合信號(hào)反轉(zhuǎn)后的信號(hào)或者基準(zhǔn)電壓；第三MOS晶體管，連接在所述第一差動(dòng)放大電路和電源之間；第四MOS晶體管，連接在所述第二差動(dòng)放大電路和電源之間；第五MOS晶體管，流過(guò)與所述第三MOS晶體管中流過(guò)的電流成比例的電流；第六MOS晶體管，流過(guò)與所述第四MOS晶體管中流過(guò)的電流成比例的電流；切換電路，在所述第五MOS晶體管和第六MOS晶體管的漏極間并聯(lián)連接有多個(gè)包含電阻和開(kāi)關(guān)元件的電路；第三電流源，連接在所述第五MOS晶體管上；以及第四電流源，連接在所述第六MOS晶體管上，其中，接通、斷開(kāi)所述開(kāi)關(guān)元件，使所述第五和第六MOS晶體管的漏極間的電阻值變化，調(diào)整分離電平。
按照本發(fā)明，可不使立體聲分離調(diào)整電路的輸出電壓的動(dòng)態(tài)范圍變窄地來(lái)調(diào)整分離電平。
對(duì)于本發(fā)明的其他方式來(lái)說(shuō)，所述第三、第四、第五和第六MOS晶體管包括p溝道MOS晶體管，所述第三和第五、第四和第六MOS晶體管分別構(gòu)成電流鏡電路。
通過(guò)這樣構(gòu)成，在第五和第六p溝道MOS晶體管中流過(guò)與第三和第四p溝道MOS晶體管中流過(guò)的電流成比例的電流，并改變它們的漏極側(cè)的電阻值，由此，可調(diào)整分離電平。


圖1是第一實(shí)施方式的立體聲分離調(diào)整電路的電路圖。
圖2是第二實(shí)施方式的立體聲分離調(diào)整電路的電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的立體聲分離調(diào)整電路11的電路圖。
在圖1中，n溝道MOS晶體管Q1和Q2構(gòu)成差動(dòng)放大電路(第一差動(dòng)放大電路)，對(duì)n溝道MOS晶體管(以下稱為MOS晶體管)Q1的柵極輸入導(dǎo)頻信號(hào)的兩倍頻率38kHz的交流信號(hào)P38k，向Q2的柵極輸入38kHz的信號(hào)的反轉(zhuǎn)信號(hào)N38k。
MOS晶體管Q3和Q4構(gòu)成差動(dòng)放大電路(第二差動(dòng)放大電路)，向MOS晶體管Q3和Q4的柵極輸入與MOS晶體管Q1和Q2相同的38kHz的信號(hào)P38k和38kHz的信號(hào)N38k。
在MOS晶體管Q1和Q3的漏極上連接電阻R6，電阻R6的另一端連接在電源Vdd上。此外，在MOS晶體管Q2和Q4的漏極上連接電阻R7，該電阻R7的另一端連接在電源Vdd上。
MOS晶體管Q1、Q2的源極連接有MOS晶體管Q5的漏極，MOS晶體管Q3、Q4的源極連接有MOS晶體管Q6的漏極。而且，對(duì)MOS晶體管Q5的柵極輸入立體聲復(fù)合信號(hào)(混合信號(hào))，對(duì)MOS晶體管Q6的柵極輸入基準(zhǔn)電壓Ref。
在MOS晶體管Q5與Q6的源極之間連接有切換電路，該切換電路中并聯(lián)連接有被串聯(lián)連接的電阻R1和開(kāi)關(guān)元件SW1、電阻R2和開(kāi)關(guān)SW2、電阻R3和開(kāi)關(guān)SW3、電阻R4和開(kāi)關(guān)SW4、電阻R5和開(kāi)關(guān)SW5。
開(kāi)關(guān)元件SW1～SW5例如由并聯(lián)連接p溝道MOS晶體管和n溝道MOS晶體管的傳輸門構(gòu)成。向使該開(kāi)關(guān)元件SW1～SW5接通、斷開(kāi)的控制端子(未圖示)提供對(duì)接收信號(hào)強(qiáng)度顯示信號(hào)(RSSIReceivedSignal Strength Indicator)進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換后的數(shù)字值，在接收信號(hào)強(qiáng)度為預(yù)定值以下時(shí)，根據(jù)接收信號(hào)強(qiáng)度而提供使分離電平變小的信號(hào)。
在MOS晶體管Q5的源極和接地之間連接電流源I1，在MOS晶體管Q6的源極和接地之間連接相同輸出電流的電流源I1。
MOS晶體管Q1和Q3的漏極成為立體聲R信號(hào)(右信號(hào))的輸出端子。
MOS晶體管Q2和Q4的漏極成為立體聲的L信號(hào)(左信號(hào))的輸出端子。
然后，對(duì)以上這樣的電路的工作進(jìn)行說(shuō)明。圖1的立體聲分離調(diào)整電路11是如下的電路通過(guò)MOS晶體管Q5對(duì)立體聲混合信號(hào)進(jìn)行放大，對(duì)該放大后的信號(hào)和導(dǎo)頻信號(hào)的兩倍頻率的38kHz的信號(hào)進(jìn)行混合，輸出立體聲的R、L信號(hào)。
在對(duì)FM立體聲信號(hào)進(jìn)行解調(diào)時(shí)，根據(jù)FM信號(hào)的接收信號(hào)強(qiáng)度而存在最佳的分離電平。實(shí)施方式的立體聲分離調(diào)整電路11通過(guò)改變連接在MOS晶體管Q5、Q6的源極之間的電阻值，使分離電平可變。
在未輸入立體聲混合信號(hào)的狀態(tài)下，若MOS晶體管Q5、Q6的柵極的偏置電壓相同，則MOS晶體管Q5和MOS晶體管Q6的源極電位就變得相等。因此，由于不管接通開(kāi)關(guān)元件SW1～SW5中的哪個(gè)開(kāi)關(guān)元件，電阻R1～R5中都不流過(guò)電流，所以，電阻R1～R5作為負(fù)載沒(méi)有影響。因此，電阻R1～R5的值不影響MOS晶體管Q5、Q6的電壓增益。
另一方面，由于在接收FM信號(hào)，對(duì)MOS晶體管Q5的柵極輸入立體聲混合信號(hào)時(shí)，MOS晶體管Q5和Q6的交流的源極電位不同，所以，MOS晶體管Q5和Q6的源極間的電阻R1～R5中流過(guò)與由混合信號(hào)和基準(zhǔn)電壓Vref決定的源極電位的電壓差和此時(shí)的電阻值相對(duì)應(yīng)的電流。
對(duì)于源極接地電路的電壓增益來(lái)說(shuō)，將互導(dǎo)設(shè)為gm、將源極側(cè)的電阻R1～R4的合成電阻設(shè)為(R1～R4)，滿足(1/gm)《(R1～R4)的關(guān)系時(shí)，與漏極側(cè)的負(fù)載電阻和源極側(cè)電阻(R1～R4)之比成比例。因此，通過(guò)接通、斷開(kāi)開(kāi)關(guān)元件SW1～SW5改變?cè)礃O側(cè)的電阻值，由此，可改變MOS晶體管Q5和Q6的增益，可調(diào)整立體聲分離調(diào)整電路11的分離電平。
此時(shí)，因?yàn)榧词菇油?、斷開(kāi)開(kāi)關(guān)元件SW1～SW5改變?cè)礃O間的電阻值，如上所述也不影響MOS晶體管Q5、Q6的直流偏置電壓，所以，MOS晶體管Q1和Q3、Q2和Q4的信號(hào)輸出電壓的動(dòng)態(tài)范圍不受限制。
另外，在圖1中，也可以做成調(diào)換差動(dòng)放大電路和MOS晶體管Q5、Q6地進(jìn)行配置的結(jié)構(gòu)，可以對(duì)差動(dòng)放大電路設(shè)置切換電路。
本發(fā)明的第一差動(dòng)放大電路例如對(duì)應(yīng)于圖1的MOS晶體管Q1和Q2，第二差動(dòng)放大電路對(duì)應(yīng)于圖1的MOS晶體管Q3和Q4。此外，第一MOS晶體管對(duì)應(yīng)于圖1的MOS晶體管Q5，第二MOS晶體管對(duì)應(yīng)于圖1的MOS晶體管Q6。進(jìn)而，多個(gè)電阻和開(kāi)關(guān)元件對(duì)應(yīng)于圖1的電阻R1～R5和開(kāi)關(guān)元件SW1～SW5。
其次，圖2是本發(fā)明第二實(shí)施方式的立體聲分離調(diào)整電路21的電路圖。
在以下的說(shuō)明中，對(duì)與圖1相同的部分付以相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。在MOS晶體管Q1和Q3的漏極與電源Vdd之間，連接有p溝道MOS晶體管Q9，p溝道MOS晶體管Q9的柵極連接在漏極上。
在MOS晶體管Q2和Q4的漏極與電源Vdd之間連接有p溝道MOS晶體管Q10，p溝道MOS晶體管Q10的柵極連接在漏極上。
p溝道MOS晶體管Q11與p溝道MOS晶體管Q9構(gòu)成電流鏡電路，二者的柵極彼此連接。此外，p溝道MOS晶體管Q12與p溝道MOS晶體管Q10構(gòu)成電流鏡電路，二者的柵極彼此連接。
在MOS晶體管Q11和Q12的漏極之間連接有切換電路，該切換電路中并聯(lián)連接有被串聯(lián)連接的電阻R1和開(kāi)關(guān)元件SW1、電阻R2和開(kāi)關(guān)元件SW2、電阻R3和開(kāi)關(guān)元件SW3、電阻R4和開(kāi)關(guān)元件SW4、電阻R5和開(kāi)關(guān)元件SW5。
在MOS晶體管Q11的漏極和接地之間連接有電流源I2，在MOS晶體管Q12的漏極和接地之間連接有電流源I2。從該MOS晶體管Q11和Q12的漏極輸出立體聲的R信號(hào)、L信號(hào)。
此處，對(duì)圖2的電路的工作進(jìn)行說(shuō)明。在不輸入立體聲混合信號(hào)的狀態(tài)下，對(duì)MOS晶體管Q11和Q12的柵極提供相同的直流偏置電壓，MOS晶體管Q11和Q12的漏極成為相同的電位。因此，由于即使接通、斷開(kāi)控制開(kāi)關(guān)元件SW1～SW5改變電阻值，電阻R1～R5中也不流過(guò)電流，所以，R信號(hào)和L信號(hào)的直流電平不變化。
另一方面，由于在接收FM信號(hào)，對(duì)MOS晶體管Q5的柵極輸入立體聲混合信號(hào)時(shí)，在MOS晶體管Q9和Q10中流過(guò)對(duì)應(yīng)于交流的R信號(hào)和L信號(hào)的電流，所以，MOS晶體管Q11、Q12中也流過(guò)與其成比例的電流。
在交流工作時(shí)，因?yàn)镸OS晶體管Q11和Q12的漏極電壓不同，所以，在漏極間的電阻R1～R5中流過(guò)與此時(shí)的電壓差和電阻值相對(duì)應(yīng)的電流。
因?yàn)樵礃O接地電路的電壓增益與漏極側(cè)的電阻值成比例，所以，通過(guò)接通、斷開(kāi)開(kāi)關(guān)元件R1～R5以增加或者減少漏極側(cè)的電阻值，就能夠改變MOS晶體管Q11、Q12的增益。由此，可對(duì)分離電平進(jìn)行調(diào)整。
此時(shí)，因?yàn)榧词菇油ā嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)元件SW1～SW5改變電阻值，MOS晶體管Q11、Q12的直流輸出電壓也不改變，所以，MOS晶體管Q11與Q12的輸出電壓的動(dòng)態(tài)范圍不變。
若按照如上所述的實(shí)施方式，就能夠不使立體聲的R、L信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍變窄地來(lái)使分離電平變化。此外，因?yàn)槔瞄_(kāi)關(guān)元件SW1～SW5來(lái)切換連接的電阻R1～R5不流過(guò)直流電流，所以，能夠抑制電路功耗的增加。
另外，本發(fā)明的第一差動(dòng)放大電路例如對(duì)應(yīng)于圖2的MOS晶體管Q1和Q2，第二差動(dòng)放大電路對(duì)應(yīng)于圖2的MOS晶體管Q3和Q4。此外，第一MOS晶體管對(duì)應(yīng)于圖2的MOS晶體管Q5，第二MOS晶體管對(duì)應(yīng)于圖2的MOS晶體管Q6。此外，第五MOS晶體管對(duì)應(yīng)于圖2的MOS晶體管Q11，第六MOS晶體管對(duì)應(yīng)于圖2的MOS晶體管Q12。進(jìn)而，多個(gè)電阻和開(kāi)關(guān)元件對(duì)應(yīng)于圖2的電阻R1～R5和開(kāi)關(guān)元件SW1～SW5。
上述的立體聲分離調(diào)整電路11或者21搭載在通過(guò)可形成p溝道OS晶體管與n溝道MOS晶體管的CMOS工藝而制造的半導(dǎo)體集成電路例如FM無(wú)線電接收機(jī)用MOS集成電路基板上。
按照本發(fā)明，就可以不使立體聲分離調(diào)整電路的動(dòng)態(tài)范圍變窄地來(lái)調(diào)整分離電平。
本發(fā)明不限于如上所述的實(shí)施方式，例如，可以構(gòu)成為如下的方式。
(1)電阻R1～R5和開(kāi)關(guān)元件SW1～SW5不限于連接在圖1的MOS晶體管Q5、Q6的源極之間，也可以連接在MOS晶體管Q1、Q4的漏極之間。切換電路不限于五個(gè)由電阻和開(kāi)關(guān)元件構(gòu)成的電路，只要根據(jù)調(diào)整范圍由所需個(gè)數(shù)的電阻和開(kāi)關(guān)元件構(gòu)成即可。
(2)分離調(diào)整電路的結(jié)構(gòu)不限于圖1或者圖2所示的電路，也可以使用公知的其他電路。
(3)本發(fā)明不限于FM無(wú)線電裝置，也可應(yīng)用于接收頻率調(diào)制后的立體聲信號(hào)的其他接收機(jī)。
權(quán)利要求
1.一種立體聲分離調(diào)整電路，其中具備第一和第二差動(dòng)放大電路，對(duì)用于解調(diào)立體聲復(fù)合信號(hào)的預(yù)定頻率的信號(hào)進(jìn)行差動(dòng)放大；第一MOS晶體管，與所述第一差動(dòng)放大電路級(jí)聯(lián)連接，對(duì)柵極輸入立體聲復(fù)合信號(hào)；第二MOS晶體管，與所述第二差動(dòng)放大電路級(jí)聯(lián)連接，對(duì)柵極輸入將立體聲復(fù)合信號(hào)反轉(zhuǎn)后的信號(hào)或者基準(zhǔn)電壓；切換電路，在所述第一和第二MOS晶體管的源極間并聯(lián)連接有多個(gè)包含電阻和開(kāi)關(guān)元件的電路；第一電流源，連接在所述第一MOS晶體管上；以及第二電流源，連接在所述第二MOS晶體管上，接通、斷開(kāi)所述開(kāi)關(guān)元件，使所述第一和第二MOS晶體管的源極間的電阻值變化，調(diào)整分離電平。
2.如權(quán)利要求1記載的立體聲分離調(diào)整電路，其中所述第一和第二差動(dòng)放大電路包括向柵極輸入導(dǎo)頻信號(hào)的兩倍頻率的交流信號(hào)和其反轉(zhuǎn)信號(hào)的四個(gè)MOS晶體管，所述開(kāi)關(guān)元件是并聯(lián)連接p溝道MOS晶體管和n溝道MOS晶體管而構(gòu)成的。
3.一種立體聲分離調(diào)整電路，其中具備第一和第二差動(dòng)放大電路，對(duì)用于解調(diào)立體聲復(fù)合信號(hào)的預(yù)定頻率的信號(hào)進(jìn)行差動(dòng)放大；第一MOS晶體管，與所述第一差動(dòng)放大電路級(jí)聯(lián)連接，對(duì)柵極輸入立體聲復(fù)合信號(hào)；第二MOS晶體管，與所述第二差動(dòng)放大電路級(jí)聯(lián)連接，對(duì)柵極輸入將立體聲復(fù)合信號(hào)反轉(zhuǎn)后的信號(hào)或者基準(zhǔn)電壓；第三MOS晶體管，連接在所述第一差動(dòng)放大電路和電源之間；第四MOS晶體管，連接在所述第二差動(dòng)放大電路和電源之間；第五MOS晶體管，流過(guò)與所述第三MOS晶體管中流過(guò)的電流成比例的電流；第六MOS晶體管，流過(guò)與所述第四MOS晶體管中流過(guò)的電流成比例的電流；切換電路，在所述第五MOS晶體管和第六MOS晶體管的漏極間并聯(lián)連接有多個(gè)包含電阻和開(kāi)關(guān)元件的電路；第三電流源，連接在所述第五MOS晶體管上；以及第四電流源，連接在所述第六MOS晶體管上，接通、斷開(kāi)所述開(kāi)關(guān)元件，使所述第五和第六MOS晶體管的漏極間的電阻值變化，調(diào)整分離電平。
4.如權(quán)利要求3記載的立體聲分離調(diào)整電路，其中所述第三和第四MOS晶體管包括第三和第四p溝道MOS晶體管，所述第五和第六MOS晶體管包括與所述第三和第四p溝道MOS晶體管分別構(gòu)成電流鏡電路的第五和第六p溝道MOS晶體管。
5.一種搭載有立體聲分離調(diào)整電路的MOS集成電路，其中該立體聲分離調(diào)整電路具備第一和第二差動(dòng)放大電路，對(duì)用于解調(diào)立體聲復(fù)合信號(hào)的預(yù)定頻率的信號(hào)進(jìn)行差動(dòng)放大；第一MOS晶體管，與所述第一差動(dòng)放大電路級(jí)聯(lián)連接，對(duì)柵極輸入立體聲復(fù)合信號(hào)；第二MOS晶體管，與所述第二差動(dòng)放大電路級(jí)聯(lián)連接，對(duì)柵極輸入將立體聲復(fù)合信號(hào)反轉(zhuǎn)后的信號(hào)或者基準(zhǔn)電壓；切換電路，在所述第一和第二MOS晶體管的源極間并聯(lián)連接有多個(gè)包含電阻和開(kāi)關(guān)元件的電路；第一電流源，連接在所述第一MOS晶體管上；以及第二電流源，連接在所述第二MOS晶體管上，接通、斷開(kāi)所述開(kāi)關(guān)元件，使所述第一和第二MOS晶體管的源極間的電阻值變化，調(diào)整分離電平。
6.一種搭載有立體聲分離調(diào)整電路的MOS集成電路，其中該立體聲分離調(diào)整電路具備第一和第二差動(dòng)放大電路，對(duì)用于解調(diào)立體聲復(fù)合信號(hào)的預(yù)定頻率的信號(hào)進(jìn)行差動(dòng)放大；第一MOS晶體管，與所述第一差動(dòng)放大電路級(jí)聯(lián)連接，對(duì)柵極輸入立體聲復(fù)合信號(hào)；第二MOS晶體管，與所述第二差動(dòng)放大電路級(jí)聯(lián)連接，對(duì)柵極輸入將立體聲復(fù)合信號(hào)反轉(zhuǎn)后的信號(hào)或者基準(zhǔn)電壓；第三MOS晶體管，連接在所述第一差動(dòng)放大電路和電源之間；第四MOS晶體管，連接在所述第二差動(dòng)放大電路和電源之間；第五MOS晶體管，流過(guò)與所述第三MOS晶體管中流過(guò)的電流成比例的電流；第六MOS晶體管，流過(guò)與所述第四MOS晶體管中流過(guò)的電流成比例的電流；切換電路，在所述第五MOS晶體管和第六MOS晶體管的漏極間并聯(lián)連接有多個(gè)包含電阻和開(kāi)關(guān)元件的電路；第三電流源，連接在所述第五MOS晶體管上；以及第四電流源，連接在所述第六MOS晶體管上，接通、斷開(kāi)所述開(kāi)關(guān)元件，使所述第五和第六MOS晶體管的漏極間的電阻值變化，調(diào)整分離電平。
全文摘要
本發(fā)明可不使動(dòng)態(tài)范圍變窄地對(duì)分離電平進(jìn)行調(diào)整。在輸入混合信號(hào)的MOS晶體管Q5和輸入基準(zhǔn)電壓的MOS晶體管Q6的源極之間并聯(lián)連接有被串聯(lián)連接的電阻R1與開(kāi)關(guān)元件SW1、R2與SW2、R3與SW3......。在直流工作中，電阻R1～R5不影響MOS晶體管Q5的輸出電壓，在交流工作時(shí)，改變并聯(lián)連接的電阻R1～R5的值，由此，可對(duì)分離電平進(jìn)行調(diào)整。
文檔編號(hào)H04H40/63GK1985456SQ20058002111
公開(kāi)日2007年6月20日 申請(qǐng)日期2005年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月25日
發(fā)明者青山孝志, 宮城弘 申請(qǐng)人:新瀉精密株式會(huì)社